JP5731417B2 - 半導体デバイスの検査装置 - Google Patents
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1:ドライバ回路をチップ内に集積することで、本来基板上に広い面積を要して構成していたリレーやスイッチが必要なくなり、部品点数を集約化して減らすことができる。
2:チップ内にドライバ回路を集積することで、検査装置が自己の発熱に伴う温度の上昇や、半導体デバイスの機能を電気的にテストするプロセスによってチップ内の温度分布やプロセスを実行する回路の動作のばらつきが一様となり、コントロールしやすくなる。
Claims (2)
- 被測定半導体デバイスの電気的な検査を行う半導体デバイスの検査装置であって、
1つの半導体チップ内に少なくとも、
デジタル・アナログ変換器と、
タイミングジェネレータと、
前記タイミングジェネレータのテストタイミングに基づき前記被測定半導体デバイスに検査信号を供給するための検査信号供給回路と、
前記被測定半導体デバイスからの出力信号と基準値とを比較して前記被測定半導体デバイスの状態を検査するための比較回路と、
前記被測定半導体デバイスにDC電圧又はDC電流を印加するDC回路と、
前記被測定半導体デバイスに電源を供給する電源回路と、
を形成した半導体チップを有し、
前記比較回路が、
前記被測定半導体デバイスからの第1の電圧系の出力信号を受ける第1差動アンプと、
当該第1差動アンプからの出力信号を、前記第1の電圧系より低い第2の電圧系の電圧レベルに低下させるレベルシフターと、
前記レベルシフターからの出力を受ける前記第2の電圧系の第2差動アンプと、
を具備したことを特徴とする半導体デバイスの検査装置。 - 請求項1記載の半導体デバイスの検査装置であって、
前記第1の電圧系が20V系であり、前記第2の電圧系が1.8V系であることを特徴とする半導体デバイスの検査装置。
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