JP2541359B2 - 基板洗浄装置 - Google Patents
基板洗浄装置Info
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- JP2541359B2 JP2541359B2 JP2314573A JP31457390A JP2541359B2 JP 2541359 B2 JP2541359 B2 JP 2541359B2 JP 2314573 A JP2314573 A JP 2314573A JP 31457390 A JP31457390 A JP 31457390A JP 2541359 B2 JP2541359 B2 JP 2541359B2
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- Japan
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- substrate
- reaction gas
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- port
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体基板表面の乾式洗浄装置に関し， 基板上のガス流を均一にして，一様な洗浄ができる装
置の提供を目的とし， 直径の異なる２個の有底円筒が底板を同一方向にして
空隙を保って重ねられかつ円筒端部で相互に封止されて
形成されてなり，被処理基板が該空隙内の小さい方の円
筒の底板の上に載置される反応室と，大きい方の円筒に
設けられた反応ガス導入口排気口とを有し，該反応ガス
導入口は２個の円筒の底板の中間に対応する位置に，該
排気口は該基板を挟んで該反応ガス導入口と反対側にか
つ小さい方の円筒の円筒面に対向する位置に設けられて
いるように構成する。
置の提供を目的とし， 直径の異なる２個の有底円筒が底板を同一方向にして
空隙を保って重ねられかつ円筒端部で相互に封止されて
形成されてなり，被処理基板が該空隙内の小さい方の円
筒の底板の上に載置される反応室と，大きい方の円筒に
設けられた反応ガス導入口排気口とを有し，該反応ガス
導入口は２個の円筒の底板の中間に対応する位置に，該
排気口は該基板を挟んで該反応ガス導入口と反対側にか
つ小さい方の円筒の円筒面に対向する位置に設けられて
いるように構成する。
本発明は半導体基板表面の乾式洗浄装置に関する。
半導体集積回路の高密度化にともない，製造工程中の
基板洗浄は従来の酸，アルカリ，超純水等を用いる湿式
洗浄に対し，ガスを用いる乾式洗浄が注目されるように
なった。
基板洗浄は従来の酸，アルカリ，超純水等を用いる湿式
洗浄に対し，ガスを用いる乾式洗浄が注目されるように
なった。
乾式洗浄の場合は処理の均一性を高めるため，基板上
のガス流を一様にすることが要求される。
のガス流を一様にすることが要求される。
本発明はこの要求に対応した装置として利用できる。
従来の乾式洗浄装置においては，例えば被処理基板が
置かれた反応室中にハロゲンを導入し，基板表面に紫外
線を照射していた。これによって，基板表面の重金属等
はハロゲン化物としてガス中に離脱する（例えば，本発
明者の発明による特開平01−101645号，特開平01−2179
26号公報参照）。
置かれた反応室中にハロゲンを導入し，基板表面に紫外
線を照射していた。これによって，基板表面の重金属等
はハロゲン化物としてガス中に離脱する（例えば，本発
明者の発明による特開平01−101645号，特開平01−2179
26号公報参照）。
第２図は従来例による乾式洗浄装置を説明する断面図
である。
である。
図において,1は反応室,2は反応ガス導入口,3は排気
口,4はウエハ,5はヒータを内蔵したステージである。
口,4はウエハ,5はヒータを内蔵したステージである。
ところが，乾式洗浄はガスを用いるため，ガスの流れ
に対して洗浄効果に敏感に影響を受ける。
に対して洗浄効果に敏感に影響を受ける。
すなわち，基板上のガスの流れの多い部分はよく洗浄
されるが，少ない部分は洗浄が不十分となる。
されるが，少ない部分は洗浄が不十分となる。
本発明は基板上のガス流を均一にして，一様な洗浄が
できる装置の提供を目的とする。
できる装置の提供を目的とする。
上記課題の解決は，直径の異なる２個の有底円筒が底
板を同一方向にして空隙を保って重ねられかつ円筒端部
で相互に封止されて形成されてなり，被処理基板が該空
隙内の小さい方の円筒の底板の上に載置される反応室
と，大きい方の円筒に設けられた反応ガス導入口と排気
口とを有し，該反応ガス導入口は２個の円筒の底板の中
間に対応する位置に，該排気口は該基板を挟んで該反応
ガス導入口と反対側にかつ小さい方の円筒の円筒面に対
向する位置に設けられていることを特徴とする基板洗浄
装置により達成される。
板を同一方向にして空隙を保って重ねられかつ円筒端部
で相互に封止されて形成されてなり，被処理基板が該空
隙内の小さい方の円筒の底板の上に載置される反応室
と，大きい方の円筒に設けられた反応ガス導入口と排気
口とを有し，該反応ガス導入口は２個の円筒の底板の中
間に対応する位置に，該排気口は該基板を挟んで該反応
ガス導入口と反対側にかつ小さい方の円筒の円筒面に対
向する位置に設けられていることを特徴とする基板洗浄
装置により達成される。
本発明者は基板上のガス流を均一にするため，反応室
の構造と，ガスの導入，排出系の位置をいろいろ振って
みてガス流の均一性を検討した結果，前記の構造とガス
の導入，排出系の位置が適していることを実験的に確か
めた。
の構造と，ガスの導入，排出系の位置をいろいろ振って
みてガス流の均一性を検討した結果，前記の構造とガス
の導入，排出系の位置が適していることを実験的に確か
めた。
この理由は基板の一方側から導入されたガスは主に基
板上を反対側の排気口の方へ基板に平行に流れるが，同
時に円筒間の隙間よりも吸引されるため流れに垂直方向
にも広がる。排気口のコンダクタンスと円筒間の隙間の
コンダクタンスを調節することにより基板上一様にガス
を流すことができるためと考えられる（第１図の矢印参
照）。
板上を反対側の排気口の方へ基板に平行に流れるが，同
時に円筒間の隙間よりも吸引されるため流れに垂直方向
にも広がる。排気口のコンダクタンスと円筒間の隙間の
コンダクタンスを調節することにより基板上一様にガス
を流すことができるためと考えられる（第１図の矢印参
照）。
さらに，つぎのようにすると一層効果がある。
（１）反応ガス導入口と排気口を平行にする。
（２）排気口を複数本にする。
（３）反応ガス導入口と基板との距離は，排気口と基板
との距離に等しいかまたは長くする。
との距離に等しいかまたは長くする。
（４）反応ガス導入口の内径は排気口のそれより小さ
い。
い。
第１図（Ａ），（Ｂ）は本発明の一実施例による乾式
洗浄装置を説明する断面図と平面図である。
洗浄装置を説明する断面図と平面図である。
図において,1は反応室,2は反応ガス導入口,3は排気
口,4は被処理基板で６インチ径のシリコンウエハ，図中
の矢印はガス流を示す。
口,4は被処理基板で６インチ径のシリコンウエハ，図中
の矢印はガス流を示す。
反応室１は石英からなり，小さい方の円筒は外径が25
0mm,大きい方の円筒は内径が300mm,石英の厚さは20mm,
反応室の高さ（両方の円筒の底板の間隔）は100mmであ
る。
0mm,大きい方の円筒は内径が300mm,石英の厚さは20mm,
反応室の高さ（両方の円筒の底板の間隔）は100mmであ
る。
反応ガス導入口２は内径が1/4インチ，排気口３は内
径が２インチの石英管を用いる。
径が２インチの石英管を用いる。
この場合，ウエハ４を裁置するステージは小さい方の
円筒の底板である。
円筒の底板である。
反応ガス導入口２はウエハ表面から5mmの高さに，排
気口３は基板より下側において，反応ガス導入口２に対
向する側に２本これに平行に設けられる。
気口３は基板より下側において，反応ガス導入口２に対
向する側に２本これに平行に設けられる。
透明石英製の実施例の構造では光照射が効率良く行え
る特徴がある。
る特徴がある。
つぎに，上記実施例の装置の使用条件の一例を記す。
反応ガス:Cl2 反応ガスの流量:50SCCM 被処理基板:6インチ径のシリコンウエハ 照射光波長:200〜350nm 照射光強度:30mW/cm2 洗浄時，照射光は反応室の外側より石英を通してウエ
ハ上に照射する。
ハ上に照射する。
つぎに，実施例の効果を示すデータを従来例と対比し
て説明する。
て説明する。
洗浄効果の一様性をみるために，洗浄装置を用いてシ
リコン基板を同一条件でエッチングし，エッチング量の
面内分布を調べたところ，従来例では±20％であったの
が，実施例では±20％に向上した。
リコン基板を同一条件でエッチングし，エッチング量の
面内分布を調べたところ，従来例では±20％であったの
が，実施例では±20％に向上した。
以上説明したように本発明によれば，基板上のガス流
は均一になり，一様な洗浄ができる装置が得られた。
は均一になり，一様な洗浄ができる装置が得られた。
第１図（Ａ），（Ｂ）は本発明の一実施例による乾式洗
浄装置を説明する断面図と平面図， 第２図は従来例による乾式洗浄装置を説明する断面図で
ある。 図において， １は反応室， ２は反応ガス導入口， ３は排気口， ４は被処理基板で６インチ径のシリコンウエハである。
浄装置を説明する断面図と平面図， 第２図は従来例による乾式洗浄装置を説明する断面図で
ある。 図において， １は反応室， ２は反応ガス導入口， ３は排気口， ４は被処理基板で６インチ径のシリコンウエハである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−195831（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−14535（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−208835（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−148727（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】直径の異なる２個の有底円筒が底板を同一
方向にして空隙を保って重ねられかつ円筒端部で相互に
封止されて形成されてなり，被処理基板が該空隙内の小
さい方の円筒の底板の上に載置される反応室と， 大きい方の円筒に設けられた反応ガス導入口と排気口と
を有し， 該反応ガス導入口は２個の円筒の底板の中間に対応する
位置に，該排気口は該基板を挟んで該反応ガス導入口と
反対側にかつ小さい方の円筒の円筒面に対向する位置に
設けられていることを特徴とする基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2314573A JP2541359B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2314573A JP2541359B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 基板洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04184928A JPH04184928A (ja) | 1992-07-01 |
| JP2541359B2 true JP2541359B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=18054913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2314573A Expired - Lifetime JP2541359B2 (ja) | 1990-11-20 | 1990-11-20 | 基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2541359B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5783472B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2015-09-24 | ウシオ電機株式会社 | アッシング装置 |
-
1990
- 1990-11-20 JP JP2314573A patent/JP2541359B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04184928A (ja) | 1992-07-01 |
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