JP2009070929A - 面発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【課題】出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い面発光ダイオードを提供する。
【解決手段】多層膜反射鏡14は、活性層22で発光させられる光の中心波長λC よりも長波長側に反射波長帯の中心波長λ1 を有する第1多層膜反射鏡16、および活性層22で発光させられる光の中心波長λC よりも短波長側に反射波長帯の中心波長λ2 を有する第2多層膜反射鏡18から構成されることから、環境温度の低温側或いは高温側への変化によって活性層22から出力される光の波長シフトが短波長側或いは長波長側へ発生したとしても、多層膜反射鏡14を構成する第1多層膜反射鏡16或いは第2多層膜反射鏡18により十分に反射されるので、光軸上の出力光の強度が低下することが抑制され、出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い面発光ダイオード10が得られる。
【選択図】図1
【解決手段】多層膜反射鏡14は、活性層22で発光させられる光の中心波長λC よりも長波長側に反射波長帯の中心波長λ1 を有する第1多層膜反射鏡16、および活性層22で発光させられる光の中心波長λC よりも短波長側に反射波長帯の中心波長λ2 を有する第2多層膜反射鏡18から構成されることから、環境温度の低温側或いは高温側への変化によって活性層22から出力される光の波長シフトが短波長側或いは長波長側へ発生したとしても、多層膜反射鏡14を構成する第1多層膜反射鏡16或いは第2多層膜反射鏡18により十分に反射されるので、光軸上の出力光の強度が低下することが抑制され、出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い面発光ダイオード10が得られる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体基板上に順次成長させられた多層膜反射層および活性層を備え、出力面から出力光を出力する面発光ダイオードに関するものである。
半導体基板上に順次成長させられた多層膜反射層および活性層を備え、出力面から出力光を出力する面発光ダイオードが知られている。たとえば、特許文献1に記載された発光ダイオードがそれである。このような面発光ダイオードは、その活性層において発生させられる光のうち半導体基板側へ向かった光が上記多層膜反射層によって出力面側へ反射されるので、比較的高い発光効率が得られ、光センサや光学式エンコーダ或いはプラスチック光ファイバ( POF)通信において光源として用いられる。
特開2003−008055号公報
しかしながら、発光ダイオードのスペクトルは、環境温度が高くなることによって長波長側へ波長が移動する所謂レッドシフトが発生する。このレッドシフトにより受光側の波長帯域を広帯域とする必要が生じたり、透過損失の小さい波長帯域の狭いPOF通信用には、発光ダイオードの発光波長を狭い範囲で精密に制御して製造する必要が生じる不都合があった。
本発明は以上の事情を背景として為されたものであり、その目的とするところは、出力光のピーク波長およびその強度が使用温度環境の影響を受け難い面発光ダイオードを提供することにある。
本発明者等は、以上の事情を背景として種々検討を重ねた結果、面発光ダイオードの活性層下に、活性層から発生する光のスペクトルの長波長側および短波長側の光をそれぞれ反射する複数の多層膜反射層を設けることにより実効的に光スペクトルを広帯域とし、環境温度の変化による波長シフトが出力光のピーク波長およびその強度に影響し難いことを見いだした。本発明はこのような知見に基づいて為されたものである。
請求項1にかかる発明の要旨とするところは、(a)半導体基板上に順次成長させられた多層膜反射鏡および活性層を備え、出力面から出力光を出力する面発光ダイオードであって、(b)前記多層膜反射鏡は、前記活性層で発光させられる光の中心波長よりも長波長側に反射波長帯の中心波長を有する第1多層膜反射鏡、および前記活性層で発光させられる光の中心波長よりも短波長側に反射波長帯の中心波長を有する第2多層膜反射鏡から構成されることにある。
また、請求項2に係る発明の要旨とするところは、請求項1に係る発明において、前記活性層は、ダブルヘテロ構造を有し相互に異なる井戸幅の複数の量子井戸層から成る量子井戸構造であることにある。
また、請求項3に係る発明の要旨とするところは、請求項1または2の発明において、前記活性層は、相互に異なるバンドギャップを有する複数の量子井戸層から構成されたものであることにある。
また、請求項4に係る発明の要旨とするところは、請求項1乃至3のいずれか1の発明において、前記活性層は、前記バンドギャップの大きさを順次変化するように傾斜させた量子井戸層を含むことにある。
また、請求項5に係る発明の要旨とするところは、請求項1乃至4のいずれか1の発明において、前記半導体基板上に積層された複数の層のうちの最上層の表面すなわち出力面に、光の反射を防止するための反射防止膜が設けられていることにある。
請求項1に係る発明の面発光ダイオードによれば、(a)半導体基板上に順次成長させられた多層膜反射鏡および活性層を備え、出力面から出力光を出力する面発光ダイオードであって、(b)前記多層膜反射鏡は、前記活性層で発光させられる光の中心波長よりも長波長側に反射波長帯の中心波長を有する第1多層膜反射鏡、および前記活性層で発光させられる光の中心波長よりも短波長側に反射波長帯の中心波長を有する第2多層膜反射鏡から構成されることから、環境温度の低温側或いは高温側への変化によって活性層から出力される光の波長シフトが短波長側或いは長波長側へ発生したとしても、多層膜反射鏡を構成する第1多層膜反射鏡或いは第2多層膜反射鏡により十分に反射されるので、光軸上の出力光の強度が低下することが抑制され、出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い面発光ダイオードを得ることができる。
また、請求項2に係る発明の面発光ダイオードによれば、前記活性層は、ダブルヘテロ構造を有し相互に異なる井戸幅の複数の量子井戸層から成る量子井戸構造であることから、活性層から出される光の波長帯が広く効率的に出される利点がある。また、上記活性層から出される光の波長帯が広くなるので、一層、出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い面発光ダイオードを得ることができる。
また、請求項3に係る発明の面発光ダイオードによれば、前記活性層は、相互に異なるバンドギャップを有する複数の量子井戸層から構成されたものであることから、活性層から出される光の波長帯が広くなるので、一層、出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い面発光ダイオードを得ることができる。
また、請求項4に係る発明の面発光ダイオードによれば、前記活性層は、バンドギャップの大きさを順次変化するように傾斜させた量子井戸層を含むものであることから、活性層から出される光の波長帯が複数のピークを形成することなく広くなり、出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い面発光ダイオードを得ることができる。
また、請求項5に係る発明の面発光ダイオードによれば、前記半導体基板上に積層された複数の層のうちの最上層の表面すなわち出力面に、光の反射を防止するための反射防止膜が設けられていることから、その出力面を通して出力される出力光に複数のピークが含まれることが緩和されるので、連続的なスペクトルの出力光が得られる利点がある。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。尚、以下の説明に用いる図面において各部の寸法比等は必ずしも正確に描かれていない。
図1は、本発明の一実施例である面発光ダイオード( LED発光素子) 10のチップ構造を示す図である。かかる面発光ダイオード10は、たとえば、GaAsから成る350μm程度の単結晶の半導体基板(GaAs基板)12上に、例えばMOCVD(有機金属化学気相蒸着)法等を用いたエピタキシャル成長により、多層状の多層膜反射鏡14、第1クラッド層20、活性層22、第2クラッド層30、キャップ層32が順次積層され、そのキャップ層32の上面である出力面34を通して出力光Lが、その出力面34に垂直な光軸方向へ出力されるようになっている。その出力面34には、出力光Lと同じ波長帯の光の反射を光波干渉によって抑制する厚みおよび屈折率を有する膜から構成された反射防止膜36がコーティングされている。この反射防止膜36は、上記エピタキシャル成長によって形成されてもよい。そして、上記キャップ層32上にAuZn/Au共晶合金からなる上部電極38が、基板12の下面にAuGe/Ni/Au共晶合金からなる下部電極40がそれぞれ蒸着或いはスパッタにより形成されている。
上記多層膜反射鏡14は、活性層22から半導体基板12側ヘ向かう光を出力面34側へ反射するためのものであり、活性層22に発生した光を90〜95%程度以上の反射率で反射する反射波長帯を備える。多層膜反射鏡層14は、たとえば厚み58nmのn型半導体AlAsと厚み53nmのn型半導体Al0.5GaAsとを一組とした10組の積層体( n−AlAs/n−Al0.5GaAs、58nm/53nm、10ペア) から構成された第1多層膜反射鏡16と、厚み50nmのn型半導体AlAsと厚み45nmのn型半導体Al0.5GaAsとを一組とした10組の積層体( n−AlAs/n−Al0.5GaAs、50nm/45nm、10ペア) から構成された第2多層膜反射鏡18とが重ねられることにより構成されている。
上記第1多層膜反射鏡16は、上記の構成によって、活性層22から発せられる光の常温たとえば20℃での中心波長λC たとえば650nmよりも長波長側へずれたたとえば670nm程度の中心波長λ1 を有する反射波長帯を備えるものである。また、上記第2多層膜反射鏡18は、上記の構成によって、活性層22から発せられる光の中心波長λC たとえば650nmよりも長波長側へずれたたとえば630nm程度の中心波長λ2 を有する反射波長帯を備えるものである。上記第1多層膜反射鏡16の反射波長帯の中心波長λ1 と活性層22から発せられる光の常温での中心波長λC とのずれ量、および、上記第2多層膜反射鏡18の反射波長帯の中心波長λ2 と活性層22から発せられる光の常温での中心波長λC とのずれ量は、面発光ダイオード10の使用温度範囲の下限値たとえば−40℃での活性層22から発せられる光の波長のずれ量、および、面発光ダイオード10の使用温度範囲の上限値たとえば80℃での活性層22から発せられる光の波長のずれ量にそれぞれ対応している。
第1クラッド層20は、厚みが1μmのn型半導体AlInPから構成されている。活性層22は、9.5nm、10nm、10.5nmという面方向において順に異なる厚みを有する半導体InGaPから成る3層の量子井戸層24、26、28と、それらを挟むように配置された厚みが20nmの半導体AlInGaPから成る4層のバリヤ層とから構成された、多重量子井戸発光層である。第2クラッド層30は、厚みが4μmのp型半導体AlInPから構成されている。これら、第1クラッド層20、活性層22、及び第2クラッド層30によってダブルヘテロ構造が構成され、量子井戸層24、26、28から効率良く光が発せられるようになっている。なお、上記第2クラッド層30の上に積層されたキャップ層32は、0.1μm程度の厚みのp型半導体GaAsから構成されている。
上記量子井戸層24、26、28は、9.5nm、10nm、10.5nmという面方向においての順に異なる厚みを備えていることから、順に異なるバントギャップを備えるとともに、エネルギ準位において順に異なる井戸幅を備えており、それぞれ中心波長がずれた光を発生させ、活性層22全体としては、それらの光が合波されることで、比較的大きな半値幅を有する前記波長帯の中心波長λC の光を発生する。
以上のように構成された面発光ダイオード10がTO18のステムにマウントされた状態で、上部電極38と下部電極40との間にpn順方向の駆動電流が流されて上記活性層22に電流が注入されると、その活性層22の3層の量子井戸層24、26、28において電子と正孔の再結合が起こることによって光が発生させられる。この光のうち、出力面34側へ向った光は出力面34から外部へ出力されるとともに一部が出力面34により内部へ反射される。また、多層膜反射鏡14側へ向った光はその多層膜反射鏡14により出力面34側へ反射され、出力面34から外部へ出力される。この際、活性層22において発生する光のうち、短波長側の光は第2多層膜反射鏡18で、長波長側の光は第1多層膜反射鏡16で反射されるため、出力面34により外部へ反射される光は、図2の実線に示す幅広いスペクトルの出力光Lとなる。図2の破線は、活性層22が単層である従来の発光ダイオードの出力光のスペクトルを示す。
図3は、前述の面発光ダイオード10が20mA程度のpn順方向の駆動電流が流されることにより駆動されている状態において、環境温度を変化させたときの長さ10mのPMMAをコアとするPOFを通したときにそのPOFの端部から出力される出力光Lの強度変化を実線で示している。破線は中心波長が650nmの従来の発光ダイオードからの光を上記同様のPOFを通したときにそのPOFの端部から出力される出力光Lの強度変化を温度変化を示している。本実施例の面発光ダイオード10では、その多層膜反射鏡14は、活性層22から発せられる光の常温たとえば20℃での中心波長λC たとえば650nmよりも長波長側へずれたたとえば670nm程度の中心波長λ1 を有する反射波長帯を備える第1多層膜反射鏡16と、活性層18から発せられる光の中心波長λC たとえば650nmよりも短波長側へずれたたとえば630nm程度の中心波長λ2 を有する反射波長帯を備える第2多層膜反射鏡18とから構成されているため、環境温度の変化によって上記活性層22から発せられる光の中心波長λC が短波長側或いは長波長側へずれた場合でも、多層膜反射鏡14によって高い反射率で出力面34側へ反射されるので、環境温度が変化しても出力光Lの強度の変化が抑制されている。
上述のように、本実施例の面発光ダイオード10によれば、多層膜反射鏡14は、活性層22で発光させられる光の中心波長λC よりも長波長側に反射波長帯の中心波長λ1 を有する第1多層膜反射鏡16、および活性層22で発光させられる光の中心波長λC よりも短波長側に反射波長帯の中心波長λ2 を有する第2多層膜反射鏡18から構成されることから、環境温度の低温側或いは高温側への変化によって活性層22から出力される光の波長シフトが短波長側或いは長波長側へ発生したとしても、多層膜反射鏡14を構成する第1多層膜反射鏡16或いは第2多層膜反射鏡18により十分に反射されるので、光軸上の出力光Lの強度が低下することが抑制され、出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い利点がある。
また、本実施例の面発光ダイオード10によれば、活性層22は、ダブルヘテロ構造を有し相互に異なる厚みすなわち相互に異なる井戸幅の複数の量子井戸層24、26、28から成る量子井戸構造であることから、活性層22から出される光の波長帯が広く効率的に出される利点がある。また、上記活性層22から出される光の波長帯が広くなるので、一層、出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い利点がある。
また、本実施例の面発光ダイオード10によれば、活性層22は、相互に異なるバンドギャップを有する複数の量子井戸層24、26、28から構成されたものであることから、それら量子井戸層24、26、28から出される光の合成光である活性層22から出される光の波長帯が広くなるので、一層、出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い利点がある。
また、本実施例の面発光ダイオード10によれば、活性層22は、バンドギャップが順次異なるように傾斜させられていることから、活性層22から出される光の波長帯が複数のピークを形成することなく広くなり、出力光強度が使用温度環境の影響を受け難い利点がある。
また、本実施例の面発光ダイオード10によれば、半導体基板12上に積層された複数の層のうちの最上層であるキャップ層32の表面すなわち出力面34に、光の反射を防止するための反射防止膜36がコーティングされていることから、その出力面34を通して出力される出力光Lに複数のピークが含まれることが緩和されので、連続的なスペクトルの出力光Lが得られる利点がある。
以上、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、別の態様でも実施され得る。
例えば、前述の実施例の面発光ダイオード10において、基板12、多層膜反射鏡14、第1クラッド層20、活性層22、第2クラッド層30、キャップ層32等は、他の種類の半導体であってもよい。
また、前述の実施例において、活性層22は、3層のAlGaInP量子井戸層24、26、28とそれらAlGaInP量子井戸層24、26、28の間に介在されるバリア層とを備える多重量子井戸層であったが、たとえば単層の量子井戸層であってもよく量子井戸層が何層であってもよい。さらに、活性層22は、必ずしも量子井戸構造でなくてもよい。
また、前述の実施例において、面発光ダイオード10には、イオン注入によって電流狭窄構造が形成されることにより、点光源LEDとして構成されてもよい。また、この電流狭窄構造はp−n反転領域を設ける等の他の電流狭窄構造が形成されていてもよい。
その他一々例示はしないが、本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を加えた態様で実施することができる。
10:面発光ダイオード
12:半導体基板
14:多層膜反射鏡
16:第1多層膜反射鏡
18:第2多層膜反射鏡
22:活性層
24、26、28:量子井戸層
34:出力面
36:反射防止膜
12:半導体基板
14:多層膜反射鏡
16:第1多層膜反射鏡
18:第2多層膜反射鏡
22:活性層
24、26、28:量子井戸層
34:出力面
36:反射防止膜
Claims (5)
- 半導体基板上に順次成長させられた多層膜反射鏡および活性層を備え、出力面から出力光を出力する面発光ダイオードであって、
前記多層膜反射鏡は、前記活性層で発光させられる光の中心波長よりも長波長側に反射波長帯の中心波長を有する第1多層膜反射鏡、および前記活性層で発光させられる光の中心波長よりも短波長側に反射波長帯の中心波長を有する第2多層膜反射鏡から構成されることを特徴とする面発光ダイオード。 - 前記活性層は、ダブルヘテロ構造を有し相互に異なる井戸幅の複数の量子井戸層から成る量子井戸構造であることを特徴とする請求項1の面発光ダイオード。
- 前記活性層は、相互に異なるバンドギャップを有する複数の量子井戸層から構成されたものであることを特徴とする請求項1または2の面発光ダイオード。
- 前記活性層は、前記バンドギャップの大きさを順に変化するように傾斜させた量子井戸層を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1の面発光ダイオード。
- 前記出力面に、光の反射を防止するための反射防止膜が設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1の面発光ダイオード。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007236024A JP2009070929A (ja) | 2007-09-11 | 2007-09-11 | 面発光ダイオード |
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Publication Number | Publication Date |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161979A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体発光素子、光源ヘッド、及び画像形成装置 |
WO2013125214A1 (ja) | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 富士フイルム株式会社 | 半導体発光素子 |
WO2013125376A1 (ja) | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 富士フイルム株式会社 | 半導体発光素子 |
US8963186B2 (en) | 2013-02-04 | 2015-02-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element, light-source head, and image forming apparatus |
US9147817B2 (en) | 2013-09-17 | 2015-09-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element, light source head, and image forming apparatus |
-
2007
- 2007-09-11 JP JP2007236024A patent/JP2009070929A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161979A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体発光素子、光源ヘッド、及び画像形成装置 |
WO2013125214A1 (ja) | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 富士フイルム株式会社 | 半導体発光素子 |
WO2013125376A1 (ja) | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 富士フイルム株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2013171991A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Fujifilm Corp | 半導体発光素子 |
US9190574B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-11-17 | Fujifilm Corporation | Semiconductor light emitting element |
US8963186B2 (en) | 2013-02-04 | 2015-02-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element, light-source head, and image forming apparatus |
US9147817B2 (en) | 2013-09-17 | 2015-09-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element, light source head, and image forming apparatus |
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