JP4072332B2 - 液晶表示装置およびその駆動方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置およびその駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、ノートパソコン、携帯電話や携帯型情報端末(PDA)の表示部に用いられる表示装置として、フラットディスプレイパネルが利用されており、その多くは液晶表示装置である。上述のような携帯機器において、消費電力は商品価値を左右する要因の一つであるため、表示部として用いられる液晶表示装置には低消費電力化が望まれている。特に、バックライトを有しない反射型液晶表示装置をさらに低消費電力化するために、液晶モジュール自身の低消費電力化が要望されている。
【0003】
例示した液晶表示装置のように、多数の容量(キャパシタ)を有する電子装置の消費電力Pwは、一般に、容量をC、周波数をf、電圧をVとすると、一次近似的には、Pw=C・f・Vで表される。従って、容量Cを小さくするか、周波数fを低くするか、電圧Vを低くすることにより、消費電力Pwを小さくすることができる。特に、上式に示されるように消費電力Pwが電圧Vの2乗に比例することと、システムから供給される電圧(例えば、ノートパソコンにおいては約3.3V)を昇圧する場合には昇圧ロスが存在することから、電圧Vを低くし、低電圧で駆動することが低消費電力化において有効である。
【0004】
液晶表示装置の場合、従来は、液晶層のしきい値電圧を低くしたり、電圧が最も高い階調電圧を本来よりも低電圧側に設定したりすることによって、駆動電圧のダイナミックレンジを狭くし、低電圧駆動を実現していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のようにして低電圧駆動を行う場合、以下のような問題がある。
【0006】
まず、液晶層のしきい値電圧を小さくするために(比)誘電率異方性Δε(=ε//−ε⊥)が大きい液晶材料を用いると、フィードスルー電圧の信号電圧依存性が大きくなるので、信号電圧の大きさに応じた補正を行う必要があるという問題がある。また、(比)誘電率異方性Δεが大きい液晶材料として、液晶分子の長軸方向の(比)誘電率ε//が大きい液晶材料を用いると、液晶容量が大きくなるので、充電するためのTFT(薄膜トランジスタ)のサイズが大きくなり、液晶パネルの負荷容量が大きくなるという問題がある。さらに、上述のような液晶材料は平均誘電率が大きいので、液晶層中の不純物が電離しやすい。そのため、上述のような液晶材料は抵抗の経時劣化が大きく、使用環境の厳しい液晶表示装置には使えないという問題もある。
【0007】
一方、電圧が最も高い階調電圧を本来よりも低電圧側に設定すると、コントラスト比が低下し、表示品位が低下してしまうという問題がある。特に、ノーマリーホワイトモードの表示を行う液晶表示装置においては、コントラスト比の低下が著しく、表示品位の低下が顕著である。
【0008】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、低電圧駆動が可能な液晶表示装置およびその駆動方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明による液晶表示装置は、行および列を有するマトリクス状に配置された複数の第1容量であって、第1電極と、前記第1電極に第1誘電体層を介して対向する第2電極とをそれぞれが有する、複数の第1容量と、少なくとも前記行または列ごとに設けられた複数の第2容量であって、前記第1電極と電気的に接続されている第3電極と、前記第3電極に第2誘電体層を介して対向する第4電極とをそれぞれが有する、複数の第2容量と、前記第1電極および前記第3電極との電気的な接続が第1スイッチング素子によってオン/オフ制御される第1配線と、前記第2電極に少なくとも一時的に電気的に接続される第2配線と、前記第4電極との電気的な接続が第2スイッチング素子によってオン/オフ制御される第3配線と、前記第4電極との電気的な接続が第3スイッチング素子によってオン/オフ制御される第4配線と、を基板上に有し、そのことによって上記目的が達成される。
【0010】
前記複数の第1容量のそれぞれは、画素電極である前記第1電極と、液晶層である前記第1誘電体層と、前記画素電極に前記液晶層を介して対向する対向電極である前記第2電極とから構成される液晶容量であり、前記複数の第2容量のそれぞれは、補助容量電極である前記第3電極と、前記第2誘電体層と、前記補助容量電極に前記第2誘電体層を介して対向する補助容量対向電極である前記第4電極とから構成される補助容量であり、前記液晶層は、前記画素電極と前記対向電極との間に印加された電圧に応じて前記液晶層を通過する光を変調する構成としてもよい。
【0011】
前記補助容量は、前記液晶容量毎にそれぞれ設けられていることが好ましい。前記補助容量が前記液晶容量毎にそれぞれ設けられている液晶表示装置において、前記第1配線は、前記行または列ごとに設けられ、前記第3配線としても機能し、前記画素電極、前記補助容量電極および前記補助容量対向電極に信号電圧を供給し、前記第2配線は、前記行または列ごとに設けられ、前記第4配線としても機能し、前記対向電極および前記補助容量対向電極に対向電圧を供給する構成としてもよい。
【0012】
また、前記第1配線は、前記行または列ごとに設けられ、前記第3配線としても機能し、前記画素電極、前記補助容量電極および前記補助容量対向電極に信号電圧を供給し、前記第2配線は、前記対向電極に対向電圧を供給し、前記第4配線は、前記補助容量対向電極に前記対向電圧と同じ電圧を供給し、前記補助容量は、前記第1配線に対応して設けられていてもよい。
【0013】
前記第1配線に交差するように設けられ、前記第1スイッチング素子、前記第2スイッチング素子および前記第3スイッチング素子に走査信号を供給する複数の走査配線をさらに有してもよい。
【0014】
前記複数の走査配線は、隣接する2つごとに走査配線対を構成し、前記走査配線対を構成する2つの走査配線の一方は前記第1スイッチング素子および前記第3スイッチング素子に走査信号を供給し、他方は前記第2スイッチング素子に走査信号を供給することが好ましい。
【0015】
前記複数の液晶容量に対応して設けられた複数のさらなる補助容量であって、前記画素電極と電気的に接続されているさらなる補助容量電極と、前記さらなる補助容量電極に第3誘電体層を介して対向するさらなる補助容量対向電極とをそれぞれが有する、複数のさらなる補助容量を有し、前記第3誘電体層は、前記第2誘電体層と同一の膜から形成されていることが好ましい。
【0016】
前記第2スイッチング素子および前記第3スイッチング素子は、互いに伝導型が異なるトランジスタであることが好ましい。
【0017】
本発明による液晶表示装置の駆動方法は、行および列を有するマトリクス状に配置された複数の第1容量であって、第1電極と、前記第1電極に第1誘電体層を介して対向する第2電極とをそれぞれが有する、複数の第1容量と、少なくとも前記行または列ごとに設けられた複数の第2容量であって、第3電極と、前記第3電極に第2誘電体層を介して対向する第4電極とをそれぞれが有する、複数の第2容量と、を基板上に有する液晶表示装置の駆動方法であって、前記第1容量および前記第2容量が電気的に並列に接続された状態と、前記第1容量および前記第2容量が電気的に直列に接続された状態とを切り替えることによって、前記第1電極と前記第2電極との間に印加されている電圧を昇圧する工程を包含し、そのことによって上記目的が達成される。
【0018】
前記昇圧工程は、前記第1容量および前記第2容量が電気的に並列に接続された状態で、前記第1電極および前記第3電極に所定の第1電位を与えるとともに、前記第2電極および前記第4電極に前記所定の第1電位とは異なる所定の第2電位を与えることによって、前記第1電極と第2電極との間および前記第3電極と前記第4電極との間に所定の電圧を印加し、前記第1容量および前記第2容量を充電する工程と、前記第1容量および前記第2容量を充電した後、前記第1電極および前記第3電極が互いに電気的に接続され、且つ、前記第1容量および前記第2容量が電気的に直列に接続された状態にするとともに、前記第2電極に前記所定の第2電位を与え、且つ、前記第4電極に前記所定の第1電位を与えることによって、前記第1電極および前記第2電極の間に印加された前記所定の電圧を昇圧する工程と、前記所定の電圧を昇圧した後、前記第2電極および前記第4電極の少なくとも一つを電気的に切り離された状態にすることによって、前記第1容量が昇圧された電圧を保持する工程と、をさらに包含することが好ましい。
【0019】
前記複数の第1容量のそれぞれは、画素電極である前記第1電極と、液晶層である前記第1誘電体層と、前記画素電極に前記液晶層を介して対向する対向電極である前記第2電極とから構成される液晶容量であり、前記複数の第2容量のそれぞれは、補助容量電極である前記第3電極と、前記第2誘電体層と、前記補助容量電極に前記第2誘電体層を介して対向する補助容量対向電極である前記第4電極とから構成される補助容量であり、前記液晶層は、前記画素電極と前記対向電極との間に印加された電圧に応じて前記液晶層を通過する光を変調する構成としてもよい。
【0020】
前記補助容量は、前記液晶容量毎にそれぞれ設けられていることが好ましい。
【0021】
前記補助容量は、前記行または列ごとに設けられていてもよい。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明による実施形態を説明する。本発明による液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法は優れた低消費電力性を有するので、本発明は、例えば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に好適に適用される。以下では、TFT(薄膜トランジスタ)を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置について、本発明の実施形態を説明する。
【0023】
(実施形態1)
本発明による実施形態1の液晶表示装置である液晶表示装置100を図1を参照しながら説明する。図1は、液晶表示装置100の等価回路を示す図である。図1に示すように、液晶表示装置100は、行および列を有するマトリクス状に配置された複数の液晶容量10と、複数の液晶容量10のそれぞれに対応して設けられた複数の補助容量20とを有する。なお、図1においては、マトリクス状に配置された複数の液晶容量10から構成される複数の画素のうち、2行2列分の画素(n行目n列目、n行目n+1列目、n+1行目n列目およびn+1行目n+1列目の画素)を示している。
【0024】
複数の液晶容量10のそれぞれは、画素電極12と、画素電極12に対向する対向電極16と、画素電極12と対向電極16との間に設けられた液晶層14とから構成されており、この液晶層14は、画素電極12と対向電極16との間に印加された電圧に応じて液晶層14を通過する光を変調する。複数の補助容量20のそれぞれは、画素電極12と電気的に接続されている補助容量電極22と、補助容量電極22に対向する補助容量対向電極26と、補助容量電極22と補助容量対向電極26との間に設けられたゲート絶縁膜24とから構成されている。
【0025】
また、液晶表示装置100は、列ごとに設けられた信号配線(ソース配線ともいう。i列目に設けられた信号配線をSiと表記する。以降の図では、n列目およびn+1列目に設けられた信号配線SnおよびSn+1を示す。)Siと、列ごとに設けられた基準配線(i列目に設けられた基準配線をBiと表記する。以降の図では、n列目およびn+1列目に設けられた基準配線BnおよびBn+1を示す。)Biとを有している。信号配線Siは、画素電極12および補助容量電極22に信号電圧を供給し、基準配線Biは、対向電極16および補助容量対向電極26に対向電圧(基準電圧)を供給する。信号配線Siと画素電極12および補助容量電極22との電気的な接続は第1TFT30によってオン/オフ制御される。但し、本実施形態の液晶表示装置100においては、補助容量対向電極26には対向電圧(基準電圧)だけでなく信号電圧も供給される。信号配線Siと補助容量対向電極26との電気的な接続は第2TFT40によってオン/オフ制御され、基準配線Biと補助容量対向電極26との電気的な接続は第3TFT50によってオン/オフ制御される。
【0026】
さらに、液晶表示装置100は、信号配線Siに交差するように設けられ、第1TFT30、第2TFT40および第3TFT50に走査信号を供給する複数の走査配線(ゲート配線ともいう。)を有している。複数の走査配線は、隣接する2つごとに走査配線対を構成し、走査配線対を構成する2つの走査配線の一方G1iは第1スイッチング素子30および第3スイッチング素子50に走査信号を供給し、他方G2iは第2スイッチング素子40に走査信号を供給する(i行目に設けられた走査配線対を構成する2つの走査配線の一方をG1i、他方をG2iと表記する。以降の図では、n行目およびn+1行目に設けられたG1nおよびG2nとG1n+1およびG2n+1とを示す。)。
【0027】
次に、液晶表示装置100のさらに具体的な構成を図2を参照しながら説明する。図2は、液晶表示装置100の1画素に対応する部分を模式的に示す上面図である。液晶表示装置100は、TFT基板(不図示)と、対向基板(不図示)と、TFT基板と対向基板との間に設けられた液晶層14(図2では不図示)とを有する。
【0028】
液晶表示装置100のTFT基板は、絶縁性基板(例えばガラス基板;不図示)と、絶縁性基板上に形成された第1TFT30、第2TFT40および第3TFT50と、第1TFT30、第2TFT40および第3TFT50に接続された走査配線G1i、G2i、信号配線Siおよび基準配線Biとを有している。TFT基板はさらに、画素電極12と、補助容量電極22と、補助容量対向電極26とを有している。
【0029】
第1TFT30、第2TFT40および第3TFT50のゲート電極(いずれも不図示)と、走査配線G1iおよびG2iと、補助容量電極22とは、同じ金属層(例えば、タンタル層)をパターニングすることによって形成されている。勿論、他の導電層(例えば、窒化タンタル層)を含む積層構造としてもよい。
【0030】
第1TFT30、第2TFT40および第3TFT50のゲート電極と、走査配線G1iおよびG2iと、補助容量電極22とを覆うように、典型的には、TFT基板のほぼ全面に、ゲート絶縁膜(例えば窒化シリコン層;図2では不図示)24が形成されている。このゲート絶縁膜24上に、第1TFT30、第2TFT40および第3TFT50を構成する半導体層、ソース電極およびドレイン電極(いずれも不図示)と、信号配線Siと、補助容量対向電極26とが形成されている。ソース電極、ドレイン電極、信号配線Siおよび補助容量対向電極26は、同じ金属層(例えば、タンタル層)をパターニングすることによって形成されている。勿論、他の導電層(例えば、ITO層)を含む積層構造としてもよい。
【0031】
補助容量電極22は、ゲート絶縁膜24に形成されたコンタクトホール9において第1TFT30のドレイン電極に電気的に接続されている。また、補助容量対向電極26は、第2TFT40および第3TFT50のドレイン電極に電気的に接続されている。
【0032】
さらに、これらを覆うように、TFT基板のほぼ全面に絶縁層(例えば樹脂層;不図示)が形成されており、この絶縁層上に画素電極(例えばアルミニウム/モリブデン積層膜、Ag層またはITO層)12が形成されている。画素電極12は、絶縁層およびゲート絶縁膜24に形成されたコンタクトホール9において、第1TFT30のドレイン電極に電気的に接続されている。
【0033】
液晶表示装置100の対向基板は、透明基板(例えばガラス基板;不図示)と、透明基板上に列ごとに設けられたストライプ状の対向電極(例えばITO層)16とを有している。この対向電極16は、表示領域外に設けられたコモン転移部において、TFT基板に形成されている基準配線Biに電気的に接続されている。TFT基板と対向基板との間に設けられた液晶層14としては、種々のタイプの液晶層を用いることができる。
【0034】
次に、上述した液晶表示装置100の動作を説明するが、まず、図3(a)〜(c)を参照しながら、本発明による液晶表示装置の動作原理を説明し、その後、本実施形態の液晶表示装置100の動作を説明することとする。
【0035】
図3(a)〜(c)は、本発明による液晶表示装置の動作原理を説明する模式図である。図3(a)〜(c)に示す本発明による液晶表示装置の構成要素は、上述した液晶表示装置100の構成要素と以下のように対応している。
【0036】
まず、第1容量10および第2容量20はそれぞれ、液晶表示装置100の液晶容量10および補助容量20に相当する。また、第1容量10が有する第1電極12、第1誘電体層14および第2電極16はそれぞれ、液晶表示装置100の画素電極12、液晶層14および対向電極16に相当し、第2容量20が有する第3電極22、第2誘電体層24および第4電極26はそれぞれ、液晶表示装置100の補助容量電極22、ゲート絶縁膜24および補助容量対向電極26に相当する。
【0037】
さらに、第1電極12および第3電極22との電気的な接続が第1スイッチング素子30によってオン/オフ制御される第1配線2と、第4電極26との電気的な接続が第2スイッチング素子40によってオン/オフ制御される第3配線6とは信号配線Si(第1電位)に相当する。また、第2電極16に電気的に接続される第2配線4と、第4電極26との電気的な接続が第3スイッチング素子50によってオン/オフ制御される第4配線8とは基準配線Bi(第2電位)に相当する。そして、第1スイッチング素子30、第2スイッチング素子40および第3スイッチング素子50はそれぞれ第1TFT30、第2TFT40および第3TFT50に相当する。
【0038】
本発明による液晶表示装置は以下のようにして動作する。
【0039】
まず、本発明による液晶表示装置は、図3(a)に示すように、第1容量10と第2容量20とが電気的に並列に接続された第1状態とされる。この第1状態においては、第1電極12および第3電極22と第1配線2との電気的な接続がオンとされ、第4電極26と第4配線8との電気的な接続がオンとされ、第4電極26と第3配線6との電気的な接続がオフとされている。この第1状態において、第1電極12および第3電極22に所定の第1電位が与えられるとともに、第2電極16および第4電極26に上述の第1電位とは異なる所定の第2電位が与えられることによって、第1電極12と第2電極16との間および第3電極22と第4電極26との間に所定の電圧(第1電位と第2電位との電位差)が印加され、第1容量10および第2容量20が充電される。
【0040】
次に、図3(b)に示すように、液晶表示装置は、第1容量10と第2容量20とが電気的に直列に接続された第2状態とされる。この第2状態においては、第1電極12および第3電極22と第1配線2との電気的な接続がオフとされ、第4電極26と第4配線8との電気的な接続がオフとされ、第4電極26と第3配線6との電気的な接続がオンとされている。この第2状態において、第4電極26に所定の第1電位が与えられるとともに第2電極16に所定の第2電位が与えられることによって、第1電極12と第2電極16との間の電圧が昇圧される。電圧が昇圧されるメカニズムについては後述する。
【0041】
その後、図3(c)に示すように、液晶表示装置は、第4電極26が電気的に切り離された第3状態とされる。なお、本願明細書においては、ある電極がいずれの配線とも電気的に接続されていない状態を電気的に切り離されているという。この第3状態においては、第1電極12および第3電極22と第1配線2との電気的な接続がオフとされ、第4電極26と第4配線8との電気的な接続がオフとされ、第4電極26と第3配線6との電気的な接続がオフとされている。この第3状態においては、第4電極26が電気的に切り離されているので、昇圧された電圧が第1容量10によって保持される。
【0042】
上述のように、本発明による液晶表示装置においては、第1容量10と第2容量20とが電気的に並列に接続された状態と、第1容量10と第2容量20とが電気的に直列に接続された状態とが切り替えられることによって、第1電極12と第2電極16との間に印加されている電圧が昇圧される。従って、第1電極12と第2電極16との間に、外部電源から配線を介して供給される電圧(上述の第1電位と第2電位との電位差)よりも高い電圧を印加することが可能となる。その結果、外部電源から比較的低い電圧を供給することによって液晶表示装置を駆動することが可能となり、低電圧駆動が実現される。
【0043】
以下、上述の第2状態において第1電極12と第2電極16との間に印加された電圧が昇圧されるメカニズムを説明する。
【0044】
説明の簡単のために、第1状態においては、第1電極12および第3電極22に接地電位(上記第1電位)が与えられるとともに、第2電極16および第4電極26に所定の電位V(上記第2電位)が与えられることとし、第2状態においては第2電極16に所定の電位Vが与えられるとともに第4電極26に接地電位が与えられることとして説明する。勿論、本発明はこれに限定されない。
【0045】
まず、第1状態において、第1電極12および第3電極22に接地電位が与えられるとともに、第2電極16および第4電極26に所定の電位Vが与えられると、第1電極12と第2電極16との間および第3電極22と第4電極26との間には、所定の電圧Vが印加され、第1容量10および第2容量20が充電される。このとき、第1容量10の静電容量をC、第2容量20の静電容量をCとすると、第1電極12に蓄積される電荷Qおよび第2電極22に蓄積される電荷Qはそれぞれ次式(1)および(2)で与えられる。
【0046】
=C (1)
=C (2)
次に、第2状態において、第2電極16に電位Vが与えられるとともに第4電極26に接地電位が与えられる。このとき、第1電極12と第2電極16との間の電位差(電圧)をV’、第3電極22と第4電極26との間の電位差(電圧)をV’とすると、第2状態において第1電極12に蓄積される電荷Q’および第3電極22に蓄積される電荷Q’はそれぞれ次式(3)および(4)で与えられる。
【0047】
’=C’ (3)
’=C’ (4)
また、第1電極12および第3電極22は互いに電気的に接続されており、第2状態においては第1電極12および第3電極22と第1配線2との電気的な接続がオフとされているので、第1状態において第1電極12に蓄積される電荷Qと第3電極22に蓄積される電荷Qとの総量(和)は、第2状態において第1電極12に蓄積される電荷Q’と第3電極22に蓄積される電荷Q’との総量(和)に等しく、この関係は次式(5)で与えられる。
【0048】
+Q=Q’+Q’ (5)
この式(5)に、式(1)〜(4)を代入すると、次式(6)が得られる。
【0049】
+C=C’+C’ (6)
一方、第2状態においては、第2電極16には電位Vが与えられ、第4電極には接地電位が与えられるので、第1電極12と第2電極16との間の電位差(電圧)V’および第3電極22と第4電極26との間の電位差(電圧)V’は、次式(7)で与えられる関係を有している。
【0050】
=V’−V’ (7)
式(6)および式(7)から第1電極12と第2電極16との間の電位差(電圧)V’は次式(8)で与えられる。
【0051】
’={(2+C/C)/(1+C/C)}・V (8)
式(8)において、{(2+C/C)/(1+C/C)}>1であるので、電圧V’の絶対値は電圧Vの絶対値よりも大きく、第1状態において第1電極12と第2電極16との間に印加された電圧Vが、より絶対値の大きい電圧V’に昇圧されていることがわかる。
【0052】
また、昇圧の程度は、第1容量10の静電容量Cと第2容量20の静電容量Cとの比で決定され、Cに対してCが大きいほど昇圧される程度は高い。例えば、C=Cの場合(C/C=1の場合)は、式(8)からV’=1.5Vであり、約1.5倍に昇圧される。また、Cに対してCが十分大きい場合(C/C≒0の場合)は、式(8)からV’≒2.0Vであり、約2倍に昇圧される。
【0053】
上述したメカニズムによって、本発明による液晶表示装置においては、第1電極12と第2電極16との間に印加された電圧が昇圧される。
【0054】
次に、図1に示した本発明による実施形態1の液晶表示装置である液晶表示装置100の動作を、図1および図4を参照しながら説明する。図4は、液晶表示装置100を駆動するためのタイミングチャートである。なお、以下の説明においては、n行n列目の画素について説明する。
【0055】
まず、走査配線G1nから第1TFT30および第3TFT50のゲート電極に走査電圧Vghが供給され、画素電極12および補助容量電極22と信号配線Snとの電気的な接続がオンとされるとともに、補助容量対向電極26と基準配線Bnとの電気的な接続がオンとされる(1Hの前半)。つまり、液晶容量10と補助容量20とが電気的に並列に接続された状態とされる。このとき、第2TFT40のゲート電極には走査配線G2nから走査電圧Vgh(オン電圧)よりも低い電圧Vgl(オフ電圧)が供給されており、補助容量対向電極26と信号配線Snとの電気的な接続はオフとされている。この状態は、図3(a)に示した第1状態に相当する。図4に示すように、走査配線G1nから走査電圧Vghが供給されるのと同じタイミングで、信号配線Snから画素電極12および補助容量電極22に所定の信号電圧が供給されるとともに、基準配線Bnから対向電極16および補助容量対向電極26に所定の対向電圧(基準電圧)が供給され、画素電極12と対向電極16との間および補助容量電極22と補助容量対向電極26との間に所定の電圧(信号電圧と対向電圧との差)が印加されて、液晶容量10および補助容量20が充電される。
【0056】
次に、走査配線G1nから第1TFT30および第3TFT50のゲート電極に電圧Vglが供給され、画素電極12および補助容量電極22と信号配線Snとの電気的な接続がオフとされるとともに、補助容量対向電極26と基準配線Bnとの電気的な接続がオフとされる(1Hの後半)。また、走査配線G2nから第2TFT40のゲート電極に走査電圧Vghが供給され、補助容量対向電極26と信号配線Snとの電気的な接続はオンとされる。つまり、液晶容量10と補助容量20とが電気的に直列に接続された状態とされる。この状態は、図3(b)に示した状態に相当する。この状態においては、基準配線Bnから対向電極16に所定の対向電圧(基準電圧)が供給されるとともに、信号配線Snから補助容量対向電極26に所定の信号電圧が供給され、上述したメカニズムによって画素電極12と対向電極16との間の電圧が昇圧される。
【0057】
その後、走査配線G2nから第2TFT40のゲート電極に電圧Vglが供給され、補助容量対向電極26と信号配線Snとの電気的な接続はオフとされる(他の走査配線対が選択されている期間)。つまり、補助容量対向電極26が電気的に切り離された状態とされる。この状態は、図3(c)に示した状態に相当する。この状態において、昇圧された電圧が液晶容量10によって保持される。
【0058】
上述のようにして、本発明による液晶表示装置100においては、外部電源から供給される電圧よりも高い電圧を画素電極12と対向電極16との間に設けられた液晶層14に印加することが可能となる。その結果、外部電源から比較的低い電圧を供給することによって液晶表示装置100を駆動することが可能となり、低電圧駆動が実現される。
【0059】
また、液晶表示装置100においては、液晶容量10に対応して補助容量20が設けられており、上述したようなメカニズムで昇圧を行う昇圧回路としての構成が画素ごとに設けられているので、昇圧ロスが少なく、外部電源から供給される電圧が効率よく昇圧される。
【0060】
なお、図3(a)〜(c)に示した本発明による液晶表示装置の動作原理の説明においては、第2配線4が第2電極16に常に電気的に接続されている場合について説明したが、これに限定されず、第2配線4は第2電極16に少なくとも一時的に電気的に接続されればよい。また、上述の説明においては、第3配線6と第4電極26との電気的な接続をオン/オフ制御する第2スイッチング素子40と、第4配線8と第4電極26との電気的な接続をオン/オフ制御する第3スイッチング素子50とが設けられている場合について説明したが、これに限定されず、第4電極26が第3配線6に電気的に接続されている状態と、第4電極26が第4配線8に電気的に接続されている状態とを切り替えることができる構成であればよい。
【0061】
第2配線4と第2電極16との電気的な接続をオン/オフ制御するさらなるスイッチング素子を有し、第4電極26が第3配線6に電気的に接続されている状態と、第4電極26が第4配線8に電気的に接続されている状態とを切り替えることができる構成を備えた液晶表示装置の動作を図5(a)および(b)と図6(a)〜(c)とを参照しながら説明する。この液晶表示装置においては、図5(a)および(b)と図6(a)〜(c)とに示すように、第2配線4と第2電極16との電気的な接続はさらなるスイッチング素子70によってオン/オフ制御される。また、第4電極26と第3配線6および第4配線8との電気的な接続は、第4電極26が第3配線6に電気的に接続されている状態と、第4電極26が第4配線8に電気的に接続されている状態とを切り替える接続切替素子80によって制御されている。接続切替素子80としては、例えば、ポリシリコンを用いて形成されたCMOSトランジスタを用いることができる。なお、以下の説明において、図5(a)、(b)および図6(a)に示す状態は、それぞれ図3(a)、(b)および(c)に示した状態に相当するので、それぞれの状態についての詳しい説明を省略する。
【0062】
まず、図5(a)に示すように、第1容量10と第2容量20とが並列に接続された状態において、第1容量10および第2容量20が充電される。この状態は、図3(a)に示した状態に相当する。
【0063】
次に、図5(b)に示すように、第1容量10と第2容量20とが電気的に直列に接続された状態において、第1電極12と第2電極16との間に印加された電圧が昇圧される。この状態は図3(b)に示した状態に相当する。
【0064】
その後、図6(a)、(b)または(c)に示すように、第2電極16および第4電極26の少なくとも一つが電気的に切り離された状態とされることによって、昇圧された電圧が第1容量10によって保持される。
【0065】
図6(a)に示した状態においては、図3(c)に示した状態と同様、第4電極26が電気的に切り離された状態とされることによって昇圧された電圧が保持されている。さらなるスイッチング素子70を有する液晶表示装置においては、図6(b)に示したように、第2電極16が電気的に切り離された状態とされることによっても昇圧された電圧が保持される。
【0066】
さらに、図6(c)に示したように、第2電極16および第4電極26の両方が電気的に切り離された状態とされることによっても昇圧された電圧が保持される。図6(c)に示した状態において電圧が保持されるように駆動すると、寄生容量を介して第1容量10に印加される電圧の、第1配線2、第2配線4、第3配線6および第4配線8の電圧変動に応じた変動を低減することができる。
【0067】
(実施形態2)
本発明による実施形態2の液晶表示装置である液晶表示装置200を図7および図8を参照しながら説明する。図7は、液晶表示装置200の等価回路を示す図であり、図8は、液晶表示装置200の1画素に対応する部分を模式的に示す上面図である。以下の説明においては、実施形態1の液晶表示装置100と異なる点を中心に説明し、液晶表示装置100と実質的に同様の機能を有する構成要素については同一の参照符号を用いて示し、その説明を省略する。
【0068】
液晶表示装置200は、複数の液晶容量10のそれぞれに対応して設けられた複数のさらなる補助容量60を有している。補助容量60は、画素電極12と電気的に接続されたさらなる補助容量電極62と、この補助容量電極62に第3誘電体層64を介して対向するさらなる補助容量対向電極66とを有している。
【0069】
補助容量電極62と信号配線Siとの電気的な接続は第1TFT30によってオン/オフ制御されるとともに、補助容量対向電極66は基準配線Biに電気的に接続されており、さらなる補助容量60は、液晶容量10に電気的に並列に接続されている。
【0070】
補助容量電極62は、補助容量20を構成する補助容量電極22と同じ金属層から形成されており、典型的には補助容量電極22と一体に形成されている。また、補助容量対向電極66は、補助容量20を構成する補助容量対向電極26と同じ金属層から形成されており、典型的には基準配線Biと一体に形成されている。
【0071】
さらに、補助容量電極62と補助容量対向電極66との間に設けられた第3誘電体層64は、補助容量20を構成するゲート絶縁膜24と同一の膜から形成されている。
【0072】
ゲート絶縁膜24は、例えば窒化シリコン層を堆積することによって形成されるが、この堆積工程においてゲート絶縁膜24の膜厚にばらつきが生じることがある。キャパシタの静電容量の値は電極間に設けられた誘電体層の厚さに依存するので、表示領域内においてゲート絶縁膜24の膜厚のばらつきがあると、補助容量20の静電容量C(以下、補助容量20の静電容量Cを単に「静電容量C」と表記する。)にばらつきが生じる。
【0073】
さらなる補助容量60を備えていない液晶表示装置においては、上述したように、外部電源から供給される電圧をVとすると昇圧された電圧V’は式(8)で与えられる。従って、静電容量Cのばらつきがあると、昇圧の程度にばらつきが生じる。
【0074】
本実施形態による液晶表示装置200においては、上述のように、液晶容量10に電気的に並列に接続された補助容量60を構成する第3誘電体層64が、補助容量20を構成するゲート絶縁膜24と同一の膜から形成されているので、昇圧の程度のばらつきが低減される。以下、その理由を説明する。
【0075】
液晶容量10に電気的に並列に接続された補助容量60を有する液晶表示装置200においては、補助容量60の静電容量をC(以下、補助容量60の静電容量Cを単に「静電容量C」と表記する。)とすると、昇圧された電圧V’は、次式(9)で与えられる。
【0076】
’=[{2+(C+C)/C}/{1+(C+C)/C}]・V
・・・(9)
また、補助容量60を構成する第3誘電体層64は、補助容量20を構成するゲート絶縁膜24と同一の膜から形成されているので、同じ画素内のゲート絶縁膜24と第3誘電体層64とはほぼ同じ膜厚を有している。従って、ある画素における静電容量Cの値が表示領域内における静電容量Cの平均値よりも大きければ、同じ画素における静電容量Cの値は表示領域内における静電容量Cの平均値よりも大きい。逆に、ある画素における静電容量Cの値が表示領域内における静電容量Cの平均値よりも小さければ、同じ画素における静電容量Cの値は表示領域内における静電容量Cの平均値よりも小さい。
【0077】
このように、液晶表示装置200においては、補助容量20の静電容量Cのばらつきに応じて、補助容量60の静電容量Cも同様の傾向でばらつくため、式(9)からわかるように、補助容量20の静電容量Cのばらつきが昇圧の程度に与える影響が、ある程度相殺される。その結果、ゲート絶縁膜24の膜厚のばらつきによる昇圧の程度のばらつきが低減される。
【0078】
(実施形態3)
本発明による実施形態3の液晶表示装置である液晶表示装置300を図9および図10を参照しながら説明する。図9は、液晶表示装置300の等価回路を示す図であり、図10は、液晶表示装置300の1画素に対応する部分を模式的に示す上面図である。
【0079】
液晶表示装置300は、図10に示すように、対向基板のほぼ全面に設けられた単一の対向電極(例えばITO層)16’を有している。また、液晶表示装置300のTFT基板は、図9および図10に示すように、信号配線Siと交差するように列ごとに設けられた基準配線Bを有しており、この基準配線Bは、表示領域外に設けられたコモン転移部において対向電極16’に電気的に接続されている。
【0080】
この基準配線Bは、走査配線G1iおよびG2iなどと同じ金属層をパターニングすることによって形成されており、対向電極16’およびすべての画素の補助容量対向電極26に共通の対向電圧(基準電圧)を供給する。
【0081】
上述のような構成を採用することによって、液晶表示装置の構造が単純になり、製造プロセスが複雑になることが防止されるので、低電圧駆動が可能な液晶表示装置が容易に、且つ、効率よく製造される。
【0082】
(実施形態4)
本発明による実施形態4の液晶表示装置である液晶表示装置400を図11および図12を参照しながら説明する。図11は、液晶表示装置400の等価回路を示す図であり、図12は、液晶表示装置400の1画素に対応する部分を模式的に示す上面図である。
【0083】
実施形態4の液晶表示装置400は、図11および図12に示すように、実施形態1の液晶表示装置100において、信号配線Siと基準配線Biとを置き換えたものに相当する。液晶表示装置400が有する基準配線Biは、画素電極12、補助容量電極22および補助容量対向電極26に基準電圧を供給し、信号配線Siは、対向電極16および補助容量対向電極26に信号電圧を供給する。
【0084】
上述のような構成を有する液晶表示装置400も、液晶表示装置100と同様に低電圧駆動が可能な液晶表示装置として機能し得る。勿論、実施形態2の液晶表示装置200のようにさらなる補助容量を備える構成としてもよい。
【0085】
液晶表示装置400のように対向基板側の電極に信号電圧を供給する構成の液晶表示装置においては、対向基板に設けられる対向電極は、走査配線に交差するように設けられ、互いに電気的に独立した複数のストライプ状の電極であることが好ましい。
【0086】
(実施形態5)
上述の実施形態1〜4の説明においては、補助容量が液晶容量毎にそれぞれ設けられ、昇圧回路として機能する構成を画素ごとに備える液晶表示装置について説明した。本発明による実施形態5の液晶表示装置である液晶表示装置500は、補助容量が信号配線に対応して設けられ、昇圧回路として機能する構成を信号配線ごとに備えている点において、実施形態1〜4の液晶表示装置と異なる。
【0087】
以下、本発明による実施形態5の液晶表示装置である液晶表示装置500を図13を参照しながら説明する。図13は、液晶表示装置500の昇圧回路として機能する部分の等価回路を示す図である。
【0088】
実施形態1〜4の液晶表示装置が有する補助容量20がマトリクス状に配置された液晶容量10に対応して設けられているのに対し、実施形態5の液晶表示装置500が有する補助容量20’は、図13に示すように、列ごとに設けられた信号配線Si(図13および後述の図14においては、n列目に設けられた信号配線Snを示す。)に対応して設けられている。
【0089】
この補助容量20’は、同じ列に属する液晶容量の画素電極に電気的に接続された補助容量電極22’と、補助容量電極22’に対向する補助容量対向電極26’と、補助容量電極22’および補助容量対向電極26’の間に設けられたゲート絶縁膜24とから構成されている。
【0090】
信号配線Siは、画素電極、補助容量電極22’および補助容量対向電極26’に信号電圧を供給する。また、信号配線Siは、駆動回路(ドライバ)からの信号電圧が入力される信号配線入力部Sinと、画素電極へ信号電圧が出力される信号配線出力部Soutとを有している。信号配線Si(信号配線入力部Sin)と画素電極および補助容量電極22’との電気的な接続は第1TFT30’によってオン/オフ制御され、信号配線Si(信号配線入力部Sin)と補助容量対向電極26’との電気的な接続は第2TFT40’によってオン/オフ制御される。なお、アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、画素ごとにスイッチング素子(例えばTFT)が設けられており、信号配線Si(信号配線入力部Sin)と画素電極との電気的な接続は、このスイッチング素子と第1TFT30’とによってオン/オフ制御されるが、以下の説明においては、説明の簡単のために、画素ごとに設けられたスイッチング素子およびこのスイッチング素子を制御するための走査配線についての説明は省略する。
【0091】
また、液晶表示装置500は、補助容量対向電極26’に対向電圧(基準電圧)を供給する基準配線Bを有しており、基準配線Bは典型的にはこの信号配線Siに交差するように設けられている。この基準配線Bと補助容量対向電極26’との電気的な接続は第3TFT50’によってオン/オフ制御される。
【0092】
さらに、液晶表示装置500は、信号配線Siに交差するように設けられ、第1TFT30’および第3TFT50’に走査信号を供給する走査配線G1と、同じく信号配線Siに交差するように設けられ、第2TFT40’に走査信号を供給する走査配線G2とを有している。
【0093】
次に、液晶表示装置500のさらに具体的な構成を図14を参照しながら説明する。図14は、液晶表示装置500の昇圧回路として機能する部分の構成を模式的に示す上面図である。液晶表示装置500は、TFT基板(不図示)と、対向基板(不図示)と、TFT基板と対向基板との間に設けられた液晶層(不図示)とを有する。なお、以下の説明においても、画素ごとに設けられたスイッチング素子およびこのスイッチング素子を制御するための走査配線についての説明は省略する。
【0094】
液晶表示装置500のTFT基板は、絶縁性基板(例えばガラス基板;不図示)と、絶縁性基板基板上に形成された第1TFT30’、第2TFT40’および第3TFT50’と、第1TFT30’、第2TFT40’および第3TFT50’に接続された走査配線G1、G2、信号配線Siおよび基準配線Bとを有している。TFT基板はさらに、画素電極と、補助容量電極22’と、補助容量対向電極26’とを有している。
【0095】
第1TFT30、第2TFT40および第3TFT50のゲート電極(いずれも不図示)と、走査配線G1およびG2と、補助容量対向電極26’とは、同じ金属層(例えば、タンタル層)をパターニングすることによって形成されている。勿論、他の導電層(例えば、窒化タンタル層)を含む積層構造としてもよい。
【0096】
第1TFT30’、第2TFT40’および第3TFT50’のゲート電極と、走査配線G1およびG2と、補助容量対向電極26’とを覆うように、典型的には、TFT基板のほぼ全面に、ゲート絶縁膜(例えば窒化シリコン層;図14では不図示)24が形成されている。
【0097】
このゲート絶縁膜24上に、第1TFT30’、第2TFT40’および第3TFT50’を構成する半導体層、ソース電極およびドレイン電極(いずれも不図示)と、信号配線Siと、補助容量電極22’とが形成されている。ソース電極、ドレイン電極、信号配線Siおよび補助容量電極22’は、同じ金属層(例えば、タンタル層)をパターニングすることによって形成されている。勿論、他の導電層(例えば、ITO層)を含む積層構造としてもよい。補助容量電極22’は、典型的には信号配線Siと一体に形成されている。また、第2TFT40’のドレイン電極と第3TFT50’のドレイン電極とを互いに電気的に接続する接続配線45が上述の金属層をパターニングすることによって形成されている。この接続配線45は、ゲート絶縁膜24に形成されたコンタクトホール9’において補助容量対向電極26’に電気的に接続されており、第2TFT40’および第3TFT50’のドレイン電極は、この接続配線を介して補助容量対向電極26’に電気的に接続されている。
【0098】
さらに、これらを覆うように、TFT基板のほぼ全面に絶縁層(例えば樹脂層;不図示)が形成されており、この絶縁層上に画素電極(例えばアルミニウム/モリブデン積層膜)が形成されている。
【0099】
液晶表示装置500の対向基板は、透明基板(例えばガラス基板;不図示)と、透明基板上に設けられた対向電極(例えばITO層;不図示)とを有している。この対向電極は、対向基板のほぼ全面に形成された単一の電極であってもよいし、ストライプ状の複数の電極であってもよい。また、この対向電極は、典型的には表示領域外に設けられたコモン転移部において基準配線Bに電気的に接続されており、この対向電極には基準配線Bから対向電圧(基準電圧)が供給される。TFT基板と対向基板との間に設けられた液晶層14としては、種々のタイプの液晶層を用いることができる。
【0100】
上述の構成を有する液晶表示装置500の動作を図15を参照しながら説明する。図15は、液晶表示装置500を駆動するためのタイミングチャートである。なお、以下の説明においては、n列目に設けられた信号配線Snおよびn列目に属する画素について説明する。また、説明の簡単のために、信号配線Snとn列目に属する液晶容量の画素電極との電気的な接続は第1TFT30’によってオン/オフ制御されるとして説明する。
【0101】
まず、走査配線G1から第1TFT30’および第3TFT50’のゲート電極に走査電圧Vghが供給され、信号配線Sn(信号配線入力部Sin)と、n列目に属する液晶容量の画素電極および補助容量電極22’との電気的な接続がオンとされるとともに、基準配線Bと補助容量対向電極26’との電気的な接続がオンとされる。つまり、n列目に属する液晶容量と補助容量20’とが電気的に並列に接続された状態となる。このとき、第2TFT40’のゲート電極には走査配線G2から走査電圧Vgh(オン電圧)よりも低い電圧Vgl(オフ電圧)が供給されており、信号配線Sn(信号配線入力部Sin)と補助容量対向電極26’との電気的な接続はオフとされている。この状態は、図3(a)に示した第1状態に相当する。そして、走査配線G1nから走査電圧Vghが供給されるのと同じタイミングで、信号配線Snから画素電極12および補助容量電極22に所定の信号電圧が供給されるとともに基準配線Bから対向電極16および補助容量対向電極26に所定の対向電圧(基準電圧)が供給され、画素電極12と対向電極16との間および補助容量電極22と補助容量対向電極26との間に所定の電圧(信号電圧と対向電圧との差)が印加されて、n列目に属する液晶容量および補助容量20’が充電される。
【0102】
次に、走査配線G1から第1TFT30’および第3TFT50’のゲート電極に電圧Vglが供給され、信号配線入力部Sinと画素電極および補助容量電極22’との電気的な接続がオフとされるとともに、基準配線Bと補助容量対向電極26’との電気的な接続がオフとされる。また、走査配線G2から第2TFT40’のゲート電極に走査電圧Vghが供給され、信号配線入力部Sinと補助容量対向電極26との電気的な接続はオンとされる。つまり、n列目に属する複数の液晶容量と補助容量20’とが電気的に直列に接続された状態とされる。この状態は、図3(b)に示した状態に相当する。この状態においては、基準配線Bから対向電極16に所定の対向電圧(基準電圧)が供給されるとともに、信号配線Snから補助容量対向電極26に所定の信号電圧が供給され、画素電極と対向電極16との間に印加された所定の電圧が昇圧される。このとき、信号配線出力部Soutにおける電位は、図15に示したように、信号配線入力部Sinにおける電位よりも高くなっている。液晶表示装置500においては、昇圧される程度は、補助容量20’の静電容量と、同じ列に属する液晶容量の静電容量の和との比によって決定される。
【0103】
なお、液晶表示装置500においては、この後、画素ごとに設けられたスイッチング素子(例えばTFT)によって、信号配線Si(信号配線入力部Sin)と画素電極との電気的な接続がオフとされることによって、昇圧された電圧が液晶容量によって保持される。
【0104】
上述のようにして、本実施形態による液晶表示装置500においても、外部電源から供給される電圧よりも高い電圧を画素電極12と対向電極16との間に設けられた液晶層14に印加することが可能となる。その結果、外部電源から比較的低い電圧を供給することによって液晶表示装置500を駆動することが可能となり、低電圧駆動が実現される。
【0105】
また、液晶表示装置500においては、列ごとに設けられた信号配線に対応して補助容量が設けられており、昇圧回路として機能する構成が信号配線ごとに設けられている。このような構成を採用すると、液晶表示装置の構造が比較的単純になり、製造プロセスが複雑になることが防止されるので、低電圧駆動が可能な液晶表示装置が容易に、且つ、効率よく製造される。
【0106】
(実施形態6)
本発明による実施形態6の液晶表示装置である液晶表示装置600を図16および図17を参照しながら説明する。図16は、液晶表示装置600の等価回路を示す図であり、図17は、液晶表示装置600の1画素に対応する部分を模式的に示す上面図である。
【0107】
実施形態6の液晶表示装置600は、実施形態4の液晶表示装置400の第2TFT40の伝導型を、第1TFT30および第3TFT50の伝導型とは異なる伝導型としたものに相当する。本実施形態では、第2TFT40をpチャネルTFTとし、第1TFT30および第3TFT50をnチャネルTFTとする。
【0108】
また、実施形態1〜5の液晶表示装置が、行ごとに2つの走査配線を備えているのに対して、実施形態6の液晶表示装置600は、行ごとに1つの走査配線Giを備えている(i行目に設けられた走査配線をGiと表記する。以降の図では、n行目、n+1行目およびn+2行目に設けられたGn、Gn+1およびGn+2を示す。)。図16および図17に示すように、n行目の画素が有する第1TFT30および第3TFT50のゲート電極は、n行目に設けられた走査配線Gnに電気的に接続されており、n行目の画素が有する第2TFT40のゲート電極は、n+1行目に設けられた走査配線Gn+1に電気的に接続されている。
【0109】
図16および図17に示した実施形態6の液晶表示装置600は、図18に示すようなタイミングチャートによって駆動される。以下、図18を参照しながら、n行n列目の画素について液晶表示装置600の動作を説明する。
【0110】
まず、1Hの前半において、走査配線GnからnチャネルTFTである第1TFT30および第3TFT50のゲート電極に走査電圧V(n−ch on)が供給され、画素電極12および補助容量電極22と基準配線Bnとの電気的な接続がオンとされるとともに、補助容量対向電極26と信号配線Snとの電気的な接続がオンとされる。これによって、液晶容量10と補助容量20とが電気的に並列に接続された状態となる。このとき、pチャネルTFTである第2TFT40のゲート電極には、走査配線Gn+1からオフ電圧Voffが供給されており、補助容量対向電極26と基準配線Bnとの電気的な接続はオフとされている。走査配線Gnから走査電圧V(n−ch on)が供給されるのと同じタイミングで、基準配線Bnから画素電極12および補助容量電極22に所定の基準電圧が供給され、信号配線Snから対向電極16および補助容量対向電極26に所定の信号電圧が供給されて、液晶容量10および補助容量20が充電される。
【0111】
次に、1Hの後半において、走査配線Gnから第1TFT30および第3TFT50のゲート電極にオフ電圧Voffが供給され、画素電極12および補助容量電極22と基準配線Bnとの電気的な接続がオフとされるとともに、補助容量対向電極26と信号配線Snとの電気的な接続がオフとされる。また、走査配線Gn+1から第2TFT40のゲート電極に走査電圧V(p−ch on)が供給され、補助容量対向電極26と基準配線Bnとの電気的な接続がオンとされる。これによって、液晶容量10と補助容量20とが電気的に直列に接続された状態とされる。この状態において、信号配線Snから対向電極16に所定の信号電圧が供給されるとともに、基準配線Bnから補助容量対向電極26に所定の基準電圧が供給され、画素電極12と対向電極16との間の電圧が昇圧される。
【0112】
その後、図18に示すように、走査配線Gn+1から第2TFT40のゲート電極には、電圧V(n−ch on)が供給されるので、第2TFT40はオフ状態とされ、補助容量対向電極26と基準配線Bnとの電気的な接続がオンとされる。これによって、補助容量対向電極26が電気的に切り離された状態とされ、昇圧された電圧が液晶容量10によって保持される。なお、このとき、走査配線Gn+1からは、n+1行目の画素に設けられた第1TFT30および第3TFT50にも電圧V(n−ch on)が供給される。
【0113】
上述したように、実施形態6の液晶表示装置600においては、第2TFT40と第3TFT50との伝導型が異なるので、n+1行目の第1TFT30および第3TFT50を走査するための走査配線Sn+1を、n行目の第2TFT40を走査するための走査配線としても機能させることができる。そのため、走査配線の数を実施形態4の液晶表示装置400に比べて削減する(ほぼ半分とする)ことができる。
【0114】
TAB(Tape Automated Bonding)などのようにゲートドライバを外付けする実装方式を用いた液晶表示装置においては、走査配線の数が削減されると、走査信号の入力数が削減され、ゲートドライバの出力数も削減されるので、上述の構成、すなわち、第2TFT40と第3TFT50との伝導型が異なる構成を採用することによって、部材コストの低減を図ることができる。
【0115】
また、ゲートドライバ回路内蔵型の液晶表示装置においては、走査配線の数が削減されると、ゲートドライバ回路の形成領域の面積を減らすことができるので、上述の構成を採用することによって、狭額縁化を図ることができる。
【0116】
さらに、走査配線の数が削減されると、走査配線と信号配線(あるいは基準配線)との交差部が少なくなり、上記交差部において形成される容量を減らすことができるので、上述の構成を採用することによって、信号配線(あるいは基準配線)の負荷が減り、さらなる低消費電力化を図ることができる。
【0117】
【発明の効果】
本発明によると、低電圧で駆動可能な液晶表示装置およびその駆動方法が提供される。
【0118】
本発明は、特に、アクティブマトリクス型の反射型液晶表示装置の低電力化に好適に用いられ、低消費電力性に優れた液晶表示装置が提供される。また、本発明によると、電源電圧を低下させることができるので、従来よりも低い耐圧のICを用いることが可能となる。あるいは、従来よりも高いしきい値電圧を有する液晶材料を用いることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による実施形態1の液晶表示装置である液晶表示装置100の等価回路を示す図である。
【図2】 本発明による実施形態1の液晶表示装置である液晶表示装置100の1画素に対応する部分を模式的に示す上面図である。
【図3】 本発明による液晶表示装置の動作原理を説明するための図である。
【図4】 本発明による実施形態1の液晶表示装置である液晶表示装置100を駆動するためのタイミングチャートである。
【図5】 (a)および(b)は本発明による他の液晶表示装置の動作原理を説明するための図である。
【図6】 (a)、(b)および(c)は本発明による他の液晶表示装置の動作原理を説明するための図である。
【図7】 本発明による実施形態2の液晶表示装置である液晶表示装置200の等価回路を示す図である。
【図8】 本発明による実施形態2の液晶表示装置である液晶表示装置200の1画素に対応する部分を模式的に示す上面図である。
【図9】 本発明による実施形態3の液晶表示装置である液晶表示装置300の等価回路を示す図である。
【図10】 本発明による実施形態3の液晶表示装置である液晶表示装置300の1画素に対応する部分を模式的に示す上面図である。
【図11】 本発明による実施形態4の液晶表示装置である液晶表示装置400の等価回路を示す図である。
【図12】 本発明による実施形態4の液晶表示装置である液晶表示装置400の1画素に対応する部分を模式的に示す上面図である。
【図13】 本発明による実施形態5の液晶表示装置である液晶表示装置500の昇圧回路として機能する部分の等価回路を示す図である。
【図14】 本発明による実施形態5の液晶表示装置である液晶表示装置500の昇圧回路として機能する部分を模式的に示す上面図である。
【図15】 本発明による実施形態5の液晶表示装置である液晶表示装置500を駆動するためのタイミングチャートである。
【図16】 本発明による実施形態6の液晶表示装置である液晶表示装置600の等価回路を示す図である。
【図17】 本発明による実施形態6の液晶表示装置である液晶表示装置600の1画素に対応する部分を模式的に示す上面図である。
【図18】 本発明による実施形態6の液晶表示装置である液晶表示装置600を駆動するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
2 第1配線
4 第2配線
6 第3配線
8 第4配線
9、9’ コンタクトホール
10 第1容量、液晶容量
12 第1電極、画素電極
14 第1誘電体層、液晶層
16 第2電極、対向電極
16’ 対向電極
20、20’ 第2容量、補助容量
22、22’ 第3電極、補助容量電極
24 第2誘電体層、ゲート絶縁膜
26、26’ 第4電極、補助容量対向電極
30、30’ 第1スイッチング素子、第1TFT
40、40’ 第2スイッチング素子、第2TFT
45 接続配線
50、50’ 第3スイッチング素子、第3TFT
60 さらなる補助容量
62 さらなる補助容量電極
64 第3誘電体層
66 さらなる補助容量対向電極
70 さらなるスイッチング素子
80 接続切替素子
100、200、300、400、500、600 液晶表示装置

Claims (14)

  1. 行および列を有するマトリクス状に配置された複数の第1容量であって、第1電極と、前記第1電極に第1誘電体層を介して対向する第2電極とをそれぞれが有する、複数の第1容量と、
    少なくとも前記行または列ごとに設けられた複数の第2容量であって、前記第1電極と電気的に接続されている第3電極と、前記第3電極に第2誘電体層を介して対向する第4電極とをそれぞれが有する、複数の第2容量と、
    前記第1電極および前記第3電極との電気的な接続が第1スイッチング素子によってオン/オフ制御される第1配線と、
    前記第2電極に少なくとも一時的に電気的に接続される第2配線と、
    前記第4電極との電気的な接続が第2スイッチング素子によってオン/オフ制御される第3配線と、
    前記第4電極との電気的な接続が第3スイッチング素子によってオン/オフ制御される第4配線と、を基板上に有する液晶表示装置。
  2. 前記複数の第1容量のそれぞれは、画素電極である前記第1電極と、液晶層である前記第1誘電体層と、前記画素電極に前記液晶層を介して対向する対向電極である前記第2電極とから構成される液晶容量であり、
    前記複数の第2容量のそれぞれは、補助容量電極である前記第3電極と、前記第2誘電体層と、前記補助容量電極に前記第2誘電体層を介して対向する補助容量対向電極である前記第4電極とから構成される補助容量であり、
    前記液晶層は、前記画素電極と前記対向電極との間に印加された電圧に応じて前記液晶層を通過する光を変調する、請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記補助容量は、前記液晶容量毎にそれぞれ設けられている請求項2に記載の液晶表示装置。
  4. 前記第1配線は、前記行または列ごとに設けられ、前記第3配線としても機能し、前記画素電極、前記補助容量電極および前記補助容量対向電極に信号電圧を供給し、前記第2配線は、前記行または列ごとに設けられ、前記第4配線としても機能し、前記対向電極および前記補助容量対向電極に対向電圧を供給する請求項3に記載の液晶表示装置。
  5. 前記第1配線は、前記行または列ごとに設けられ、前記第3配線としても機能し、前記画素電極、前記補助容量電極および前記補助容量対向電極に信号電圧を供給し、前記第2配線は、前記対向電極に対向電圧を供給し、前記第4配線は、前記補助容量対向電極に前記対向電圧と同じ電圧を供給し、前記補助容量は、前記第1配線に対応して設けられている請求項2に記載の液晶表示装置。
  6. 前記第1配線に交差するように設けられ、前記第1スイッチング素子、前記第2スイッチング素子および前記第3スイッチング素子に走査信号を供給する複数の走査配線をさらに有する、請求項4または5に記載の液晶表示装置。
  7. 前記複数の走査配線は、隣接する2つごとに走査配線対を構成し、前記走査配線対を構成する2つの走査配線の一方は前記第1スイッチング素子および前記第3スイッチング素子に走査信号を供給し、他方は前記第2スイッチング素子に走査信号を供給する請求項6に記載の液晶表示装置。
  8. 前記複数の液晶容量に対応して設けられた複数のさらなる補助容量であって、前記画素電極と電気的に接続されているさらなる補助容量電極と、前記さらなる補助容量電極に第3誘電体層を介して対向するさらなる補助容量対向電極とをそれぞれが有する、複数のさらなる補助容量を有し、
    前記第3誘電体層は、前記第2誘電体層と同一の膜から形成されている、請求項2から7のいずれかに記載の液晶表示装置。
  9. 前記第2スイッチング素子および前記第3スイッチング素子は、互いに伝導型が異なるトランジスタである、請求項1から8のいずれかに記載の液晶表示装置。
  10. 行および列を有するマトリクス状に配置された複数の第1容量であって、第1電極と、前記第1電極に第1誘電体層を介して対向する第2電極とをそれぞれが有する、複数の第1容量と、
    少なくとも前記行または列ごとに設けられた複数の第2容量であって、第3電極と、前記第3電極に第2誘電体層を介して対向する第4電極とをそれぞれが有する、複数の第2容量と、を基板上に有する液晶表示装置の駆動方法であって、
    前記第1容量および前記第2容量が電気的に並列に接続された状態と、前記第1容量および前記第2容量が電気的に直列に接続された状態とを切り替えることによって、前記第1電極と前記第2電極との間に印加されている電圧を昇圧する工程を包含する液晶表示装置の駆動方法。
  11. 前記昇圧工程は、
    前記第1容量および前記第2容量が電気的に並列に接続された状態で、前記第1電極および前記第3電極に所定の第1電位を与えるとともに、前記第2電極および前記第4電極に前記所定の第1電位とは異なる所定の第2電位を与えることによって、前記第1電極と第2電極との間および前記第3電極と前記第4電極との間に所定の電圧を印加し、前記第1容量および前記第2容量を充電する工程と、
    前記第1容量および前記第2容量を充電した後、前記第1電極および前記第3電極が互いに電気的に接続され、且つ、前記第1容量および前記第2容量が電気的に直列に接続された状態にするとともに、前記第2電極に前記所定の第2電位を与え、且つ、前記第4電極に前記所定の第1電位を与えることによって、前記第1電極および前記第2電極の間に印加された前記所定の電圧を昇圧する工程と、
    前記所定の電圧を昇圧した後、前記第2電極および前記第4電極の少なくとも一つを電気的に切り離された状態にすることによって、前記第1容量が昇圧された電圧を保持する工程と、
    をさらに包含する請求項10に記載の液晶表示装置の駆動方法。
  12. 前記複数の第1容量のそれぞれは、画素電極である前記第1電極と、液晶層である前記第1誘電体層と、前記画素電極に前記液晶層を介して対向する対向電極である前記第2電極とから構成される液晶容量であり、
    前記複数の第2容量のそれぞれは、補助容量電極である前記第3電極と、前記第2誘電体層と、前記補助容量電極に前記第2誘電体層を介して対向する補助容量対向電極である前記第4電極とから構成される補助容量であり、
    前記液晶層は、前記画素電極と前記対向電極との間に印加された電圧に応じて前記液晶層を通過する光を変調する、請求項10または11に記載の液晶表示装置の駆動方法。
  13. 前記補助容量は、前記液晶容量毎にそれぞれ設けられている請求項12に記載の液晶表示装置の駆動方法。
  14. 前記補助容量は、前記行または列ごとに設けられている請求項12に記載の液晶表示装置の駆動方法。
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