JP6675181B2 - トランスデューサ装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
更に、プリント基板6を用いることで、装置としての温度使用範囲が狭くなるという不都合もある。
請求項3の発明は、上記第1ウェーハの第1基板の縦方向において、上記変換部と並ぶ位置に上記信号処理回路を設け、この信号処理回路と上記変換部とを配線層にて接続したことを特徴とする。
また、変換部と信号処理回路を縦方向に並べることで、更なる装置の小型化を図ることができ、変換部と信号処理回路とを絶縁層を介した配線層にて接続することを含め、トランスデューサ装置(MEMS装置)をモノリシック製法(半導体マイクロプロセス)で製作することで、製造の更なる容易化、低コスト化を図ることが可能となり、設計の自由度も増すという利点がある。即ち、従来のプリント基板(PCB)を用いた装置では、変換部や信号処理回路から見て外付け部品として各素子が組み込まれており、近年のプリント基板の薄板化に伴ってコストが相対的に上がっているが、本発明は、シリコン基板(半導体基板)を用いたモノリシックでの加工が可能となるので、設計の自由度が増し更なるコスト低減が可能になる。
また、トランスデューサ装置のキャビティ(例えばバックチャンバー)とアコースティックポートから変換部へ連通する空気通路とを、1つの第2基板に形成することにより、実装密度が向上し、低コスト化に寄与できるという利点がある。
次に、図2(b)に示されるように、第1基板16の上面にレジスト36を形成し、RIE(反応性イオンエッチング)法によりスルーホールビアのための開口溝26cを形成する。ここで、開口溝26cの深さは、最終的な基板仕上げ厚より少し深めにしておく。
図2(c)は、開口溝26cの埋込み工程(スルーホールビア形成工程)を示しており、この埋込みはメッキ埋込み法やDoped Poly-Silicon埋込み法によって行われる。この段階では、ブラインドビアとなっている。
図3(e)は、可動電極18の形成工程であり、既に信号処理回路22の形成完了後であるため高温プロセスはできないので、可動電極18として、基本的にはアルミニウム、チタン等の金属膜やプラズマ系の不純物を添加したアモルファスシリコン膜等が形成される。この可動電極18は、上記PAD40を介して配線層部21の配線パターン21aに接続され、この配線層部21から信号処理回路22等に接続される。
図3(f)は、第2基板17側との絶縁分離に必要な絶縁分離酸化膜リングの形成工程であり、第2基板17と接合する際に上記固定電極19と可動電極18とを絶縁分離するために絶縁膜リング42(図7参照)が形成される。
図3(i)は、外部端子形成工程であり、ここでは、メッキ材(ソルダー材)を使って金属の外部端子27がスルーホールビア26の下部に形成される。
図4(a)は、1回のドライエッチングで段差のあるエッチ形状を形成するための準備工程であり、エッチング前の断面形状を示している。この工程では、シリコンからなる第2基板17に対し酸化を行い、レジストパターニングによって所望の位置に酸化膜46を残すと共に、チップエッジ部(周端部)の縁に沿ってレジストパターン47を形成する。RIE法によるエッチングでは、上記酸化膜46の存在によりシリコンエッチの開始を遅らせることができ、この酸化膜46はエッチングの進行と共に消滅する。そこで、この酸化膜46の高さにより、図4(b)に示すシリコン突起部49が所望の高さになるように調節する。
図5(f)では、図4(d)で形成した空気通路32の入口であるアコースティックポート(音圧入口)31となる穴31aが加工されたシリコン蓋56を取り付ける。このシリコン蓋56の穴31aは、空気通路32の位置に一致するように設計される。
図5(g)では、上記シリコン蓋56の上部をバックグラインドにて切削し、アコースティックポート31となる穴31aを貫通しない程度に削り出し、その後ドライエッチングにて丁度貫通する程度にまでエッチングを行うことで、アコースティックポート31を形成する。
また、変換部(18,19)と信号処理回路22とを配線層部21を介して接続することで、ボンディングワイヤレスとなり、第1基板16と第2基板17を貼り合わせて変換部の空間100形成するので、犠牲層レスとなる。
更に、バックチャンバー30、アコースティックポート31及び空気通路32をまとめて第2基板17に形成するので、実装密度向上、低コスト化を促進できるという利点がある。
3…変換部、 4,22…信号処理回路、
13…バックチャンバー、
16…第1基板、 17…第2基板、
17e…エッジ部、 21…配線層部、
25…接合部34bの第1基板側部分、
26…スルーホールビア、 27…外部端子、
30…バックチャンバー(キャビティ)、
31…アコースティックポート、 32…空気通路、
34a,34b…接合部、 42…絶縁膜リング、
49…シリコン突起部、 100…空間。
Claims (3)
- 変換部の可動電極、絶縁膜リング、配線層及びこの配線層を介して上記変換部に接続される信号処理回路を形成した第1基板と、
上記変換部の固定電極、上記絶縁膜リングに当接する突起部及び上記固定電極に連通して内部に配置されるキャビティを形成すると共に、このキャビティの周辺部にアコースティックポートから上記変換部へ連通する空気通路を形成した第2基板とを設け、
上記固定電極と可動電極との間に所定の空間を確保しかつこの両電極を平行に配置しながら、上記絶縁膜リングと上記突起部とが当接し、上記空気通路が上記可動電極の上記第1基板側に連通するように上記第1基板と第2基板を接合してなるトランスデューサ装置。 - 変換部の可動電極、絶縁膜リング、配線層及びこの配線層を介して上記変換部に接続される信号処理回路を有する複数の第1基板を第1ウェーハに形成し、
上記変換部の固定電極、上記絶縁膜リングに当接する突起部、上記固定電極に連通して内部に配置されるキャビティ及びこのキャビティの周辺部に配置されてアコースティックポートから上記変換部へ連通する空気通路を有する複数の第2基板を第2ウェーハに形成し、
上記複数の第1基板の各々の上記可動電極と上記複数の第2基板の各々の上記固定電極との間に所定の空間を確保しかつこの両電極を平行に配置しながら、上記複数の第1基板の各々の上記絶縁膜リングと上記複数の第2基板の各々の上記突起部とが当接し、上記複数の第2基板の各々の空気通路が上記複数の第1基板の各々の上記可動電極の上記第1基板側に連通するように上記第1ウェーハと第2ウェーハを重ねて接合し、
接合した第1及び第2ウェーハを個片化して製作するトランスデューサ装置の製造方法。 - 上記第1ウェーハの第1基板の縦方向において、上記変換部と並ぶ位置に上記信号処理回路を設け、この信号処理回路と上記変換部とを配線層にて接続したことを特徴とする請求項2記載のトランスデューサ装置の製造方法。
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