JP5814323B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
るものである。
素電極と、共通電極などの電界生成電極が形成されている2枚の表示板と、その間に挿入
される液晶層とからなり、電界生成電極に電圧を印加し、液晶層に電界を生成して液晶層
の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。
ように配列した垂直配向モード液晶表示装置は、コントラスト比が大きく、広い基準視野
角の具現が容易であるため注目を浴びている。ここで、基準視野角とは、コントラスト比
が10:1である視野角または階調間の輝度反転の限界角度を意味する。
界生成電極に切開部を形成する方法、電界生成電極の上に突起を形成する方法などがある
。切開部および/または突起で液晶分子が傾く方向を決定することができるため、これら
を使用して液晶分子の傾斜方向を様々な方向に分散させることによって基準視野角を広め
ることができる。
う問題点がある。例えば、切開部が具備されたPVA(patterned verti
cally aligned)方式液晶表示装置の場合には、側面に行くほど映像が明る
くなり、酷い場合には高い階調間の輝度の差がなくなって画像が歪んで見えることもある
。
晶表示装置を提供することである。
電極に分割した後、電荷分配(charge sharing)することによって、各副
画素電極の画素電圧に差を生じさせ、側面の視認性を高めることができる。また、電荷分
配を起こす電荷分配キャパシタの一端にスイッチング素子を連結することにより、一対の
副画素電極の画素電圧の差が大きくなり、側面の視認性をさらに向上させることが可能で
ある。また、前記スイッチング素子は、データ電圧より画素電圧が過度に減少することを
防止することによって、電荷分配にともなう輝度減少を抑制することができる。
述される実施形態を参照すれば明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示され
る実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現されることが可能
である。本実施形態は、単に本発明の開示が完全になるように、本発明が属する技術分野
で通常の知識を有する者に対して発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであ
り、本発明は、請求項の範疇によってのみ定義される。なお、明細書全体にかけて、同一
の参照符号は同一の構成要素を指すものとする。
to)」または「カップリングされた(coupled to)」と参照されるときは、
他の素子と直接連結またはカップリングされた場合、あるいは中間に他の素子を介在させ
た場合のすべてを含む。これに対し、一つの素子が異なる素子と「直接接続された(di
rectly connected to)」または「直接カップリングされた(dir
ectly coupled to)」と参照されるときは、間に他の素子を介在させな
いことを表わす。明細書全体にかけて、同一の参照符号は、同一の構成要素を参照する。
「および/または」は、言及されたアイテムの各々および一つ以上のすべての組合せを含
む。
用される。しかしながら、これら素子、構成要素および/またはセクションは、これらの
用語によって制限されないことはもちろんである。これらの用語は単に一つの素子、構成
要素、またはセクションを他の素子、構成要素、またはセクションと区別するために使用
されるものである。したがって、以下で言及される第1素子、第1構成要素、または第1
セクションは、本発明の技術的思想内で第2素子、第2構成要素、または第2セクション
であり得ることはもちろんである。
するものではない。本明細書において単数形は、文言で特別に言及しない限り、複数形を
も含む。明細書で使用される「含む(comprises)」および/または「含む(c
omprising)」は、言及した構成要素、段階、動作、および/または素子は、一
つ以上の他の構成要素、段階、動作、および/または素子の存在または追加を排除しない
。
含む)は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に共通に理解され得る意味に
おいて使用されるものである。また、一般的に使用される辞典に定義されている用語は、
明確に特別に定義されていない限り理想的にまたは過度に解釈されない。
明する。図1は、本発明の第1実施形態による液晶表示装置のブロック図である。図2は
、本発明の第1実施形態による液晶表示装置の一つの画素を表す回路図である。図3は、
本発明の第1実施形態による液晶表示装置において、データ電圧と画素電圧との関係を表
したグラフである。
ブリ(liquid crystal panel assembly)300と、これ
に連結されたゲート駆動部400およびデータ駆動部500と、データ駆動部500に連
結された階調電圧生成部800と、これらを制御する信号制御部600と、を含む。
れに連結され、概ね行列の形態で配列された複数の画素(PX)と、を含む。ここで、液
晶パネルアッセンブリ300は、互いに対向する下部表示板および上部表示板と、これら
の間に介在した液晶層と、を含む。
G1−Gn)と、データ信号を印加する複数のデータ線(D1−Dm)を含む。ゲート線
(G1−Gn)は、概ね行方向にのびており、互いにほぼ平行に配置される。データ線(
D1−Dm)は、概ね列方向にのびており、互いにほぼ平行に配置される。
連結されているスイッチング素子と、これに連結された液晶キャパシタ(liquid
crystal capacitor)を含む。ここで、必要であればスイッチング素子
にストレージキャパシタ(storage capacitor)を、液晶キャパシタと
並列に連結することができる。
々対応するゲート線(G1−Gn)に連結されている制御端子と、データ線(D1−Dm
)に連結されている入力端子と、液晶キャパシタに連結されている出力端子と、を有する
三端子素子である。
ート信号(これをゲートオン電圧(Von)という)とローレベルのゲート信号(これを
ゲートオフ電圧(Voff)という)との組合からなるゲート信号をゲート線(G1−G
n)に印加する。図1に示されるゲート駆動部400は、液晶パネルアッセンブリ300
の一側に位置し、すべてのゲート線(G1−Gn)に連結されている。ただし、本発明は
これに限定されず、一対のゲート駆動部が、各々液晶パネルアッセンブリ300の左右に
位置し、各ゲート線(G1−Gn)に同時に連結され得る。例えば、大型液晶表示装置の
場合において、一つのゲート駆動部だけではゲート線(G1−Gn)の最後までゲートオ
ン電圧(Von)またはゲートオフ電圧(Voff)を十分に伝達しにくいため、このよ
うな一対のゲート駆動部を各ゲート線(G1−Gn)の両側に連結することができる。ま
た、このようなゲート駆動部400は、液晶パネルアッセンブリ300の下部表示板上に
少なくとも一つの薄膜トランジスタからなる集積回路形態で内蔵され得る。
透過率と関連した階調電圧を生成する。階調電圧は、各画素に提供され、共通電圧(Vc
om)に対して正の値を有するものと、負の値を有するものとを含む。
結され、階調電圧生成部800からの階調電圧、すなわちデータ電圧を画素に印加する。
ここで、階調電圧生成部800が、すべての階調に対する電圧を提供するわけではなく、
基本階調電圧だけを提供する場合、データ駆動部500は、基本階調電圧を分圧して全体
階調に対する階調電圧を生成してこれのうちからデータ電圧を選択することができる。
m)と薄膜トランジスタなどと共に、液晶パネルアッセンブリ300に集積され得る。こ
れとは異なり、ゲート駆動部400またはデータ駆動部500は、可撓性印刷回路フィル
ム(flexible printed circuit film)(不図示)の上に
装着されてテープキャリアパッケージ(tape carrier package)の
形態で液晶パネルアッセンブリ300に装着することもできる。
G、B)、これらの表示を制御する入力制御信号、例えば垂直同期信号(Vsync)お
よび水平同期信号(Hsync)、メインクロック(MCLK)、データイネイブル信号
(DE)等を提供される。信号制御部600の入力映像信号(R、G、B)と入力制御信
号に基づいて、映像信号(R、G、B)を液晶パネルアッセンブリ300の動作条件に合
うように適切に処理する。それから、ゲート制御信号(CONT1)、データ制御信号(
CONT2)等を生成した後、ゲート制御信号(CONT1)をゲート駆動部400に送
り出し、データ制御信号(CONT2)と処理された映像信号(DAT)とをデータ駆動
部500に送り出す。
始を指示する走査開始信号(STV)と、ゲートオン電圧(Von)の出力時間を制御す
る少なくとも一つのクロック信号とを含む。ゲート制御信号(CONT1)は、またゲー
トオン電圧(Von)の持続時間を限定する出力イネイブル信号(OE)を含むことがで
きる。ここで、クロック信号は、選択信号(SE)として使用され得る。
る水平同期開始信号(STH)と、データ線(D1−Dm)に対応データ電圧を印加する
ためのロード信号(LOAD)と、データクロック信号(HCLK)とを含む。また、デ
ータ制御信号(CONT2)は、共通電圧(Vcom)に対するデータ電圧の極性(以下
、「共通電圧に対するデータ電圧の極性」を縮めて「データ電圧の極性」と称する)を反
転させる反転信号(RVS)を含み得る。
は、画素(PX)に対する映像データ(DAT)を受信し、階調電圧生成部800からの
映像データ(DAT)に対応する階調電圧を選択することによって、映像データ(DAT
)を対応するデータ電圧に変換した後、これを対応するデータ線(D1−Dm)に印加す
る。
てゲートオン電圧(Von)をゲート線(G1−Gn)に印加し、このゲート線(G1−
Gn)に連結されたスイッチング素子をターンオンする。これによって、データ線(D1
−Dm)に印加されたデータ電圧が、ターンオンされたスイッチング素子をとおして対応
する画素(PX)に印加される。
パシタの充電電圧、すなわち画素電圧として表れる。液晶分子は、画素電圧の大きさによ
ってその配列を異にし、それに伴い液晶層を通過する光の偏光が変化する。これは、光の
透過率変化として表れる。
同一のデータ電圧を供給した後、隣接するゲート線にゲートオン電圧(Von)が印加さ
れる時、前記一対の副画素のうち何れか一つの副画素に充電されたデータ電圧を電荷分配
(charge sharing)方式によって低下させる。このように、一対の副画素
に互いに異なるデータ電圧が充電されるため、一つの画素(PX)のガンマ曲線は、一対
の副画素のガンマ曲線から合成されることになる。電荷分配によって各副画素に充電され
るデータ電圧を決定する時には、正面での合成ガンマ曲線が、正面での基準ガンマ曲線に
近くなるようにし、側面での合成ガンマ曲線が、正面での基準ガンマ曲線に最も近くなる
ようにすることによって、側面の視認性を向上させることができる。
れる複数のゲート線(GLi、GLi+1)と、ゲート線(GLi、GLi+1)に交差
して形成され、データ電圧が印加される複数のデータ線(DLj)とを含む。
(SP1)は、第1スイッチング素子(T1)、第1液晶キャパシタ(Clc1)および
第1ストレージキャパシタ(Cst1)を含み、第2副画素(SP2)は、第2スイッチ
ング素子(T2)、第2液晶キャパシタ(Clc2)および第2ストレージキャパシタ(
Cst2)を含む。
ング素子(T1)および第2スイッチング素子(T2)が形成され、第iゲート線(GL
i)に連結された第3スイッチング素子(T3)が形成され、第i+1ゲート線(GLi
+1)に連結された第4スイッチング素子(T4)が形成される。ここで、第1スイッチ
ング素子(T1)、第2スイッチング素子(T2)、第3スイッチング素子(T3)およ
び第4スイッチング素子(T4)は、薄膜トランジスタから形成され得る。
第jデータ線(DLj)に接続された入力端子と、第1液晶キャパシタ(Clc1)およ
び第1ストレージキャパシタ(Cst1)に接続された出力端子とを含む。第2スイッチ
ング素子(T2)は、第iゲート線(GLi)に接続された制御端子と、第jデータ線(
DLj)に接続された入力端子と、第2液晶キャパシタ(Clc2)および第2ストレー
ジキャパシタ(Cst2)に接続された出力端子とを含む。第3スイッチング素子(T3
)は、第iゲート線(GLi)に接続された制御端子と、電荷分配キャパシタ(Ccs)
を介して第1スイッチング素子(T1)の出力端子と接続された出力端子と、ストレージ
ライン(SL)に接続された入力端子とを含む。さらに具体的に、第3スイッチング素子
(T3)の入力端子は、ストレージライン(SL)に直接接続されている。第4スイッチ
ング素子(T4)は、第i+1ゲート線(GLi+1)に接続された制御端子と、第2ス
イッチング素子(T2)の出力端子に接続された入力端子と、第3スイッチング素子(T
3)の出力端子と接続された出力端子とを含む。したがって、第4スイッチング素子(T
4)の出力端子は、電荷分配キャパシタ(Ccs)を介し第1スイッチング素子(T1)
の出力端子と接続されている。
力端子に接続された第1副画素電極と、第2スイッチング素子(T2)の出力端子に接続
された第2副画素電極からなる画素電極とが形成されている。そして、下部表示板に対向
する上部表示板には共通電極が形成されている。
副画素電極と、共通電極と、これらの間に介在された液晶物質とからなる。第1ストレー
ジキャパシタ(Cst1)は、第1副画素電極と、下部表示板に形成されたストレージラ
イン(SL)と、これらの間に介在した誘電物質とからなる。
副画素電極と、共通電極と、これらの間に介在された液晶物質とからなる。第2ストレー
ジキャパシタ(Cst2)は、第2副画素電極と、下部表示板に形成されたストレージラ
イン(SL)と、これらの間に介在された誘電物質とからなる。
スイッチング素子の出力端子と、これらの間に介在した誘電物質とからなる。電荷分配キ
ャパシタ(Ccs)および第3スイッチング素子(T3)は、第2液晶キャパシタ(Cl
c2)に充電された画素電圧を下げ、第1液晶キャパシタ(Clc1)に充電された画素
電圧を上げる役割を担う。
は、各々第1液晶キャパシタ(Clc1)および第2液晶キャパシタ(Clc2)に充電
された画素電圧を維持する役割を担う。ストレージライン(SL)には、固定電圧、例え
ば共通電圧(Vcom)が印加され得る。
グ素子(T1)および第2スイッチング素子(T2)をとおして第i行(row)に位置
する第1副画素電極および第2副画素電極に同一のデータ電圧が伝達される。すなわち、
第iゲート線(GLi)に連結された第1液晶キャパシタ(Clc1)および第2液晶キ
ャパシタ(Clc2)に同一のデータ電圧が充電される。このように、第1液晶キャパシ
タ(Clc1)および第2液晶キャパシタ(Clc2)に充電されたデータ電圧を画素電
圧と称する。
ッチング素子(T3)がターンオンされ、第3スイッチング素子(T3)の出力端子に共
通電圧(Vcom)が伝達される。したがって、電荷分配キャパシタ(Ccs)には、デ
ータ電圧と共通電圧(Vcom)の差に相当する電圧が充電される。
画素(SP1)と第2副画素(SP2)は、互いに電気的に分離される。すなわち、第1
副画素電極と第2副画素電極に各々同一のデータ電圧が印加された後、第1副画素電極と
第2副画素電極は、フローティング(floating)状態を維持する。
1ゲート線(GLi+1)に連結された一対の第1スイッチング素子(不図示)および第
2スイッチング素子(不図示)をとおして第i+1行に位置した一対の副画素電極に各々
同一のデータ電圧が伝達される。
第4スイッチング素子(T4)がターンオンされる。したがって、第2スイッチング素子
(T2)に連結された第2副画素電極に保存されるデータ電圧が、第4スイッチング素子
(T4)をとおして電荷分配キャパシタ(Ccs)に分配される。これは、第4スイッチ
ング素子(T4)の入力端子が第2スイッチング素子(T2)の出力端子に接続されてお
り、第4スイッチング素子(T4)の出力端子が電荷分配キャパシタ(Ccs)に接続さ
れているからである。したがって、第i行に位置する、第1スイッチング素子(T1)お
よび第2スイッチング素子(T2)に各々連結された第1副画素電極および第2副画素電
極に保存されるデータ電圧が互い異なる値を有するようになる。
に検討する。ここで、第1ノード(N1)は、第1スイッチング素子(T1)の出力端子
と電荷分配キャパシタ(Ccs)の間のノードであり、第2ノード(N2)は、第2スイ
ッチング素子(T2)の出力端子と第4スイッチング素子(T4)の入力端子との間のノ
ードであり、第3ノード(N3)は、電荷分配キャパシタ(Ccs)と第3スイッチング
素子(T3)の出力端子との間のノードである。また、第3ノード(N3)は、電荷分配
キャパシタ(Ccs)と第4スイッチング素子(T4)の出力端子との間のノードでもあ
る。
グ素子(T1)および第2スイッチング素子(T2)がターンオンされ、第1ノード(N
1)および第2ノード(N2)にデータ電圧(Vd)が印加される。また、第3スイッチ
ング素子(T3)がターンオンされることにより第3ノード(N3)に共通電圧(Vco
m)が印加される。以下、説明の便宜のため共通電圧(Vcom)を0Vと仮定し、デー
タ電圧(Vd)を共通電圧(Vcom)に対する相対的な電圧とする。したがって、第1
ノード(N1)、第2ノード(N2)および第3ノード(N3)での各電圧は、Vd、V
d、0となる。また、第1液晶キャパシタ(Clc1)と第1ストレージキャパシタ(C
st1)のキャパシタンスの和をChと称し、第2液晶キャパシタ(Clc2)と第2ス
トレージキャパシタ(Cst2)のキャパシタンスの和をClと称し、電荷分配キャパシ
タ(Ccs)のキャパシタンスをCbと称する。
の電荷量Qhと、第2液晶キャパシタ(Clc2)および第2ストレージキャパシタ(C
st2)の電荷量Qlと、電荷分配キャパシタ(Ccs)の電荷量Qbは次のとおりであ
る。
ゲート線(GLi+1)にゲートオン電圧(Von)が印加されると、第1スイッチング
素子(T1)、第2スイッチング素子(T2)および第3スイッチング素子(T3)は、
ターンオフされ、第4スイッチング素子(T4)がターンオンされる。
圧をV1、V2およびV3(=V2)とする時、第1液晶キャパシタ(Clc1)と第1
ストレージキャパシタ(Cst1)の電荷量Qh’と、第2液晶キャパシタ(Clc2)
と第2ストレージキャパシタ(Cst2)の電荷量Ql’と、電荷分配キャパシタ(Cc
s)の電荷量Qb’は次のとおりである。
成立する。
成立する。
ノード(N2)での電圧V1およびV2を得ることができる。
SP1)の画素電圧(V1)は、データ電圧(Vd)より高くなり、第2副画素(SP2
)の画素電圧(V2)は、データ電圧(Vd)より低くなる。データ電圧(Vd)が共通
電圧(Vcom)より小さい負の電圧の場合は、これと反対となる。したがって、第1副
画素(SP1)の画素電圧(V1)の絶対値は、第2副画素(SP2)の画素電圧(V2
)の絶対値より常に大きくなる。
)の画素電圧(V1、V2)が互いに異なる値を有するようになる場合の側面の視認性を
向上させることができる。すなわち、第1副画素(SP1)および第2副画素(SP2)
に、一つの映像情報から得られた互い異なるガンマ曲線を有する一対の階調電圧集合が保
存され、第1副画素(SP1)および第2副画素(SP2)からなる一つの画素のガンマ
曲線は、これらを合成したガンマ曲線となる。一対の階調電圧集合を決定する時には、正
面での合成ガンマ曲線が正面での基準ガンマ曲線に近くなるようにし、側面での合成ガン
マ曲線が正面での基準ガンマ曲線と最も近くなるようにすることによって、側面の視認性
を向上させることができる。
と第2副画素電極の画素電圧の変化を表したグラフである。このグラフは、Cl:Ch:
Cb=2:1:2である場合を例にとり、画素電圧を計算したものである。
は、3V上昇して9Vとなり、第2副画素電極の画素電圧は、1.5V下降して4.5V
となることが分かる。したがって、第1副画素電極の画素電圧と第2副画素電極の画素電
圧との間の十分な電位差を確保することができる。また、第2副画素電極の画素電圧につ
いては、データ電圧に比べて過度に減少されないため輝度減少を抑制することができる。
。ここで、図4は、本発明の第2実施形態による液晶表示装置の一つの画素を表す回路図
である。図5は、本発明の第2実施形態による液晶表示装置におけるデータ電圧と画素電
圧との関係を表したグラフである。説明の便宜上、第1実施形態の図面(図1ないし図3
)に表した各部材と同一機能を有する部材は同一符号で表し、以下に相異点を中心に説明
する。
された制御端子と、電荷分配キャパシタ(Ccs)を介して第1スイッチング素子(T1
)の出力端子に接続された出力端子と、ストレージライン(SL)に接続された入力端子
とを含む。さらに具体的に、第3スイッチング素子(T3)の入力端子は、補助キャパシ
タ(C3)を介しストレージライン(SL)と接続されている。液晶表示装置の製造工程
において、第3スイッチング素子(T3)の入力端子とストレージライン(SL)とが互
いに異なる層に形成され、これらが直接接続しにくい場合、前記補助キャパシタ(C3)
を利用して互いにカップリングされ得る。
に検討する。ここで、第4ノード(N4)は、第3スイッチング素子(T3)の入力端子
と補助キャパシタ(C3)との間のノードを称する。また、説明の便宜のため共通電圧(
Vcom)を0Vと定義し、データ電圧(Vd)を共通電圧(Vcom)に対する相対的
な電圧とする。また、補助キャパシタ(C3)のキャパシタンスをCcと称する。
ード(N3)および第4ノード(N4)での電圧をV1、V2、V3およびV4と称する
と、V2=V3となる。第1液晶キャパシタ(Clc1)および第1ストレージキャパシ
タ(Cst1)のキャパシタンスの和に対応する電荷量Qhと、第2液晶キャパシタ(C
lc2)と第2ストレージキャパシタ(Cst2)のキャパシタンスの和に対応する電荷
量Qlと、電荷分配キャパシタ(Ccs)の電荷量Qbと、補助キャパシタ(C3)の電
荷量Qcは次のとおりある。
と、第1スイッチング素子(T1)および第2スイッチング素子(T2)がターンオンさ
れ、第1ノード(N1)および第2ノード(N2)にデータ電圧(Vd)が印加される。
また、第3スイッチング素子(T3)がターンオンされることによって第3ノード(N3
)と第4ノード(N4)が連結される。この時、第1ノード(N1)、第2ノード(N2
)、第3ノード(N3)および第4ノード(N4)での各電圧をV1’、V2’、V3’
、V4’とすると、V1’=V2’=VdでV3’=V4’となる。
)のキャパシタンスの和に対応する電荷量Qh’と、第2液晶キャパシタ(Clc2)お
よび第2ストレージキャパシタ(Cst2)のキャパシタンスの和に対応する電荷量Ql
’と、電荷分配キャパシタ(Ccs)の電荷量Qb’と、補助キャパシタ(C3)の電荷
量Qc’は次のとおりある。
存されるため、次の関係式が成立する。
ゲート線(GLi+1)にゲートオン電圧(Von)が印加されると、第1スイッチング
素子(T1)、第2スイッチング素子(T2)および第3スイッチング素子(T3)はタ
ーンオフされ、第4スイッチング素子(T4)がターンオンされる。
ード(N4)での各電圧をV1’’、V2’’、V3’’およびV4’’とすると、V2
’’=V3’’となる。第1液晶キャパシタ(Clc1)と第1ストレージキャパシタ(
Cst1)の電荷量Qh’’と、第2液晶キャパシタ(Clc2)と第2ストレージキャ
パシタ(Cst2)の電荷量Ql’’と、電荷分配キャパシタ(Ccs)の電荷量Qb’
’と、補助キャパシタ(C3)の電荷量Qc’’は次のとおりある。
が成立する。
が成立する。
ド(N2)での電圧V1’’およびV2’’を得ることができる。
第1副画素(SP1)の画素電圧(V1’’)は、データ電圧(Vd)より高くなり、第
2副画素(SP2)の画素電圧(V2’’)は、データ電圧(Vd)より低くなる。デー
タ電圧(Vd)が共通電圧(Vcom)より小さい負の電圧である場合は、これと反対に
なる。したがって、第1副画素(SP1)の画素電圧(V1’’)の絶対値が第2副画素
(SP2)の画素電圧(V2’’)の絶対値より常に大きくなる。
)の画素電圧(V1’’、V2’’)が互いに異なる値を有するようになる場合、側面の
視認性を向上させることができる。
極の画素電圧の変化を表したグラフである。このグラフは、Cl:Ch:Cb:Cc=2
:1:0.8:2であり、データ電圧が6Vから2Vに、そして再び6Vに変わる場合を
例にあげて画素電圧を計算したグラフである。
副画素電極の画素電圧はデータ電圧より低くなる。したがって、第1副画素電極の画素電
圧と第2副画素電極の画素電圧との間の十分な電位差を確保することができる。また、第
2副画素電極の画素電圧については、データ電圧に比べて過度に減少することがないため
、輝度減少を抑制することができる。
。ここで、図6は本発明の第3実施形態による液晶表示装置のブロック図である。図7は
、本発明の第3実施形態による液晶表示装置の一つの画素を表す回路図である。図8は、
本発明の第3実施形態による液晶表示装置におけるデータ電圧と画素電圧との関係を表し
たグラフである。説明の便宜上、第1実施形態の図面(図1ないし図3)に表した各部材
と同一機能を有する部材は同一符号で表し、以下では相異点を中心に説明する。
表示信号線と、これに連結され、概ね行列の形態で配列された複数の画素(PX)とを含
む。ここで、液晶パネルアッセンブリ300は、互いに対向する下部表示板、上部表示板
およびこれらの間に介在した液晶層を含む。
Gn)と、データ信号を伝達するデータ線(DA1−DAm)と、電荷分配信号を伝達す
る電荷分配用配線(DB1−DBm)とを含む。ゲート線(G1−Gn)は、概ね行方向
に伸びており、互いにほぼ平行に配置され、データ線(DA1−DAm)は、概ね列方向
に伸びており、互いにほぼ平行に配置され、電荷分配用配線(DB1−DBm)は、デー
タ線(DB1−DBm)と実質的に平行になるように伸びている。ゲート線(G1−Gn
)は、ゲート電圧を伝達し、データ線(DA1−DAm)は、データ電圧を伝達して、電
荷分配用配線(DB1−DBm)は、電荷分配のためのスイッチング素子に電荷分配用電
圧を伝達する。
比較して画素毎にデータ線(DAj)と実質的に平行するように電荷分配用配線(DBj
)が形成されている。また、第3スイッチング素子(T3)は、第iゲート線(GLi)
に接続された制御端子と、電荷分配キャパシタ(Ccs)を介して第1スイッチング素子
(T1)の出力端子に接続された出力端子と、電荷分配用配線(DBj)に接続された入
力端子とを含む。
例えば、+|Vp|が印加され、電荷分配用配線(DBj)に共通電圧(Vcom)より
小さい負の電圧を有する電荷分配用電圧、例えば−|Vm|が印加される場合を考える。
ここで、正の電圧とは、共通電圧(Vcom)より高い電圧を指し、負の電圧とは、共通
電圧(Vcom)より低い電圧を指す。
)が印加されるが(以下、共通電圧(Vcom)を0Vと仮定する)、本実施形態の場合
、第3スイッチング素子(T3)の入力端子には、共通電圧(Vcom)より低い、電荷
分配用電圧、すなわち、−|Vm|が印加される。したがって、第iゲート線(GLi)
にゲートオン電圧(Von)が印加され、第3スイッチング素子(T3)がターンオンさ
れると、電荷分配キャパシタ(Ccs)には、|Vp|+|Vm|の電圧が充電される。
したがって、第1副画素(SP1)と第2副画素(SP2)に対し電荷分配がさらに効果
的に起きる。第1実施形態で言及した計算過程を経れば、結果的に第1副画素電極および
第2副画素電極に充電された画素電圧、すなわち、第1ノード(N1)の電圧V1および
第2ノード(N2)の電圧V2は、次式を満足する。
高くなる。第2副画素(SP2)の画素電圧(V2)は画素電圧(V1)より低くなる。
、第2副画素(SP2)の画素電圧(V2)もデータ電圧|Vp|より高くなる可能性が
ある。
の場合に画素電圧(V1)および画素電圧(V2)が共に高くなる効果がある。このよう
な場合に、データ駆動部から低いデータ電圧が出力されるとしても、第1副画素(SP1
)および第2副画素(SP2)に互いに異なる2つの高い画素電圧を発生させることがで
きる。一般的に、垂直電界を利用したVA(vertical alignment)モ
ードの液晶表示装置では、高いデータ電圧を必要とされるが、本実施形態のような電荷分
配用配線(DBj)をとおして適切な電荷分配用電圧を第3スイッチング素子(T3)に
印加する場合、低いデータ電圧でも高い画素電圧を得ることができる。ここで、電荷分配
用電圧の極性は、データ電圧の極性と反対であることが好ましい。例えば、データ電圧が
正の電圧の場合、電荷分配用電圧は負の電圧であり、データ電圧が負の場合、電荷分配用
電圧は正であることが好ましい。
場合も同様に適用され得る。
と第2副画素電極の画素電圧との変化を表したグラフである。このグラフは、Cl:Ch
:Cb=2:1:2である場合を例にあげて画素電圧を計算したものある。
14.4Vに上昇し、第2副画素電極の画素電圧は10.8Vに上昇することが分かる。
したがって、第1副画素電極の画素電圧と第2副画素電極の画素電圧との間の十分な電位
差を確保しつつ、同時に、第1副画素電極の画素電圧および第2副画素電極の画素電圧を
昇圧させることができる。したがって、輝度減少を防止することができる。
野で通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せず、他の具
体的な形態で実施され得ることを理解し得るものである。したがって、以上に記述した実
施形態は、すべての面で例示的なものであり、限定的ではないことを理解しなければなら
ない。
400 ゲート駆動部、
500 データ駆動部、
600 信号制御部、
800 階調電圧生成部、
DLj データ線、
GLi,GLi+1 ゲート線、
SLi ストレージライン、
SP1 第1副画素、
SP2 第2副画素、
T1 第1スイッチング素子、
T2 第2スイッチング素子、
T3 第3スイッチング素子、
T4 第4スイッチング素子。
Claims (9)
- ゲート線と、
前記ゲート線と交差するデータ線と、
第1副画素電極および第2副画素電極を備える画素電極と、
制御端子、入力端子、および出力端子を備え、当該制御端子、入力端子、および出力端子がそれぞれ前記ゲート線、前記データ線、および前記第1副画素電極に電気的に接続される第1スイッチング素子と、
制御端子、入力端子、および出力端子を備え、当該制御端子、入力端子、および出力端子がそれぞれ前記ゲート線、前記データ線、および前記第2副画素電極に電気的に接続される第2スイッチング素子と、
前記第1および第2副画素電極の間で電荷を分配するための電荷分配キャパシタと、
制御端子、入力端子、および出力端子を備え、当該制御端子が前記ゲート線に接続され、当該入力端子が前記電荷分配キャパシタを介して前記第1副画素電極と接続され、当該出力端子が導電線に接続される第3スイッチング素子と、
前記第1副画素電極と前記第2副画素電極とを前記電荷分配キャパシタを介して接続する第4スイッチング素子と、を含み、
前記第1副画素電極の電圧は、前記第2副画素電極の電圧と異なる、液晶表示装置。 - 前記第1副画素電極と前記第2副画素電極とは互いに絶縁されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記導電線は、ストレージラインであることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
- 前記ストレージラインは、前記ゲート線と平行であることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記導電線は、ストレージラインであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記ストレージラインは、前記ゲート線と平行であることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記導電線は、前記ゲート線と平行であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- ゲート線と、
前記ゲート線と交差するデータ線と、
第1副画素電極および第2副画素電極を備える画素電極と、
前記ゲート線に接続される第1端子と、前記データ線に接続される第2端子と、前記第1副画素電極に接続される第3端子と、を備える第1薄膜トランジスタと、
前記ゲート線に接続される第1端子と、前記データ線に接続される第2端子と、前記第2副画素電極に接続される第3端子と、を備える第2薄膜トランジスタと、
前記ゲート線に接続される第1端子と、前記第1副画素電極に接続される第2端子と、
導電線に接続される第3端子と、を備える第3薄膜トランジスタと、
前記第1および第2副画素電極の間で電荷を分配するための電荷分配キャパシタと、
前記第1副画素電極と前記第2副画素電極とを前記電荷分配キャパシタを介して接続する第4薄膜トランジスタと、
を含み、
前記第1副画素電極の電圧は、前記第2副画素電極の電圧と異なる、液晶表示装置。 - 前記導電線は、前記ゲート線に平行なストレージラインであることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
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