JP5731996B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
下部分布ブラッグ反射層中に、mλ/2nの厚みを有する位相変化層(ここで、nは該位相変化層の屈折率、mは1以上の整数である。)が少なくとも1層備えられていることを特徴とするものである。
なお、mλ/2nの厚みの定義には±10%の範囲を含むものとする。すなわち、位相変化層の厚みはmλ/2n×0.9〜mλ/2n×1.1の範囲であればよい。
本半導体発光素子1は、p型基板10上に、下部分布ブラック反射層30(以下、下部DBR層30とする。)、p型ドープ層13、発光層20、n型ドープ層15、コンタクト層17および反射防止層18を備えた面発光型の半導体発光素子である。図中矢印で発光光の光路を模式的に示すように、発光層20で生じた光は下部DBR層30で反射され、反射防止層18を透過して面発光する。
なお、半導体発光素子を作製する場合の各層の成膜工程においては、膜厚に設計値から最大で±10%程度の誤差が生じ得る。したがって、本明細書における膜厚は、それぞれ±10%の厚み誤差を許容するものとする。
下部DBR層30中に2層の位相変化層を備える場合、1層目の位相変化層33は、図2に下部DBR層30の模式断面図を示すように、最も発光層20寄りのペア中に配置することが好ましい。そして、図2に示すように第1層目の位相変化層33が配置された状態の下部DBR層の厚みを発光層側を0、基板側を1としたときに、2層目の位相変化層33を、0.24〜0.46もしくは0.66〜0.82の範囲、特には0.27〜0.39に位置させることにより、より温度特性ばらつきを抑制する効果を得ることができる(後記シミュレーション2参照。)。なお、これらの割合の範囲に一部でも重なっている層の厚みをmλ/2nとすればよい。
但し、本構成において、下部DBR層30中に2層の位相変化層を備える場合の好ましい配置の範囲が上述の実施形態とは異なる。1層目の位相変化層33は、図4に下部DBR層30の模式断面図を示すように、最も発光層20寄りの2ペア中に配置することが好ましい。一方、2層目の位相変化層は、図4に示すように第1層目の位相変化層が配置された状態の下部DBR層の厚みを発光層側を0、基板側を1としたときに、0.22〜0.33の範囲に配置されていることが好ましい(後記シミュレーション4参照。)。
まず、シミュレーション手法について説明する。
まず、各素子構造から共振器スペクトルRi(λ)を求める(iは素子番号でありi=1,2,3,4,5である。以下において同様とする。)。
共振器スペクトルは、発光層から全ての波長で同じ強度の光が発光した場合に素子から出力される光のスペクトルであり、発光層の発光スペクトルとは無関係に定まるものである。ここでは、共振器スペクトルを、吸収のある多層膜の内部発光計算を用いたシミュレーションにより求めた。具体的には、『光学薄膜の基礎理論』(小檜山光信著、オプトロニクス社)などを参考に外部入射の多層膜計算を行い、発光層内の位相差を別途計算することで内部発光を計算した。なお、同様の計算は、FLUXiM AG社のSETFOSのような内部発光計算ソフトウェアで再現することもできる。
Pi∝∫(S(λ)×Ri(λ))dλ
S'(λ)=S(λ−10nm)
Pi’∝∫(S'(λ)×Ri(λ))dλ
dPi/dT=(Pi'-Pi)/40
2)上記のようにして、5つの素子1〜5について、それぞれ単位温度当たりの光量変化dPi/dT(i=1,2,3,4,5)を求め、そのうちの最大値(Max(dPi/dT))と最小値(Min(dPi/dT))を抽出する。この最大値と最小値との差を温度特性のばらつき(温特ばらつき)δとする。
δ=Max(dPi/dT)−Min(dPi/dT)
DBR層を備えていないLEDについての発光光強度P0を求め、5つの素子1〜5についての発光倍率Pi/P0を求め、5つの素子の発光倍率の平均値を平均発光倍率Mとする。なお、以下において、平均発光倍率を単に発光倍率をいうことがある。
P0∝∫(S(λ))dλ
Pi/P0=∫(S(λ)×Ri(λ))dλ/∫(S(λ))dλ
M=[ΣPi/P0]/5
図1に示す構造の発光ダイオード(LED)であって、図7の表に具体的に示す層構成のLEDについて検討した。図7の表の各層がLEDにおけるどの機能層に相当するかについては図1に用いた符号を付して詳細な説明を省略する(以下において層構成を表で示す場合は同様とする。)。本検討のLEDは、GaAs基板10上に下部DBR層30、n型ドープ層(Al280)13、発光層(active)20、p型ドープ層(Al280)15、コンタクト層17および反射防止層(SiN)18を備えている。発光層20の厚みは発光層の屈折率naとしたときλ/2na(=108nm)である。なお図7の表中において、AlxGa1-xAs層についてはAlに続く数値x×1000で示している(以下において、同様である。)。例えば、Al900はAl0.9Ga0.1As低屈折率層であり、Al300はAl0.3Ga0.7As高屈折率層を示す。
次に、図7に示す層構成のLEDの下部DBR層30について、下部DBR層中のAl0.9Ga0.1As低屈折率層31のうち、最も発光層20に近い層No.1の厚みをλ/2n(=0.124μm)とし、さらにNo.2〜20のいずれかの厚みをλ/2n(=0.124μm)に変化させ2層目の位相変化層とした場合について、内部発光多層膜シミュレーションにより分析を行った。なお、1層目の位相変化層をNo.1に配置することにより、発光層に反射される光の位相をうまく調整する役割を有することが期待される。
また、下部DBR層中のNo.2〜20のいずれかを2層目の位相変化層とした時の、DBR反射設計中心波長(775nm)に対する反射率は表2に示す通りである。
既述の通り、下部DBR層の反射率のみの検討ではDBR中心を対称に上下で差は現れなかったが、全体の発光を考えると、発光層界面の反射などとの共振器を形成するために上下で差が現れた。ここでは、2層目の位相変化層を、発光層側を0、基板側を1として割合で示すと0.24〜0.46もしくは0.66〜0.82の範囲に配置すると温度特性のばらつきを0.2%/℃以下にできることが明らかになった。また、0.27〜0.39の範囲とすることにより温度特性のばらつきを0.1%/℃以下とすることができ、特に好ましいことが分かった。
次に、図11の表に示す層構成のLEDにおいて、下部DBR層30中のAl0.9Ga0.1As低屈折率層31のうち、No.1およびNo.7の厚みtを4nm〜292nmの範囲で12nmおきに変化させた場合について、それぞれ平均発光倍率と温度特性ばらつきを求めた。図11には、No.7の厚みt=0の場合とt=λ/2nの場合とについてNo.6〜No.8の層構成の模式断面図を併せて示している。結果を表4に示す。
図3に示す構造の発光ダイオード(LED)であって、発光層20より上層の層構成として図13の表に具体的に示す層構成を有するLEDについて検討した。発光層20より下層側の層構成はシミュレーション2のLEDと同一とした。図13の表の各層がLEDにおけるどの機能層に相当するかについては図3に用いた符号を付して詳細な説明を省略する。シミュレーション2と同様に、下部DBR層中のAl0.9Ga0.1As低屈折率層31のうち、最も発光層20に近い層No.1の厚みをλ/2n(=0.124μm)とし、さらにNo.2〜20のいずれかの厚みをλ/2n(=0.124μm)に変化させ2層目の位相変化層とした場合について、平均発光倍率と温度特性ばらつきを求めた。結果を表5に示す。
本シミュレーションにより、上部DBR層35を備えた素子構成においては、2層目の位相変化層を、発光層側を0、基板側を1として割合で示したとき0.22〜0.33の範囲に配置すると温度特性のばらつきを0.2%/℃以下にできることが明らかになった。
次に、図15の表に示す層構成のLEDについて検討した。本シミュレーション5では、シミュレーション3、図11に示した下部DBR層30においてNo.1およびNo.7の低屈折率層の厚みがλ/2n(=124nm)の位相変化層である構造を基本とし、No.7の低屈折率層の厚み方向中央位置にAl0.3Ga0.7As層34を挿入した構成について検討した。図15に模式的に示す通り、No.7の層をλ/4n(=62nm)ずつに分けて、その間に挿入したAl0.3Ga0.7As層34挿入した構成について、その層厚を5nm〜80nmの間で5nmずつ変化させた場合の平均発光倍率と温度特性ばらつきについて求めた。結果を表6に示す。
中間に挿入する層34の層厚Sが大きくなるほど温特のばらつきは大きくなり、層34の上下層と光学的な長さがほぼ等しくなる56nm付近で温特ばらつきの大きさが最大となる。一方で、層厚Sが15nm以下の厚みであれば、温特ばらつきを0.2%/℃以下にすることができることが明らかになった。すなわち、mλ/2nの厚みを有する位相変化層中に挿入層を備えても15nm以下であれば、十分に発光増強効果と温度特性のばらつき抑制効果を両立することができる。
以下の実施例および比較例について、それぞれ上述のシミュレーション手法により平均光量ばらつきおよび温度特性ばらつきを求めた。
実施例1は、シミュレーション2の図11に示す層構成において、No.1、No.7の低屈折率層の厚みtをλ/2nの厚みにしたLEDとした。この素子についてシミュレーションにより求められた共振器スペクトルを図17に示す。また、自然発光スペクトルおよび下部DBR層による発光ピーク波長に対する反射率、上部AR層による発光ピーク波長に対する反射率を図18に示す。
実施例2は、図19に示す層構成のLEDとした。本素子は、下部DBR層において、No.1、No.7の低屈折率層の下層の高屈折率層32を位相変化層としてλ/2n(=116nm)の膜厚に変化させたものである。本素子についてシミュレーションにより求められた共振器スペクトルを図20に示す。
実施例3は、シミュレーション5の図15に示す層構成において、No.7の低屈折率層中に挿入した層34の厚みSを10nmとしたLEDとした。
比較例1は、発光層20およびその下層は図7の表に示す層構成であり、発光層20より上層は図13に示す上部DBR層35を備えた層構成のLEDとした。すなわち、本素子は、19.5ペアの層からなる下部DBR層30、5ペアの層からなる上部DBR層35を備え、mλ/2nの位相変化層を備えていない素子である。本素子についてシミュレーションにより求められた共振器スペクトルを図21に示す。
比較例1は、図7の表に示す層構成とした。すなわち、本素子は、19.5ペアの層からなる下部DBR層を備え、発光層の上層にはDBR層を備えずAR構造を備えた素子であり、mλ/2nの位相変化層を備えていない素子である。本素子についてシミュレーションにより求められた共振器スペクトルを図22に示す。
10 基板
13 p型ドープ層
15 n型ドープ
17 n型コンタクト層
18 反射防止層
20 発光層
30 下部分布ブラッグ反射層
31 低屈折率層
32 高屈折率層
33 位相変化層
35 上部分布ブラッグ反射層
Claims (7)
- 少なくとも基板と、該基板上に設けられた下部分布ブラッグ反射層と、前記下部分布ブラッグ反射層上に設けられた発光層とを備え、所定の発光ピーク波長λの発光光を出力する半導体発光素子であって、
前記下部分布ブラッグ反射層中に、mλ/2nの厚みを有する位相変化層(ここで、nは該位相変化層の屈折率、mは1以上の整数である。)が少なくとも1層備えられており、
前記発光層の上層側に分布ブラッグ反射層を有さず、該発光層の上層側に反射防止層を備えていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記下部分布ブラッグ反射層中に、前記位相変化層を2層備えていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記下部分布ブラッグ反射層中に前記位相変化層を2層備え、
該2層のうちの一方が、前記下部分布ブラッグ反射層を構成する前記ペアのうち最も前記発光層側に配置されているペアを構成する前記低屈折率層および前記高屈折率層のいずれか一方からなり、
前記2層のうちの他方が、前記下部分布ブラッグ反射層を前記発光層側を0、基板側を1として割合で分けたときに、該下部分布ブラッグ反射層中の0.24〜0.46もしくは0.66〜0.82の範囲に存在していることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子 - 前記2層のうちの他方が、前記下部分布ブラッグ反射層中の0.27〜0.39の範囲に存在していることを特徴とする請求項3記載の半導体発光素子。
- 少なくとも基板と、該基板上に設けられた下部分布ブラッグ反射層と、前記下部分布ブラッグ反射層上に設けられた発光層とを備え、所定の発光ピーク波長λの発光光を出力する半導体発光素子であって、
前記発光層の上層に上部分布ブラッグ反射層を備えており、
前記下部分布ブラッグ反射層中に、mλ/2nの厚みを有する位相変化層(ここで、nは該位相変化層の屈折率、mは1以上の整数である。)を2層備えており、
該2層のうちの一方が、前記下部分布ブラッグ反射層を構成する前記ペアのうち最も前記発光層側に配置されているペアを構成する前記低屈折率層および前記高屈折率層のいずれか一方からなり、
前記2層のうちの他方が、前記下部分布ブラッグ反射層を前記発光層側を0、基板側を1として割合で分けたときに、該下部分布ブラッグ反射層中の0.22〜0.33の範囲に存在していることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記下部分布ブラッグ反射層が、厚みaの低屈折率層と厚みbの高屈折率層とが交互に2ペア以上積層されてなるものを基本とし、該下部分布ブラッグ反射層を構成する複数の前記低屈折率層および前記高屈折率層のいずれかが前記厚みaもしくはbとは異なる前記mλ/2nの厚みをする前記位相変化層を構成していることを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の半導体発光素子。
- 面発光型の発光ダイオードであることを特徴とする請求項1から6いずれか1項記載半導体発光素子。
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