CN112038432B - 光伏组件、光伏胶膜及其制备方法 - Google Patents

光伏组件、光伏胶膜及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种光伏组件、光伏胶膜及其制备方法，该光伏胶膜包括胶膜本体以及防滑结构，胶膜本体具有第一面，防滑结构所述防滑结构设于所述第一面，所述防滑结构的升华温度小于层压时的最大温度。

Description

光伏组件、光伏胶膜及其制备方法
技术领域
本发明实施例涉及光伏技术领域，特别涉及一种光伏组件、光伏胶膜及其制备方法。
背景技术
随着绿色环保的理念日益深入人心，光伏产业蓬勃发展。光伏组件主要由面板、第一胶膜、电池片、第二胶膜、以及背板等部分组成。其中，第一胶膜是电池片与面板之间的粘结材料，第二胶膜是电池片与背板之间的粘结材料。
现有技术中第一胶膜、第二胶膜在常温下无粘性，能够在固化温度下交联，利用挤压成型的方法，能够有效形成稳定、可靠的胶膜层，起到连结电池与玻璃和背板的作用。
然而，在光伏组件的制备过程中，第一胶膜和第二胶膜易发生滑移，从而影响光伏组件的制备速度与良品率。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种光伏组件、光伏胶膜及其制备方法，旨在解决光伏组件制备过程中胶膜容易发生滑移，影响光伏组件制备速度及良品率的问题。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种光伏胶膜，包括：
胶膜本体，具有第一面；以及，
防滑结构，所述防滑结构设于所述第一面，所述防滑结构的升华温度小于层压时的最大温度。
本发明实施例通过在光伏胶膜的第一面设置防滑结构，可以起到增大光伏胶膜与接触面摩擦力的作用，进而防止光伏胶膜、电池片在制备光伏组件的过程中发生滑移，并且防滑结构的升华温度小于层压时的最大温度，光伏组件在层压时处于较高的温度与真空环境下，防滑结构能够迅速气化，从而保证光伏胶膜与所接触面之间无缝贴合。
优选地，在所述光伏胶膜中，所述防滑结构的升华温度小于200℃。
优选地，在所述光伏胶膜中，所述防滑结构的材质包括萘、三氯化铝或蒽中的一种或多种。
优选地，在所述光伏胶膜中，所述防滑结构为凸部，所述凸部为相互分立的凸柱和/或多个平行排列的凸筋。
优选地，在所述光伏胶膜中，所述凸部呈波浪形、梯形、或者锯齿形。
本发明还提供一种光伏组件，所述光伏组件包括依次堆叠设置的面板、第一胶膜、电池片、第二胶膜、以及背板，其中，所述第一胶膜和/或所述第二胶膜为上述的光伏胶膜，所述第一胶膜和/或所述第二胶膜上的所述防滑结构朝向所述电池片设置。
优选地，在所述光伏组件中，所述电池片中相邻两个半导体片材间隔设置以形成间隙；
所述防滑结构自所述第一面朝正对所述间隙的方向延伸至所述间隙中。
本发明提供一种上述的光伏胶膜的制备方法，包括如下步骤：
将易升华材料溶解于预设分散剂中，形成浆料，所述易升华材料的升华温度小于层压时的最大温度；
将所述浆料按照预设形状涂覆在胶膜本体上，以在所述胶膜本体上形成防滑结构。
优选地，在所述光伏胶膜的制备方法中，所述将所述浆料按照预设形状涂覆在胶膜本体上，以在所述胶膜本体上形成防滑结构的步骤，包括：
在胶膜本体上贴覆按照预设形状镂空的镂空贴膜；
在所述镂空贴膜的镂空处加入所述浆料；
待所述浆料固化后，去除所述镂空贴膜，以在所述胶膜本体上形成防滑结构。
优选地，在所述光伏胶膜的制备方法中，所述易升华材料为萘、三氯化铝或蒽中的一种或多种；和/或，所述预设分散剂包括聚偏氟乙烯的N-甲基吡咯烷酮溶剂。
本发明提供的光伏胶膜的制备方法，通过在胶膜本体设置防滑结构，可以起到增大光伏胶膜与接触面摩擦力的作用，进而防止光伏胶膜、电池片在制备光伏组件的过程中发生滑移，并且防滑结构的升华温度小于层压时的最大温度，光伏组件在层压时处于较高的温度与真空环境下，防滑结构能够迅速气化，从而保证光伏胶膜与所接触面之间无缝贴合。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本发明提供的光伏胶膜一实施例的结构示意图；
图2为本发明提供的光伏胶膜的制备方法一实施例的流程图；
图3为本发明提供的光伏组件的层叠结构的分解示意图。
本发明附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
1 胶膜本体 4 第一胶膜
11 第一面 5 电池片
2 防滑结构 6 第二胶膜
3 面板 7 背板
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明实施例提供了一种光伏胶膜，请参阅图1，该光伏胶膜包括胶膜本体1以及防滑结构2，胶膜本体1具有第一面11，防滑结构2所述防滑结构2设于所述第一面11，所述防滑结构2的升华温度小于层压时的最大温度。具体设置时，第一面11朝向电池片5设置，如此可以在制造时可以有效防止发生滑移。
本发明实施例通过在光伏胶膜的第一面11设置防滑结构2，可以起到增大光伏胶膜与接触面摩擦力的作用，进而防止光伏胶膜、电池片5在制备光伏组件的过程中发生滑移，并且防滑结构2的升华温度小于层压时的最大温度，光伏组件在层压时处于较高的温度与真空环境下，防滑结构2能够迅速气化，从而保证光伏胶膜与所接触面之间无缝贴合。
具体地，在本实施例中，所述防滑结构2的升华温度小于200℃，可以为100℃、150℃、180℃等等，在此不做具体限制。防滑结构2可以为升华温度小于层压时的最大温度的易升华材料，例如可以是萘、三氯化铝或蒽中的一种或多种，在其他实施例中，也可以为其他对光伏组件中硅材质的电池片5表面、导电银浆(Al、Ag)、涂锡铜带(Sn、Pb)等物质难以发生反应，且升华温度小于层压时的最大温度的易升华材料。
萘、三氯化铝与光伏组件中的硅材质的电池片5、导电银浆(Al、Ag)、涂锡铜带(Sn、Pb)等物质都难以发生化学反应，且经层压流程，萘或三氯化铝升华后，以气态形式脱离光伏组件，能够有效避免残留物质对光伏组件的性能造成影响。
防滑结构2的设置形式有多种，在本实施例中，所述防滑结构2为凸部，所述凸部为相互分立的凸柱和/或多个平行排列的凸筋。凸部的设置形状也可以选择方便成型的形状，也可以根据需要选择，在本实施例中，所述凸部呈波浪形、梯形、或者锯齿形。其中优选为呈波浪形，方便制造。
本发明还提供一种光伏组件，包括上述的光伏胶膜。需要说明的是，本发明提供的光伏组件的实施例包括光伏胶膜对应的实施例，因此光伏胶膜的实施例中提到的相关技术细节在该光伏组件中依然有效，为了减少重复，不再赘述。
具体地，请参阅图3，该光伏组件包括依次堆叠设置的面板3(在本实施例中，面板3为玻璃面板,)、第一胶膜4、所述电池片5、第二胶膜6、以及背板7，其中，所述第一胶膜4和/或所述第二胶膜6为上述的光伏胶膜，所述第一胶膜4和/或所述第二胶膜6上的所述防滑结构2朝向所述电池片5设置，换句话说，安装时，所述第一胶膜4的第一面11、所述第二胶膜6的第一面11朝向所述电池片5设置。
防滑结构2可以设置在第一面11，第一面11与硅材质的电池片5的表面，也可以是所述电池片5中相邻两个半导体片材间隔设置以形成间隙，所述防滑结构2自所述第一面11朝正对所述间隙的方向延伸至所述间隙中，还可以是两种情况同时存在。
本发明还提供一种上述光伏胶膜的制备方法，请参阅图2，包括如下步骤：
步骤S210：将易升华材料溶解于预设分散剂中，形成浆料，所述易升华材料的升华温度小于层压时的最大温度；
具体地，易升华材料为萘、三氯化铝或蒽中的一种或多种，通过设置萘、三氯化铝与硅材质的电池片5的表面、导电银浆(Al、Ag)、涂锡铜带(Sn、Pb)等物质难以发生反应，且经层压流程，萘或三氯化铝升华后，以气态形式脱离组件***，能够有效避免残留物质对光伏组件的性能造成影响。对应地，所述预设分散剂包括聚偏氟乙烯(PVDF)的N-甲基吡咯烷酮溶剂(NMP溶剂)。
优选地，所述易升华材料的升华温度小于200℃，可以为100℃、150℃、180℃等等，在此不做具体限制。
步骤S220：将所述浆料按照预设形状涂覆在胶膜本体1上，以在所述胶膜本体1上形成防滑结构2。
具体地，所述步骤S220包括：
步骤S221：在胶膜本体1上贴覆按照预设形状镂空的镂空贴膜；
步骤S222：在所述镂空贴膜的镂空处加入所述浆料；
步骤S223：待所述浆料固化后，去除所述镂空贴膜，以在所述胶膜本体1上形成防滑结构2。
其中，预设形状可以为波浪形、梯形、或者锯齿形，也可以为其他形状，在此不做具体限制。
以下将给出几种制备光伏胶膜的几种具体实施例：
实施例1
(1)防滑纹浆料的制备：
将10g萘(萘在室温下25℃，即会出现升华现象)溶解于20ml聚偏氟乙烯(PVDF)的N-甲基吡咯烷酮溶剂(NMP溶剂)，充分搅拌、混合均匀后，形成浆料；
(2)防滑纹型光伏胶膜的制备：
在胶膜本体1(EVA)上贴覆按照预设形状镂空的镂空贴膜，在所述镂空贴膜的镂空处加入所述浆料，待所述浆料固化后，去除所述镂空贴膜，以在所述胶膜本体1上形成防滑结构2，其中，该预设形状为波浪形。
实施例2
(1)防滑纹浆料的制备：
将10g三氯化铝(升华温度178℃)溶解于20ml聚偏氟乙烯(PVDF)的N-甲基吡咯烷酮溶剂(NMP溶剂)，充分搅拌、混合均匀后，形成浆料；
(2)防滑纹型光伏胶膜的制备：
在胶膜本体1(POE)上贴覆按照预设形状镂空的镂空贴膜，在其中镂空位置针对相邻两个半导体片材间隔设置形成的间隙，在所述镂空贴膜的镂空处加入所述浆料，待所述浆料固化后，去除所述镂空贴膜，以在所述胶膜本体1上形成防滑结构2，其中，该预设形状为波浪形。
实施例3
(1)防滑纹浆料的制备：
将10g蒽(升华温度160-180℃)溶解于20ml聚偏氟乙烯(PVDF)的N-甲基吡咯烷酮溶剂(NMP溶剂)，充分搅拌、混合均匀后，形成浆料；
(2)防滑纹型光伏胶膜的制备：
在胶膜本体1(EVA)上贴覆按照预设形状镂空的镂空贴膜，在其中镂空位置针对相邻两个半导体片材间隔设置形成的间隙，在所述镂空贴膜的镂空处加入所述浆料，待所述浆料固化后，去除所述镂空贴膜，以在所述胶膜本体1上形成防滑结构2，其中，该预设形状为波浪形。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种光伏胶膜，其特征在于，包括：
胶膜本体，具有第一面；以及，
防滑结构，所述防滑结构设于所述第一面，所述防滑结构的升华温度小于层压时的最大温度。
2.如权利要求1所述的光伏胶膜，其特征在于，所述防滑结构的升华温度小于200℃。
3.如权利要求2所述的光伏胶膜，其特征在于，所述防滑结构的材质包括萘、三氯化铝或蒽中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的光伏胶膜，其特征在于，所述防滑结构为凸部，所述凸部为相互分立的凸柱和/或多个平行排列的凸筋。
5.如权利要求4所述的光伏胶膜，其特征在于，所述凸部呈波浪形、梯形、或者锯齿形。
6.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括依次堆叠设置的面板、第一胶膜、电池片、第二胶膜、以及背板，其中，所述第一胶膜和/或所述第二胶膜为权利要求1至5任意一项所述的光伏胶膜，所述第一胶膜和/或所述第二胶膜上的所述防滑结构朝向所述电池片设置。
7.权利要求6所述的光伏组件，其特征在于，所述电池片中相邻两个半导体片材间隔设置以形成间隙；
所述防滑结构自所述第一面朝正对所述间隙的方向延伸至所述间隙中。
8.一种如权利要求1至5任意一项所述的光伏胶膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将易升华材料溶解于预设分散剂中，形成浆料，所述易升华材料的升华温度小于层压时的最大温度；
将所述浆料按照预设形状涂覆在胶膜本体上，以在所述胶膜本体上形成防滑结构。
9.如权利要求8所述的光伏胶膜的制备方法，其特征在于，所述将所述浆料按照预设形状涂覆在胶膜本体上，以在所述胶膜本体上形成防滑结构的步骤，包括：
在胶膜本体上贴覆按照预设形状镂空的镂空贴膜；
在所述镂空贴膜的镂空处加入所述浆料；
待所述浆料固化后，去除所述镂空贴膜，以在所述胶膜本体上形成防滑结构。
10.如权利要求8所述的光伏胶膜的制备方法，其特征在于，所述易升华材料为萘、三氯化铝或蒽中的一种或多种；和/或，所述预设分散剂包括聚偏氟乙烯的N-甲基吡咯烷酮溶剂。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69031619T2 (de) * 1989-11-14 1998-03-12 Toray Industries Laminierte polyesterfolie
CN101065243A (zh) * 2004-05-03 2007-10-31 苏德-化学股份公司 层状材料，特别是用于包装对氧敏感的产品的层状材料
CN101101930A (zh) * 2007-08-01 2008-01-09 上海芯光科技有限公司 一种高效太阳能电池光波转换纳米复合材料
JP2012500865A (ja) * 2008-08-21 2012-01-12 イノーバ ダイナミクス インコーポレイテッド 増強された表面、コーティング、および関連方法
JP5824809B2 (ja) * 2010-02-10 2015-12-02 日本電気硝子株式会社 シール材及びそれを用いたシール方法
JP5836230B2 (ja) * 2011-09-15 2015-12-24 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法
CN104752553A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 惠州比亚迪实业有限公司 光伏组件及其封装工艺
CN107017315B (zh) * 2017-02-17 2019-01-08 中国电子科技集团公司第五十研究所 背电极结构的阻挡杂质带探测器的制造方法
CN209323893U (zh) * 2018-11-16 2019-08-30 深圳市德派装饰设计工程有限公司 一种防水防滑地面结构
CN110581193A (zh) * 2019-09-25 2019-12-17 常州斯威克光伏新材料有限公司 一种凸点状压花poe胶膜
CN110649116B (zh) * 2019-09-30 2023-06-09 常州斯威克光伏新材料有限公司 一种太阳能电池用多层封装胶膜

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Applicant after: ZHEJIANG JINKO SOLAR Co.,Ltd.

Applicant after: Jingke Energy Co.,Ltd.

Address before: 314416 west of lumansi bridge, Yuanxi Road, Yuanhua Town, Haining City, Jiaxing City, Zhejiang Province

Applicant before: ZHEJIANG JINKO SOLAR Co.,Ltd.

Applicant before: JINKO SOLAR Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
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