WO2020170675A1 - 垂直共振器型発光素子 - Google Patents

垂直共振器型発光素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2020170675A1
WO2020170675A1 PCT/JP2020/001693 JP2020001693W WO2020170675A1 WO 2020170675 A1 WO2020170675 A1 WO 2020170675A1 JP 2020001693 W JP2020001693 W JP 2020001693W WO 2020170675 A1 WO2020170675 A1 WO 2020170675A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
refractive index
multilayer
low
light emitting
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/001693
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
大 倉本
静一郎 小林
Original Assignee
スタンレー電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by スタンレー電気株式会社 filed Critical スタンレー電気株式会社
Priority to EP20759298.1A priority Critical patent/EP3930121A4/en
Priority to US17/432,466 priority patent/US20220149595A1/en
Priority to CN202080015818.4A priority patent/CN113491045A/zh
Publication of WO2020170675A1 publication Critical patent/WO2020170675A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04252—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material
    • H01S5/04253—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the material having specific optical properties, e.g. transparent electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H01S5/18369—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on dielectric materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
    • H01S5/209—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques special etch stop layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/16—Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
    • H01S2301/166—Single transverse or lateral mode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18341—Intra-cavity contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18344—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
    • H01S5/18347—Mesa comprising active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2004—Confining in the direction perpendicular to the layer structure
    • H01S5/2009—Confining in the direction perpendicular to the layer structure by using electron barrier layers

Definitions

  • the present invention relates to a vertical cavity surface emitting laser such as a vertical cavity surface emitting laser.
  • the emission pattern is stable, for example, the far-field pattern is stable.
  • a resonator capable of generating light of a desired transverse mode is preferably formed in the vertical resonator type light emitting element. For example, by generating a laser beam of a fundamental eigenmode, a far-field image of a single-peaked high-power laser beam with a narrow emission angle can be obtained.
  • FIG. 3 is a top view of the surface emitting laser according to Example 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the surface emitting laser according to Example 1.
  • FIG. 5 is a side view of a second multilayer-film reflective mirror in the surface-emitting laser according to Example 1.
  • FIG. 5A to 5D are diagrams showing a method of manufacturing the surface emitting laser according to the first embodiment.
  • 5A to 5D are diagrams showing a method of manufacturing the surface emitting laser according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing the degree of mirror loss in the first multilayer film of the second multilayer film reflecting mirror in the surface emitting laser according to Example 1.
  • 5 is a top view of the surface emitting laser according to Example 2.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a surface emitting laser according to Example 2.
  • FIG. 7 is a top view of a surface emitting laser according to a third embodiment.
  • 5 is a cross-sectional view of a surface emitting laser according to Example 3.
  • FIG. 9 is a side view of a second multilayer-film reflective mirror in the surface emitting laser according to Example 3.
  • FIG. 1 is a schematic top view of a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser, hereinafter referred to as a surface emitting laser) according to the first embodiment.
  • VCSEL Vertical Cavity Surface Emitting Laser
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the surface emitting laser 10.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line 2-2 of FIG. The configuration of the surface emitting laser 10 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
  • the surface emitting laser 10 has a substrate 11 and a first multilayer-film reflective mirror (hereinafter, simply referred to as a first reflective mirror) 12 formed on the substrate 11.
  • the first reflecting mirror 12 is formed on the substrate 11 and has a lower refractive index than the first semiconductor film (hereinafter, referred to as a high refractive index semiconductor film) H1 and the high refractive index semiconductor film H1.
  • the first reflecting mirror 12 constitutes a distributed Bragg reflector (DBR) made of a semiconductor material.
  • DBR distributed Bragg reflector
  • the n-type semiconductor layer 13 has a composition of GaN and contains Si as an n-type impurity.
  • the light emitting layer 14 has a quantum well structure including a well layer having a composition of InGaN and a barrier layer having a composition of GaN.
  • the p-type semiconductor layer 15 has a GaN-based composition and contains Mg as a p-type impurity.
  • the configuration of the light emitting structure layer EM1 is not limited to this.
  • the n-type semiconductor layer 13 may include a plurality of n-type semiconductor layers having different compositions.
  • the p-type semiconductor layer 15 may have a plurality of p-type semiconductor layers having different compositions.
  • the p-type semiconductor layer 15 has a convex portion 15A on the upper surface.
  • the convex portion 15A has a cylindrical shape.
  • the surface-emitting laser 10 also has an insulating layer (first insulating layer) 16 formed on the upper surface of the p-type semiconductor layer 15 other than the convex portions 15A.
  • the insulating layer 16 is made of a material that is transparent to the light emitted from the light emitting layer 14 and has a refractive index lower than that of the p-type semiconductor layer 15 (recess 15A), for example, an oxide such as SiO 2. Become.
  • the p-type semiconductor layer 15 is exposed from the insulating layer 16 on the upper end surface of the convex portion 15A.
  • the surface emitting laser 10 has a second multilayer-film reflective mirror (hereinafter, simply referred to as a second reflective mirror) 19 formed on the insulating layer 18.
  • the second reflecting mirror 19 is arranged at a position facing the first reflecting film 12 with the light emitting structure layer EM1 interposed therebetween.
  • the second reflecting mirror 19 constitutes, together with the first reflecting mirror 12, a resonator OC1 having a resonator length direction in a direction perpendicular to the light emitting structure layer EM1 (direction perpendicular to the substrate 11).
  • the second reflecting mirror 19 constitutes a distributed Bragg reflector (DBR) made of a dielectric material.
  • DBR distributed Bragg reflector
  • the high refractive index dielectric film H2 is made of an Nb 2 O 5 film and the low refractive index dielectric film L2 is made of a SiO 2 film.
  • the intermediate dielectric film 19C is formed in the second reflecting mirror 19 in the middle of the high refractive index dielectric film H2.
  • the first multilayer film 19A has a high-refractive-index dielectric film (hereinafter, referred to as a first low-film) having a thickness half that of the high-refractive-index dielectric film H2 on the upper surface thereof. Thick high refractive index dielectric film) H21.
  • the intermediate dielectric film 19C is formed on the first low-thickness, high-refractive index dielectric film H21.
  • the second multilayer film 19B has a high-refractive index dielectric film (second high-refractive index dielectric film) H21 at the interface with the intermediate dielectric film 19C.
  • the second multilayer film 19B has a width smaller than that of the intermediate dielectric film 19C.
  • the second multilayer film 19B is formed coaxially with the first multilayer film 19A and the intermediate dielectric film 19C, and is smaller than the first multilayer film 19A and the intermediate dielectric film 19C. It has a cylindrical shape with a diameter.
  • the surface emitting laser 10 has a cross-sectional shape corresponding to the shape of the first multilayer film 19A of the second reflecting mirror 19, and a cylindrical shape in the present embodiment. It has a resonator OC1.
  • the surface emitting laser 10 has a metal film 20 formed on the second reflecting mirror 19.
  • the metal film 20 has reflectivity for the light emitted from the light emitting layer 14.
  • the metal film 20 includes a first metal film 21 that covers the upper surface of the second multilayer film 19B and a second metal film 22 that covers the upper surface region of the intermediate dielectric film 19C exposed from the second multilayer film 19B. And, including.
  • the metal film 20 is made of a metal material such as Ti, Cr, Ni, Pt, Au, Sn.
  • the surface emitting laser 10 also has first and second electrodes E1 and E2 for applying a current to the light emitting structure layer EM1.
  • the first electrode E1 is formed on the n-type semiconductor layer 13.
  • the second electrode E2 is formed on the transparent electrode layer 17.
  • the light emitting region of the light emitting layer 14 is, for example, a region having a predetermined width in the light emitting layer 14 in which light having a predetermined intensity or higher is emitted, and the center thereof is the light emission center. Further, for example, the light emitting region of the light emitting layer 14 is a region in the light emitting layer 14 into which a current having a predetermined density or more is injected, and the center thereof is the light emitting center.
  • a straight line that passes through the emission center and is perpendicular to the substrate 11 is the central axis CA.
  • the central axis CA is a straight line extending along the resonator length direction of the resonator OC1 constituted by the first and second reflecting mirrors 12 and 19.
  • the center axis CA corresponds to the optical axis of the laser light emitted from the surface emitting laser 10.
  • FIG. 3 is a side view of the second reflecting mirror 19.
  • the detailed configuration of the second reflecting mirror 19 will be described with reference to FIG.
  • the low-refractive-index dielectric film L2 and the high-refractive-index dielectric film H2 are stacked four times in this order on the insulating layer 18, and the uppermost low-refractive-index dielectric film L2. It has a structure in which the first low-film-thickness high-refractive-index dielectric layer H21 is formed thereon.
  • the intermediate dielectric film 19C has a smaller etching rate than the other dielectric films in the second reflecting mirror 19. Therefore, when the second multilayer film 19BP is etched, the etching can be reliably stopped in the middle of the intermediate dielectric film 19C. That is, for example, in the portion to be etched, the dielectric film at the bottom of the second multilayer film 19BP is not partially left, and the first multilayer film 19A is not partially etched, so that the second multilayer film 19BP can be stably Only the multilayer film 19BP can be etched.
  • the etching accuracy will be significantly stable. Therefore, the multilayer film can be processed so that the etching stops at the designed depth position or the designed film position. In this embodiment, the reflection characteristic of the second reflecting mirror 19 can be adjusted stably.
  • the metal film 20 is formed on the intermediate dielectric film 19C and the second multilayer film 19B (step 5).
  • the first and second electrodes E1 and E2 are formed on the n-type semiconductor layer 13 and the p-type semiconductor layer 15 of the light emitting structure layer EM1 (step 6). In this way, the surface emitting laser 10 can be manufactured.
  • the high-refractive-index dielectric film H2 of the sixth pair is divided into the first and second low-thickness high-refractive-index dielectric films H21(6).
  • the intermediate dielectric film 19C between the two so that the etching is stopped in the middle of the process, the second multilayer film 19B can be stably removed, and a large mirror loss can be caused at the removed portion. it can.
  • the second multilayer film 19B is formed in the central portion of the first multilayer film 19A within the plane of the first multilayer film 19A. That is, the second multilayer film 19B is removed from the outer peripheral portion of the first multilayer film 19A.
  • the first and second multilayer films 19A and 19B are provided on the central axis CA of the resonator OC1. As a result, it is possible to stably increase the mirror loss in the peripheral region of the region including the central axis CA of the resonator OC1.
  • the second reflecting mirror 19 is a DBR made of a dielectric material.
  • the second reflecting mirror 19 may be a multilayer-film reflecting mirror, and its material is not limited to a dielectric.
  • the position of the intermediate dielectric film 19C may be provided at any preferable position in the second reflecting mirror 19.
  • the upper surface of the second reflecting mirror 19 is covered with the metal film 20, between the first and second low-thickness high-refractive index films H21 provided in the first and second multilayer films 19A and 19B, respectively. Is preferably provided in the.
  • the low-refractive-index dielectric film L2 is provided closest to the substrate 11 in the first multilayer film 19A, and the high-refractive index dielectric film L2 is provided near the intermediate dielectric film 19C in the first multilayer film 19A.
  • a low-thickness high-refractive-index dielectric film H21 made of a refractive index material and having a smaller film thickness than the high-refractive-index dielectric film H2 is provided.
  • the intermediate dielectric film 19C has a thickness based on 1/2 of the wavelength of the light emitted from the light emitting layer 14 in the intermediate dielectric film 19C. Therefore, it is possible to provide the surface emitting laser 10 (vertical cavity type light emitting element) capable of emitting stable transverse mode light.
  • the second reflecting mirror 31 is replaced with the second reflecting mirror 19B of the second reflecting mirror 19 and has a second multilayer film 31A formed in a ring shape on the upper surface of the intermediate dielectric film 19C.
  • the second multilayer film 31A has a high-refractive index dielectric film H2 and a low-refractive index dielectric film L2 formed in an annular shape.
  • the metal film 32 is formed on the intermediate dielectric film 19C and the second multilayer film 31A including the upper surface of the intermediate dielectric film 31A exposed from the second multilayer film 31 inside the second multilayer film 31. Has been done.
  • FIG. 8 is a top view of the surface emitting laser 40 according to the third embodiment.
  • FIG. 9 is a sectional view of the surface emitting laser 40.
  • the surface emitting laser 40 has the same configuration as the surface emitting laser 10 except for the configuration of the second reflecting mirror 41. In the surface emitting laser 40, the second reflecting mirror 41 is optically exposed on the upper surface.
  • the second reflecting mirror 41 includes a first multilayer film 41A having a low refractive index layer L2 on the uppermost surface and an intermediate layer formed on the low refractive index layer L2 of the first multilayer film 41A. It has a dielectric film 41C and a second multilayer film 41B formed on the intermediate dielectric film 41C and having a high refractive index layer H2 at the interface with the intermediate dielectric film 41C. Further, no metal film is provided on the upper surfaces of the second multilayer film 41B and the intermediate dielectric film 41C, and they are optically exposed.
  • the intermediate dielectric film 41C is the high-refractive-index dielectric film that is the fifth pair from the upper surface of the second multilayer film 41B in the second reflecting mirror 41. It is formed between H2(5) and the sixth low-refractive-index dielectric film L2(6).
  • the upper surface of the second reflecting mirror 41 is optically exposed, and the light reflection condition at the end face is different from the case where a metal film is provided.
  • a large mirror loss can be generated by providing the intermediate dielectric film 41C at the above position and etching. Therefore, for example, a single-peaked laser beam can be stably emitted.
  • the second multilayer film 41B has five low-refractive-index dielectric films L2 and high-refractive-index dielectric films H2, respectively, and the low-refractive-index dielectric film L2.
  • the high-refractive-index dielectric film H2 and the high-refractive-index dielectric film H2 have a film thickness (for example, ⁇ x It is preferable to have a film thickness satisfying /4n (x is a natural number).
  • a reflecting mirror having a preferable reflection characteristic is formed. It is possible to provide, for example, stable lateral mode surface emitting lasers 10, 30 and 40 (vertical cavity type light emitting device).

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

基板と、基板上に形成された第１の多層膜反射鏡と、第１の多層膜反射鏡上に形成され、発光層を含む発光構造層と、発光構造層上に形成され、第１の多層膜反射鏡との間で共振器を構成する第２の多層膜反射鏡と、を有し、第２の多層膜反射鏡は、低屈折率材料からなる低屈折率膜と低屈折率材料よりも大きな屈折率を有する高屈折率材料からなる高屈折率膜とが交互に積層された第１の多層膜と、第１の多層膜の上面を覆いかつ発光層から放出された光に対して透光性を有する中間膜と、中間膜の上面を部分的に覆うように形成され、低屈折率材料からなる低屈折率膜と高屈折率材料からなる高屈折率膜とが交互に積層された第２の多層膜と、を含み、中間膜は、発光層から放出される光の中間膜内の波長の１／２に基づいた膜厚を有する。

Description

垂直共振器型発光素子
　本発明は、垂直共振器型面発光レーザなどの垂直共振器型発光素子に関する。
　垂直共振器型面発光レーザ（以下、単に面発光レーザと称する）は、基板上に積層された多層膜からなる反射鏡を有し、当該基板の表面に垂直な方向に沿って光を出射する半導体レーザである。例えば、特許文献１には、窒化物半導体を用いた面発光レーザが開示されている。
特許第5707742号公報
　例えば、面発光レーザなどの垂直共振器型発光素子においては、発光パターンが安定していること、例えば遠視野像が安定していることが好ましい。このためには、例えば、垂直共振器型発光素子内には、所望の横モードの光を生成できる共振器が構成されていることが好ましい。例えば、基本固有モードのレーザ光を生成することで、放射角が狭く、単峰性な高出力のレーザ光の遠視野像を得ることができる。
　本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、安定した横モードの光を出射することが可能な垂直共振器型発光素子を提供することを目的としている。
　本発明による垂直共振器型発光素子は、基板と、基板上に形成された第１の多層膜反射鏡と、第１の多層膜反射鏡上に形成され、発光層を含む発光構造層と、発光構造層上に形成され、第１の多層膜反射鏡との間で共振器を構成する第２の多層膜反射鏡と、を有し、第２の多層膜反射鏡は、低屈折率材料からなる低屈折率膜と低屈折率材料よりも大きな屈折率を有する高屈折率材料からなる高屈折率膜とが交互に積層された第１の多層膜と、第１の多層膜の上面を覆いかつ発光層から放出された光に対して透光性を有する中間膜と、中間膜の上面を部分的に覆うように形成され、低屈折率材料からなる低屈折率膜と高屈折率材料からなる高屈折率膜とが交互に積層された第２の多層膜と、を含み、中間膜は、発光層から放出される光の中間膜内の波長の１／２に基づいた膜厚を有することを特徴としている。
実施例１に係る面発光レーザの上面図である。 実施例１に係る面発光レーザの断面図である。 実施例１に係る面発光レーザにおける第２の多層膜反射鏡の側面図である。 実施例１に係る面発光レーザの製造方法を示す図である。 実施例１に係る面発光レーザの製造方法を示す図である。 実施例１に係る面発光レーザにおける第２の多層膜反射鏡の第１の多層膜内でのミラー損失の程度を示す図である。 実施例２に係る面発光レーザの上面図である。 実施例２に係る面発光レーザの断面図である。 実施例３に係る面発光レーザの上面図である。 実施例３に係る面発光レーザの断面図である。 実施例３に係る面発光レーザにおける第２の多層膜反射鏡の側面図である。
　以下、本発明の実施例について詳細に説明する。また、以下の実施例においては、本発明が面発光レーザ（半導体レーザ）として実施される場合について説明する。しかし、本発明は、面発光レーザに限定されず、垂直共振器型発光ダイオードなど、種々の垂直共振器型発光素子に適用することができる。
　図１は、実施例１に係る垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser、以下、面発光レーザと称する）の模式的な上面図である。また、図２は、面発光レーザ１０の断面図である。図２は、図１の２－２線に沿った断面図である。図１及び図２を用いて、面発光レーザ１０の構成について説明する。
　面発光レーザ１０は、基板１１と、基板１１上に形成された第１の多層膜反射鏡（以下、単に第１の反射鏡と称する）１２と、を有する。本実施例においては、第１の反射鏡１２は、基板１１上に形成され、第１の半導体膜（以下、高屈折率半導体膜と称する）Ｈ１と高屈折率半導体膜Ｈ１よりも低い屈折率を有する第２の半導体膜（以下、低屈折率半導体膜と称する）Ｌ１とが交互に積層された構造を有する。本実施例においては、第１の反射鏡１２は、半導体材料からなる分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）を構成する。
　本実施例においては、基板１１は、ＧａＮの組成を有する。また、基板１１は、第１の反射鏡１２の結晶成長に用いられる成長用基板である。また、第１の反射鏡１２における高屈折率半導体膜Ｈ１はＧａＮの組成を有し、低屈折率半導体膜Ｌ１はＡｌＩｎＮの組成を有する。なお、本実施例においては、基板１１と第１の反射鏡１２との間にはＧａＮの組成を有するバッファ層（図示せず）が設けられている。
　面発光レーザ１０は、第１の反射鏡１２上に形成され、発光層１４を含む発光構造層ＥＭ１を有する。本実施例においては、発光構造層ＥＭ１は、窒化物系半導体からなる複数の半導体層を含む。発光構造層ＥＭ１は、第１の反射鏡１２上に形成されたｎ型半導体層（第１の半導体層）１３と、ｎ型半導体層１３上に形成された発光層（活性層）１４と、発光層１４上に形成されたｐ型半導体層（第２の半導体層）１５と、を有する。
　本実施例においては、ｎ型半導体層１３は、ＧａＮの組成を有し、Ｓｉをｎ型不純物として含む。発光層１４は、ＩｎＧａＮの組成を有する井戸層及びＧａＮの組成を有する障壁層を含む量子井戸構造を有する。また、ｐ型半導体層１５は、ＧａＮ系の組成を有し、Ｍｇをｐ型不純物として含む。
　なお、発光構造層ＥＭ１の構成はこれに限定されない。例えば、ｎ型半導体層１３は、互いに組成が異なる複数のｎ型の半導体層を有していてもよい。また、ｐ型半導体層１５は、互いに組成が異なる複数のｐ型の半導体層を有していてもよい。
　例えば、ｐ型半導体層１５は、発光層１４との界面に、発光層１４に注入された電子のｐ型半導体層１５へのオーバーフローを防止する電子ブロック層（図示せず）として、例えばＡｌＧａＮ層を有していてもよい。また、ｐ型半導体層１５は、電極とのオーミックコンタクトを形成するためのコンタクト層（図示せず）を有していてもよい。この場合、例えば、ｐ型半導体層１５は、当該電子ブロック層及びコンタクト層間に、クラッド層としてのＧａＮ層を有していればよい。
　また、本実施例においては、ｐ型半導体層１５は、上面に凸部１５Ａを有する。本実施例においては、凸部１５Ａは、円柱形状を有する。また、面発光レーザ１０は、ｐ型半導体層１５の凸部１５Ａ以外の上面上に形成された絶縁層（第１の絶縁層）１６を有する。絶縁層１６は、発光層１４から放出された光に対して透光性を有し、ｐ型半導体層１５（凹部１５Ａ）よりも低い屈折率を有する材料、例えば、ＳｉＯ２などの酸化物からなる。ｐ型半導体層１５は、凸部１５Ａの上端面において絶縁層１６から露出している。
　面発光レーザ１０は、絶縁層１６上に形成され、ｐ型半導体層１５の凸部１５Ａにおいてｐ型半導体層１５に接続された透光電極層１７を有する。透光電極層１７は、発光層１４から放出された光に対して透光性を有する導電性の膜である。透光電極層１７は、絶縁層１６の上面及びｐ型半導体層１５の凸部１５Ａの上端面に接触している。例えば、透光電極層１７は、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの金属酸化膜からなる。
　絶縁層１６は、透光電極層１７を介して発光構造層ＥＭ１に注入される電流を狭窄する電流狭窄層として機能する。具体的には、ｐ型半導体層１５における凸部１５Ａの外側の上面領域は、絶縁層１６に覆われることで、他の領域よりも高い電気抵抗を有する高抵抗領域として機能する。従って、発光構造層ＥＭ１内の電流路は、ｐ型半導体層１５の凸部１５Ａの領域に狭窄される。
　面発光レーザ１０は、透光電極層１７上に形成された絶縁層（第２の絶縁層）１８を有する。例えば、絶縁層１８は、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２などの絶縁性の金属酸化物からなる。また、絶縁層１８は、発光層１４から放出された光に対して透光性を有する。
　面発光レーザ１０は、絶縁層１８上に形成された第２の多層膜反射鏡（以下、単に第２の反射鏡と称する）１９を有する。第２の反射鏡１９は、発光構造層ＥＭ１を挟んで第１の反射膜１２に対向する位置に配置されている。第２の反射鏡１９は、第１の反射鏡１２との間で、発光構造層ＥＭ１に垂直な方向（基板１１に垂直な方向）を共振器長方向とする共振器ＯＣ１を構成する。
　本実施例においては、第２の反射鏡１９は、第１の誘電体膜（以下、高屈折率誘電体膜と称する）Ｈ２と高屈折率誘電体膜Ｈ２よりも低い屈折率を有する第２の誘電体膜（以下、低屈折率誘電体膜と称する）Ｌ２とが交互に積層された構造を有する。
　すなわち、本実施例においては、第２の反射鏡１９は、誘電体材料からなる分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）を構成する。例えば、本実施例においては、高屈折率誘電体膜Ｈ２はＮｂ２Ｏ５膜からなり、低屈折率誘電体膜Ｌ２はＳｉＯ２膜からなる。
　また、本実施例においては、第２の反射鏡１９は、各々が複数の高屈折誘電体膜Ｈ２及び低屈折率誘電体膜Ｌ２を含む第１及び第２の誘電体多層膜（以下、第１及び第２の多層膜と称する）１９Ａ及び１９Ｂと、第１及び第２の多層膜１９Ａ及び１９Ｂ間に形成され、高屈折率誘電体膜Ｈ２及び低屈折率誘電体膜Ｌ２よりも小さなエッチング速度を有する中間誘電体膜（中間膜）１９Ｃと、を有する。
　中間誘電体膜１９Ｃは、例えば、Ａｌ２Ｏ３膜からなり、例えばＮｂ２Ｏ５膜及びＳｉＯ２膜の１／１０以下のドライエッチングに対するエッチング速度を有する。また、中間誘電体膜１９Ｃの他の例としては、ＡｌＮ膜が挙げられる。
　本実施例においては、中間誘電体膜１９Ｃは、第２の反射鏡１９内において、高屈折率誘電体膜Ｈ２の中間に形成されている。具体的には、本実施例においては、第１の多層膜１９Ａは、その上面に、高屈折率誘電体膜Ｈ２の半分の膜厚の高屈折率誘電体膜（以下、第１の低膜厚高屈折率誘電体膜）Ｈ２１を有する。中間誘電体膜１９Ｃは、第１の低膜厚高屈折率誘電体膜Ｈ２１上に形成されている。また、第２の多層膜１９Ｂは、中間誘電体膜１９Ｃとの界面に高屈折率誘電体膜（第２の高屈折率誘電体膜）Ｈ２１を有する。
　また、第２の多層膜１９Ｂは、中間誘電体膜１９Ｃの面内方向において中間誘電体膜１９Ｃの内側に設けられている。本実施例においては、第１の多層膜１９Ａ及び中間誘電体膜１９Ｃは、同一の幅を有する。また、本実施例においては、第１の多層膜１９Ａ及び中間誘電体膜１９Ｃは、同一の直径を有する円柱形状を有する。
　また、第２の多層膜１９Ｂは、中間誘電体膜１９Ｃよりも小さな幅を有する。また、本実施例においては、第２の多層膜１９Ｂは、第１の多層膜１９Ａ及び中間誘電体膜１９Ｃと同軸に形成され、かつ第１の多層膜１９Ａ及び中間誘電体膜１９Ｃよりも小さな直径を有する円柱形状を有する。
　また、本実施例においては、図１に示すように、面発光レーザ１０は、第２の反射鏡１９の第１の多層膜１９Ａの形状に対応する断面形状、本実施例においては円柱形状の共振器ＯＣ１を有する。
　面発光レーザ１０は、第２の反射鏡１９上に形成された金属膜２０を有する。本実施例においては、金属膜２０は、発光層１４から放出される光に対して反射性を有する。また、金属膜２０は、第２の多層膜１９Ｂの上面を覆う第１の金属膜２１と、中間誘電体膜１９Ｃの第２の多層膜１９Ｂから露出した上面領域を覆う第２の金属膜２２と、を含む。例えば、金属膜２０は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｎなどの金属材料からなる。
　また、面発光レーザ１０は、発光構造層ＥＭ１に電流を印加する第１及び第２の電極Ｅ１及びＥ２を有する。第１の電極Ｅ１は、ｎ型半導体層１３上に形成されている。また、第２の電極Ｅ２は、透光電極層１７上に形成されている。
　第１及び第２の電極Ｅ１及びＥ２間に電圧が印加されると、発光構造層ＥＭ１の発光層１４から光が放出される。発光層１４から放出された光は、第１及び第２の反射鏡１２及び１９間において反射を繰り返し、共振状態に至る（レーザ発振を行う）。
　また、本実施例においては、第１の反射鏡１２は、第２の反射鏡１９よりもわずかに低い反射率を有する。従って、第１及び第２の反射鏡１２及び１９間で共振した光は、その一部が第１の反射鏡１２及び基板１１を透過し、外部に取出される。このようにして、面発光レーザ１０は、基板１１に及び発光構造層ＥＭ１に垂直な方向に光を出射する。
　なお、発光構造層ＥＭ１における電流狭窄部であるｐ型半導体層１５の凸部１５Ａは、発光層１４における発光領域を画定し、その中心を通る軸である共振器ＯＣ１の中心軸（発光中心軸）ＣＡを画定する。例えば、共振器ＯＣ１の中心軸ＣＡは、ｐ型半導体層１５の凸部１５Ａの中心を通り、ｐ型半導体層１５（発光構造層ＥＭ１）に垂直な方向に沿って延びる。
　なお、発光層１４の発光領域とは、例えば、発光層１４内における所定の強度以上の光が放出される所定の幅の領域であり、その中心が発光中心である。また、例えば、発光層１４の発光領域とは、発光層１４内において所定の密度以上の電流が注入される領域であり、その中心が発光中心である。また、当該発光中心を通る基板１１に垂直な直線が中心軸ＣＡである。中心軸ＣＡは、第１及び第２の反射鏡１２及び１９によって構成される共振器ＯＣ１の共振器長方向に沿って延びる直線である。また、中心軸ＣＡは、面発光レーザ１０から出射されるレーザ光の光軸に対応する。
　ここで、面発光レーザ１０における各層の例示的な構成について説明する。本実施例においては、第１の反射鏡１２は、４４ペアのＧａＮ層及びＡｌＩｎＮ層からなる。ｎ型半導体層１３は、６５０ｎｍの層厚を有する。発光層１４は、４ｎｍのＩｎＧａＮ層及び５ｎｍのＧａＮ層が３回積層された多重量子井戸構造の活性層からなる。第２の反射鏡１９は、１０．５ペアのＮｂ２Ｏ５層及びＳｉＯ２層からなる。
　また、ｐ型半導体層１５は、凸部１５Ａの領域において５０ｎｍの層厚を有する。ｐ型半導体層１５は、凸部１５Ａ以外の領域において３０ｎｍの層厚を有する。凸部１５Ａは、８μｍの外径を有する。また、絶縁層１６は、２０ｎｍの層厚を有する。絶縁層１６の上面は、ｐ型半導体層１５の凸部１５Ａの上端面と同一の高さ位置に配置されるように構成されている。なお、これらは一例に過ぎない。
　図３は、第２の反射鏡１９の側面図である。図３を用いて、第２の反射鏡１９の詳細な構成について説明する。まず、第１の多層膜１９Ａは、絶縁層１８上に低屈折率誘電体膜Ｌ２及び高屈折率誘電体膜Ｈ２がこの順で４回積層され、その最も上の低屈折率誘電体膜Ｌ２上に第１の低膜厚高屈折率誘電体層Ｈ２１が形成された構造を有する。
　また、第２の多層膜１９Ｂは、中間誘電体膜１９Ｃ上に第２の低膜厚高屈折率誘電体膜Ｈ２１が形成され、その上に低屈折率誘電体膜Ｌ２及び高屈折率誘電体膜Ｈ２がこの順で５回積層され、その最も上の高屈折率誘電体膜Ｈ２上に低屈折率誘電体膜Ｌ２が形成された構造を有する。
　また、図３に示すように、本実施例においては、第２の反射鏡１９は、１０個の高屈折率誘電体膜Ｈ２と、１１個目の低屈折率誘電体膜Ｌ２とからなる。また、第１及び第２の低膜厚高屈折率誘電体膜Ｈ２１（６）は、最も上面側（金属膜２０側）から６つ目の高屈折率誘電体膜Ｈ２（６）の層厚を半分にして２つに分割した場合に相当する構成を有する。また、中間誘電体膜１９Ｃは、この第１及び第２の低膜厚高屈折率誘電体膜Ｈ２１（６）の間に形成されている。
　また、本実施例においては、低屈折率誘電体膜Ｌ２及び高屈折率誘電体膜Ｈ２は、発光層１４から放出される光の各誘電体膜内の波長の１／４に対応する膜厚を有する。例えば、各誘電体膜の屈折率を屈折率ｎ（実際には低屈折率誘電体膜Ｌ２と高屈折率誘電体膜Ｈ２とで異なる）とし、発光層１４から放出される光の波長を波長λとした場合、各誘電体膜は、λ／４ｎの膜厚を有する。
　一方、本実施例においては、第１及び第２の低膜厚高屈折率誘電体膜Ｈ２１（６）は、その半分であるλ／８ｎの膜厚を有する。また、本実施例においては、中間誘電体膜１９Ｃは、λ／２ｎの膜厚を有する。
　図４Ａ及び図４Ｂは、面発光レーザ１０の製造工程の一部を示す図である。図４Ａ及び図４Ｂを用いて、面発光レーザ１０の製造方法について説明する。まず、図４Ａは、第２の反射鏡１９となる多層膜である第１及び第２の多層膜１９Ａ及び１９ＢＰと中間誘電体膜１９Ｃとが形成された半導体ウェハの一部を示す断面図である。
　まず、基板１１となる半導体ウェハ上に、第１の反射鏡１２、発光構造層ＥＭ１、絶縁層１６、透光電極層１７及び絶縁層１８を形成する。そして、絶縁層１８上に、低屈折率誘電体膜Ｌ２及び高屈折率誘電体膜Ｈ２を複数回（本実施例においては５ペア）積層し、かつ第１の低膜厚高屈折率誘電体膜Ｈ２１を形成して、第１の多層膜１９Ａを形成する（工程１）。
　また、第１の多層膜１９Ａ上に、中間誘電体膜１９Ｃである高屈折率誘電体膜Ｈ２及び低屈折率誘電体膜Ｌ２よりも小さなエッチング速度を有する誘電体膜を形成する（工程２）。そして、中間誘電体膜１９Ｃ上に、第２の低膜厚高屈折率誘電体膜Ｈ２１を形成し、低屈折率誘電体膜Ｌ２及び高屈折率誘電体膜Ｈ２を５ペア積層し、かつ低屈折率誘電体膜Ｌ２を形成して、第２の多層膜１９ＢＰを形成する（工程３）。
　次に、図４Ｂは、第２の多層膜１９ＢＰに対してエッチングを行った後の半導体ウェハの一部を示す断面図である。第２の多層膜１９ＢＰを形成した後、第２の多層膜１９ＢＰに対してエッチングを行い、第２の多層膜１９ＢＰを部分的に除去し、中間誘電体膜１９Ｃを部分的に露出させる。本実施例においては、第２の多層膜１９ＢＰに対してドライエッチングを行う。これによって、第２の多層膜１９Ｂが形成され、第２の反射鏡１９を形成する（工程４）。
　ここで、中間誘電体膜１９Ｃは、第２の反射鏡１９内の他の誘電体膜よりも小さなエッチング速度を有する。従って、第２の多層膜１９ＢＰのエッチングを行った場合、エッチングを確実に中間誘電体膜１９Ｃの途中で停止することができる。すなわち、例えば、エッチングする部分において第２の多層膜１９ＢＰの底部の誘電体膜が一部残存したり、第１の多層膜１９Ａの一部がエッチングされたりすることなく、安定して第２の多層膜１９ＢＰのみをエッチングすることができる。
　従って、エッチングの精度が大幅に安定する。従って、設計上の深さ位置又は設計上の膜の位置でエッチングが停止するように、多層膜を加工することができる。本実施例においては、第２の反射鏡１９としての反射特性を安定して調節することができる。
　また、本実施例においては、第２の反射鏡１９を形成した後、中間誘電体膜１９Ｃ及び第２の多層膜１９Ｂ上に金属膜２０を形成する（工程５）。次いで、発光構造層ＥＭ１のｎ型半導体層１３及びｐ型半導体層１５上にそれぞれ第１及び第２の電極Ｅ１及びＥ２を形成する（工程６）。このようにして、面発光レーザ１０を製造することができる。
　図５は、第２の多層膜１９ＢＰの上面を基準としたエッチング深さ（位置）と、第２の反射鏡１９におけるミラー損失と、の関係を示す図である。図５に示すように、上面側から６ペア目の高屈折率誘電体膜Ｈ２の途中（例えば膜厚方向の中央）までエッチングを行うと、他の位置までエッチングを行う場合に比べ、著しく大きなミラー損失が生ずることがわかる。
　従って、本実施例における第２の反射鏡１９のように、６ペア目の高屈折率誘電体膜Ｈ２を第１及び第２の低膜厚高屈折率誘電体膜Ｈ２１（６）に分割し、その途中でエッチングが停止するように両者の間に中間誘電体膜１９Ｃを設けることで、安定して第２の多層膜１９Ｂを除去し、当該除去した部分で大きなミラー損失を生じさせることができる。
　本実施例においては、第２の多層膜１９Ｂは、第１の多層膜１９Ａの面内において第１の多層膜１９Ａの中央部分に形成されている。すなわち、第１の多層膜１９Ａの外周部分においては、第２の多層膜１９Ｂが除去されている。また、第１及び第２の多層膜１９Ａ及び１９Ｂは、共振器ＯＣ１の中心軸ＣＡ上に設けられている。これによって、共振器ＯＣ１の中心軸ＣＡを含む領域に対し、その周囲の領域のミラー損失を安定して大きくすることができる。
　これは、面発光レーザ１０の横モードを安定させることにつながる。具体的には、中心軸ＣＡ上の領域とその周囲の領域との間のミラー損失の差が小さい場合、面発光レーザ１０の発振モードが不安定になり、高次のモードでレーザ発振を行う場合がある。これは、ミラー損失の差が安定して形成されないことに起因する。
　そして、例えば本実施例のように、誘電体多層膜によって第２の反射鏡１９を形成する場合、一般には多層膜の部分的な除去によって中心軸ＣＡ上及びその周囲のミラー損失の差を形成する。しかし、その多層膜の除去量が不安定になると、図５に示すように、その残存する多層膜の深さ位置によっては、ほとんどミラー損失が生じなくなる。これが、発振モードのマルチモード化や不安定化につながる。
　これに対し、本実施例においては、中間誘電体膜１９Ｃのように、第２の反射鏡１９となる多層膜の好ましい位置にエッチングが極端に遅い膜を形成し、この上からエッチングを行うことで第２の多層膜１９ＢＰを部分的に除去する。従って、確実に好ましい位置でエッチングを停止することができ、好ましいミラー特性を有する第２の反射鏡１９を形成することができる。これによって、横モードが安定した面発光レーザ１０を提供することができる。
　なお、本実施例においては、第２の反射鏡１９が誘電体材料からなるＤＢＲである場合について説明した。しかし、第２の反射鏡１９は、多層膜反射鏡であればよく、その材料が誘電体に限定されない。
　また、第１及び第２の多層膜１９Ａ及び１９Ｂの構成についても、上記した場合に限定されない。例えば、第１の多層膜１９Ａは、低屈折率材料（例えば低屈折率誘電体材料）からなる低屈折率膜（低屈折率誘電体膜Ｌ２）と低屈折率材料よりも大きな屈折率を有する高屈折率材料（例えば高屈折率誘電体材料）からなる高屈折率膜（高屈折率誘電体膜Ｈ２）とが交互に積層された構造を有していればよい。
　また、第２の多層膜１９Ｂは、中間誘電体膜１９Ｃの上面を部分的に覆うように形成され、当該低屈折率材料からなる低屈折率膜（低屈折率誘電体膜Ｌ２）と当該高屈折率材料からなる高屈折率膜（高屈折率誘電体膜Ｈ２）とが交互に積層された構造を有していればよい。
　また、中間誘電体膜１９Ｃの膜厚についても、上記に限定されない。例えば、中間誘電体膜１９Ｃは、第２の反射鏡１９内におけるＤＢＲとしての条件を崩さない膜厚、発光層１４から放出された光が中間誘電体膜１９Ｃの他の層との界面で反転せずに素通りするような膜厚を有していればよい。例えば、中間誘電体膜１９Ｃは、発光層１４から放出される光における中間誘電体膜１９Ｃ内の波長の１／２に基づいた膜厚、例えばλｘ／２ｎ（ｘは自然数）を満たす膜厚を有していればよい。
　また、中間誘電体膜１９Ｃの位置についても、第２の反射鏡１９内において好ましい任意の位置に設けられていればよい。例えば、金属膜２０で第２の反射鏡１９の上面を覆う場合は、第１及び第２の多層膜１９Ａ及び１９Ｂにそれぞれ設けられた第１及び第２の低膜厚高屈折率膜Ｈ２１間に設けられることが好ましい。
　より具体的には、例えば、第１の多層膜１９Ａの最も基板１１側には低屈折率誘電体膜Ｌ２が設けられ、第１の多層膜１９Ａの最も中間誘電体膜１９Ｃ側には高屈折率材料からなりかつ高屈折率誘電体膜Ｈ２よりも小さな膜厚を有する低膜厚高屈折率誘電体膜Ｈ２１が設けられ、第２の多層膜１９Ｂの最も上面側には低屈折率誘電体膜Ｌ２が設けられ、第２の多層膜１９Ｂの最も中間誘電体膜１９Ｃ側には高屈折率材料からなりかつ高屈折率誘電体膜Ｈ２よりも小さな膜厚を有する低膜厚高屈折率誘電体膜Ｈ２１が設けられていることが好ましい。
　また、例えば、図３に示すように、第２の多層膜１９Ｂは、それぞれ５つの低屈折率誘電体膜Ｌ２及び高屈折率誘電体膜Ｈ２と、低膜厚高屈折率膜Ｈ２１と、を有することが好ましい。また、第１及び第２の多層膜１９Ａ及び１９Ｂにおける低屈折率誘電体膜Ｌ２及び高屈折率誘電体膜Ｈ２は、発光層１４から放出された光のそれぞれ低屈折率誘電体膜Ｌ２及び高屈折率誘電体膜Ｈ２内の波長の１／４に基づいた膜厚（例えばλｘ／４ｎ（ｘは自然数）を満たす膜厚）を有し、低膜厚高屈折率膜は、前記発光層から放出された光の前記低膜厚高屈折率膜内の波長の１／８に基づいた膜厚（例えばλｘ／８ｎ（ｘは自然数）を満たす膜厚）を有することが好ましい。
　また、本実施例においては、中間誘電体膜１９Ｃが高屈折率誘電体膜Ｈ２及び低屈折率誘電体膜Ｌ２よりも小さなエッチング速度を有する場合について説明した。しかし、中間誘電体膜１９Ｃは、例えば、確実にエッチングを停止できる程度の膜厚、例えば上記した膜厚を有している透光性の膜であればよく、エッチング速度が他の層よりも小さい膜である場合に限定されない。また、中間誘電体膜１９Ｃは、第１の多層膜１９Ａの上面を覆っていればよい。
　上記したように、本実施例においては、面発光レーザ１０は、基板１１と、基板１１上に形成された第１の多層膜反射鏡１２と、第１の多層膜反射鏡１２上に形成され、発光層１４を含む発光構造層ＥＭ１と、発光構造層ＥＭ１上に形成され、第１の多層膜反射鏡１２との間で共振器ＯＣ１を構成する第２の多層膜反射鏡１９と、を有する。
　また、第２の多層膜反射鏡１９は、低屈折率材料からなる低屈折率膜Ｌ２と低屈折率材料よりも大きな屈折率を有する高屈折率材料からなる高屈折率膜Ｈ２とが交互に積層された第１の多層膜１９Ａと、第１の多層膜１９Ａの上面を覆いかつ発光層１４から放出された光に対して透光性を有する中間誘電体膜１９Ｃと、中間誘電体膜１９Ｃの上面を部分的に覆うように形成され、低屈折率材料からなる低屈折率膜Ｌ２と高屈折率材料からなる高屈折率膜Ｈ２とが交互に積層された第２の多層膜１９Ｂと、を含む。
　また、中間誘電体膜１９Ｃは、発光層１４から放出される光の中間誘電体膜１９Ｃ内の波長の１／２に基づいた膜厚を有する。従って、安定した横モードの光を出射することが可能な面発光レーザ１０（垂直共振器型発光素子）を提供することができる。
　図６は、実施例２に係る面発光レーザ３０の上面図である。また、図７は、面発光レーザ３０の断面図である。図７は、図６の７－７線に沿った断面図である。面発光レーザ３０は、第２の反射鏡３１及び金属膜３２の構成を除いては、面発光レーザ３０と同様の構成を有する。
　本実施例においては、第２の反射鏡３１は、第２の反射鏡１９の第２の反射鏡１９Ｂに代えて、中間誘電体膜１９Ｃの上面におい環状に形成された第２の多層膜３１Ａを有する。本実施例においては、第２の多層膜３１Ａは、円環状に形成された高屈折率誘電体膜Ｈ２及び低屈折率誘電体膜Ｌ２を有する。
　また、金属膜３２は、第２の多層膜３１の内側において第２の多層膜３１から露出する中間誘電体膜３１Ａの上面を含め、中間誘電体膜１９Ｃ及び第２の多層膜３１Ａ上に形成されている。
　なお、本実施例においては、第２の多層膜３１Ａは、第２の多層膜１９Ｂと同様に、中間誘電体膜１９Ｃとの界面に第２の低膜厚高屈折率誘電体膜Ｈ２１を有する。中間誘電体膜１９Ｃは、第１及び第２の低膜厚高屈折率誘電体膜Ｈ２１間に形成されている。
　本実施例においては、さらに安定した横モードでレーザ発振を行う面発光レーザ３０を提供することができる。具体的には、本実施例においては、共振器ＯＣ１の中心軸ＣＡ上の領域においても高いミラー損失の領域が形成される。すなわち、共振器ＯＣ１内において、中心軸ＣＡを中心として環状に高反射特性の領域が形成される。
　これによって、当該環状の領域に光を閉じ込めつつレーザ発振を行わせることができる。従って、例えば、環状の領域の幅を調節することで、当該環状の領域で複数の固有モードを発現させることができる。
　例えば、第２の多層膜３１Ａは、７．５μｍの外径Ｗ１を有し、２．５μｍの内径Ｗ２を有する。例えばこのような環状の第２の多層膜３１Ａを形成することで、複数の位置の強度ピークを有する近視野像を生成することができる。また、このようなパターンの近視野像を有する光は、互いに干渉し合うことで、全体として狭角化されつつ出射される。すなわち、例えば、安定した単峰性のレーザ光を出射させることができる。
　このように、本実施例においては、中間誘電体膜１９Ｃを用いて環状の第２の多層膜３１Ａを有する第２の反射鏡３１を形成することができる。従って、ミラー損失が小さい領域を安定して環状に形成し、これによって横モードが安定した面発光レーザ３０を提供することができる。
　図８は、実施例３に係る面発光レーザ４０の上面図である。また、図９は、面発光レーザ４０の断面図である。面発光レーザ４０は、第２の反射鏡４１の構成を除いては、面発光レーザ１０と同様の構成を有する。また、面発光レーザ４０においては、第２の反射鏡４１は、上面において光学的に露出している。
　本実施例においては、第２の反射鏡４１は、最上面に低屈折率層Ｌ２を有する第１の多層膜４１Ａと、第１の多層膜４１Ａの低屈折率層Ｌ２上に形成された中間誘電体膜４１Ｃと、中間誘電体膜４１Ｃ上に形成され、中間誘電体膜４１Ｃとの界面に高屈折率層Ｈ２を有する第２の多層膜４１Ｂと、を有する。また、第２の多層膜４１Ｂ及び中間誘電体膜４１Ｃの上面には金属膜が設けられておらず、光学的に露出している。
　図１０は、第２の多層膜４１の側面図である。本実施例においては、第１の多層膜４１Ａは、５ペアの低屈折率誘電体膜Ｌ２及び高屈折率誘電体膜Ｈ２と、５つ目の低屈折率誘電体膜Ｌ２が積層された構造を有する。また、第２の多層膜４１Ｂは、５ペアの高屈折率誘電体層Ｈ２及び低屈折率誘電体膜Ｌ２とが積層された構造を有する。
　また、図１０に示すように、本実施例においては、中間誘電体膜４１Ｃは、第２の反射鏡４１内において、第２の多層膜４１Ｂの上面から５ペア目の高屈折率誘電体膜Ｈ２（５）と、６ペア目の低屈折率誘電体膜Ｌ２（６）との間に形成されている。
　本実施例においては、第２の反射鏡４１の上面が光学的に露出しており、その端面において光の反射条件が金属膜を設ける場合と異なる。この場合、上記のような位置に中間誘電体膜４１Ｃを設けてエッチングすることで、大きなミラー損失を生じさせることができる。従って、例えば単峰性のレーザ光を安定して出射させることができる。
　なお、本実施例においても、例えば実施例２に示すように、第２の多層膜４１Ｂが環状（筒状）に形成されていてもよい。この場合、実施例２と同様に、さらに安定した横モードでレーザ光を生成することができる。例えば、第２の多層膜４１Ｂを環状に形成する場合、そのサイズとしては、９μｍの外径Ｗ１と、３μｍの内径Ｗ２と、が挙げられる。
　また、本実施例においても、第１及び第２の多層膜４１Ａ及び４１Ｂの構成、並びに中間誘電体膜４１Ｃの構成についても上記した場合に限定されない。例えば、第２の反射鏡４１の上面を光学的に露出させる場合、第１の多層膜４１Ａの最も基板１１側には低屈折率誘電体膜Ｌ２が設けられ、第１の多層膜４１Ａの最も中間誘電体膜４１Ｃ側には低屈折率誘電体膜Ｌ２が設けられていること、及び、第２の多層膜４１Ｂの最も上面側には低屈折率誘電体膜Ｌ２が設けられ、第２の多層膜４１Ｂの最も中間誘電体膜４１Ｃ側には高屈折率誘電体膜Ｈ２が設けられていることが好ましい。
　また、例えば、図１０に示すように、第２の多層膜４１Ｂは、それぞれ５つの低屈折率誘電体膜Ｌ２及び高屈折率誘電体膜Ｈ２を有すること、及び、低屈折率誘電体膜Ｌ２及び高屈折率誘電体膜Ｈ２は、発光層１４から放出された光のそれぞれ低屈折率誘電体膜Ｌ２及び高屈折率誘電体膜Ｈ２内の波長の１／４に基づいた膜厚（例えばλｘ／４ｎ（ｘは自然数）を満たす膜厚）を有することが好ましい。
　また、上記した種々の実施例のように、第２の反射鏡１９、３１及び４１の内部に他の層よりも小さなエッチング速度を有する層を形成することで、好ましい反射特性の反射鏡を形成することができ、例えば安定した横モードの面発光レーザ１０、３０及び４０（垂直共振器型発光素子）を提供することができる。
１０、３０、４０　面発光レーザ（垂直共振器型発光素子）
ＥＭ１　発光構造層
１４　発光層
１９、３１、４１　第２の多層膜反射鏡

Claims (9)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に形成された第１の多層膜反射鏡と、
    　前記第１の多層膜反射鏡上に形成され、発光層を含む発光構造層と、
    　前記発光構造層上に形成され、前記第１の多層膜反射鏡との間で共振器を構成する第２の多層膜反射鏡と、を有し、
    　前記第２の多層膜反射鏡は、低屈折率材料からなる低屈折率膜と前記低屈折率材料よりも大きな屈折率を有する高屈折率材料からなる高屈折率膜とが交互に積層された第１の多層膜と、前記第１の多層膜の上面を覆いかつ前記発光層から放出された光に対して透光性を有する中間膜と、前記中間膜の上面を部分的に覆うように形成され、前記低屈折率材料からなる低屈折率膜と前記高屈折率材料からなる高屈折率膜とが交互に積層された第２の多層膜と、を含み、
    　前記中間膜は、前記発光層から放出される光の前記中間膜内の波長の１／２に基づいた膜厚を有することを特徴とする垂直共振器型発光素子。
  2. 　前記第１の多層膜の最も前記基板側には低屈折率膜が設けられ、前記第１の多層膜の最も前記中間膜側には前記高屈折率材料からなりかつ前記高屈折率膜よりも小さな膜厚を有する低膜厚高屈折率膜が設けられ、
    　前記第２の多層膜の最も上面側には低屈折率膜が設けられ、前記第２の多層膜の最も前記中間膜側には前記高屈折率材料からなりかつ前記高屈折率膜よりも小さな膜厚を有する低膜厚高屈折率膜が設けられ、
    　前記第２の多層膜及び前記中間膜の上面は金属膜に覆われていることを特徴とする請求項１に記載の垂直共振器型発光素子。
  3. 　前記第２の多層膜は、それぞれ５つの低屈折率膜及び高屈折率膜と、前記低膜厚高屈折率膜と、を有し、
    　前記第１及び第２の多層膜における前記低屈折率膜及び前記高屈折率膜は、前記発光層から放出された光のそれぞれ前記低屈折率膜及び前記高屈折率膜内の波長の１／４に基づいた膜厚を有し、
    　前記第１及び第２の多層膜における前記低膜厚高屈折率膜は、前記発光層から放出された光の前記低膜厚高屈折率膜内の波長の１／８に基づいた膜厚を有することを特徴とする請求項２に記載の垂直共振器型発光素子。
  4. 　前記第１の多層膜の最も前記基板側には低屈折率膜が設けられ、前記第１の多層膜の最も前記中間膜側には低屈折率膜が設けられ、
    　前記第２の多層膜の最も上面側には低屈折率膜が設けられ、前記第２の多層膜の最も前記中間膜側には高屈折率膜が設けられ、
    　前記第２の多層膜及び前記中間膜の上面は光学的に露出していることを特徴とする請求項１に記載の垂直共振器型発光素子。
  5. 　前記第２の多層膜は、それぞれ５つの低屈折率膜及び高屈折率膜を有し、
    　前記第１及び第２の多層膜における前記低屈折率膜及び前記高屈折率膜は、前記発光層から放出された光のそれぞれ前記低屈折率膜及び前記高屈折率膜内の波長の１／４に基づいた膜厚を有することを特徴とする請求項４に記載の垂直共振器型発光素子。
  6. 　前記第２の多層膜は、前記中間膜の上面において環状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の垂直共振器型発光素子。
  7. 　前記中間膜は、前記第２の多層膜の前記低屈折率膜及び前記高屈折率膜よりも小さなエッチング速度を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載の垂直共振器型発光素子。
  8. 　前記高屈折率膜、前記低屈折率膜及び前記中間膜は、誘電体膜からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つに記載の垂直共振器型発光素子。
  9. 　前記中間膜は、Ａｌ２Ｏ３膜又はＡｌＮ膜からなることを特徴とする請求項８に記載の垂直共振器型発光素子。
PCT/JP2020/001693 2019-02-21 2020-01-20 垂直共振器型発光素子 WO2020170675A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP20759298.1A EP3930121A4 (en) 2019-02-21 2020-01-20 VERTICAL CAVITY ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
US17/432,466 US20220149595A1 (en) 2019-02-21 2020-01-20 Vertical cavity surface emitting device
CN202080015818.4A CN113491045A (zh) 2019-02-21 2020-01-20 垂直腔面发光器件

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-029293 2019-02-21
JP2019029293A JP7258591B2 (ja) 2019-02-21 2019-02-21 垂直共振器型発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020170675A1 true WO2020170675A1 (ja) 2020-08-27

Family

ID=72143447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/001693 WO2020170675A1 (ja) 2019-02-21 2020-01-20 垂直共振器型発光素子

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220149595A1 (ja)
EP (1) EP3930121A4 (ja)
JP (1) JP7258591B2 (ja)
CN (1) CN113491045A (ja)
WO (1) WO2020170675A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7190865B2 (ja) * 2018-10-18 2022-12-16 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS577742B2 (ja) 1977-05-16 1982-02-12
US6751245B1 (en) * 1999-06-02 2004-06-15 Optical Communication Products, Inc. Single mode vertical cavity surface emitting laser
JP2005353623A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Ricoh Co Ltd 面発光レーザ及び光伝送システム
JP2014036027A (ja) * 2012-08-07 2014-02-24 Fuji Xerox Co Ltd 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
JP2016004944A (ja) * 2014-06-18 2016-01-12 古河電気工業株式会社 面発光レーザ素子
US20160134083A1 (en) * 2014-11-06 2016-05-12 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Mode Control in Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers
US20170214218A1 (en) * 2014-09-22 2017-07-27 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Single mode vertical-cavity surface-emitting laser
JP2017204579A (ja) * 2016-05-12 2017-11-16 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子及び垂直共振器型発光素子の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6845118B1 (en) * 1999-01-25 2005-01-18 Optical Communication Products, Inc. Encapsulated optoelectronic devices with controlled properties
JP3422413B2 (ja) * 1999-04-09 2003-06-30 日本電気株式会社 面発光型レーザアレイ及びその製造方法
US6727520B2 (en) * 2000-12-29 2004-04-27 Honeywell International Inc. Spatially modulated reflector for an optoelectronic device
JP4629949B2 (ja) 2002-04-05 2011-02-09 古河電気工業株式会社 面発光レーザ素子、面発光レーザ素子を用いたトランシーバ、光送受信器および光通信システム
GB2399940A (en) * 2003-03-25 2004-09-29 Sharp Kk Vertical cavity surface emitting laser
CN101432936B (zh) * 2004-10-01 2011-02-02 菲尼萨公司 具有多顶侧接触的垂直腔面发射激光器
JP2008211164A (ja) * 2007-01-29 2008-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体発光装置及びその製造方法
TW200929759A (en) * 2007-11-14 2009-07-01 Ricoh Co Ltd Surface emitting laser, surface emitting laser array, optical scanning device, image forming apparatus, optical transmission module and optical transmission system
JP2016027648A (ja) * 2014-06-30 2016-02-18 キヤノン株式会社 面発光レーザ、及び前記面発光レーザを用いた光干渉断層計
JP6743369B2 (ja) * 2014-11-12 2020-08-19 株式会社リコー 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS577742B2 (ja) 1977-05-16 1982-02-12
US6751245B1 (en) * 1999-06-02 2004-06-15 Optical Communication Products, Inc. Single mode vertical cavity surface emitting laser
JP2005353623A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Ricoh Co Ltd 面発光レーザ及び光伝送システム
JP2014036027A (ja) * 2012-08-07 2014-02-24 Fuji Xerox Co Ltd 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
JP2016004944A (ja) * 2014-06-18 2016-01-12 古河電気工業株式会社 面発光レーザ素子
US20170214218A1 (en) * 2014-09-22 2017-07-27 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Single mode vertical-cavity surface-emitting laser
US20160134083A1 (en) * 2014-11-06 2016-05-12 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Mode Control in Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers
JP2017204579A (ja) * 2016-05-12 2017-11-16 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子及び垂直共振器型発光素子の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3930121A4

Also Published As

Publication number Publication date
JP7258591B2 (ja) 2023-04-17
EP3930121A1 (en) 2021-12-29
EP3930121A4 (en) 2022-12-21
US20220149595A1 (en) 2022-05-12
JP2020136523A (ja) 2020-08-31
CN113491045A (zh) 2021-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7697588B2 (en) Structure having photonic crystal and surface-emitting laser using the same
KR100827120B1 (ko) 수직 단면 발광 레이저 및 그 제조 방법
JP2001156395A (ja) 面発光半導体レーザ素子
JP7212882B2 (ja) 垂直共振器型発光素子
US9368937B1 (en) Multimode vertical cavity surface emitting laser having narrow laser light emitting angle
JP2011151293A (ja) 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
JP7453489B2 (ja) 波長変換装置及び発光装置
WO2018221042A1 (ja) 発光素子および発光素子の製造方法
WO2017047317A1 (ja) 面発光レーザ
US20230072452A1 (en) Semiconductor laser element
TWI766008B (zh) 面發光半導體雷射及感測模組
KR100860696B1 (ko) 수직 공진형 표면 방출 레이저
EP1130720B1 (en) Surface-emission semiconductor laser
WO2020080160A1 (ja) 垂直共振器型発光素子
WO2020170675A1 (ja) 垂直共振器型発光素子
WO2021002198A1 (ja) 垂直共振器型発光素子
JP6015220B2 (ja) 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
WO2020080161A1 (ja) 垂直共振器型発光素子
US9025634B2 (en) Multimode vertical cavity surface emitting laser having narrow laser light emitting angle
JP2010045249A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP7081000B2 (ja) 垂直共振器型発光素子
JPWO2004082085A1 (ja) 多波長半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2006073823A (ja) 面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2007227861A (ja) 半導体発光素子
JP7227469B2 (ja) 垂直共振器面発光レーザ素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20759298

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020759298

Country of ref document: EP

Effective date: 20210921