JP5783472B2 - アッシング装置 - Google Patents

Description

この発明は、紫外線ランプを用いて基板上のスミア（残渣）を除去するアッシング装置に関するものであり、特に、配線基板の製造工程等で基板上に残留した有機物系からなるスミアを処理するのに好適なアッシング装置に係わるものである。

半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するため、絶縁層と配線導体とを交互に積層した多層配線基板が知られている。
かかる多層配線基板としては、ビルドアップ法が知られていて、下層の絶縁層上に形成された下層の配線導体と、該下層の絶縁層上および下層の配線導体上に積層された上層の絶縁層上に形成された上層の配線導体とを備え、下層の配線導体を底面として、上層の絶縁層にビアホールを設け、かかるビアホールの内部に前記上層の配線導体の一部を被着させることにより、上層と下層の配線導体を接続している。このような技術については、特開２０１０−２０５８０１号公報（特許文献１）などに記載されている。

図７に特許文献１に開示された多層配線基板の製造方法の一部が示されている。
（Ａ）下層の絶縁層３１上に、配線導体３２を含めて上層の絶縁層３３が形成されている。
（Ｂ）この上層の絶縁層３３の一部を、例えばレーザやドリルによって除去することで、ビアホール３４を形成する。このとき、上層の絶縁層３３の材料に起因するスミア（残渣）Ｓが、不可避的に残ってしまう。
（Ｃ）このスミアＳを除去するため、例えば、アルカリ性溶液によって溶解することによりデスミア（スミア除去）処理し、配線導体３２の上面を露出させる。

このように、上層の絶縁層３３のスミアＳを除去する際に、アルカリ溶液で溶解するという、本来的な基板製造工程とは無関係に基板全体を湿式で処理する必要があることから、スループットが悪いという問題がある。

このような問題点を解消すべく、上記基板製造工程におけるデスミア処理においては、従来のアルカリ性溶液を用いた湿式による方法ではなく、乾式（ドライプロセス）による方法が検討されていて、アッシング処理によってスミアを除去することが検討されている。
また、使用済の高濃度アルカリ廃液の処理コストやその後リンスなどで用いた低濃度アルカリ廃液の処理コストが高いという問題もある。
そのようなプロセスの一案として、酸素が存在する雰囲気下に被処理物である基板を配置し、紫外線として波長２００ｎｍ以下の真空紫外光を照射し、有機物を分解、除去することが検討される。このように、乾式方法でデスミア処理を行うことで、湿式によるデスミア処理後のすすぎや乾燥が不要になり、廃液が発生しない上、次工程への移行を速やかにできて製造コストを大幅に抑えることができるようになる。

このようなアッシング装置として、例えば特開２００７−２２７４９６号公報（特許文献２）や特開２０１１−１８１５３５号公報（特許文献３）等に開示されるものが知られていて、そこには、紫外線を放射するランプを備え、石英ガラス製の窓を介してワークに対して光（真空紫外光）を照射するアッシング処理装置が開示されている。

特許文献２に開示されるアッシング処理装置は、紫外線ランプを保護管内に収容し、ワークをチャンバー内に配置して、ワークを枚葉ごとにアッシング処理するものである。この文献に記載のアッシング装置では、チャンバー内に不活性ガスを導入しつつ排気を行うか、あるいは、チャンバー内の排気のみを行ってアッシング処理する機構である。

特開２０１０−２０５８０１号公報 特開２００７−２２７４９６号公報 特開２０１１−１８１５３５号公報

ところで、上述した配線基板等の製造工程で生じるスミアを除去処理する場合、スミアと同一成分である絶縁層が表面に存在する。スミアの処理を確実に行おうとして、長時間紫外光を照射すると、本来分解されるべきではない絶縁層も分解されてしまうという問題が生じ、この絶縁層が過剰に分解されて、絶縁機能を失うと、そもそも配線基板としての機能を果たすことができなくなってしまう。一方、絶縁層を保護するために、紫外線の積算照射量を少なく見積もると、スミアを完全に除去できず、ビアホールを介した配線導体の導通が不十分になるという事態が生じる。
このような、絶縁層を備える配線基板のアッシング処理においては、例えば半導体基板製造におけるレジストのように、一時的に形成し、その後に全部除去するような一過性に存在する有機物とは異なり、絶縁層は最終製品に必須の構成となるので、いかに絶縁層に影響が及ばないようにスミアを処理するかが問題となる。すなわち、本来必須に存在しなければならない絶縁層と、当該絶縁層を由来とするスミアとが混在する配線基板では、従来のアッシング処理のプロセスとは異なり、長時間処理すればよいということにならないため、従来の装置やプロセスをそのまま採用することができない。

このような特有の課題に対しては、光源と被処理物との照射距離を縮めると、紫外線によるオゾン処理（アッシング）能力が上がることがわかっている。そして、照射距離が近い状態（具体的には３ｍｍ以下）で、処理ガスとして、例えば酸素濃度を高く（５０％以上）にすると、さらにその処理能力が上がることもわかっている。
従って、処理ガスの濃度を厳密に管理した状態で、光源との距離を密に近づけ、かつ、照射時間を短時間に設定することが要求される。

しかしながら、特許文献２の一括照射によるアッシング装置では、光源との距離を一定にできるが、基板を交換するごとにチャンバー内の雰囲気を替えなければならないため、ワーク及び処理ガスの入れ替えのために生産性が悪いという問題がある。

また、特許文献３のアッシング装置のように、被処理物（ワーク）とランプ（或いはランプ室）とを相対的に移動させて（スキャンさせて）紫外線を照射する場合では、被処理物表面には反りや曲がりがあるので、ランプやランプ室が被処理物にぶつかる可能性があり、ランプをワークに接近させて光を照射することができないという問題がある。
また、搬送ローラーを用いたワークスキャン方式において、ワーク側を搬送する構成としても、搬送中にワークが跳ねることがあるため、光源（窓）とワーク表面の距離を３ｍｍ以下に照射距離を縮めることが難しい。具体的には、ワークが照射装置や照射窓に接触し、スクラッチ等の問題が発生することが考えられる。また、ワークの厚みが例えば０．１〜０．３ｍｍのように薄い平板状のプリント基板の場合には、前後のローラー間でワークが撓み、ワークが引っかかったり、照射距離が開いたりして、ワークが破損したり、適切なＵＶオゾン処理ができないという事態も考えられる。ワークと光源（窓）との距離が変わると処理にムラが生じ、ワーク全体において均一処理ができなくなるという問題がある。

以上のような従来技術の問題に鑑み、本発明は、被処理物を内部に配置する処理室と、前記被処理物に紫外線を照射する紫外線ランプを備えたランプ室を備えたアッシング装置において、光源と被処理物の照射距離を正確に管理することが可能で、確実に搬送することができ、従って、被処理物において除去すべき物質を確実かつ効率よく除去することができる構造を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、この発明に係るアッシング装置は、処理室とランプ室は、被処理物の被処理面に対して相対的に平行移動されるものであり、前記処理室は、被処理物を支持するステージと、当該処理室内に処理ガスを供給する給気口と、前記処理ガスを排出する排気口とを具備し、前記処理室と前記ランプ室とを区画する紫外線透過性を有する窓部材が、当該処理室に固定されていることを特徴とする。

また、前記ランプ室と前記処理室とは、前記処理室内の前記処理ガスの流れ方向に沿って相対的に移動されることを特徴とする。
また、前記ランプ室と前記処理室とは、前記処理室内の前記処理ガスの流れ方向と反対方向に相対的に移動されることを特徴とする。
また、前記ランプ室と前記処理室とは、前記処理室内の前記処理ガスの流れ方向と同一方向に相対的に移動されるものであり、その相対移動速度が前記処理ガスの流速より遅いことを特徴とする。

また、前記給気口及び前記排気口は、前記処理ガスの流れ方向と直交する方向に延在する開口からなることを特徴とする。
また、前記排気口の開口面積は、前記給気口の開口面積よりも大きいことを特徴とする。
また、前記処理ガスは、酸素濃度が５０％以上のガスよりなることを特徴とする。
また、前記被処理物と前記窓部材との離間距離が１ｍｍ以下であることを特徴とする。

本発明のアッシング装置によれば、被処理物を配置する処理室側に紫外線透過窓部材を具備しているので、当該窓部材と被処理物表面の間の距離を近接した状態で、両者の位置関係が一定に保持されるよう管理することができる。しかも、処理室内にガスを流過する構成を備えているので、被処理物の周囲の雰囲気を一定に保持することができる。
そして、被処理物における被処理面の上部に、被処理面の一方から他方に向けてほぼ一定方向に処理ガスが流過する流路が形成されていることにより、スミアに紫外線が照射されることで発生した炭酸ガスは、処理ガスの流れ方向に沿って流れ、ガス排気口から排出されるようになる。そして、紫外線ランプからの紫外線は、処理ガスの流れ方向に沿って反対方向或いは同一方向に移動するので、被処理面上でスミアの分解に由来して炭酸ガスが発生しても、処理ガスが供給された状態で被処理面を照射できるため、紫外線が炭酸ガスで遮光されることがなく、デスミア処理を高効率に行うことができるようになる。

本発明のアッシング装置の断面図。 本発明のアッシング装置の上面図。 本発明の処理工程の一例の説明図。 本発明の処理工程の他の例の説明図。 本発明の他の実施例の断面図。 多層配線基板の製造方法の一例を説明する断面図。

図１は、本発明のアッシング装置の構成を示す断面図であり、図２はその上面図であって、主要部分のみを示している。
本発明のアッシング装置１は、被処理物Ｗを内部に配置する処理室２と、被処理物Ｗに紫外線を照射する紫外線ランプ４を収納するランプ室３とからなる。

処理室２には、被処理物Ｗを戴置するステージ６が配設され、このステージ６の縁部に沿って枠体７が配置されていて、この枠体７上にはシール材８を介して紫外線透過性を有する、石英ガラス製などの窓部材９が設けられている。そして、この窓部材９の周囲はカバー体１０によって保護されている。
また、図２に示すように、ステージ６には、一方の側縁に沿って処理ガスを供給する給気口１２が設けられ、これと対向する他方の側縁に沿って処理ガスを排出する排気口１３が設けられている。これにより、酸素などの処理ガスは、ステージに設けられたガス給気口１２から処理室２内の被処理物Ｗと窓部材９との間に、前記被処理物Ｗの被処理面と直交する下方から供給され、ここで、一旦窓部材９に当たることで拡散し、流れが緩衝されて均一化されて、被処理物Ｗの表面に沿って流れにムラのない状態でガス排気口１３方向に流れ、ここから流出する。

図２によく示されているように、ガス給気口１２とガス排気口１３は、前記処理ガスの流れ方向と直交する方向に延在する開口からなっていて、これにより、ガスは被処理物Ｗの表面を一様に沿って流れる。
また、ガス排気口１３の開口面積は、ガス給気口１２の開口面積よりも大きく形成されていて、これにより、処理ガスが処理室２内で滞留することなく、被処理物Ｗの表面上を円滑に流れ、排気口１３から排気される。
なお、給気口１２および排気口１３は、図示された長孔のみならず、処理ガス流れ方向に直交する方向に配置される多数の小孔からなるもの等、任意の形態であってもよい。

被処理物Ｗは、例えば平板状の配線基板であり、その表面が絶縁物層で構成され、当該絶縁物層に形成されたビアホールからなる開口と、開口の周囲に絶縁物層と同物質で構成されたスミア（残渣）Ｓとを有しているものである。そして、ステージ６と窓部材９の間に形成された処理空間に前記スミアＳが露出する形態で、被処理物Ｗがステージ６に戴置される。
ここで、被処理物Ｗの表面と窓部材９の内面との離間距離は、ガス（処理ガス及び処理後に生じた炭酸ガス等）が流通可能な状態に一定距離離間し、かつ、その距離（最大離間部分において）は、紫外線によるオゾン処理（アッシング処理）能力を上げるため３ｍｍ以下であることが好ましい。

処理室２に導入される処理ガスは、酸素を含む混合ガスである。酸素以外のガスとしては、紫外線透過性を阻害しないガス、具体的には窒素ガス、希ガスなどの不活性ガスであることが好ましい。そして、処理ガスは、配線基板のアッシングにおいては酸素を５０％以上含んでいることが好ましい。また、より効果を高める目的で、オゾンガスを混ぜてもよい。
前述したように、酸素を含む処理ガスは、図１、２の構成において、紙面右側の一方の側縁部に形成された給気口１２から処理室に対して直交する下方から供給されると、処理空間内で一旦窓部材９に当たり、流れが緩衝されて均一化され、その後、流れにムラのない状態で、処理空間を右から左に向かって一定方向に被処理物Ｗの表面に沿って流過し、紙面左側の他方の側縁部に形成された排気口１３から排出される。

ランプ室３内には、処理ガスの流れ方向に対して直交する方向に伸びる棒状の紫外線ランプ４が収納されており、また、このランプ室３には、窒素ガスなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給管５が設けられていて、該ランプ室３内およびランプ４の周辺を不活性ガス雰囲気としている。
そして、このランプ室３は、前記処理室２の上方に、窓部材９と微小空間を介して配置され、この実施例では該ランプ室３が処理室２に対して、前記処理ガスの流れ方向に沿って走査される。より具体的には、処理ガスの流れ方向に対して反対方向に走査されるものである。

ランプ室３内に配置される紫外線光源となるランプ４は、真空紫外光（波長２００ｎｍ以下の紫外線）を出射するものであって、種々の公知のランプを利用でき、例えば、キセノンガスを封入したキセノンエキシマランプ（波長１７２ｎｍ）、低圧水銀ランプ（波長１８５ｎｍ）などがあり、なかでも、この種アッシング装置に用いるものとしては、キセノンエキシマランプが好適である。

上記構成において、アッシング処理の様子が図３（Ａ）（Ｂ）に模式的に示されている。
図３に示すように、スミアＳが残った状態の被処理物Ｗが窓部材８に対し、一定の位置間隔となるよう処理室２内に配置される。
（Ａ）給気口１２から供給された処理ガスは、処理室内を一方（給気口１２側）から他方（排気口１３側）に向かって流れる。紫外線（ＵＶ）を照射するランプ４は、点灯した状態で被処理物Ｗ上の処理ガスの流れと反対方向に移動して、紫外線を被処理物Ｗに照射する。このときランプ４は連続点灯でも点滅点灯でもよいし、ランプ４と被処理物Ｗの相対移動も連続的な移動に限らず不連続であってもよい。
ランプ４の直下（或いはその近傍）においては、紫外線がスミアＳを照射してこれを分解する。スミアの成分は、配線基板のもともとの絶縁物層の材質に由来したものであり、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を主剤としている。一部の絶縁物層では、シリカ等の無機絶縁フィラーが分散されたものもある。処理室内で紫外線によって生成された活性酸素やオゾンの作用によって酸化され、絶縁物層を構成する物質の組成に基づいて、スミアは炭酸ガスや水などのガスとなって分解され、処理空間内に放出されると、処理ガスの流れに沿って排気口１３より排出されるようになる。

（Ｂ）紫外線ランプ４が移動するごとに紫外線がその直下（或いはその近傍）に存在するスミアＳを照射して、スミアが分解され、基板上から除去される。従って、デスミア処理は、処理ガスが常に流過して炭酸ガス等を除去しながら、給気口１２から供給された新鮮な処理ガス雰囲気の下で達成されるため、紫外線が炭酸ガスで吸収されずに処理ガス及び被処理物Ｗを照射する。従って、紫外線を効率よく照射できてスミアを除去でき、過剰に紫外線照射されることが無く、絶縁層の不所望な分解を回避することができる。

図４には他の実施例が示されていて、この実施例では、紫外線ランプ４の走査方向が、処理ガスの流れ方向と同一方向とされている。
この場合、ランプ４の処理室２（被処理物Ｗ）に対する相対移動速度は、処置ガスの流速よりも遅くなるように設定されている。
（Ａ）給気口１２から供給された処理ガスは、処理室内を一方（給気口１２側）から他方（排気口１３側）に向かって流れる。紫外線（ＵＶ）を照射するランプ４は、点灯した状態で被処理物Ｗ上のガスの流れと同方向に移動して、紫外線を被処理物Ｗに照射する。
処理室内では、処理ガスに含まれる酸素ガスが紫外線の照射により反応して生成される活性酸素やオゾンの作用によって、スミアＳは炭酸ガスや水などのガスとなって分解され、処理空間内に放出されると、処理ガスの流れに沿って排気口１３より排出されるようになる。
（Ｂ）紫外線ランプ４が移動するごとに紫外線がその直下（或いはその近傍）に存在するスミアを照射して、スミアが分解され、基板上から除去されるが、処理ガスの流速はランプ４の移動速度よりも速いため、スミアから発生した炭酸ガスは、処理ガスの流れに乗ってランプ４の移動に先んじて排気口１３側に送られる。つまり、ランプ４は処理ガスの流れよりも遅れて被処理物上を移動するので、発生する炭酸ガスが存在しない状態で被処理物Ｗに紫外線を照射することになる。
従って、デスミア処理は、発生する炭酸ガス等は常に処理ガスによって除去され、給気口１２から供給された新鮮な処理ガス雰囲気の下で達成されるため、紫外線が炭酸ガスで吸収されること無く処理ガス及び被処理物を照射することができる。

なお、以上の実施例においてはランプ４を移動する例で説明したが、処理室２（すなわち被処理物Ｗ）を移動させる構成としてもかまわない。処理室側を移動させる場合でも、処理室２側に設けられた窓部材９と被処理物Ｗとは同時に移動するため、両者の離間距離を一定に維持した状態で駆動することができるので、スキャン処理中にランプ４が被処理物Ｗにぶつかることはなく、被処理物Ｗに照射される紫外線照度が変動することもない。
しかも、スキャン方向が処理ガスの流れ方向に沿って行われることにより、スミアが分解して生じた炭酸ガス等の分解ガスを、発生部位から処理ガスの流れに乗せて除去できて、ランプから紫外線が照射される部位での紫外線透過率が部分的に変わることもない。よって紫外線を照度一定に照射できて、効率のよい処理を行うことができる。
被処理物Ｗが大型である場合、例えば被処理物の大きさが５００ｍｍ×５００ｍｍ以上のような大型のものである場合、特に被処理面における処理むらが生じやすいが、このような大型の被処理物を処理する場合において、本発明は特に有効に作用する。

なお、ここで具体的な一数値例を挙げると、被処理物Ｗの大きさが５００ｍｍ×５００ｍｍである場合、処理ガスの給気口１２の大きさは約３ｍｍ×６００ｍｍ、排気口１３の大きさは約１０ｍｍ×６００ｍｍである。この数値例においては、給気口１２、排気口１３はいずれも細長いスリット形状であるが、この形態に限定されることはないことは前記したとおりである。
このように、排気口１３の総開口面積は給気口１２の総開口面積よりも大きいことが好ましい。排出側の開口が大きいことで、ガスの流れが処理室内で停滞することがなく、給気口１２側から排気口１３側に一方向の一様な流れを形成できて、流れを安定に維持することができる。

また、配線基板の処理においては、スミアを短時間に処理して、他の部位（絶縁物層）に影響を与えないよう処理するには、酸素濃度が高いことが好ましい。特に酸素濃度が５０％以上となることで、活性化酸素の濃度を非常に高い状態にすることができ、好適に処理することができる。

また、被処理物Ｗと窓部材９との離間距離は、３ｍｍ以下であることが好ましく、更に望ましくは１ｍｍ以下である。このように、窓部材９と被処理物Ｗとの間の空間を狭く構成すると、ランプ４からの紫外線の一部が被処理物表面に直接照射できることにもなり、一層の処理能力の向上が見込まれる。処理空間においては、酸素濃度５０％以上の高酸素濃度を維持すると、被処理物Ｗと窓部材８との離間距離を所定距離以上にした場合、被処理物表面に到達する前に紫外線が酸素に吸収されてしまうが、この離間距離を小さくすることにより、活性化酸素の発生場所を被処理物表面に近傍に限定しつつ、紫外線透過性も備えて紫外線の一部を直接被処理物に照射することができるようになる。

図５には、更に他の実施形態が示されていて、この例においてはランプ室の構成を密閉式に変更したものである。
すなわち同図に示すように、ランプ室３は、ランプ４を収納して全方位に壁面を有する密閉筐体１５を具備し、ランプ室３の処理室２に対向する面には紫外線透過窓１６を具備している。ランプ室３内部に配置された紫外線放射ランプ４からの光は、この透過窓１６を介して放射される。
ランプ室３には、該ランプ室内での紫外線の吸収、減衰を防止する目的で、窒素ガス或いはその他の不活性ガスを供給する機構が具備される。例えば、筐体１５上部に不活性ガスの給気管１７を備えていて、側面に設けられた排気管１８から排出される。またランプ室３に沿って、窒素ガス或いはその他の不活性ガスを供給するブロー管１９を備えていて、ランプ室３から放射された紫外光が処理室２に到達するまでの間で減衰することを抑制するようになっている。
処理室３とランプ室４の少なくとも一方は、不図示の移動機構によって、相対的に移動可能とされていて、いずれか（或いは両方）を移動しながらランプからの光を照射する。なお、その他の構成については、図１、図２の実施例と同様である。

以上説明したように、本発明においては、被処理物を収納する処理室とランプ室とを区画する紫外線透過性を有する窓部材が、処理室側に固定されていることにより、当該窓部材と被処理物表面の間の距離を近接した状態で、両者の位置関係が一定に保持されるよう管理することができる。しかも、ステージに形成された給気口から処理室内に供給された処理ガスが、均一化されて流れにムラがなくなった状態で、被処理物表面を流過する構成を備えているので、被処理物の周囲の雰囲気を一定に保持することができる。
そして、処理室内の被処理ガスの流れが、被処理物の被処理面の一方から他方に向けて一定方向に流れる流路が形成されていて、スミアに紫外線が照射されることで発生した炭酸ガスは、処理ガスの流れ方向に沿って流れ、ガス排気口から排出されるようになる。ランプはこの処理ガスの流れ方向に沿って走査されるので、被処理面上でスミアの分解に由来して炭酸ガスが発生しても、処理ガスにより照射部位から除去され、照射部位においては常に処理ガスが供給された状態で紫外線を照射できるため、紫外線が炭酸ガスで遮光されることがなく、デスミア処理を高効率に行うことができるようになるものである。
また、この技術は半導体や液晶基板やフレキシブル基板などの製造工程で用いる、レジストのアッシング、レジスト残渣の除去等への技術へも利用できる。

１ アッシング装置
２ 処理室
３ ランプ室
４ ランプ
５ 不活性ガス供給管
６ ステージ
７ 枠体
９ （紫外線透過性）窓部材
１０ カバー体
１２ （処理ガス）給気口
１３ （処理ガス）排気口
１５ （ランプ室）筺体
１６ 紫外線透過窓
１７ （不活性ガス）供給管
１８ （不活性ガス）排気管
１９ （不活性ガス）ブロー管
Ｗ 被処理物

Claims (7)

1. 被処理物を内部に配置する処理室と、
   前記被処理物に紫外線を照射する紫外線ランプを備えたランプ室を備えたアッシング装置において、
   前記処理室と前記ランプ室は、前記被処理物の被処理面に対して相対的に平行移動されるものであり、
   前記処理室は、被処理物を支持するステージと、当該ステージに設けられて、前記処理室内に前記被処理物の被処理面と直交する方向から処理ガスを供給する給気口と、前記処理室内から前記被処理物の被処理面と直交する方向から処理ガスを排出する排気口とを具備し、
   前記処理室と前記ランプ室とを区画する紫外線透過性を有する窓部材が、当該処理室に固定されており、
   前記処理ガスを給気口から排気口に向かって流しながら、前記紫外線ランプが点灯した状態で、前記処理室と前記ランプ室が、前記処理室内の前記処理ガスの流れに沿って相対的に移動される
   ことを特徴とするアッシング装置。
2. 前記ランプ室と前記処理室とは、前記処理室内の前記処理ガスの流れ方向と反対方向に相対的に移動されることを特徴とする請求項１に記載のアッシング装置。
3. 前記ランプ室と前記処理室とは、前記処理室内の前記処理ガスの流れ方向と同一方向に相対的に移動されるものであり、その相対移動速度が前記処理ガスの流速より遅いことを特徴とする請求項１に記載のアッシング装置。
4. 前記給気口及び前記排気口は、前記処理ガスの流れ方向と直交する方向に延在する開口からなることを特徴とする請求項１に記載のアッシング装置。
5. 前記排気口の開口面積は、前記給気口の開口面積よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載のアッシング装置。
6. 前記処理ガスは、酸素濃度が５０％以上のガスよりなることを特徴とする請求項１に記載のアッシング装置。
7. 前記被処理物と前記窓部材との離間距離が１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のアッシング装置。
   
   
   

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