JPS63177423A - 半導体ウエハの固定部材 - Google Patents
半導体ウエハの固定部材Info
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- JPS63177423A JPS63177423A JP62008665A JP866587A JPS63177423A JP S63177423 A JPS63177423 A JP S63177423A JP 62008665 A JP62008665 A JP 62008665A JP 866587 A JP866587 A JP 866587A JP S63177423 A JPS63177423 A JP S63177423A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、低密度ポリエチレンないしポリメチルペンテ
ンからなる非汚染型の剥離層を有する剥離フィルムを感
圧性接着剤面に貼着してなり、半導体チップの製造過程
に好適な半導体ウニ/’%の固定部材に関する。
ンからなる非汚染型の剥離層を有する剥離フィルムを感
圧性接着剤面に貼着してなり、半導体チップの製造過程
に好適な半導体ウニ/’%の固定部材に関する。
従来の技術及び問題点
半導体チップの製造過程における半導体ウエノ\の裏面
研摩工程や裁断チップ化工程などにおいて、回路パター
ン面の保護やウェハの固定などの目的で固定部材が用い
られている(特願昭57−42128号、特願昭57−
42129号等)。半導体ウェハの固定部材は一般に、
粘着テープ様の接着フィルムとその感圧性接着剤面に貼
着された剥離フィルムとからなる。剥離フィルムは流通
・保管過程で接着フィルムの感圧性接着剤層が汚染する
ことを防止するためのものである。
研摩工程や裁断チップ化工程などにおいて、回路パター
ン面の保護やウェハの固定などの目的で固定部材が用い
られている(特願昭57−42128号、特願昭57−
42129号等)。半導体ウェハの固定部材は一般に、
粘着テープ様の接着フィルムとその感圧性接着剤面に貼
着された剥離フィルムとからなる。剥離フィルムは流通
・保管過程で接着フィルムの感圧性接着剤層が汚染する
ことを防止するためのものである。
従来、その剥離フィルムとしてはポリエステルなどから
なるプラスチックフィルムをシリコーン系剥離剤等で処
理してその塗布皮膜を表面に有するものが知られていた
。
なるプラスチックフィルムをシリコーン系剥離剤等で処
理してその塗布皮膜を表面に有するものが知られていた
。
しかしながら、剥離剤の塗布皮膜からなる剥離層はその
本来の性質に基づき被処理フィルムより脱落しやすい。
本来の性質に基づき被処理フィルムより脱落しやすい。
そのため、経日的に剥離層が被処理フィルムより徐々に
脱落して感圧性接着剤面に転写され、これが半導体ウェ
ハに貼着した際にウェハを汚染することとなり、高度の
清澄条件が要求される半導体チップの製造過程において
は容認しえない問題点となっていた。
脱落して感圧性接着剤面に転写され、これが半導体ウェ
ハに貼着した際にウェハを汚染することとなり、高度の
清澄条件が要求される半導体チップの製造過程において
は容認しえない問題点となっていた。
問題点を解決するための手段
本発明は、低密度ポリエチレンないしポリメチルペンテ
ンからなる剥離層を有する新規な剥離フィルムにより上
記の問題点を克服したものである。
ンからなる剥離層を有する新規な剥離フィルムにより上
記の問題点を克服したものである。
すなわち、本発明は、低密度ポリエチレンないしポリメ
チルペンテンからなる剥離層を有する剥離フィルムと、
プラスチックの薄葉体からなる支持基材に感圧性接着剤
層を付設してなる接着フィルムとからなり、前記接着フ
ィルムにおける感圧性接着剤面に剥離フィルムをその剥
離層を介し貼着してなる半導体ウェハの固定部材を提供
・するものである。
チルペンテンからなる剥離層を有する剥離フィルムと、
プラスチックの薄葉体からなる支持基材に感圧性接着剤
層を付設してなる接着フィルムとからなり、前記接着フ
ィルムにおける感圧性接着剤面に剥離フィルムをその剥
離層を介し貼着してなる半導体ウェハの固定部材を提供
・するものである。
作 用
低密度ポリエチレンないしポリメチルペンテンからなる
剥離層を有・する剥離フィルムを用いることにより、感
圧性接着剤層に剥離層が転写されることを有効に防止す
ることができ、ひいては剥離層の転写物による半導体ウ
ェハの汚染を回避することができる。また、該転写によ
る感圧性接着剤層の接着力の低下も回避される。さらに
、剥離フィルムを接着フィルムより引き剥がすことも容
易である。
剥離層を有・する剥離フィルムを用いることにより、感
圧性接着剤層に剥離層が転写されることを有効に防止す
ることができ、ひいては剥離層の転写物による半導体ウ
ェハの汚染を回避することができる。また、該転写によ
る感圧性接着剤層の接着力の低下も回避される。さらに
、剥離フィルムを接着フィルムより引き剥がすことも容
易である。
発明の構成要素の例示
本発明において用いられる剥離フィルムは、低密度ポリ
エチレンないしポリメチルペンテンからなる剥離層を有
するものである。従って、剥離フィルムは低密度ポリエ
チレン、ポリメチルペンテン又はその混合物からなる単
層物であってもよいし、該樹脂からなる剥離層を少なく
とも表面に有する多層物であってもよい。単層物として
構成する場合その厚さとしては40μm以上、就中40
〜100μmが適当である。その厚さが40μm未満で
は強度不足で剥がし時に破断する場合がある。多層物と
して構成する場合には前記樹脂からなる剥離層の厚さは
5μm以上、就中5〜100μmが適当である。その厚
さが5μm未満では均一厚の剥離フィルムが得にくい。
エチレンないしポリメチルペンテンからなる剥離層を有
するものである。従って、剥離フィルムは低密度ポリエ
チレン、ポリメチルペンテン又はその混合物からなる単
層物であってもよいし、該樹脂からなる剥離層を少なく
とも表面に有する多層物であってもよい。単層物として
構成する場合その厚さとしては40μm以上、就中40
〜100μmが適当である。その厚さが40μm未満で
は強度不足で剥がし時に破断する場合がある。多層物と
して構成する場合には前記樹脂からなる剥離層の厚さは
5μm以上、就中5〜100μmが適当である。その厚
さが5μm未満では均一厚の剥離フィルムが得にくい。
なお、多層物として構成する場合、剥離層以外の層の構
成について特に限定はなく、フィルム強度等の物性など
の点より適宜に決定される。
成について特に限定はなく、フィルム強度等の物性など
の点より適宜に決定される。
剥離層を構成するための低密度ポリエチレン又はポリメ
チルペンテンとしては公知のものを用いうる。特に、低
密度ポリエチレンとしては密度(g/ clTり 0
、91〜0 、925、メルトインデックス(MI。
チルペンテンとしては公知のものを用いうる。特に、低
密度ポリエチレンとしては密度(g/ clTり 0
、91〜0 、925、メルトインデックス(MI。
2710分)0.5〜10(軟化点90±5℃〉、結晶
化度45〜60%のものが好ましく用いつる。
化度45〜60%のものが好ましく用いつる。
本発明の半導体ウェハ固定部材は、前記した剥離フィル
ムをその剥離層を介して、接着フィルムにおける感圧性
接着剤面に貼着したものである。
ムをその剥離層を介して、接着フィルムにおける感圧性
接着剤面に貼着したものである。
その接着フィルムとしては公知のものを用いつる。
従って一般に、接着フィルムはプラスチックの薄葉体か
らなる支持基材に感圧性接着剤層を布設したものからな
る。すなわち、ポリエチレン、ポリプロピレンのような
ポリオレフィン類、ポリエチレンテレフタレートのよう
なポリエステル順などからなるフィルムなどで代表され
る厚さ20〜500μmの支持基材に、アクリル系、ゴ
ム系、スチレン−イソブチレン系などで代表される公知
の感圧性接着剤層を1〜500μmの厚さで設けたもの
から一般になる。なお、感圧性接着剤としては例えば凝
集力を調整したり、あるいは分離成分を除去するなどし
て引き剥がした際に被着体上にその成分を残存させない
タイプのものが好ましく用いられる。
らなる支持基材に感圧性接着剤層を布設したものからな
る。すなわち、ポリエチレン、ポリプロピレンのような
ポリオレフィン類、ポリエチレンテレフタレートのよう
なポリエステル順などからなるフィルムなどで代表され
る厚さ20〜500μmの支持基材に、アクリル系、ゴ
ム系、スチレン−イソブチレン系などで代表される公知
の感圧性接着剤層を1〜500μmの厚さで設けたもの
から一般になる。なお、感圧性接着剤としては例えば凝
集力を調整したり、あるいは分離成分を除去するなどし
て引き剥がした際に被着体上にその成分を残存させない
タイプのものが好ましく用いられる。
発明の効果
本発明によれば、特殊な剥離層を有する剥離フィルムで
感圧性接着剤面をカバーするようにしたので、剥離フィ
ルムの引き剥がしが容易であると共に、感圧性接着剤面
に剥離層を形成する成分が転写することを有効に防止す
ることができ、これにより半導体ウェハの汚染を有効に
防止することができる。
感圧性接着剤面をカバーするようにしたので、剥離フィ
ルムの引き剥がしが容易であると共に、感圧性接着剤面
に剥離層を形成する成分が転写することを有効に防止す
ることができ、これにより半導体ウェハの汚染を有効に
防止することができる。
実施例
実施例1
アクリル酸エチル50部(重量部、以下同様)、アクリ
ル酸2−エチルヘキシル50部、アクリロニトリル15
部及びアクリル酸3部をアゾビスイソブチロニトリルの
存在下にトルエン中で共重合処理して得た共重合体10
0部(固形分)に、ポリイソシアネート5部を加え、こ
れを厚さ60μmのポリエチレンフィルムのコロナ放電
処理面に乾燥後の厚さが40μmとなるように塗布した
のち90°Cで3分間加熱処理して接着フィルムを得た
。
ル酸2−エチルヘキシル50部、アクリロニトリル15
部及びアクリル酸3部をアゾビスイソブチロニトリルの
存在下にトルエン中で共重合処理して得た共重合体10
0部(固形分)に、ポリイソシアネート5部を加え、こ
れを厚さ60μmのポリエチレンフィルムのコロナ放電
処理面に乾燥後の厚さが40μmとなるように塗布した
のち90°Cで3分間加熱処理して接着フィルムを得た
。
次に、MIが6.5(軟化点86℃)、密度が0.91
7の低密度ポリエチレンをインフレーション方式で溶融
押出して得た、厚さ60umのフィルムからなる剥離フ
ィルムを前記接着フィルムの感圧性接着剤面に貼着して
半導体ウェハの固定部材を得た。
7の低密度ポリエチレンをインフレーション方式で溶融
押出して得た、厚さ60umのフィルムからなる剥離フ
ィルムを前記接着フィルムの感圧性接着剤面に貼着して
半導体ウェハの固定部材を得た。
実施例2
低密度ポリエチレンフィルムに代えてポリメチルペンテ
ンフィルムからなる剥離フィルムを用いたほかは実施例
1に準じて半導体ウェハの固定部材を得た。
ンフィルムからなる剥離フィルムを用いたほかは実施例
1に準じて半導体ウェハの固定部材を得た。
実施例3
低密度ポリエチレンフィルムに代えて低密度ポリエチレ
ン層(MI6.5、密度0.917、厚さ20μm>と
高密度ポリエチレン層(MIo、5、密度0.950、
厚さ40μm)の2層からなる剥離フィルムを用いたほ
かは実施例1に準じて半導体ウェハの固定部材を得た。
ン層(MI6.5、密度0.917、厚さ20μm>と
高密度ポリエチレン層(MIo、5、密度0.950、
厚さ40μm)の2層からなる剥離フィルムを用いたほ
かは実施例1に準じて半導体ウェハの固定部材を得た。
比較例1
低密度ポリエチレンフィルムに代えて中密度ポリエチレ
ン(MIO,5、密度0.935 )フィルムからなる
剥離フィルムを用いたほかは実施例1に準じて半導体ウ
ェハの固定部材を得た。
ン(MIO,5、密度0.935 )フィルムからなる
剥離フィルムを用いたほかは実施例1に準じて半導体ウ
ェハの固定部材を得た。
比較例2
低密度ポリエチレンフィルムに代えて高密度ポリエチレ
ン(MIo、5、密度0.950)フィルムからなる剥
離フィルムを用いたほかは実施例1に準じて半導体ウェ
ハの固定部材を得た。
ン(MIo、5、密度0.950)フィルムからなる剥
離フィルムを用いたほかは実施例1に準じて半導体ウェ
ハの固定部材を得た。
比較例3
低密度ポリエチレンフィルムに代えて付加型シリコーン
系剥離剤の塗布皮膜(固形分塗布量0.2g/nf)を
設けたポリエステルフィルム(厚さ50#Im )から
なる剥離フィルムを用いたほかは実施例1に準じて半導
体ウェハの固定部材を得た。
系剥離剤の塗布皮膜(固形分塗布量0.2g/nf)を
設けたポリエステルフィルム(厚さ50#Im )から
なる剥離フィルムを用いたほかは実施例1に準じて半導
体ウェハの固定部材を得た。
評価試験
実施例、比較例で得た半導体ウェハの固定部材を下記の
試験に供した。
試験に供した。
[剥離力]
室温保存物(初期物)又は60℃で7日間の加熱処理物
(加熱物)についてJIS Z 0237に準じ、
剥離フィルムより接着フィルムを剥離するのに要する力
を求めた。
(加熱物)についてJIS Z 0237に準じ、
剥離フィルムより接着フィルムを剥離するのに要する力
を求めた。
[非脱落性]
20g/cnfの荷重を負荷したフェルトを剥離フィル
ム(剥離層面)上に載置してlO往復させたのちの面に
接着フィルムを圧着し、これにつきJISZ 023
7に準じて剥離フィルムより接着フィルムを剥離するの
に要する力を求めた。そして、その測定値が上記初期物
の場合よりも増加したものを×、それ以外のものをOと
して評価した。
ム(剥離層面)上に載置してlO往復させたのちの面に
接着フィルムを圧着し、これにつきJISZ 023
7に準じて剥離フィルムより接着フィルムを剥離するの
に要する力を求めた。そして、その測定値が上記初期物
の場合よりも増加したものを×、それ以外のものをOと
して評価した。
[接着力]
JIS Z 0237に準じ、剥離フィルムより剥
離した接着フィルムをミラーシリコンウェハに貼着しそ
の接着力を測定した。試験は室温保存物(初期物)又は
60℃で7日間の加熱処理物(加熱物〉について行った
。
離した接着フィルムをミラーシリコンウェハに貼着しそ
の接着力を測定した。試験は室温保存物(初期物)又は
60℃で7日間の加熱処理物(加熱物〉について行った
。
結果を表に示した。
表より、本発明の半導体ウェハ固定部−材は非脱落性(
剥離層の非転写性)に優れると共に、充分な剥離フィル
ムと接着フィルムとの剥離容易性及び接着フィルムの半
導体ウェハに対する接着性を有していることがわかる。
剥離層の非転写性)に優れると共に、充分な剥離フィル
ムと接着フィルムとの剥離容易性及び接着フィルムの半
導体ウェハに対する接着性を有していることがわかる。
Claims (1)
- 1、低密度ポリエチレンないしポリメチルペンテンから
なる剥離層を有する剥離フィルムと、プラスチックの薄
葉体からなる支持基材に感圧性接着剤層を付設してなる
接着フィルムとからなり、前記接着フィルムにおける感
圧性接着剤面に剥離フィルムをその剥離層を介し貼着し
てなる半導体ウェハの固定部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62008665A JPS63177423A (ja) | 1987-01-17 | 1987-01-17 | 半導体ウエハの固定部材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62008665A JPS63177423A (ja) | 1987-01-17 | 1987-01-17 | 半導体ウエハの固定部材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63177423A true JPS63177423A (ja) | 1988-07-21 |
Family
ID=11699230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62008665A Pending JPS63177423A (ja) | 1987-01-17 | 1987-01-17 | 半導体ウエハの固定部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63177423A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5183699A (en) * | 1989-08-01 | 1993-02-02 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Wafer processing films |
US6235387B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
JP2002059515A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-26 | Nitto Denko Corp | 剥離ライナー及びそれを用いた感圧性接着テープ又はシート |
JP2011171711A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-09-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体ウェハ加工用接着フィルム |
-
1987
- 1987-01-17 JP JP62008665A patent/JPS63177423A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5183699A (en) * | 1989-08-01 | 1993-02-02 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Wafer processing films |
US6235387B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
US6478918B2 (en) | 1998-03-30 | 2002-11-12 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
JP2002059515A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-26 | Nitto Denko Corp | 剥離ライナー及びそれを用いた感圧性接着テープ又はシート |
JP2011171711A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-09-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体ウェハ加工用接着フィルム |
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