JP5840197B2 - 有機電界効果トランジスタ及び有機半導体材料 - Google Patents
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Description
有機半導体層を積層することによりトランジスタ特性の向上を図る検討がなされている。例えば非特許文献4ではペンタセンをルブレンの結晶性コントロール材料として、また非特許文献5ではペンタセンをベンゾジチオフェンダイマーの結晶性コントロール材料として活用することで結晶性を上げ、ルブレンとベンゾチオフェンダイマーの移動度の向上を図っている。
[1]一般式(1)で表わされる有機半導体材料(A)と、前記一般式(1)で表わされる有機半導体材料以外の有機半導体材料(B)とを含む電界効果トランジスタ。
(X1は置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基又は置換基を有してもよい芳香族残基を表わす。)
[2]有機半導体材料(A)が一般式(2)で表わされる有機半導体材料である、[1]に記載の電界効果トランジスタ。
(R1は水素原子又は置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基を表わす。)
[3]有機半導体材料(B)が一般式(3)で表わされる有機半導体材料である、[1]又は[2]に記載の電界効果トランジスタ。
(X2は置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基又は置換基を有してもよい芳香族残基を表わす。)
[4]一般式(3)で表わされる有機半導体材料が一般式(4)である、[3]に記載の電界効果トランジスタ。
(R2は水素原子又は置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基を表わす。)
[5]有機半導体材料(A)を含む層と、有機半導体材料(B)を含む層とが、積層されている構造を有している、[1]〜[4]のいずれか一つに記載の電界効果トランジスタ。
[6]スタガ型のトランジスタ構造である、[5]に記載の電界効果トランジスタ。
[7]ゲート電極上に設けられた絶縁体層上に、有機半導体材料(B)を含む層及び有機半導体材料(A)を含む層が順に積層され、さらに有機半導体材料(A)を含む層の最上部に接するようにソース電極及びドレイン電極がそれぞれ設けられているトップコンタクトボトムゲート型構造である、[6]に記載の電界効果トランジスタ。
[8]基板上にソース電極及びドレイン電極がそれぞれ設けられており、その上に有機半導体材料(A)を含む層及び有機半導体材料(B)を含む層が順に積層され、さらに有機半導体材料(B)を含む層の最上部に接するように設けられた絶縁体層上にゲート電極が設けられているボトムコンタクトトップゲート型構造である、[6]に記載の電界効果トランジスタ。
[9]一般式(5)で表わされるナフトジチオフェン系化合物。
(R3はC1−3アルキル基を表わす。)
[10]R3がメチル基である(9)に記載のナフトジチオフェン系化合物。
[11]式(6)で表わされる化合物。
[12][9]〜[11]のいずれか一つに記載の化合物からなるナフトジチオフェン系有機半導体材料。
[13][9]〜[11]のいずれか一つに記載の化合物からなるナフトジチオフェン系有機トランジスタ材料。
[14][12]に記載の有機半導体材料を含む電界効果トランジスタ。
本発明は半導体活性層に一般式(1)で表わされるヘテロアセン系P型有機半導体材料及び前記一般式(1)で表わされるヘテロアセン系P型有機半導体材料とは異なるP型の有機半導体材料を組み合わせることで電荷移動速度が速く、安定性の優れた有機電界効果トランジスタを得ることができる。
ここで脂肪族炭化水素基としては飽和又は不飽和の直鎖、分岐鎖又は環状の脂肪族炭化水素基が挙げられ、好ましくは直鎖又は分岐鎖の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは直鎖の脂肪族炭化水素基である。炭素数は通常C1−C36であり、好ましくはC1−C24、さらに好ましくはC1−C20、最も好ましくはC1−C12である。この脂肪族炭化水素基はハロゲン原子で置換されていてもよい。
直鎖又は分岐鎖の飽和脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、iso−プロピル、n−ブチル、iso−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、iso−ペンチル、t−ペンチル、sec−ペンチル、n−ヘキシル、iso−ヘキシル、n−ヘプチル、sec−ヘプチル、n−オクチル、n−ノニル、sec−ノニル、n−デシル、n−ウンデシル、n−ドデシル、n−トリデシル、n−テトラデシル、n−ペンタデシル、n−ヘキサデシル、n−ヘプタデシル、n−オクタデシル、n−ノナデシル、n−エイコシル、ドコシル、n−ペンタコシル、n−オクタコシル、n−トリコンチル、5−(n−ペンチル)デシル、ヘネイコシル、トリコシル、テトラコシル、ヘキサコシル、ヘプタコシル、ノナコシル、n−トリアコンチル、スクアリル、ドトリアコンチル、ヘキサトリアコンチル等が挙げられる。
一般式(1)で表わされる有機半導体材料以外の有機半導体(B)としては、更に好ましくは一般式(4)に示すジフェニル誘導体がさらに好ましい。一般式(4)中、R2は水素原子又は置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基を表わす。脂肪族炭化水素残基としては、先に説明した脂肪族炭化水素系残基と同じでよい。
図1に、本発明の電界効果トランジスタ(素子)のいくつかの態様例を示す。各例において、1がソース電極、2が半導体層、3がドレイン電極、4が絶縁体層、5がゲート電極、6が基板をそれぞれ表す。尚、各層や電極の配置は、素子の用途により適宜選択できる。A〜D及びFは基板と並行方向に電流が流れるので、横型FETと呼ばれる。Aはボトムゲートボトムコンタクト型構造、Bはトップコンタクトボトムゲート型構造と呼ばれる。B’はBの半導体層を二つに分けた、すなわち二層を積層した態様のものである。また、Cは半導体上にソース及びドレイン電極、絶縁体層を設け、さらにその上にゲート電極を形成しているトップゲートトップコンタクト型構造である。Dはボトムゲートボトム&トップコンタクト型トランジスタと呼ばれる構造である。Eは縦型の構造をもつFETである静電誘導トランジスタ(SIT)の模式図である。このSIT構造によれば、電流の流れが平面状に広がるので一度に大量のキャリアが移動できる。またソース電極とドレイン電極が縦に配されているので電極間距離を小さくできるため応答が高速である。従って、大電流を流す、あるいは高速のスイッチングを行うなどの用途に好ましく適用できる。また、Fはトップゲートボトムコンタクト型であり、F’はFの半導体層を二つに分けた、すなわち二層を積層した態様のものある。
基板6は、その上に形成される各層が剥離することなく保持できることが必要である。例えば樹脂フィルム、紙、ガラス、石英、セラミックなどの絶縁性材料、金属や合金などの導電性基板上にコーティング等により絶縁層を形成した物、樹脂と無機材料など各種組合せからなる材料等が使用しうる。使用しうる樹脂フィルムの例としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、セルローストリアセテート、ポリエーテルイミドなどが挙げられる。樹脂フィルムや紙を用いると、素子に可撓性を持たせることができ、フレキシブルで、軽量となり、実用性が向上する。基板の厚さとしては、通常1μm〜10mmであり、好ましくは5μm〜5mmである。
各電極1、3、5には配線が連結されているが、配線も電極とほぼ同様の材料により作製される。
半導体層2の膜厚は、必要な機能を失わない範囲で、薄いほど好ましい。B及びFに示すようなスタガ型の電界効果トランジスタにおいては、膜厚方向の電荷の移動が必要であり、更に膜厚が厚くなると漏れ電流が増加してくることもあるためである。必要な機能を示すために、通常、1nm〜1μm、好ましくは5nm〜500nm、より好ましくは10nm〜300nmである。なお、有機半導体材料(A)を含有する層と有機半導体材料(B)を含有する層とが積層構造をとっている場合、トータルの膜厚は前述と同じでよい。それぞれの膜厚は必要な機能を失わない範囲で任意に調整できる。またこれらの材料の混合比率や膜厚を調整することによって、良好な半導体特性を有する電界効果トランジスタが得られる。
保護層の材料としては特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、フッ素樹脂、ポリオレフィン等の各種樹脂からなる膜や、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素等、無機酸化膜や窒化膜等の誘電体からなる膜が好ましく用いられる。特に、酸素や水分の透過率や吸水率の小さな樹脂(ポリマー)が好ましい。近年、有機ELディスプレイ用に開発されている保護材料も使用が可能である。保護層の膜厚は、その目的に応じて任意の膜厚を採用できるが、通常100nm〜1mmである。
この製造方法は前記した他の態様の電界効果トランジスタ等にも同様に適用しうるものである。
基板6上に必要な層や電極を設けることで作製される(図2(1)参照)。基板としては上記で説明したものを用いうる。この基板上に前述の表面処理などを行うことも可能である。基板6の厚みは、必要な機能を妨げない範囲で薄い方が好ましい。材料によっても異なるが、通常1μm〜10mmであり、好ましくは5μm〜5mmである。また、必要により、基板に電極の機能を持たせるようにしてもよい。
基板6上にゲート電極5を形成する(図2(2)参照)。電極材料としては上記で説明したものが用いられる。電極膜を成膜する方法としては、各種の方法を用いることが出来、例えば真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、熱転写法、印刷法、ゾルゲル法等が採用される。成膜時又は成膜後、所望の形状になるよう必要に応じてパターニングを行うのが好ましい。パターニングの方法としても各種の方法を用いうるが、例えばフォトレジストのパターニングとエッチングを組み合わせたフォトリソグラフィー法等が挙げられる。又、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法等のソフトリソグラフィーの手法、及びこれら手法を複数組み合わせた手法を利用し、パターニングすることも可能である。ゲート電極5の膜厚は、材料によっても異なるが、通常0.1nm〜10μmであり、好ましくは0.5nm〜5μmであり、より好ましくは1nm〜3μmである。また、ゲート電極と基板を兼ねる場合は上記の膜厚より大きくてもよい。
ゲート電極5上に絶縁層4を形成する(図2(3)参照)。絶縁体材料としては上記で説明したもの等が用られる。絶縁体層4を形成するにあたっては各種の方法を用いうる。例えばスピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、キャスト、バーコート、ブレードコーティングなどの塗布法、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット等の印刷法、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法、CVD法などのドライプロセス法が挙げられる。その他、ゾルゲル法やアルミニウム上のアルマイト、シリコンの熱酸化膜のように金属上に酸化物膜を形成する方法等が採用される。
なお、絶縁体層と半導体層が接する部分においては、両層の界面で半導体分子を良好に配向させるために、絶縁体層に所定の表面処理を行うことができる。表面処理の手法は、基板の表面処理と同様のものが用いうる。絶縁体層4の膜厚は、その機能を損なわない範囲で薄い方が好ましい。通常0.1nm〜100μmであり、好ましくは0.5nm〜50μmであり、より好ましくは5nm〜10μmである。
半導体材料としては上記で説明したような材料が使用される。半導体層を成膜するにあたっては、各種の方法を用いることが出来る。スパッタリング法、CVD法、分子線エピタキシャル成長法、真空蒸着法等の真空プロセスでの形成方法と、ディップコート法、ダイコーター法、ロールコーター法、バーコーター法、スピンコート法等の塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法などの溶液プロセスでの形成方法に大別される。以下、半導体層の形成方法について詳細に説明する。
前記半導体材料をルツボや金属のボート中で真空下、加熱し、蒸発した半導体材料を基板(絶縁体層、ソース電極及びドレイン電極の露出部)に付着(蒸着)させる方法(真空蒸着法)が好ましく採用される。この際、真空度は、通常1.0×10−1Pa以下、好ましくは1.0×10−4Pa以下である。また、蒸着時の基板温度によって半導体膜、ひいては電界効果トランジスタの特性が変化するので、注意深く基板温度を選択するのが好ましい。蒸着時の基板温度は通常、0〜200℃、好ましくは10〜150℃である。また、蒸着速度は、通常0.001nm/秒〜10nm/秒であり、好ましくは0.01nm/秒〜1nm/秒である。
また半導体材料を積層構造とするためには、順次に各々の材料を加熱、蒸発させ、積層させることにより得られる。混合する場合には、通常、各々の材料を同時に加熱、蒸発させる共蒸着により材料の混合した構造の半導体層を得ることが出来る。
この方法では、前記材料を溶媒に溶解又は分散し、基板(絶縁体層、ソース電極及びドレイン電極の露出部)に塗布する。塗布の方法としては、キャスティング、スピンコーティング、ディップコーティング、ブレードコーティング、ワイヤバーコーティング、スプレーコーティング等のコーティング法や、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法等のソフトリソグラフィーの手法等、さらにはこれらの手法を複数組み合わせた方法を採用しうる。これらの方法により形成される半導体層の膜厚は、機能を損なわない範囲で薄い方が好ましい。膜厚が厚くなると漏れ電流が大きくなり、膜厚方向の電荷の移動の為にエネルギーが必要となる懸念がある。半導体層の膜厚は、通常1nm〜1μm、好ましくは5nm〜500nm、より好ましくは10nm〜300nmである。
また半導体材料の混合膜は、各材料を一緒に溶解させ、上記のプロセスで成膜することによって容易に得られる。しかし積層構造とするためには、それぞれの材料の溶媒への溶解度の問題や、積層時に先に出来た膜が後から成膜する材料の溶液に浸食されてしまうこともあり、成膜条件の最適化が必要となる。半導体層を形成するにあたり、このような溶液プロセスを用いると、比較的安価な設備で大面積の電界効果トランジスタを製造できるという利点がある。また溶液プロセスの後に真空プロセスを用いるなど、組み合わせて成膜することも可能である。
ソース電極1及びドレイン電極3の形成方法等はゲート電極5の形成方法に準じて形成することが出来る(図2(5)参照)。半導体層の上に電極が位置するトップコンタクト構造の場合はシャドウマスクを用いた真空蒸着法が一般的に使用されており、逆に半導体層の下に位置するボトムコンタクト構造の場合はフォトリソグラフィーや各種印刷法を用いて電極のパターニングを形成することが多い。
半導体層上に保護層7を形成するには各種の方法を採用しうる。保護層が樹脂からなる場合は、例えば、樹脂溶液を塗布後、乾燥させて樹脂膜とする方法、樹脂モノマーを塗布あるいは蒸着したのち重合する方法などが挙げられる。成膜後に架橋処理を行ってもよい。保護層が無機物からなる場合は、例えば、スパッタリング法、蒸着法等の真空プロセスでの形成方法や、ゾルゲル法等の溶液プロセスでの形成方法も用いることができる。
本発明の電界効果トランジスタにおいては半導体層上の他、各層の間にも必要に応じて保護層を設けることが出来る。それらの層は電界効果トランジスタの電気的特性の安定化に寄与する場合がある。
3,7−ジブロモ−2,6−ビス(4−トリルエチニル)ナフタレンの合成
窒素雰囲気下において、3,7−ジブロモ−2,6−ビス(トリフルオロメタンスルフォニルオキシ)ナフタレン(1.2g,2.0mmol)をDMF(15ml)とDIPA(15ml)の混合溶液に溶解させ、アルゴンガスを用いて30分間脱気を行った。これに、Pd(PPh3)2Cl2(0.14g,0.1mmol,10mol%)とCuI(0.076g,0.2mmol,20mol%)と4−エチニルトルエンとを加え、室温で2時間攪拌し、薗頭カップリングを行った。その後、析出した生成物を濾取し、水、エタノール、ヘキサンにて洗浄した。それをクロロホルムで再結晶を行うことで精製し、3,7−ジブロモ−2,6−ビス(4−トリルエチニル)ナフタレンを白色固体として得た(0.57g,56%)。
1H NMR(400 MHz, CDCl3 ) δ 8.04 (s, 2H, ArH), 7.93 (s, 2H, ArH), 7.52 (d, 4H, J= 8.0 Hz, PhH), 7.21 (d, 4H, J= 8.0 Hz, PhH ), 2.35 (s, 6H, CH3).
3,7−ジブロモ−2,6−ビス(3−トリルエチニル)ナフタレンの合成
4−エチニルトルエンの代わりに3−エチニルトルエンを使用すること以外は実施例1と同様の操作を行い、3,7−ジブロモ−2,6−ビス(3−トリルエチニル)ナフタレンが黄色固体として得られた(54%)。
1H NMR(400 MHz, CDCl3 ) δ 8.05 (s, 2H, ArH), 7.94 (s, 2H, ArH), 7.45 (d, 2H, J= 12.0 Hz, PhH ), 7.30 (t, 2H, J= 8.0 Hz, PhH), 7.20 (d, 2H, J= 4.0 Hz, PhH ), 2.35 (s, 6H, CH3).
2,7−ビス(4−トリル)−ナフト[2,3−b:7,6−b’]ジチオフェン(化合物(6))の合成
Na2S・9H2O(0.96g,4.0mmol)をNMP(30ml)に溶解させ、190℃、大気下で1時間攪拌した後、3,7−ジブロモ−2,6−ビス(4−トリルエチニル)ナフタレン(0.57g、1.0mmol)のNMP溶液を滴下し、16時間攪拌した。その後、反応溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液(300ml)中に注ぎ、固体を析出させた。これを濾取し、水、エタノール、ヘキサン、塩化メチレン、クロロホルムの順で洗浄した。得られた粗生成物を、真空下、360℃にて昇華精製を行い2,7−ビス(4−トリル)−ナフト[2,3−b:7,6−b’]ジチオフェンを黄色固体として得た(0.26g,63%)。
質量分析MS (EI=70eV)m/z=420(M+)(島津 GCMS−QP 2010SE)
吸収スペクトル:λmax446,478nm(薄膜)(島津自記分光光度計 UV−3600型(P/N206−13500))
元素分析:Anal.Calcd(%)for C28H20S2:C79.96,H4.79;found C80.04,H4.79
2,7−ビス(3−トリル)−ナフト[2,3−b:7,6−b’]ジチオフェン(化合物(7))の合成
3,7−ジブロモ−2,6−ビス(4−トリルエチニル)ナフタレンの代わりに3,7−ジブロモ−2,6−ビス(3−トリエチニル)ナフタレンに代えた以外は実施例3と同様の操作を行い2,7−ビス(3−トリル)−ナフト[2,3−b:7,6−b’]ジチオフェンを得た(46%)。
質量分析MS(EI=70eV)m/z=420(M+)(島津 GCMS−QP 2010SE)
吸収スペクトル:λmax446,478nm(薄膜)(島津自記分光光度計 UV−3600型(P/N206−13500))
元素分析:Anal.Calcd(%)for C28H20S2:C79.96,H4.79;found C80.22,H4.59
オクタデシルトリクロロシラン処理を行った200nmのSiO2熱酸化膜付きnドープシリコンウェハー(面抵抗0.02Ω・cm以下)を真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が5.0×10−3Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、この電極に基板温度約100℃の条件下、化合物(6)を1〜2Å/secの蒸着速度で50nmの厚さに蒸着し、半導体層(2)を形成した。次いでこの基板に電極作成用シャドウマスクを取り付け、真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が1.0×10−4Pa以下になるまで排気し、抵抗加熱蒸着法によって、金の電極、すなわちソース電極(1)及びドレイン電極(3)を40nmの厚さに蒸着し、TC(トップコンタクト)型である本発明の電界効果トランジスタ(チャネル長50μm、チャネル幅1.5mm)を得た。
オクチルトリクロロシラン処理を行った200nmのSiO2熱酸化膜付きnドープシリコンウェハー(面抵抗0.02Ω・cm以下)を真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が5.0×10−3Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、この電極に基板温度約100℃の条件下、化合物(7)を1〜2Å/secの蒸着速度で50nmの厚さに蒸着し、半導体層(2)を形成した。次いでこの基板に電極作成用シャドウマスクを取り付け、真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が1.0×10−4Pa以下になるまで排気し、抵抗加熱蒸着法によって、金の電極、すなわちソース電極(1)及びドレイン電極(3)を40nmの厚さに蒸着し、TC(トップコンタクト)型である本発明の電界効果トランジスタ(チャネル長50μm、チャネル幅1.5mm)を得た。
オクチルトリクロロシラン処理を行った200nmのSiO2熱酸化膜付きnドープシリコンウェハー(面抵抗0.02Ω・cm以下)を真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が5.0×10−3Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、この電極に基板温度約25℃の条件下、化合物(23)を1〜2Å/secの蒸着速度で50nmの厚さに蒸着し、次いで化合物(6)を1〜2Å/secの蒸着速度で5nmの厚さに蒸着し半導体層(2)を形成した。次いでこの基板に電極作成用シャドウマスクを取り付け、真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が1.0×10−4Pa以下になるまで排気し、抵抗加熱蒸着法によって、金の電極、すなわちソース電極(1)及びドレイン電極(3)、を40nmの厚さに蒸着し、TC(トップコンタクト)型である本発明の電界効果トランジスタ(チャネル長50μm、チャネル幅1.5mm)を得た。
化合物(6)の代わりに化合物(5)を用いること以外は、実施例7と同様の方法により、電界効果トランジスタを得た。
オクチルトリクロロシラン処理を行った200nmのSiO2熱酸化膜付きnドープシリコンウェハー(面抵抗0.02Ω・cm以下)を真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が5.0×10−3Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、この電極に基板温度約25℃の条件下、化合物No.23を1〜2Å/secの蒸着速度で50nmの厚さに蒸着し、半導体層(2)を形成した。次いでこの基板に電極作成用シャドウマスクを取り付け、真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が1.0×10−4Pa以下になるまで排気し、抵抗加熱蒸着法によって、金の電極、すなわちソース電極(1)及びドレイン電極(3)を40nmの厚さに蒸着し、TC(トップコンタクト)型である本発明の電界効果トランジスタ(チャネル長50μm、チャネル幅1.5mm)を得た。
実施例9
電界効果トランジスタのチャネル長L(20、40μm)を変化させる事以外は実施例7、実施例8及び比較例1と同様な操作で電界効果トランジスタを作製し、移動度を測定した。結果を表1に示す。
HMDS処理を行った300nmのSiO2熱酸化膜付きnドープシリコンウェハー(面抵抗0.02Ω・cm以下)を真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が1.0×10−3Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱蒸着法によって、この電極に基板温度約25℃の条件下、化合物(20)を1Å/secの蒸着速度で50nmの厚さに蒸着し、次いで化合物(6)を1〜2Å/secの蒸着速度で5nmの厚さに蒸着し半導体層(2)を形成した。次いでこの基板に電極作成用シャドウマスクを取り付け、真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度が5.0×10−4Pa以下になるまで排気し、抵抗加熱蒸着法によって、金の電極、すなわちソース電極(1)及びドレイン電極(3)、を50nmの厚さに蒸着し、TC(トップコンタクト)型である本発明の電界効果トランジスタ(チャネル長200μm、チャネル幅2.5mm)を得た。
化合物(6)の薄膜を形成しなかったこと以外は、実施例10と同様な方法で電界効果トランジスタを得た。
Claims (5)
- スタガ型のトランジスタ構造である、請求項1又は2に記載の電界効果トランジスタ。
- ゲート電極上に設けられた絶縁体層上に、有機半導体材料(B)を含む層及び有機半導体材料(A)を含む層が順に積層され、さらに有機半導体材料(A)を含む層の最上部に接するようにソース電極及びドレイン電極がそれぞれ設けられているトップコンタクトボトムゲート型構造である、請求項3に記載の電界効果トランジスタ。
- 基板上にソース電極及びドレイン電極がそれぞれ設けられており、その上に有機半導体材料(A)を含む層及び有機半導体材料(B)を含む層が順に積層され、さらに有機半導体材料(B)を含む層の最上部に接するように設けられた絶縁体層上にゲート電極が設けられているボトムコンタクトトップゲート型構造である、請求項3に記載の電界効果トランジスタ。
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