JP5824809B2 - シール材及びそれを用いたシール方法 - Google Patents

シール材及びそれを用いたシール方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5824809B2
JP5824809B2 JP2011007661A JP2011007661A JP5824809B2 JP 5824809 B2 JP5824809 B2 JP 5824809B2 JP 2011007661 A JP2011007661 A JP 2011007661A JP 2011007661 A JP2011007661 A JP 2011007661A JP 5824809 B2 JP5824809 B2 JP 5824809B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing material
glass ribbon
glass
thickness
sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011007661A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012031042A (ja
Inventor
坂本　明彦
明彦 坂本
和田　正紀
正紀 和田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Electric Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2011007661A priority Critical patent/JP5824809B2/ja
Application filed by Nippon Electric Glass Co Ltd filed Critical Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority to PCT/JP2011/052617 priority patent/WO2011099475A1/ja
Priority to CN201180007297.9A priority patent/CN102725240B/zh
Priority to KR1020127011507A priority patent/KR101829228B1/ko
Priority to US13/022,831 priority patent/US20120070618A1/en
Priority to TW100104266A priority patent/TWI508233B/zh
Publication of JP2012031042A publication Critical patent/JP2012031042A/ja
Priority to US14/609,934 priority patent/US9985240B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5824809B2 publication Critical patent/JP5824809B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
    • C03C27/10—Joining glass to glass by processes other than fusing with the aid of adhesive specially adapted for that purpose
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B23/00—Re-forming shaped glass
    • C03B23/20—Uniting glass pieces by fusing without substantial reshaping
    • C03B23/203—Uniting glass sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
    • C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
    • C03C27/04—Joining glass to metal by means of an interlayer
    • C03C27/048—Joining glass to metal by means of an interlayer consisting of an adhesive specially adapted for that purpose
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0488—Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness

Description

本発明は、照明デバイス、太陽電池デバイス、ディスプレイデバイス、医療デバイス、分析デバイス等に使用されるシール材及びそれを用いたシール方法に関する。
近年、環境面等を考慮し、有機ＥＬ照明、太陽電池、有機ＥＬディスプレイ、医療デバイス、分析デバイス等のデバイスの開発が盛んになっている。
上記のデバイスでは、ガラス基板等の複数の部材を一定の間隔を設けてシールし、その間に素子や液体を密封する必要があり、そのシール材として有機化合物からなる樹脂や接着材、あるいはガラス粉末（ガラスフリット）が使用されている（下記特許文献１、２参照）。
また、この種のデバイスには、厚み２００μｍ以下で可撓性を備えたガラス基板を使用することによって、折り曲げや巻き取りが可能な可撓性のデバイスを作製することが試みられている。具体的には、折り曲げや巻き取りが可能で、持ち運びできる有機ＥＬディスプレイや、自動車の車体表面や建築物の屋根、柱、外壁等、曲面を有する物体の表面に取り付けることが可能な太陽電池や有機ＥＬ照明を作製することが試みられている。
特開２０００−３６３８１号公報 特表２００７−５１６６１１号公報
しかしながら上記のデバイスのシール材として、有機化合物からなる樹脂や接着材を使用すると、水蒸気等の気体を完全に遮蔽することができないため、長期間の使用によって、デバイスの機能が損なわれる虞れがある。
またシール材として、ガラスフリットを使用すると、気体を遮蔽することはできるが、可撓性のデバイスに使用した場合、折り曲げ時や巻き取り時に、シール部にクラックが発生し、気密性が損なわれる可能性がある。
また有機化合物からなる樹脂や接着材、あるいはガラスフリットを使用して２枚のガラス基板をシールする場合、ガラス基板の所定箇所にシール材を塗布する工程が必要となるため、作業性が悪く、しかもシール材の塗布状態や加熱条件等によって、加熱後のシール形状が安定しないという問題がある。
本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、水蒸気等の気体を遮蔽するガスバリア性や可撓性に優れ、しかも２枚のガラス基板を一定の間隔に保持するスペーサ材としての機能も備えたシール材を提供することを目的とする。
請求項１に係る発明は、厚み１〜１００μｍであり、側面に凸曲面部を有するガラスリボンからなることを特徴とするシール材に関する。
請求項２に係る発明は、ガラスリボンの両面が、火造り面であることを特徴とする請求項１に記載のシール材に関する。
請求項３に係る発明は、ガラスリボンの偏肉が、その厚みの２０％以内であることを特徴とする請求項１又は２に記載のシール材に関する。
請求項４に係る発明は、ガラスリボンの厚みに対する幅のアスペクト比が、２５〜２０００であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のシール材に関する。
請求項５に係る発明は、遷移元素を含有するガラスリボンからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のシール材に関する。
請求項６に係る発明は、ガラスリボンの表面は、成膜処理されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のシール材に関する。
請求項７に係る発明は、請求項１〜６のいずれかに記載のシール材を使用した部材を備えてなることを特徴とする照明デバイスに関する。
請求項８に係る発明は、請求項１〜６のいずれかに記載のシール材を使用した部材を備えてなることを特徴とする太陽電池デバイスに関する。
請求項９に係る発明は、請求項１〜６のいずれかに記載のシール材を使用した部材を備えてなることを特徴とするディスプレイデバイスに関する。
請求項１０に係る発明は、被接着物の所定箇所に、厚み１〜１００μｍであり、側面に凸曲面部を有するガラスリボンからなるシール材を配置した後、シール材を加熱することによって、被接着物とシール材を接着することを特徴とするシール方法に関する。
請求項１１に係る発明は、被接着物とシール材の接触面を加熱することによって、被接着物とシール材を接着することを特徴とする請求項１０に記載のシール方法に関する。
請求項１２に係る発明は、被接着物とシール材の接触面の一部を加熱することによって、被接着物とシール材を接着することを特徴とする請求項１０又は１１に記載のシール方法に関する。
請求項１３に係る発明は、被接着物が、ガラス基板であることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載のシール方法に関する。
請求項１４に係る発明は、ガラス基板の厚みが、１０〜２００μｍであることを特徴とする請求項１３に記載のシール方法に関する。
請求項１５に係る発明は、ガラス基板の両面が、火造り面であることを特徴とする請求項１３又は１４に記載のシール方法に関する。
請求項１６に係る発明は、ガラスリボンが、遷移元素を含有することを特徴とする請求項１０〜１５のいずれかに記載のシール方法に関する。
請求項１７に係る発明は、ガラスリボン中の遷移元素又は遷移元素のイオンが吸収する波長の光を照射することによってシール材を加熱することを特徴とする請求項１６に記載のシール方法に関する。
請求項１８に係る発明は、ガラスリボンの表面は、成膜処理されていることを特徴とする請求項１０〜１７のいずれかに記載のシール方法に関する。
請求項１９に係る発明は、ガラスリボンの表面に成膜された膜が吸収する波長の光を照射することによってシール材表面を加熱することを特徴とする請求項１８に記載のシール方法に関する。
請求項２０に係る発明は、レーザーによってシール材を加熱することを特徴とする請求項１０〜１９のいずれかに記載のシール方法に関する。
請求項１に係る発明によれば、シール材が、厚み１〜１００μｍのガラスリボン、つまり帯状のガラス板からなるため、気体を遮蔽するガスバリア性に優れ、これを用いてデバイスの構成部材をシールすると、長期間に亘ってデバイス内の素子や溶液の劣化を抑えることができる。また本発明のシール材は、可撓性を備えてなるため、可撓性デバイスのシール材として使用でき、折り曲げ時や巻き取り時に、シール部にクラックが発生し難く、気密性が損なわれることがない。
また近年、ガラス基板同士を、１００μｍ以下の間隔を保持して気密シールすることが要求されているが、本発明に係るシール材を使用すれば、１００μｍ以下の間隔で精度良く気密シールすることが可能となり、従来のような塗布、乾燥工程も省略できるため、生産性も向上する。特に、医療、分析の分野に用いられるマイクロプレパラートに、本発明に係るガラスリボンのシール材を用いることが好ましい。この場合、ガラスリボンが、間隙材として対向する２枚のガラス板間に非常に狭い隙間を均等に保持することができ、且つ、２枚のガラス板がガラスリボンによってシールされているため、２枚のガラス板のずれや被分析液体の漏出等がなく、信頼性が高い。さらに矩形状のマイクロプレパラートのうち、対向する２辺のみをガラスリボンでシールすれば、シールしていない２辺の開口した端面から毛細管現象を利用して２枚のガラス板間に被分析液体を容易に注入することができる。
またガラスリボンの生産性や、シール材としての取り扱い性等を考慮すると、ガラスリボンの幅は１〜５ｍｍ、長さは１〜１００ｍが適当である。尚、本発明のシール材は、厚み１〜１００μｍのガラスリボンからなるため、使用する際、適宜、必要な長さに切断して用いることができる。
本発明のシール材は、母材ガラスを作製した後、加熱し、それをリボン状に延伸成形する方法（リドロー法）が好適であり、母材ガラスの大きさや材質、延伸成形時の温度条件、引っ張り速度等を適宜調整することによって所望の寸法にすることができる。
請求項２に係る発明によれば、ガラスリボンの両面（表面と裏面）が、火造り面であることから、表面に研磨等の加工を施したガラスリボンに比べて、シール材として加熱した時、表面が均一に軟化するため、良好なシール状態が得られる。また両面に割れ、欠け、クラック等が存在しないため、ガラスリボンが破断するのを効果的に防止することができる。特にガラスリボンの側面も火造り面とし、凸曲面部を有するように形成すると、ガラスリボンを曲げた時に、断面視４隅の角部に応力が集中するのを防止できるため好ましい。
請求項３に係る発明によれば、ガラスリボンの偏肉が、その厚みの２０％以内であることから、高精度のシールが可能となる。具体的には、２枚のガラス基板を一定の間隔を保持してシールする場合、所望の間隔で精度良くシールすることが可能となる。
請求項４に係る発明によれば、ガラスリボンの厚みに対する幅のアスペクト比が２５〜２０００であることから、特に有機ＥＬ照明、太陽電池デバイス、有機ＥＬディスプレイ等のデバイスのシール材として適切な形状が得られる。
請求項５に係る発明によれば、遷移元素を含有するガラスリボンからなることから、シール材に対し、遷移元素または遷移元素のイオンが吸収する波長の光を照射することによって容易に接着することが可能となる。
請求項６に係る発明によれば、ガラスリボンの表面は、成膜処理されていることから、シール材表面に対して、ガラスリボン表面に成膜された膜成分が吸収する波長の光を照射することによって、容易に接着することが可能となる。
請求項７に係る発明によれば、上記のシール材を使用した部材を備えてなる照明デバイスであることから、例えば長期間に亘って素子や液体の劣化を防ぐことができる有機ＥＬ照明を作製することが可能となる。
請求項８に係る発明によれば、上記のシール材を使用した部材を備えてなる太陽電池デバイスであることから、例えば長期間に亘って素子や液体の劣化を防ぐことができる色素増感型太陽電池を作製することが可能となる。
請求項９に係る発明によれば、上記のシール材を使用した部材を備えてなるディスプレイデバイスであることから、例えば長期間に亘って素子や液体の劣化を防ぐことができる有機ＥＬディスプレイを作製することが可能となる。
請求項１０に係る発明によれば、被接着物の所定箇所に、厚み１〜１００μｍのガラスリボンからなるシール材を配置した後、シール材を加熱することによって、被接着物とシール材を接着することから、従来のような塗布工程が省略でき、シール時の作業性が向上する。
請求項１１に係る発明によれば、被接着物とシール材の接触面を加熱することによって、被接着物とシール材を接着することから、短時間で、良好なシールが可能となる。
請求項１２に係る発明によれば、被接着物とシール材の接触面の一部を加熱することによって、被接着物とシール材を接着することから、短時間のシールが可能となる。
請求項１３に係る発明によれば、被接着物が、ガラス基板であることから、レーザー等によって両者を同時に加熱することが可能となる。
請求項１４に係る発明によれば、ガラス基板の厚みが、１０〜２００μｍであることから、可撓性デバイスを作製することが可能となる。
請求項１５に係る発明によれば、ガラス基板の両面が、火造り面であることから、シール材との密着性が向上し、接着しやすくなる。ガラス基板の成形法として、オーバーフローダウンドロー法やリドロー法を採用することによって、両面を火造り面にすることができる。
請求項１６に係る発明によれば、ガラスリボンが、遷移元素を含有することから、シール材に対し、遷移元素または遷移元素のイオンが吸収する波長の光を照射することによって容易に接着することが可能となる。
請求項１７に係る発明によれば、ガラスリボン中の遷移元素又は遷移元素のイオンを吸収する波長の光を照射することによってシール材を加熱することから、短時間で容易に接着することが可能となる。
請求項１８に係る発明によれば、ガラスリボンの表面は、成膜処理されていることから、シール材表面に対して、ガラスリボン表面に成膜された膜成分が吸収する波長の光を照射することによって、容易に接着することが可能となる。
請求項１９に係る発明によれば、ガラスリボンの表面に成膜された膜成分が吸収する波長の光を照射することによってシール材表面を加熱することから、短時間で容易に接着することが可能となる。
請求項２０に係る発明によれば、レーザーによってシール材を加熱することから、シール材の形状を保ちながら短時間にシールすることができる。
本発明に係るシール材を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は一部斜視図である。 本発明に係るシール材をボビンへ巻き取りを行っている状態を示す図であって、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図である。 本発明に係るガラスリボンの製造装置を示す説明図である。 本発明に係るガラスリボンを、指に巻きまわした写真である。 本発明に係るシール材を使用し、２枚の透明ガラス基板の間隙に電解液を密封したデバイスを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。 本発明に係るシール材を、凸曲面部を維持した状態で使用し、２枚の透明ガラス基板の間隙に電解液を密封したデバイスを示す断面図である。 赤外ランプの発光波長を示すグラフである。
以下、本発明に係るシール材の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
図１に示す通り、本発明に係るシール材（１）は、厚み１〜１００μｍのガラスリボンからなり、その両面（２）（３）と、側面（４）は、火造り面となっている。
ガラスリボンの材質としては、ケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミ珪酸ガラス、シリカガラス等、延伸成形可能なガラスであれば、いずれの材質も使用可能であるが、特に無アルカリガラスを使用すると、アルカリ成分によって劣化する素子を搭載したデバイスのシール材として使用できるという利点がある。
ガラスリボンには、０．０１〜３０質量％の遷移金属イオンが含有されていることが好ましい。ガラスリボンに遷移元素が含有されていると、遷移元素または遷移金属のイオンが吸収する波長の光をシール材（１）に照射することによって、シール材（１）を効果的に加熱することができる。これによって、シール材（１）のみを選択的に加熱、軟化させてガラス基板等の被接着物にシールすることが可能となる。接触部材の加熱が抑制されるため、接触部材に加熱によって劣化しやすい部分が含まれていても、その部分を劣化させることなくシールすることが可能になる。
遷移元素は、周期律表の第３族から１１族までの元素であれば使用可能であるが、好ましくは第一系列（第４周期）または第二系列（第５周期）元素が適しており、より好ましくは第一系列元素が適し、中でもＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕが特に好ましい。また照射光の光源は使用している遷移元素または遷移元素のイオンが吸収する波長の光を発するものであれば特に限定はされないが、赤外ランプ、可視光ランプ、レーザー（フェトム秒レーザー、ＹＡＧレーザー等）、発光ダイオード（ＬＥＤ）等が使用可能である。
ガラスリボンの表面は、成膜処理されていることが好ましい。シール材（１）表面に対して、ガラスリボン表面に成膜された膜成分が吸収する波長の光を照射することによって、シール材（１）の表面を容易に加熱することが可能となる。これにより、被接着物との界面を効果的に加熱でき、シール材（１）と被接着物とを短時間で容易に接着することが可能となる。また、成膜時の部分マスキング処理などで、シール材であるガラスリボンのガラス表面を部分的に露出させることにより、ガラスリボン表面の軟化も被接着物との溶着に寄与できる。ガラスリボンの両面（２）（３）の内、何れか一方の面にのみ成膜処理を行ってもよいが、ガラスリボンの両面（２）（３）共に、成膜処理を行うことがより好ましい。
ガラスリボンの表面に成膜処理を行う形態において、ガラスリボンの側面（４）、特に凸曲面部（５）は、成膜処理されていないことが好ましい。これにより、シール材（１）に膜成分が吸収する波長の光を照射したとしても、シール材の両面（２）（３）のみを選択的に加熱することができ、凸曲面部（５）は加熱されず、凸曲面の形態を維持したまま、シール材（１）と被接着物とを接着することができる。シール材（１）は、凸曲面の形態を維持しているため、シール材（１）でシールされた後の可撓性デバイス（照明、太陽電池、ディスプレイデバイス等）を曲げたとしても、シール材（１）の側面に応力が集中するのを防止することができ、シール材（１）が破断するのを防止することができる。
ガラスリボンの表面に成膜される膜成分としては、光吸収帯を持つＳｉ膜、Ｇｅ膜、金属膜（Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ等）、酸素欠損膜（ＴｉＯ（２−ｘ）等が好ましい。また、シール材（１）の成膜面に照射する照射光の光源は、ガラスリボン表面に成膜されている膜成分が吸収可能な波長の光を発するものであれば特に限定はされないが、赤外ランプ、可視光ランプ、レーザー（フェトム秒レーザー、ＹＡＧレーザー等）、発光ダイオード（ＬＥＤ）等を使用することができる。
ガラスリボンの表面に成膜する方法としては、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、抵抗加熱法、イオンプレーティング法等の公知の方法を使用することができる。
ガラスリボンと被接着物の熱膨張係数差は小さいことが好ましいが、ガラスリボンの厚みが薄いため、被接着物とのある程度の熱膨張係数差を許容することができ、その差が３０×１０−７／℃以内（０〜３００℃の温度範囲）であれば接着、または封止を行うことが出来る。熱膨張係数差のより好ましい範囲は２０×１０−７／℃以内、さらに好ましくは１０×１０−７／℃以内である。
ガラスリボンの厚みが大きくなりすぎると、必要以上にガラス基板同士の間隔が大きくなる。また可撓性のデバイスに使用する場合には、シール材（１）も可撓性が要求され、ガラスリボンの厚みはできるだけ小さくすることが望ましい。ただし、厚みが小さくなりすぎると、破損しやすくなるため取り扱いが困難となる。よってガラスリボンの厚みは、１００μｍ以下であり、５０μｍ以下であることが好ましく、２５μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましく、１０μｍ以下であることが最も好ましい。また１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。
ガラスリボンは、スペーサ材として高精度の間隔を担保する機能を有すると共に、曲げた時に外周側の表面（２）に局所的に引っ張り応力が集中することを防止し、均等に引っ張り応力がかかるようにするため、偏肉が少ないことが好ましい。具体的には、偏肉が厚みの２０％以内であることが好ましく、１０％以内であることがより好ましい。尚、偏肉は、幅方向において両面（２）（３）を有する部分を幅方向に等間隔に５点測定し、測定された最大値と最小値との差を平均値で割った値とする。
ガラスリボンを曲げた場合に外周側の表面（２）に局所的に引っ張り応力が集中することを防止し、均等に引っ張り応力がかかるようにするため、両面（２）（３）は、可能な限り平坦であることが好ましい。具体的には、両面（２）（３）の表面粗さがＲａ値で０．５ｎｍ以下の高い表面品位であることが好ましく、０．３ｎｍ以下であることがより好ましく０．２ｎｍ以下であることが最も好ましい。
ガラスリボンは、厚みに対する幅のアスペクト比が２５〜２０００であることが好ましい。これにより、特に有機ＥＬ照明、太陽電池デバイス、有機ＥＬディスプレイ等のデバイスのシール材として適切な形状が得られる。アスペクト比が、２５未満になると、ガラスロッドやガラスファイバの形態となり、厚みを小さくした場合に被接着物との接触面積が小さくなってしまう。一方、アスペクト比が２０００超になると、幅広となり、シール材として必要以上に大きくなってしまう。
ガラスリボンは、側面（４）に凸曲面部（５）を有することが好ましい。これにより、ガラスリボンを曲げた時に、断面視４隅の角部に応力が集中することを防止することができる。また、欠けやクラックの発生を防止することができる。従って、大きな曲率（小径のボビン等での巻き取り等）で曲げることを可能とするシール材（１）を得ることができる。
ガラスリボンの凸曲面部（５）は、火造り面であることが好ましい。成形された後に研削、研磨工程等の面取り工程を経ていないため、凸曲面部（５）に割れ、欠け、クラック等が存在せず、側面からガラスリボンが破断するのを効果的に防止することができる。従って、さらに大きな曲率（小径のボビン等での巻き取り等）で曲げることを可能とするシール材（１）を得ることができる。
ガラスリボンの凸曲面部（５）は、図１では、ガラスリボンの断面視真円の円弧状であるが、この形状には限定されず、該扇形状は楕円の円弧状でもよい。ガラスリボンを曲げた場合に、凸曲面部（５）に均等に引っ張り応力がかかるようにするため、前記円弧状は、真円の円弧状であることが好ましい。図１（ｂ）に示す通り、凸曲面部（５）の断面視が真円の円弧状の場合は、真円の半径ｒは、ガラスリボンの厚みｔの１／２以下であることが好ましい。これにより、凸曲面部（５）の曲率を大きくすることが可能であるため、凸曲面部（５）にかかる引っ張り応力をより広く分散させることが可能となる。また、半径ｒは、ガラスリボン（１）の厚みｔの１／５０以上であることが好ましい。半径ｒがガラスリボン（１）の厚みｔの１／５０よりも小さいと、凸曲面部（４）の曲率が小さすぎることにより、大きな曲率でガラスリボン（１）を曲げた場合に応力集中が発生し破断するおそれがある。また凸曲面部（４）に欠けやクラックが発生しやすくなるおそれもある。
ガラスリボンの断面視において、凸曲面部（５）と両面（２）（３）、及び凸曲面部（５）と側面（４）の平面部（４１）とは、滑らかに繋がっていることが好ましく、具体的には、平面から側面にいたる曲面において、平面から漸次曲率が大きくなり、極大値を経て、側面に向かうにつれ、漸次曲率が小さくなり、側面に滑らかにつながる。曲率極大値となった場合において、その曲率は、ガラスリボンの厚みｔの１／２以下の半径ｒであることが好ましい。これにより、引っ張り応力の角部での集中を防ぎ、より大きな曲率でシール材（１）を曲げることが可能となる。ガラスリボンの凸曲面部（５）と両面（２）（３）、及び凸曲面部（５）と側面（４）の平面部（４１）とが角部を有するように形成されていると、シール材（１）を曲げた場合に当該角部に引っ張り応力が集中するおそれがある。
シール材（１）は、図２（ａ）に示す通り、両端部にフランジ（６１）を有するボビン（６）に巻き取られていることが好ましい。これによりシール材（１）の保存、輸送、取り扱い等を容易にすることができる。
ガラスリボンは、その側面（４）に凸曲面部（５）を有することから、ボビン（６）に巻き取る際に、図２（ｂ）に示す通り、ボビン（６）のフランジ（６１）にガラスリボンの側端部が当接した後（図２（ｂ）のガラスリボンが破線の状態後）、ガラスリボンの側面（４）に存在する凸曲面部（５）がフランジ（６１）に沿って案内され、ボビン（６）に巻き取られるため、ボビン（６）への巻き取りが容易となる。また、凸曲面部（５）がフランジ（６１）に沿うため、ボビン（６）へのガラスリボン（１）の巻き取りや巻き戻しをスムーズに行うことができる。
本発明に係るシール材（１）は、梱包緩衝シートに重ねて巻き取られていることが好ましい。これにより、シール材（１）の表面同士が擦れることによる表面の面精度の悪化を防止することができる。梱包緩衝シートとしては、発泡樹脂製シート、樹脂フィルム、合紙、不織布等を使用することができる。梱包緩衝シートは、ガラスリボンの側面（４）を保護するためにガラスリボンよりも幅広であることが好ましい。また、梱包緩衝シートは、ボビン（６）のフランジ（６１）間の幅寸法と実質的に同一であることが好ましい。これにより、梱包緩衝シートがボビン（６）のフランジ（６１）間でずれるのを防止することができるため、ガラスリボン（１）の両面（２）（３）や側面（４）の表面精度が悪化するのをより確実に防止することができる。
図３は、本発明に係るシール材の製造方法を示す説明図である。
本発明のシール材（１）を作製する場合、まず厚み２ｍｍ以下に調整されたホウ珪酸ガラスからなる母材ガラス（７）を準備する。母材ガラス（７）は、ロール成形法、フロート成形法、アップ・ドロー成形法、スロットダウンドロー成形法等の公知の成形方法により、図示しないガラス溶融炉から供給される溶融ガラスを所定寸法の略矩形状に成形して得られる。特に、オーバーフローダウンドロー法によって成形されていることが好ましい。母材ガラス（７）の表面に傷の発生がなく、高い表面品位を有する母材ガラス（７）を得ることができるからである。母材ガラス（７）の表面品位が高ければ、後述する延伸成形後のガラスリボン（９）の表面品位も高くすることが可能となり、より大きな曲率で巻き取ることが可能なガラスリボン（９）を製造することができる。
母材ガラス（７）の側面は、未加工でもよいが、側面の４隅をいわゆるＣ面取りやＲ面取り等を行うことにより、延伸成形後のガラスリボン（９）の側面に形成される凸曲面部が所望の形状になるように適宜調整してもよい。
次に、母材ガラス（７）を延伸成形装置（８）にセットし、ヒーター（８１）を用いて、所定の条件で加熱しながら延伸することによって、厚み１〜１００μｍで、両面及び側面が火造り面で、側面に凸曲面部を有するガラスリボン（９）が得られる。
ここで母材ガラスの厚みが２ｍｍを超える場合や、ガラスリボン（９）の厚みが１００μｍを超える場合は、形成されるガラスリボン（９）に角部が形成されたり、耳部が形成されたりするおそれがあるため、薄肉の母材ガラスを使用することが好ましい。具体的には、厚み０．５ｍｍ以下であることが好ましく、０．１ｍｍ以下であることがより好ましい。
延伸成形は、母材ガラス（７）の粘度が６．０〜９．０ｄＰａ・ｓとなる温度で行うことが好ましい。これにより、ガラスリボン幅方向における反りや両端部での折れ曲がり、偏肉等もなく均一の厚みを有する平坦なガラスリボンを得ることができる。一方、母材ガラス（７）の粘度が６．０ｄＰａ・ｓを下回る温度（より高い温度）で延伸成形を行った場合は、アスペクト比が大きく変化するおそれがあるため、好ましくない。また、母材ガラス（７）の粘度が、９．０ｄＰａ・ｓを上回る温度（より低い温度）では、粘度が高すぎることにより延伸成形を行い難くなるため、好ましくない。側面に凸曲面部（４）を有するガラスリボンを製造するためには、母材ガラス（７）の粘度が６．０〜７．５ｄＰａ・ｓとなる温度で行うことが、より好ましい。特に、母材ガラス（７）の厚みが０．５ｍｍ以下であり、且つ、延伸成形後のガラスリボン（１）の厚みが２５μｍ以下で、粘度が６．０〜７．０ｄＰａ・ｓとなるように引き出しを行った場合は、側面が火造り面の凸曲面部となり、側面（３）に平面部（３１）を有しなくなるため、最も好ましい。一方で、アスペクト比の変化を避けるならば、側面の凸曲面は小さくなる傾向であるが、母材ガラス（７）の粘度が７．５〜９．０ｄＰａ・ｓとなる温度で行うことが、より好ましい。特に、粘度が８．０〜９．０ｄＰａ・ｓとなる温度で引き出しを行った場合は、アスペクト比の変化が実質起こらない。
延伸成形は、巻き取りドラム（１０）を使用して行う。公知の延伸成形では、１対のローラでガラスを挟持することによって、引っ張り力を付与するが、ガラスリボン（９）を１対のローラで挟持することによって引っ張り力を付与しようとすると、ガラスリボン（９）が薄すぎることにより、１対のローラによる圧力によってガラスリボン（９）が破断してしまう。また、テンションローラを千鳥に配置し、ガラスリボン（９）をジグザグ状（Ｓ字状）に引っ張ることによって、テンションを付与することも考えられるが、ガラスリボン（９）の両面がローラと接触することとなり、表面品位が悪化するおそれがある。そこで、本製造方法では、延伸後のガラスリボン（９）を、直接巻き取りドラム（１０）によって巻き取ることによって、延伸成形の際の引っ張り力を付与している。引っ張り力の調整（延伸速度の調整）は、巻き取りドラム（１０）の巻き取り速度で調節する。これにより、表面品位の高いガラスリボン（９）を得ることができる。尚、図３では、フランジを有する巻き取りドラム（１０）を使用する例を示したが、フランジなしの巻き取りドラムを使用してもよい。
巻き取りドラム（１０）によって巻き取られたガラスリボン（９）は、所定長毎（所定重量毎）に切断される。巻き取りドラム（１０）が交換されたあと、ガラスリボン（９）の巻き取りを再度開始する。巻き取りドラム（１０）によって巻き取られたガラスリボン（９）を、そのままの形態で梱包、出荷してもよいが、ボビンに巻きなおすことによって、小分けにして出荷してもよい。また、巻き取りドラム（１０）を使用する代わりに、直接ボビンに巻き取ってもよい。
上述の製造方法によって得られた本発明に係るシール材（１）は、図４に示す通り、人間の指に巻きつけても破断せず、大きな曲率（小径のボビン等）に巻き取ることが可能である。
図５は、本発明に係るシール材（１）を使用し、２枚の透明ガラス基板（１１）（１２）の間隙に電解液（１３）を密封したデバイスを示す概略図である。２枚のガラス基板（１１）（１２）の間隙の所定箇所にシール材（１）を配置し、シール材（１）を加熱すると、ガラス基板（１１）（１２）とシール材（１）を接着することが可能である。シール材の加熱方法は、特に限定はされないが、ＣＯ２レーザー、フェトム秒レーザー、ＹＡＧレーザー等のレーザーや、赤外ランプ、可視光ランプ、発光ダイオード（ＬＥＤ）等を使用することができる。この時、ＣＯ２レーザーを使用してデバイスの側面からシール材（１）のみを加熱しても良いし、デバイスの側面全体を加熱することにより、シール材（1）とガラス基板(１１)とを同時に加熱してもよい。また、フェトム秒レーザーを使用してシール材（１）とガラス基板（１１）（１２）の接触面を加熱しても良い。また気密性が担保されるのであれば、フェトム秒レーザーを使用してシール材（１）とガラス基板（１１）（１２）の接触面の一部を加熱しても良い。特に、フェトム秒レーザーを使用して、平面方向からガラス基板（１１）（１２）とシール材（１）との接着界面を選択的に照射した場合、図６に示す通り、シール材（１）の凸曲面部（４）を維持した状態で、ガラス基板（１１）（１２）を封着することができるため好ましい。透明ガラス基板（１１）（１２）の厚みを１０〜２００μｍにすると、可撓性デバイスが得られることになる。上述では電解液を密封する形態について説明したが、電解液を適宜素子等に変更することによって、照明デバイス、太陽電池デバイス、ディスプレイデバイスを作製することができる。
シール材（１）が、遷移元素を含有するガラスリボンからなる場合には、遷移元素や遷移元素のイオンが吸収する波長の光を照射することによってシール材（１）のみを加熱することができ、ガラスリボンを介して被着物を接着することが可能となる。さらにシール材（１）同士が接触する箇所にガラス粉末のシール材を塗布すると、より確実な気密封着が得られるため好ましい。
シール材（１）が、成膜処理されているガラスリボンからなる場合には、膜成分が吸収する波長の光を照射することによってシール材（１）の表面を加熱することができる。これによって、被接着物とシール材（１）との界面を効果的に加熱でき、短時間で容易に被接着物とシール材とを接着することが可能となる。
以下、本発明のシール材を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）母材ガラスとして、日本電気硝子株式会社製ＢＤＡ（軟化点７４０℃）の成形体（幅５０ｍｍ、厚み０．３ｍｍ）を準備した。
母材ガラスを、延伸成形装置にセットし、温度７８５℃（母材ガラスの粘度６．７ｄＰａ・ｓ）に保持された成形炉の供給口から６ｍｍ／ｍｉｎの速度で搬入し、巻き取りドラムで巻き取ることによって引き出し口から１３５０ｍｍ／ｍｉｎで引き出し、幅３．０ｍｍ、厚み２２μｍ（アスペクト比１３５）のガラスリボンを得た。
このガラスリボン（幅３．０ｍｍ）の厚みを、厚み測定装置（株式会社ニコン社製ＮＥＸＩＶを使用し、幅方向等間隔に５点（両端部、右端部と左端部から０．７５ｍｍの位置、中央（両端部から１．５ｍｍの位置）の計５点）測定した。測定された厚みは、２１．５μｍ〜２２．０μｍであり、偏肉は、０．５μｍ（厚みの約２％）であった。
こうして得られたガラスリボンからなるシール材を、２枚のガラス基板（厚み１．１ｍｍのＢＤＡの板ガラス）の周囲間隙に配置し、ＣＯ２レーザーを使用して、レーザースポット径を約２ｍｍとし、側面全体をレーザーで走査し加熱したところ、２０μｍの間隙で良好に気密封止することができた。
（実施例２）母材ガラスとして、日本電気硝子株式会社製ＢＤＡ（軟化点７４０℃）の成形体（幅５０ｍｍ、厚み０．３ｍｍ）を準備した。
母材ガラスを、延伸成形装置にセットし、温度７８５℃（母材ガラスの粘度６．７ｄＰａ・ｓ）に保持された成形炉の供給口から４ｍｍ／ｍｉｎの速度で搬入し、巻き取りドラムで巻き取ることによって引き出し口から９００ｍｍ／ｍｉｎで引き出し、幅３．３ｍｍ、厚み２０μｍ（アスペクト比１６７）のガラスリボンを得た。
このガラスリボン（幅３．３ｍｍ）の厚みを、厚み測定装置（株式会社ニコン社製ＮＥＸＩＶを使用し、幅方向等間隔に５点（両端部、右端部と左端部から０．８３ｍｍの位置、中央（両端部から１．６５ｍｍの位置）の計５点）測定した。測定された厚みは、２０．２０μｍ〜２１．００μｍであり、偏肉は、０．８μｍ（厚みの約４％）であった。アスペクト比が小さくなる変化を相殺するために、炉内温度分布の補正と延伸速度の補正を実施し延伸整形の過程で横方向へ引き伸ばす効果を与えた。その結果、中央部が薄くなった。
こうして得られたガラスリボンからなるシール材を、２枚のガラス基板（厚み１．１ｍｍのＢＤＡの板ガラス）の周囲間隙に配置し、フェトム秒レーザーを使用し、シール材と各ガラス基板の接触面を加熱したところ、２０μｍの間隙で良好に気密封止することができた。
（実施例３）母材ガラスとして、日本電気硝子株式会社製ＢＤＡ（軟化点７４０℃）の成形体（幅５０ｍｍ、厚み０．２ｍｍ）を準備した。
母材ガラスを、延伸成形装置にセットし、温度７２５℃（母材ガラスの粘度８．０ｄＰａ・ｓ）に保持された成形炉の供給口から８ｍｍ／ｍｉｎの速度で搬入し、巻き取りドラムで巻き取ることによって引き出し口から８００ｍｍ／ｍｉｎで引き出し、幅５．０ｍｍ、厚み２０μｍ（アスペクト比２５０）のガラスリボンを得た。
こうして得られたガラスリボンからなるシール材を、２枚のガラス基板（厚み１．１ｍｍのＢＤＡの板ガラス）の周囲間隙に配置し、フェトム秒レーザーを使用し、シール材と各ガラス基板の接触面を加熱したところ、２０μｍの間隙で良好に気密封止することができた。
（実施例４）母材ガラスに遷移元素としてＣｕを１０原子％添加した以外は実施例２と同様の方法により、幅３．３ｍｍ、厚み２０μｍのガラスリボンを得た。こうして得られたガラスリボンからなるシール材を、２枚のガラス基板（厚み１．１ｍｍのＢＤＡの板ガラス）の周囲間隙に配置し、図７に示す発光波長を有する赤外ランプを用いて色温度３０００Ｋの光を照射したところ、ガラス基板は軟化することなく、シール材のみが選択的に加熱、軟化し、良好に気密封止することができた。
（実施例５）母材ガラスとして、日本電気硝子株式会社製ＢＤＡ（軟化点７４０℃）の成形体（幅５０ｍｍ、厚み０．２ｍｍ）を準備した。
母材ガラスを、延伸成形装置にセットし、温度７２５℃（母材ガラスの粘度８．０ｄＰａ・ｓ）に保持された成形炉の供給口から８ｍｍ／ｍｉｎの速度で搬入し、巻き取りドラムで巻き取ることによって引き出し口から８００ｍｍ／ｍｉｎで引き出し、幅５．０ｍｍ、厚み２０μｍ（アスペクト比２５０）のガラスリボンを得た。
こうして得られたガラスリボンにニッケルを成膜した。このシール材を、２枚のガラス基板（厚み５０μｍのＢＤＡの板ガラス）の周囲間隙に配置し、ＹＡＧレーザーを使用し、シール材と各ガラス基板の接触面を加熱したところ、２０μｍの間隙で良好に気密封止することができた。
本発明のシール材は、有機ＥＬ照明、太陽電池、有機ＥＬディスプレイ、医療デバイス、分析デバイス等のデバイスに用いるシール材として好適である。
１ シール材
２、３ ガラスリボンの両面
４ ガラスリボンの側面
５ ガラスリボンの凸曲面部
６ ボビン
７ 母材ガラス
８ 延伸成形装置
９ ガラスリボン
１０ 巻き取りドラム
１１、１２ ガラス基板
１３ 電解液

Claims (17)

  1. 厚み１〜１００μｍであり、側面に凸曲面部を有するガラスリボンからなることを特徴とするシール材。
  2. ガラスリボンの両面が、火造り面であることを特徴とする請求項１に記載のシール材。
  3. ガラスリボンの偏肉が、その厚みの２０％以内であることを特徴とする請求項１又は２に記載のシール材。
  4. ガラスリボンの厚みに対する幅のアスペクト比が、２５〜２０００であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のシール材。
  5. 遷移元素を含有するガラスリボンからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のシール材。
  6. ガラスリボンの表面は、成膜処理されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のシール材。
  7. 被接着物の所定箇所に、厚み１〜１００μｍであり、側面に凸曲面部を有するガラスリボンからなるシール材を配置した後、シール材を加熱することによって、被接着物とシール材を接着することを特徴とするシール方法。
  8. 被接着物とシール材の接触面を加熱することによって、被接着物とシール材を接着することを特徴とする請求項７に記載のシール方法。
  9. 被接着物とシール材の接触面の一部を加熱することによって、被接着物とシール材を接着することを特徴とする請求項７又は８に記載のシール方法。
  10. 被接着物が、ガラス基板であることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載のシール方法。
  11. ガラス基板の厚みが、１０〜２００μｍであることを特徴とする請求項１０に記載のシール方法。
  12. ガラス基板の両面が、火造り面であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のシール方法。
  13. ガラスリボンが、遷移元素を含有することを特徴とする請求項７〜１２のいずれかに記載のシール方法。
  14. ガラスリボン中の遷移元素又は遷移元素のイオンが吸収する波長の光を照射することによってシール材を加熱することを特徴とする請求項１３に記載のシール方法。
  15. ガラスリボンの表面は、成膜処理されていることを特徴とする請求項７〜１４のいずれかに記載のシール方法。
  16. ガラスリボンの表面に成膜された膜が吸収する波長の光を照射することによってシール材表面を加熱することを特徴とする請求項１５に記載のシール方法。
  17. レーザーによってシール材を加熱することを特徴とする請求項７〜１６のいずれかに記載のシール方法。
JP2011007661A 2010-02-10 2011-01-18 シール材及びそれを用いたシール方法 Expired - Fee Related JP5824809B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011007661A JP5824809B2 (ja) 2010-02-10 2011-01-18 シール材及びそれを用いたシール方法
CN201180007297.9A CN102725240B (zh) 2010-02-10 2011-02-08 密封材料及使用其的密封方法
KR1020127011507A KR101829228B1 (ko) 2010-02-10 2011-02-08 밀봉재 및 그것을 사용한 밀봉방법
US13/022,831 US20120070618A1 (en) 2010-02-10 2011-02-08 Sealing material and sealing method using the same
PCT/JP2011/052617 WO2011099475A1 (ja) 2010-02-10 2011-02-08 シール材及びそれを用いたシール方法
TW100104266A TWI508233B (zh) 2010-02-10 2011-02-09 可撓性器件以及使用該可撓性器件的密封方法
US14/609,934 US9985240B2 (en) 2010-02-10 2015-01-30 Sealing material and sealing method using the same

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010028049 2010-02-10
JP2010028049 2010-02-10
JP2010148657 2010-06-30
JP2010148657 2010-06-30
JP2011007661A JP5824809B2 (ja) 2010-02-10 2011-01-18 シール材及びそれを用いたシール方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012031042A JP2012031042A (ja) 2012-02-16
JP5824809B2 true JP5824809B2 (ja) 2015-12-02

Family

ID=44367748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011007661A Expired - Fee Related JP5824809B2 (ja) 2010-02-10 2011-01-18 シール材及びそれを用いたシール方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20120070618A1 (ja)
JP (1) JP5824809B2 (ja)
KR (1) KR101829228B1 (ja)
CN (1) CN102725240B (ja)
TW (1) TWI508233B (ja)
WO (1) WO2011099475A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5283579B2 (ja) * 2009-07-14 2013-09-04 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器
JP5704395B2 (ja) * 2010-03-29 2015-04-22 日本電気硝子株式会社 ガラスロール梱包体
JP5737011B2 (ja) * 2011-01-18 2015-06-17 日本電気硝子株式会社 発光デバイス、発光デバイス用セル及び発光デバイスの製造方法
KR102058387B1 (ko) 2011-11-28 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유리 패턴 및 그 형성 방법, 밀봉체 및 그 제작 방법, 및 발광 장치
JP6156675B2 (ja) * 2012-05-30 2017-07-05 日本電気硝子株式会社 ガラスパッケージの製造方法
JP6090703B2 (ja) * 2012-05-30 2017-03-08 日本電気硝子株式会社 複合封着材料
US9441416B2 (en) * 2012-09-27 2016-09-13 Guardian Industries Corp. Low temperature hermetic sealing via laser
WO2014182776A1 (en) 2013-05-10 2014-11-13 Corning Incorporated Laser welding transparent glass sheets using low melting glass or thin absorbing films
US10246365B2 (en) * 2013-10-09 2019-04-02 Corning Incorporated Apparatus and method for forming thin glass articles
JP2015074595A (ja) * 2013-10-11 2015-04-20 旭硝子株式会社 封着材料および真空複層ガラス
JP2015098042A (ja) * 2013-11-19 2015-05-28 日本電気硝子株式会社 接合体の製造方法
DE102014119064A1 (de) 2014-12-18 2016-06-23 Schott Ag Glasfilm mit speziell ausgebildeter Kante, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung
JP7082309B2 (ja) * 2017-03-24 2022-06-08 日本電気硝子株式会社 カバーガラス及び気密パッケージ
WO2019001471A1 (zh) * 2017-06-30 2019-01-03 北京汉能光伏投资有限公司 光伏发电车顶
KR20200085386A (ko) * 2019-01-04 2020-07-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP7305264B2 (ja) * 2019-05-30 2023-07-10 矢崎エナジーシステム株式会社 中空ガラスの製造方法
CN112038432B (zh) * 2020-09-11 2021-11-19 浙江晶科能源有限公司 光伏组件、光伏胶膜及其制备方法
KR102247086B1 (ko) * 2020-11-26 2021-04-30 한국광기술원 파이버형 실링제를 이용한 태양전지용 이중 접합 실링 구조 및 방법, 파이버형 실링제의 제조 장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE790546A (fr) * 1970-11-25 1973-04-25 Ppg Industries Inc Appareil a molette
JPS596816B2 (ja) * 1976-06-15 1984-02-14 旭硝子株式会社 パネル表示装置用ガラス基板の製造方法
US4130680A (en) * 1977-08-08 1978-12-19 Corning Glass Works Strong, lightweight photosensitive laminate
JPS58104047A (ja) * 1981-12-14 1983-06-21 Nec Corp ガラスの溶着方法
WO1997036836A1 (en) 1996-04-02 1997-10-09 Techneglas, Inc. Sealing glass modifier for use with voc-free or low-voc vehicle
US6482524B1 (en) * 1997-03-11 2002-11-19 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Substrate having a treatment surface
US6111357A (en) 1998-07-09 2000-08-29 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent display panel having a cover with radiation-cured perimeter seal
JP2000026127A (ja) * 1998-07-10 2000-01-25 Omron Corp ガラス板の接着方法
JP4980718B2 (ja) 2003-11-12 2012-07-18 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子デバイス用の封入アセンブリ
US7231786B2 (en) * 2004-07-29 2007-06-19 Corning Incorporated Process and device for manufacturing glass sheet
JP5028804B2 (ja) 2006-01-19 2012-09-19 ソニー株式会社 機能デバイス
US20080302418A1 (en) * 2006-03-18 2008-12-11 Benyamin Buller Elongated Photovoltaic Devices in Casings
CN101528617B (zh) 2006-10-24 2012-06-13 日本电气硝子株式会社 玻璃带的制造装置及其制造方法
JP5177790B2 (ja) * 2006-10-24 2013-04-10 日本電気硝子株式会社 ガラスリボンの製造装置及びその製造方法
KR20090129440A (ko) * 2007-02-23 2009-12-16 코닝 인코포레이티드 열 에지 마감처리
KR20080088032A (ko) * 2007-03-28 2008-10-02 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2009067632A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Nippon Electric Glass Co Ltd 光部品用封着ガラスおよび光部品の封着方法
JP2009146625A (ja) 2007-12-12 2009-07-02 Sony Corp 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器
KR20090089010A (ko) * 2008-02-18 2009-08-21 삼성전자주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
WO2013031509A1 (en) * 2011-08-26 2013-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, lighting device, and method for manufacturing the light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
TW201145462A (en) 2011-12-16
JP2012031042A (ja) 2012-02-16
WO2011099475A1 (ja) 2011-08-18
KR20120125228A (ko) 2012-11-14
US20150140238A1 (en) 2015-05-21
TWI508233B (zh) 2015-11-11
US20120070618A1 (en) 2012-03-22
US9985240B2 (en) 2018-05-29
CN102725240B (zh) 2015-05-20
CN102725240A (zh) 2012-10-10
KR101829228B1 (ko) 2018-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5824809B2 (ja) シール材及びそれを用いたシール方法
JP5877503B2 (ja) ガラスリボン及びその製造方法
JP5343862B2 (ja) ガラス樹脂複合体の製造方法
EP3224209B1 (en) Thin glass sheet and system and method for forming the same
TWI576295B (zh) 玻璃卷的製造方法與玻璃卷
US9278497B2 (en) Glass-resin laminate, glass roll produced by winding the same, and method of producing glass roll
WO2015033866A1 (ja) 導光板
JP2014019597A (ja) ガラスフィルムの製造方法及びガラスフィルム積層体
WO2015174216A1 (ja) 複合体、積層体および電子デバイス、ならびに、それらの製造方法
WO2014073455A1 (ja) ガラスフィルム積層体及び電子・電気デバイスの製造方法
TW201531767A (zh) 玻璃膜層積體及液晶面板之製造方法
JP2015013760A (ja) ガラス接合パッケージ用容器及びガラス接合パッケージ並びにそれらの製造方法
TW202003239A (zh) 玻璃薄膜-樹脂複合體
JP6358090B2 (ja) ガラステープ、ガラステープ製造方法、及び製品製造方法
KR20140123928A (ko) 유리 셀, 액정 소자, 유리 셀의 제조 방법 및 액정 소자의 제조 방법
TW201444676A (zh) 玻璃膜積層體及電子元件的製造方法
JP6327580B2 (ja) ガラスフィルム積層体および電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150105

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150619

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150622

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20150818

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150915

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150928

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5824809

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees