TWI508233B - 可撓性器件以及使用該可撓性器件的密封方法 - Google Patents
可撓性器件以及使用該可撓性器件的密封方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI508233B TWI508233B TW100104266A TW100104266A TWI508233B TW I508233 B TWI508233 B TW I508233B TW 100104266 A TW100104266 A TW 100104266A TW 100104266 A TW100104266 A TW 100104266A TW I508233 B TWI508233 B TW I508233B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- sealing material
- glass
- glass ribbon
- sealing
- flexible device
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 232
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 134
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 26
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 239000002585 base Substances 0.000 description 26
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 2
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N dibismuth;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
- C03C27/10—Joining glass to glass by processes other than fusing with the aid of adhesive specially adapted for that purpose
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B23/00—Re-forming shaped glass
- C03B23/20—Uniting glass pieces by fusing without substantial reshaping
- C03B23/203—Uniting glass sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/04—Joining glass to metal by means of an interlayer
- C03C27/048—Joining glass to metal by means of an interlayer consisting of an adhesive specially adapted for that purpose
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0488—Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
本發明是有關於一種照明器件、太陽電池器件、顯示器件(display device)、醫療器件、分析器件等所使用的密封材以及使用該密封材的密封方法。
近年來,考慮到環境方面等,有機電致發光(Electroluminescence,EL)照明、太陽電池、有機EL顯示器、醫療器件、分析器件等器件的開發正在盛行。
上述器件中,必須將玻璃基板等多個構件設置一定間隔來進行密封,並於其間密封元件或液體,其密封材一直是使用由有機化合物形成的樹脂或黏接材、或者玻璃粉末(玻璃粉)(參照下述專利文獻1、專利文獻2)。
另外,對於此種器件而言,嘗試了藉由使用厚度為200μm以下且具有可撓性的玻璃基板,來製作能彎折或捲取的可撓性的器件。具體而言,嘗試製作了能彎折或捲取且可搬運的有機EL顯示器,或者可安裝於汽車的車體表面或建築物的屋頂、支柱、外壁等具有曲面的物體的表面的太陽電池或有機EL照明。
[專利文獻1]日本專利特開2000-36381號公報
[專利文獻2]日本專利特表2007-516611號公報
然而,若使用由有機化合物形成的樹脂或黏接材作為
上述器件的密封材,則無法完全遮蔽水蒸氣等氣體,故可能因長期使用而導致器件的功能受損。
另外,若使用玻璃粉作為密封材,則雖可遮蔽氣體,但在用於可撓性的器件時,可能於彎折時或捲取時密封部產生裂縫,氣密性受損。
另外,使用由有機化合物形成的樹脂或黏接材、或者玻璃粉將2片玻璃基板密封時,必須進行於玻璃基板的特定部位塗佈密封材的步驟,故作業性差,而且視密封材的塗佈狀態或加熱條件等不同,有加熱後的密封形狀不穩定的問題。
本發明是為了解決如上所述的先前技術的問題而成,其目的在於提供一種密封材,該密封材的遮蔽水蒸氣等氣體的阻氣性或可撓性優異,而且亦具備作為將2片玻璃基板保持於一定間隔的間隔材的功能。
本發明是有關於一種密封材,其特徵在於由厚度為1μm~100μm的玻璃帶所形成。
玻璃帶的兩面較佳為火焰拋光面。
玻璃帶的厚度偏差較佳為該玻璃帶的厚度的20%以內。
玻璃帶的寬度相對於厚度的縱橫比較佳為25~2000。
玻璃帶較佳為含有過渡元素。
玻璃帶的表面較佳為經成膜處理。
另外,本發明是有關於一種照明器件,其特徵在於:
包含使用上述密封材的構件。
另外,本發明是有關於一種太陽電池器件,其特徵在於:包含使用上述密封材的構件。
另外,本發明是有關於一種顯示器件,其特徵在於:包含使用上述密封材的構件。
另外,本發明是有關於一種密封方法,其特徵在於:在被黏接物的特定部位配置由厚度為1μm~100μm的玻璃帶形成的密封材後,加熱密封材,藉此將被黏接物與密封材黏接。
上述構成中,可藉由對被黏接物與密封材的接觸面進行加熱,而將被黏接物與密封材黏接。
亦可藉由對被黏接物與密封材的接觸面的一部分進行加熱,而使被黏接物與密封材黏接。
上述構成中,被黏接物較佳為玻璃基板。
玻璃基板的厚度較佳為10μm~200μm。
玻璃基板的兩面較佳為火焰拋光面。
玻璃帶較佳為含有過渡元素。
上述構成中,亦可藉由照射玻璃帶中的過渡元素或過渡元素的離子吸收的波長的光而加熱密封材。
玻璃帶的表面亦可經成膜處理。
上述構成中,亦可藉由照射成膜於玻璃帶的表面的膜吸收的波長的光而加熱密封材表面。
上述構成中,亦可藉由雷射來加熱密封材。
根據本發明,密封材是由厚度為1μm~100μm的玻璃帶、即帶狀的薄玻璃板所形成,故遮蔽氣體的阻氣性優異,若使用該密封材將器件的構成構件密封,則可長期抑制器件內的元件或溶液的劣化。另外,本發明的密封材具備可撓性,故可用作可撓性器件的密封材,於彎折時或捲取時密封部不易產生裂縫,氣密性不會受損。
另外,近年來,要求將玻璃基板彼此保持100μm以下的間隔來進行氣密密封,而若使用本發明的密封材,則能以100μm以下的間隔來精度佳地進行氣密密封,亦可省略先前般的塗佈、乾燥步驟,故生產性亦提昇。特佳為於醫療、分析的領域中所用的微標本(micro preparation)中使用本發明的玻璃帶的密封材。此時,玻璃帶可作為間隙材而於相向的2片玻璃板間均等地保持非常窄的間隙,且2片玻璃板經玻璃帶所密封,故不存在2片玻璃板的偏離或被分析液體的漏出等,可靠性高。進而,矩形狀的微標本中,若僅將相向的2邊以玻璃帶密封,則可自未密封的2邊的開口的端面利用毛細管現象於2片玻璃板間容易地注入被分析液體。
另外,若考慮到玻璃帶的生產性、作為密封材的操作性等,則適當的是玻璃帶的寬度為1mm~5mm,長度為1m~100m。另外,本發明的密封材是由厚度為1μm~100μm的玻璃帶所形成,故使用時可適當切斷成所需要的長度而使用。
本發明的密封材適合的是製作母材玻璃後進行加熱,
將該母材玻璃延伸成形為肋狀的方法(再拉法),可藉由適當調整母材玻璃的大小或材質、延伸成形時的溫度條件、拉伸速度等而製成所需尺寸。
若玻璃帶的兩面(表面與背面)為火焰拋光面,則與對表面實施了研磨等加工的玻璃帶相比較,作為密封材而加熱時表面均勻軟化,故可獲得良好的密封狀態。另外,由於兩面不存在破碎、缺損、裂縫等,故可有效防止玻璃帶斷裂。特別是若玻璃帶的側面亦設定為火焰拋光面、且以具有凸曲面部的方式形成,則將玻璃帶彎曲時可防止應力集中於剖面觀察4角的角部,故較佳。
若玻璃帶的厚度偏差為該玻璃帶的厚度的20%以內,則可進行高精度的密封。具體而言,於將2片玻璃基板保持一定間隔而加以密封時,能以所需的間隔來精度佳地密封。
若玻璃帶的寬度相對於厚度的縱橫比為25~2000,則可獲得特別適合作為有機EL照明、太陽電池器件、有機EL顯示器等器件的密封材的形狀。
若玻璃帶含有過渡元素,則可藉由對密封材照射過渡元素或過渡元素的離子吸收的波長的光而容易地黏接。
若玻璃帶的表面經成膜處理,則可藉由對密封材表面照射成膜於玻璃帶表面的膜成分吸收的波長的光而容易地黏接。
根據包含使用上述密封材的構件的本發明的照明器件,例如可製作能長期防止元件或液體的劣化的有機EL
照明。
根據包含使用上述密封材的構件的本發明的太陽電池器件,例如可製作能長期防止元件或液體的劣化的色素敏化型太陽電池。
根據包含使用上述密封材的構件的本發明的顯示器件,例如可製作能長期防止元件或液體的劣化的有機EL顯示器。
另外,本發明於被黏接物的特定部位配置由厚度為1μm~100μm的玻璃帶形成的密封材後,加熱密封材,藉此將被黏接物與密封材黏接,因此可省略先前般的塗佈步驟,密封時的作業性提昇。
藉由對被黏接物與密封材的接觸面進行加熱而將被黏接物與密封材黏接,由此可於短時間內進行良好的密封。
另外,藉由對被黏接物與密封材的接觸面的一部分進行加熱而將被黏接物與密封材黏接,由此可進行短時間的密封。
若被黏接物為玻璃基板,則可藉由雷射等將兩者同時加熱。
若玻璃基板的厚度為10μm~200μm,則可製作可撓性器件。
若玻璃基板的兩面為火焰拋光面,則與密封材的密接性提昇,容易黏接。藉由採用溢流下拉法或再拉法作為玻璃基板的成形法,可使兩面為火焰拋光面。
若玻璃帶含有過渡元素,則可藉由對密封材照射過渡
元素或過渡元素的離子吸收的波長的光而容易地黏接。
若藉由照射玻璃帶中的過渡元素或過渡元素的離子吸收的波長的光來加熱密封材,則可於短時間內容易地黏接。
若玻璃帶的表面經成膜處理,則可藉由對密封材表面照射成膜於玻璃帶表面的膜成分吸收的波長的光而容易地黏接。
若藉由照射成膜於玻璃帶的表面的膜成分吸收的波長的光來加熱密封材表面,則可於短時間內容易地黏接。
若藉由雷射來加熱密封材,則可一方面保持密封材的形狀一方面於短時間內密封。
以下,一邊參照圖式,一邊對本發明的密封材的較佳實施形態加以說明。
如圖1所示,本發明的密封材(1)是由厚度為1μm~100μm的玻璃帶所形成,其兩面(2)、(3)與側面(4)為火焰拋光面。
關於玻璃帶的材質,只要為矽酸鹽玻璃、無鹼玻璃、鈉玻璃、硼矽酸玻璃、鋁矽酸玻璃、二氧化矽玻璃等可延伸成形的玻璃,則任意材質均可使用,特別是若使用無鹼玻璃,則有以下優點:可用作搭載有因鹼成分而劣化的元件的器件的密封材。
玻璃帶中,較佳為含有0.01wt%~30wt%的過渡金屬離子。若玻璃帶中含有過渡元素,則可藉由對密封材(1)照射過渡元素或過渡金屬的離子吸收的波長的光而有效地
加熱密封材(1)。藉此,可僅選擇性地加熱密封材(1)而使其軟化,對玻璃基板等被黏接物進行密封。因接觸構件的加熱得到抑制,故即便接觸構件含有容易因加熱而劣化的部分,亦可於不使該部分劣化的情況下密封。
過渡元素若為元素週期表的第3族至第11族的元素則可使用,較佳為第一系列(第4週期)或第二系列(第5週期)元素較為合適,更佳為第一系列元素較為合適,其中特佳為Fe、Co、Ni、Cu。另外,照射光的光源只要發出所使用的過渡元素或過渡元素的離子吸收的波長的光則並無特別限定,可使用紅外燈、可見光燈、雷射(飛秒雷射、釔鋁石榴石(Yttrium Aluminium Garnet,YAG)雷射等)、發光二極體(Light Emitting Diode,LED)等。
玻璃帶的表面較佳為經成膜處理。藉由對密封材(1)表面照射成膜於玻璃帶表面的膜成分吸收的波長的光,可容易地加熱密封材(1)的表面。藉此,可有效地加熱與被黏接物的界面,可於短時間內將密封材(1)與被黏接物容易地黏接。另外,利用成膜時的局部遮蔽處理等使作為密封材的玻璃帶的玻璃表面局部地露出,藉此玻璃帶表面的軟化亦可有助於與被黏接物的熔接。可僅對玻璃帶的兩面(2)、(3)中任一面進行成膜處理,更佳為對玻璃帶的兩面(2)、(3)均進行成膜處理。
於對玻璃帶的表面進行成膜處理的形態下,較佳為玻璃帶的側面(4)、特別是凸曲面部(5)未經成膜處理。藉此,即便對密封材(1)照射膜成分吸收的波長的光,亦可
僅將密封材的兩面(2)、(3)選擇性地加熱,凸曲面部(5)未經加熱,可維持凸曲面的形態而將密封材(1)與被黏接物黏接。密封材(1)維持凸曲面的形態,故即便彎曲經密封材(1)密封後的可撓性器件(照明、太陽電池、顯示器件等),亦可防止應力集中於密封材(1)的側面,可防止密封材(1)斷裂。
成膜於玻璃帶的表面的膜成分較佳為具有光吸收帶的Si膜、Ge膜、金屬膜(Ni、Cr、Ti、Ta等)、缺氧膜(TiO(2-x)等。另外,照射於密封材(1)的成膜面的照射光的光源只要發出成膜於玻璃帶表面的膜成分可吸收的波長的光,則並無特別限定,可使用紅外燈、可見光燈、雷射(飛秒雷射、YAG雷射等)、發光二極體(LED)等。
於玻璃帶的表面成膜的方法可使用濺鍍法、化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition,CVD)法、物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition,PVD)法、電阻加熱法、離子電鍍法等公知方法。
玻璃帶與被黏接物的熱膨脹係數差以小為佳,但由於玻璃帶的厚度薄,故可容許與被黏接物的某種程度的熱膨脹係數差,若該差在30×10-7/℃以內(0℃~300℃的溫度範圍),則可進行黏接或密封。熱膨脹係數差的更佳範圍為20×10-7/℃以內,進而佳為10×10-7/℃以內。
若玻璃帶的厚度過大,則玻璃基板彼此的間隔變大至必要程度以上。另外,於用於可撓性的器件時,密封材(1)亦要求可撓性,玻璃帶的厚度較理想的是儘可能小。然而,
若厚度過小則容易破損,故操作變困難。因此,玻璃帶的厚度為100μm以下,較佳為50μm以下,更佳為25μm以下,進而佳為20μm以下,最佳為10μm以下。另外,較佳為1μm以上,更佳為5μm以上。
為了使玻璃帶具有作為間隔材而保證高精度的間隔的功能,並且在彎曲時防止拉伸應力局部地集中於外周側的表面(2)而均等地施加拉伸應力,較佳為厚度偏差少。具體而言,厚度偏差較佳為厚度的20%以內,更佳為10%以內。另外,厚度偏差是設定為以下的值:對在寬度方向上具有兩面(2)、(3)的部分於寬度方向上等間隔地測定5點,將所測定的最大值與最小值之差除以平均值所得的值。
為了在彎曲玻璃帶時防止拉伸應力局部地集中於外周側的表面(2)而均等地施加拉伸應力,兩面(2)、(3)較佳為儘可能平坦。具體而言,較佳為兩面(2)、(3)的表面粗糙度以Ra值計為0.5nm以下的高表面品質,更佳為0.3nm以下,最佳為0.2nm以下。
玻璃帶較佳為寬度相對於厚度的縱橫比為25~2000。藉此,可獲得特別適合作為有機EL照明、太陽電池器件、有機EL顯示器等器件的密封材的形狀。若縱橫比小於25,則成為玻璃棒或玻璃纖維的形態,減小厚度時與被黏接物的接觸面積變小。另一方面,若縱橫比超過2000則變寬,作為密封材而變大至必要程度以上。
玻璃帶較佳為於側面(4)具有凸曲面部(5)。藉此,可於彎曲玻璃帶時防止應力集中於剖面觀察4角的角部。
另外,可防止缺損或裂縫的產生。因此,可獲得能以大的曲率(小徑的捲軸等上的捲取等)彎曲的密封材(1)。
玻璃帶的凸曲面部(5)較佳為火焰拋光面。由於在成形後未經磨削、研磨步驟等去角步驟,故凸曲面部(5)不存在破碎、缺損、裂縫等,可有效防止玻璃帶自側面斷裂。因此,可獲得能以更大的曲率(小徑的捲軸等上的捲取等)彎曲的密封材(1)。
於圖1中,玻璃帶的凸曲面部(5)為玻璃帶的剖面觀察正圓的圓弧狀,但不限定於該形狀,該形狀亦可為橢圓的圓弧狀。為了於彎曲玻璃帶時對凸曲面部(5)均等地施加拉伸應力,上述圓弧狀較佳為正圓的圓弧狀。如圖1(b)所示,於凸曲面部(5)的剖面觀察為正圓的圓弧狀時,正圓的半徑r較佳為玻璃帶的厚度t的1/2以下。藉此,可增大凸曲面部(5)的曲率,故可使施加於凸曲面部(5)的拉伸應力更廣地分散。另外,半徑r較佳為玻璃帶(1)的厚度t的1/50以上。若半徑r小於玻璃帶(1)的厚度t的1/50,則凸曲面部(4)的曲率過小,由此於以大的曲率彎曲玻璃帶(1)時可能發生應力集中而斷裂。另外,亦可能於凸曲面部(4)容易產生缺損或裂縫。
於玻璃帶的剖面觀察時,凸曲面部(5)與兩面(2)、(3)以及凸曲面部(5)與側面(4)的平面部(41)較佳為平滑地相連,具體而言,於自平面至側面的曲面中,曲率自平面起逐漸變大,經過最大值,隨著朝向側面而曲率逐漸變小,與側面平滑地相連。當曲率達到最大值時,該
曲率較佳為玻璃帶的厚度t的1/2以下的半徑r。藉此,可防止拉伸應力集中於角部,以更大的曲率彎曲密封材(1)。若玻璃帶的凸曲面部(5)與兩面(2)、(3)以及凸曲面部(5)與側面(4)的平面部(41)是以具有角部的方式形成,則可能於彎曲密封材(1)時拉伸應力集中於該角部。
密封材(1)如圖2(a)所示,較佳為捲取於兩端部具有凸緣(61)的捲軸(6)上。藉此可使密封材(1)的保存、運輸、操作等容易。
玻璃帶於其側面(4)具有凸曲面部(5),故於捲取於捲軸(6)上時,如圖2(b)所示,玻璃帶的側端部抵接於捲軸(6)的凸緣(61)後(圖2(b)的玻璃帶為虛線的狀態後),沿著凸緣(61)而引導存在於玻璃帶的側面(4)的凸曲面部(5),並捲取於捲軸(6)上,因此於捲軸(6)上的捲取變容易。另外,由於凸曲面部(5)沿著凸緣(61),故可順暢地進行捲軸(6)上的玻璃帶(1)的捲取或回捲。
本發明的密封材(1)較佳為重疊於捆包緩衝片材而加以捲取。藉此,可防止密封材(1)的表面彼此摩擦所導致的表面的面精度的惡化。捆包緩衝片材可使用發泡樹脂製片材、樹脂膜、紙墊板、不織布等。為了保護玻璃帶的側面(4),捆包緩衝片材較佳為寬度較玻璃帶更寬。另外,捆包緩衝片材較佳為與捲軸(6)的凸緣(61)間的寬度尺寸實質上相同。藉此,可防止捆包緩衝片材於捲軸(6)的凸緣(61)間發生偏離,故能更可靠地防止玻璃帶(1)的兩面(2)、(3)或側面(4)的表面精度惡化。
圖3是表示本發明的密封材的製造方法的說明圖。
於製作本發明的密封材(1)時,首先準備將厚度調整為2mm以下的由硼矽酸玻璃形成的母材玻璃(7)。母材玻璃(7)係藉由輥成形法、浮式成形法、上引成形法、槽下拉成形法等公知的成形方法將自未圖示的玻璃熔融爐供給的熔融玻璃成形為特定尺寸的大致矩形狀而獲得。特佳為藉由溢流下拉法而成形。其原因在於,母材玻璃(7)的表面不產生損傷,可獲得具有高表面品質的母材玻璃(7)。若母材玻璃(7)的表面品質高,則亦可提高下文將述的延伸成形後的玻璃帶(9)的表面品質,可製造能以更大的曲率捲取的玻璃帶(9)。
母材玻璃(7)的側面可未經加工,亦可藉由對側面的4角進行所謂的C倒角或R倒角等,而將形成於延伸成形後的玻璃帶(9)的側面的凸曲面部適當調整成所需形狀。
繼而,將母材玻璃(7)設置於延伸成形裝置(8),一邊使用加熱器(81)以特定的條件加熱一邊進行延伸,藉此獲得厚度為1μm~100μm、兩面以及側面為火焰拋光面、於側面具有凸曲面部的玻璃帶(9)。
此處,於母材玻璃的厚度超過2mm時、或玻璃帶(9)的厚度超過100μm時,所形成的玻璃帶(9)中可能形成有角部、或形成有邊部,因此較佳為使用薄的母材玻璃。具體而言,較佳為厚度0.5mm以下,更佳為0.1mm以下。
延伸成形較佳為於使母材玻璃(7)的黏度達到6.0dPa.s~9.0dPa.s的溫度下進行。藉此,可獲得玻璃帶寬度
方向的翹曲或兩端部的彎折、厚度偏差等均不存在而具有均勻厚度的平坦的玻璃帶。另一方面,於在母材玻璃(7)的黏度低於6.0dPa.s的溫度(更高的溫度)下進行延伸成形時,可能縱橫比大幅度地變化,故欠佳。另外,於母材玻璃(7)的黏度超過9.0dPa.s的溫度(更低的溫度)下,黏度過高,由此難以進行延伸成形,故欠佳。為了製造於側面具有凸曲面部(4)的玻璃帶,更佳為於母材玻璃(7)的黏度達到6.0dPa.s~7.5dPa.s的溫度下進行。特別是於母材玻璃(7)的厚度為0.5mm以下,且以延伸成形後的玻璃帶(1)的厚度為25μm以下、黏度達到6.0dPa.s~7.0dPa.s的方式進行抽出時,形成側面為火焰拋光面的凸曲面部,且於側面(3)不具有平面部(31),故最佳。另一方面,若避開縱橫比的變化,則有側面的凸曲面變小的傾向,而更佳為於母材玻璃(7)的黏度達到7.5dPa.s~9.0dPa.s的溫度下進行。特別是以黏度達到8.0dPa.s~9.0dPa.s的溫度進行抽出時,縱橫比實質上不發生變化。
延伸成形是使用捲取轉筒(10)來進行。公知的延伸成形中,藉由用一對輥夾持玻璃來賦予拉伸力,但若欲藉由用一對輥夾持玻璃帶(9)來賦予拉伸力,則玻璃帶(9)過薄,由此玻璃帶(9)因一對輥所施加的壓力而斷裂。另外,亦想到藉由使張力輥為千鳥配置並將玻璃帶(9)以鋸齒狀(S字狀)拉伸來賦予張力,但玻璃帶(9)的兩面與輥接觸,可能表面品質惡化。因此,本製造方法中,藉由直接利用捲取轉筒(10)來捲取延伸後的玻璃帶(9)而賦
予延伸成形時的拉伸力。拉伸力的調整(延伸速度的調整)是以捲取轉筒(10)的捲取速度來調節。藉此,可獲得表面品質高的玻璃帶(9)。另外,圖3中示出了使用具有凸緣的捲取轉筒(10)的例子,但亦可使用不具有凸緣的捲取轉筒。
經捲取轉筒(10)捲取的玻璃帶(9)是以每特定長度(每特定重量)為單位而切斷。更換捲取轉筒(10)後,再次開始捲取玻璃帶(9)。經捲取轉筒(10)捲取的玻璃帶(9)可保持該形態而直接捆包、出貨,亦可藉由重新捲取於捲軸上而細分後出貨。另外,亦可代替使用捲取轉筒(10)而直接捲取於捲軸上。
藉由上述製造方法獲得的本發明的密封材(1)如圖4所示,即便捲繞於人的手指上亦不斷裂,能以大的曲率(小徑的捲軸等)捲取。
圖5是表示使用本發明的密封材(1)於2片透明玻璃基板(11)、(12)的間隙中密封電解液(13)的器件的概略圖。若於2片玻璃基板(11)、(12)的間隙的特定部位配置密封材(1)並加熱密封材(1),則可將玻璃基板(11)、(12)與密封材(1)黏接。密封材的加熱方法並無特別限定,可使用CO2雷射、飛秒雷射、YAG雷射等雷射或紅外燈、可見光燈、發光二極體(LED)等。此時,可使用CO2雷射自器件的側面僅加熱密封材(1),亦可藉由加熱器件的整個側面而將密封材(1)與玻璃基板(11)同時加熱。另外,亦可使用飛秒雷射來加熱密封材(1)與玻璃基板
(11)、(12)的接觸面。另外,只要確保氣密性,則亦可使用飛秒雷射來加熱密封材(1)與玻璃基板(11)、(12)的接觸面的一部分。特別是使用飛秒雷射自平面方向選擇性地照射玻璃基板(11)、(12)與密封材(1)的黏接界面時,如圖6所示,可於維持密封材(1)的凸曲面部(4)的狀態下將玻璃基板(11)、(12)密封,故較佳。若將透明玻璃基板(11)、(12)的厚度設定為10μm~200μm,則可獲得可撓性器件。以上,對密封電解液的形態進行了說明,亦可藉由將電解液變更為適當的元件等而製作照明器件、太陽電池器件、顯示器件。
於密封材(1)是由含有過渡元素的玻璃帶所形成時,可藉由照射過渡元素或過渡元素的離子吸收的波長的光而僅加熱密封材(1),可經由玻璃帶而將被黏接物黏接。進而,若於密封材(1)彼此接觸的部位塗佈玻璃粉末的密封材,則可獲得更可靠的氣密密封,故較佳。
於密封材(1)是由經成膜處理的玻璃帶所形成時,可藉由照射膜成分吸收的波長的光而加熱密封材(1)的表面。藉此,可有效地加熱被黏接物與密封材(1)的界面,可於短時間內容易地將被黏接物與密封材黏接。
以下,根據實例對本發明的密封材加以詳細說明,但本發明不限定於該些實例。
(實例1)作為母材玻璃,準備日本電氣硝子股份有限公司製造的BDA(軟化點為740℃)的成形體(寬度為
50mm、厚度為0.3mm)。
將母材玻璃設置於延伸成形裝置,自將溫度保持於785℃(母材玻璃的黏度為6.7dPa.s)的成形爐的供給口以6mm/min的速度搬入,利用捲取轉筒進行捲取,藉此自抽出口以1350mm/min而抽出,獲得寬度為3.0mm、厚度為22μm(縱橫比為135)的玻璃帶。
使用厚度測定裝置(Nikon股份有限公司製造的NEXIV)對該玻璃帶(寬度3.0mm)的厚度於寬度方向上等間隔地測定5點(兩端部、距右端部與左端部0.75mm的位置、中央(距兩端部1.5mm的位置)共計5點)。所測定的厚度為21.5μm~22.0μm,厚度偏差為0.5μm(厚度的約2%)。
將由如此而獲得的玻璃帶形成的密封材配置於2片玻璃基板(厚度1.1mm的BDA的板玻璃)的周圍間隙,使用CO2雷射,將雷射點徑設定為約2mm,以雷射對整個側面進行掃描而加熱,結果能以20μm的間隙良好地氣密密封。
(實例2)作為母材玻璃,準備日本電氣硝子股份有限公司製造的BDA(軟化點為740℃)的成形體(寬度為50mm、厚度為0.3mm)。
將母材玻璃設置於延伸成形裝置,自將溫度保持於785℃(母材玻璃的黏度為6.7dPa.s)的成形爐的供給口以4mm/min的速度搬入,利用捲取轉筒進行捲取,藉此自抽出口以900mm/min而抽出,獲得寬度為3.3mm、厚度為
20μm(縱橫比為167)的玻璃帶。
使用厚度測定裝置(Nikon股份有限公司製造的NEXIV)對該玻璃帶(寬度3.3mm)的厚度於寬度方向上等間隔地測定5點(兩端部、距右端部與左端部0.83mm的位置、中央(距兩端部1.65mm的位置)共計5點)。所測定的厚度為20.20μm~21.00μm,厚度偏差為0.8μm(厚度的約4%)。為了抵消縱橫比變小的變化,而實施爐內溫度分布的修正與延伸速度的修正,於延伸成形的過程中賦予朝橫向拉伸的效果。結果中央部變薄。
將由如此而獲得的玻璃帶形成的密封材配置於2片玻璃基板(厚度為1.1mm的BDA的板玻璃)的周圍間隙,使用飛秒雷射對密封材與各玻璃基板的接觸面進行加熱,結果能以20μm的間隙良好地氣密密封。
(實例3)作為母材玻璃,準備日本電氣硝子股份有限公司製造的BDA(軟化點為740℃)的成形體(寬度為50mm、厚度為0.2mm)。
將母材玻璃設置於延伸成形裝置,自將溫度保持於725℃(母材玻璃的黏度為8.0dPa.s)的成形爐的供給口以8mm/min的速度搬入,利用捲取轉筒進行捲取,藉此自抽出口以800mm/min而抽出,獲得寬度為5.0mm、厚度為20μm(縱橫比250)的玻璃帶。
將由如此而獲得的玻璃帶形成的密封材配置於2片玻璃基板(厚度為1.1mm的BDA的板玻璃)的周圍間隙,使用飛秒雷射對密封材與各玻璃基板的接觸面進行加熱,
結果能以20μm的間隙良好地氣密密封。
(實例4)除了於母材玻璃中添加10at%(原子百分比)的作為過渡元素的Cu以外,藉由與實例2相同的方法獲得寬度為3.3mm、厚度為20μm的玻璃帶。將由如此而獲得的玻璃帶形成的密封材配置於2片玻璃基板(厚度為1.1mm的BDA的板玻璃)的周圍間隙,使用具有圖7所示的發光波長的紅外燈照射色溫為3000K的光,結果玻璃基板並未軟化,僅對密封材選擇性地加熱而使其軟化,可良好地氣密密封。
(實例5)作為母材玻璃,準備日本電氣硝子股份有限公司製造的BDA(軟化點為740℃)的成形體(寬度為50mm、厚度為0.2mm)。
將母材玻璃設置於延伸成形裝置,自將溫度保持於725℃(母材玻璃的黏度為8.0dPa.s)的成形爐的供給口以8mm/min的速度搬入,利用捲取轉筒進行捲取,藉此自抽出口以800mm/min而抽出,獲得寬度為5.0mm、厚度為20μm(縱橫比為250)的玻璃帶。
於如此而獲得的玻璃帶上將鎳成膜。將該密封材配置於2片玻璃基板(厚度為50μm的BDA的板玻璃)的周圍間隙,使用YAG雷射對密封材與各玻璃基板的接觸面進行加熱,結果能以20μm的間隙良好地氣密密封。
本發明的密封材適合作為有機EL照明、太陽電池、有機EL顯示器、醫療器件、分析器件等器件所用的密封
材。
1‧‧‧密封材/玻璃帶
2‧‧‧玻璃帶的兩面/外周側的表面
3‧‧‧玻璃帶的兩面/側面
4‧‧‧玻璃帶的側面/凸曲面部
5‧‧‧玻璃帶的凸曲面部
6‧‧‧捲軸
7‧‧‧母材玻璃
8‧‧‧延伸成形裝置
9‧‧‧玻璃帶
10‧‧‧捲取轉筒
11、12‧‧‧玻璃基板
13‧‧‧電解液
41‧‧‧平面部
61‧‧‧凸緣
81‧‧‧加熱器
r‧‧‧半徑
t‧‧‧玻璃帶的厚度
圖1(a)是本發明的密封材的剖面圖。
圖1(b)是本發明的密封材的部分立體圖。
圖2(a)是表示向捲軸上捲取本發明的密封材的狀態的立體圖。
圖2(b)是表示向捲軸上捲取本發明的密封材的狀態的正面圖。
圖3是表示本發明的玻璃帶的製造裝置的說明圖。
圖4是將本發明的玻璃帶捲繞在手指上的示意圖。
圖5(a)是表示使用本發明的密封材於2片透明玻璃基板的間隙中密封電解液的器件的平面圖。
圖5(b)是圖5(a)的A-A線剖面圖。
圖6是表示將本發明的密封材以維持凸曲面部的狀態使用,於2片透明玻璃基板的間隙中密封電解液的器件的剖面圖。
圖7是表示紅外燈的發光波長的圖表。
1‧‧‧密封材/玻璃帶
2‧‧‧玻璃帶的兩面/外周側的表面
3‧‧‧玻璃帶的兩面/側面
4‧‧‧玻璃帶的側面/凸曲面部
5‧‧‧玻璃帶的凸曲面部
41‧‧‧平面部
Claims (19)
- 一種可撓性器件,具備隔著一定間隔配置的2片的玻璃基板、以及密封前述玻璃基板間的間隔部的密封材,其特徵在於:前述密封材由厚度為1μm~100μm的玻璃帶所形成,且具有在兩側面未經磨削或研磨加工而去角的凸曲面部,前述密封材的表面與前述玻璃基板的表面熱熔接。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓性器件,其中前述玻璃帶的兩面為火焰拋光面。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之可撓性器件,其中前述玻璃帶的厚度偏差為前述玻璃帶的厚度的20%以內。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之可撓性器件,其中前述玻璃帶的寬度相對於厚度的縱橫比為25~2000。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之可撓性器件,其中前述玻璃帶含有過渡元素。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之可撓性器件,其中前述玻璃帶的表面上形成有吸收特定波長的光的膜。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之可撓性器件,其包含照明器件、太陽電池器件以及顯示器件的其中任一。
- 如申請專利範圍第6項所述之可撓性器件,其中前述膜形成於前述玻璃帶的前述凸曲面部除外的表面上。
- 如申請專利範圍第6項所述之可撓性器件,其中前述膜包含具有光吸收帶的Si膜、Ge膜、金屬膜以及缺氧膜的其中任一。
- 一種密封方法,其特徵在於:在隔著一定間隔配置的2片的玻璃基板上配置密封材後,加熱前述密封材,藉此將前述玻璃基板的表面與前述密封材的表面熱熔接,以將前述玻璃基板間的間隔部密封,其中前述密封材由厚度為1μm~100μm的玻璃帶所形成,且具有在兩側面未經磨削或研磨加工而去角的凸曲面部。
- 如申請專利範圍第10項所述之密封方法,其中對前述玻璃基板的表面與前述密封材的表面的接觸部分進行加熱。
- 如申請專利範圍第10項或第11項所述之可撓性器件的密封方法,其中對前述玻璃基板的表面與前述密封材的表面的接觸部分的一部分進行加熱。
- 如申請專利範圍第10項或第11項所述之可撓性器件的密封方法,其中前述玻璃基板的厚度為10μm~200μm。
- 如申請專利範圍第10項或第11項所述之可撓性器件的密封方法,其中前述玻璃基板的兩面為火焰拋光面。
- 如申請專利範圍第10項或第11項所述之可撓性器件的密封方法,其中前述玻璃帶含有過渡元素。
- 如申請專利範圍第15項所述之可撓性器件的密封方法,其中藉由照射前述玻璃帶中的過渡元素或過渡元素的離子吸收的波長的光而加熱前述密封材。
- 如申請專利範圍第10項或第11項所述之可撓性器件的密封方法,其中於前述玻璃帶的表面上形成有吸收特定波長的光的膜。
- 如申請專利範圍第17項所述之可撓性器件的密封方法,其中藉由照射前述膜吸收的波長的光而加熱前述密封材表面。
- 如申請專利範圍第10項或第11項所述之可撓性器件的密封方法,其中藉由雷射的照射來加熱前述密封材。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010028049 | 2010-02-10 | ||
JP2010148657 | 2010-06-30 | ||
JP2011007661A JP5824809B2 (ja) | 2010-02-10 | 2011-01-18 | シール材及びそれを用いたシール方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201145462A TW201145462A (en) | 2011-12-16 |
TWI508233B true TWI508233B (zh) | 2015-11-11 |
Family
ID=44367748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100104266A TWI508233B (zh) | 2010-02-10 | 2011-02-09 | 可撓性器件以及使用該可撓性器件的密封方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20120070618A1 (zh) |
JP (1) | JP5824809B2 (zh) |
KR (1) | KR101829228B1 (zh) |
CN (1) | CN102725240B (zh) |
TW (1) | TWI508233B (zh) |
WO (1) | WO2011099475A1 (zh) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5283579B2 (ja) * | 2009-07-14 | 2013-09-04 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器 |
JP5704395B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2015-04-22 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスロール梱包体 |
JP5737011B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2015-06-17 | 日本電気硝子株式会社 | 発光デバイス、発光デバイス用セル及び発光デバイスの製造方法 |
KR102058387B1 (ko) | 2011-11-28 | 2019-12-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유리 패턴 및 그 형성 방법, 밀봉체 및 그 제작 방법, 및 발광 장치 |
JP6156675B2 (ja) * | 2012-05-30 | 2017-07-05 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスパッケージの製造方法 |
JP6090703B2 (ja) * | 2012-05-30 | 2017-03-08 | 日本電気硝子株式会社 | 複合封着材料 |
US9441416B2 (en) * | 2012-09-27 | 2016-09-13 | Guardian Industries Corp. | Low temperature hermetic sealing via laser |
KR101866624B1 (ko) | 2013-05-10 | 2018-06-11 | 코닝 인코포레이티드 | 저융점 유리 또는 흡수성 박막을 이용한 레이저 용접 투명 유리 시트 |
US10246365B2 (en) * | 2013-10-09 | 2019-04-02 | Corning Incorporated | Apparatus and method for forming thin glass articles |
JP2015074595A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | 旭硝子株式会社 | 封着材料および真空複層ガラス |
JP2015098042A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 日本電気硝子株式会社 | 接合体の製造方法 |
DE102014119064A1 (de) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Schott Ag | Glasfilm mit speziell ausgebildeter Kante, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung |
JP7082309B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2022-06-08 | 日本電気硝子株式会社 | カバーガラス及び気密パッケージ |
WO2019001471A1 (zh) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | 北京汉能光伏投资有限公司 | 光伏发电车顶 |
KR20200085386A (ko) | 2019-01-04 | 2020-07-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP7305264B2 (ja) * | 2019-05-30 | 2023-07-10 | 矢崎エナジーシステム株式会社 | 中空ガラスの製造方法 |
CN112038432B (zh) * | 2020-09-11 | 2021-11-19 | 浙江晶科能源有限公司 | 光伏组件、光伏胶膜及其制备方法 |
KR102247086B1 (ko) * | 2020-11-26 | 2021-04-30 | 한국광기술원 | 파이버형 실링제를 이용한 태양전지용 이중 접합 실링 구조 및 방법, 파이버형 실링제의 제조 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000026127A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Omron Corp | ガラス板の接着方法 |
JP2007194075A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Sony Corp | 機能デバイス |
US20080202167A1 (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Nicholas Dominic Cavallaro | Thermal edge finishing |
US20080239637A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
EP2077254A1 (en) * | 2006-10-24 | 2009-07-08 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass ribbon producing apparatus and process for producing the same |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE790546A (fr) * | 1970-11-25 | 1973-04-25 | Ppg Industries Inc | Appareil a molette |
JPS596816B2 (ja) * | 1976-06-15 | 1984-02-14 | 旭硝子株式会社 | パネル表示装置用ガラス基板の製造方法 |
US4130680A (en) * | 1977-08-08 | 1978-12-19 | Corning Glass Works | Strong, lightweight photosensitive laminate |
JPS58104047A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-21 | Nec Corp | ガラスの溶着方法 |
WO1997036836A1 (en) | 1996-04-02 | 1997-10-09 | Techneglas, Inc. | Sealing glass modifier for use with voc-free or low-voc vehicle |
US6482524B1 (en) * | 1997-03-11 | 2002-11-19 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrate having a treatment surface |
US6111357A (en) | 1998-07-09 | 2000-08-29 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent display panel having a cover with radiation-cured perimeter seal |
JP4980718B2 (ja) | 2003-11-12 | 2012-07-18 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電子デバイス用の封入アセンブリ |
US7231786B2 (en) * | 2004-07-29 | 2007-06-19 | Corning Incorporated | Process and device for manufacturing glass sheet |
US20080302418A1 (en) * | 2006-03-18 | 2008-12-11 | Benyamin Buller | Elongated Photovoltaic Devices in Casings |
JP5177790B2 (ja) * | 2006-10-24 | 2013-04-10 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスリボンの製造装置及びその製造方法 |
JP2009067632A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 光部品用封着ガラスおよび光部品の封着方法 |
JP2009146625A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Sony Corp | 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器 |
KR20090089010A (ko) * | 2008-02-18 | 2009-08-21 | 삼성전자주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법 |
WO2013031509A1 (en) * | 2011-08-26 | 2013-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, lighting device, and method for manufacturing the light-emitting device |
-
2011
- 2011-01-18 JP JP2011007661A patent/JP5824809B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-08 KR KR1020127011507A patent/KR101829228B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-08 US US13/022,831 patent/US20120070618A1/en not_active Abandoned
- 2011-02-08 CN CN201180007297.9A patent/CN102725240B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-08 WO PCT/JP2011/052617 patent/WO2011099475A1/ja active Application Filing
- 2011-02-09 TW TW100104266A patent/TWI508233B/zh not_active IP Right Cessation
-
2015
- 2015-01-30 US US14/609,934 patent/US9985240B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000026127A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Omron Corp | ガラス板の接着方法 |
JP2007194075A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Sony Corp | 機能デバイス |
EP2077254A1 (en) * | 2006-10-24 | 2009-07-08 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass ribbon producing apparatus and process for producing the same |
US20080202167A1 (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Nicholas Dominic Cavallaro | Thermal edge finishing |
US20080239637A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102725240A (zh) | 2012-10-10 |
CN102725240B (zh) | 2015-05-20 |
WO2011099475A1 (ja) | 2011-08-18 |
KR20120125228A (ko) | 2012-11-14 |
KR101829228B1 (ko) | 2018-02-19 |
JP5824809B2 (ja) | 2015-12-02 |
US9985240B2 (en) | 2018-05-29 |
US20120070618A1 (en) | 2012-03-22 |
TW201145462A (en) | 2011-12-16 |
US20150140238A1 (en) | 2015-05-21 |
JP2012031042A (ja) | 2012-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI508233B (zh) | 可撓性器件以及使用該可撓性器件的密封方法 | |
KR101679353B1 (ko) | 유리 리본 및 그 제조 방법 | |
US9278497B2 (en) | Glass-resin laminate, glass roll produced by winding the same, and method of producing glass roll | |
US8697241B2 (en) | Glass film laminate | |
JP6284681B2 (ja) | 薄板ガラスロールおよびその製造方法 | |
TWI576295B (zh) | 玻璃卷的製造方法與玻璃卷 | |
US20140216108A1 (en) | Method for cutting thin glass with special edge formation | |
WO2015174216A1 (ja) | 複合体、積層体および電子デバイス、ならびに、それらの製造方法 | |
TW201438893A (zh) | 玻璃積層體、光學成像構件、玻璃積層體的製造方法及光學成像構件的製造方法及玻璃板 | |
TW201531767A (zh) | 玻璃膜層積體及液晶面板之製造方法 | |
US20150233174A1 (en) | Method and apparatus for spacers for inter-pane cavity of vacuum insulating glass units and vacuum insulating glass units incorporating same | |
US20140220309A1 (en) | Glass film with smooth and microcrack-free edge surface and manufacturing method thereof | |
TW201710199A (zh) | 具有改質表面層的玻璃 | |
US10246374B2 (en) | Method for manufacturing glass film laminate, glass film laminate, and method for manufacturing electronic device | |
TW202003239A (zh) | 玻璃薄膜-樹脂複合體 | |
JP6358090B2 (ja) | ガラステープ、ガラステープ製造方法、及び製品製造方法 | |
TW201444676A (zh) | 玻璃膜積層體及電子元件的製造方法 | |
JP6327580B2 (ja) | ガラスフィルム積層体および電子デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |