JP5730702B2 - 光素子の製造方法及び光素子 - Google Patents
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特許文献1 特開2002−118324号公報
WFlat≒X−2d
ここで、dは第4半導体積層部114の厚さを示す。
WFlat≒X−0.8d
以上の結果から、メサストライプの方向が(011)方向よりも(01−1)方向の方が、平坦部89の幅WFlatが大きいことがわかる。
Claims (8)
- 共通の基板に形成され、構造の異なる複数のメサ型導波路を含む光素子を製造する製造方法であって、
前記基板の異なる領域に第1半導体積層部および第2半導体積層部を形成する積層段階と、
前記第1半導体積層部の上面において、埋込メサ型導波路を形成すべき領域に第1形成マスクを形成し、且つ、前記第2半導体積層部の上面において、ハイメサ型導波路を形成すべき領域を含む領域に第1保護マスクを形成する第1マスク形成段階と、
前記第1形成マスクおよび前記第1保護マスクが形成されていない半導体層をエッチングし、エッチングした領域に第3半導体積層部を結晶成長させ、前記埋込メサ型導波路を形成する埋込メサ形成段階と、
前記第1形成マスクおよび前記第1保護マスクを除去して、コンタクト層を含む第4半導体積層部を結晶成長させるコンタクト形成段階と、
前記第4半導体積層部上における、前記埋込メサ型導波路を含む領域に第2保護マスクを形成し、且つ、前記第4半導体積層部上における、前記ハイメサ型導波路を形成すべき領域に、前記第1保護マスクより幅の小さい第2形成マスクを形成する第2マスク形成段階と、
前記第2保護マスクおよび前記第2形成マスクが形成されていない半導体層をエッチングして、前記ハイメサ型導波路を形成するハイメサ形成段階と
を備え、
前記ハイメサ型導波路のメサストライプの方向が(011)方向であり、
前記第1保護マスクの幅Xが下式を満たす(但し、Wは前記ハイメサ型導波路の幅、dは前記第4半導体積層部の厚みを示す)
X≧W+2d
製造方法。 - 共通の基板に形成され、構造の異なる複数のメサ型導波路を含む光素子を製造する製造方法であって、
前記基板の異なる領域に第1半導体積層部および第2半導体積層部を形成する積層段階と、
前記第1半導体積層部の上面において、埋込メサ型導波路を形成すべき領域に第1形成マスクを形成し、且つ、前記第2半導体積層部の上面において、ハイメサ型導波路を形成すべき領域を含む領域に第1保護マスクを形成する第1マスク形成段階と、
前記第1形成マスクおよび前記第1保護マスクが形成されていない半導体層をエッチングし、エッチングした領域に第3半導体積層部を結晶成長させ、前記埋込メサ型導波路を形成する埋込メサ形成段階と、
前記第1形成マスクおよび前記第1保護マスクを除去して、コンタクト層を含む第4半導体積層部を結晶成長させるコンタクト形成段階と、
前記第4半導体積層部上における、前記埋込メサ型導波路を含む領域に第2保護マスクを形成し、且つ、前記第4半導体積層部上における、前記ハイメサ型導波路を形成すべき領域に、前記第1保護マスクより幅の小さい第2形成マスクを形成する第2マスク形成段階と、
前記第2保護マスクおよび前記第2形成マスクが形成されていない半導体層をエッチングして、前記ハイメサ型導波路を形成するハイメサ形成段階と
を備え、
前記ハイメサ型導波路のメサストライプの方向が(01−1)方向であり、
前記第1保護マスクの幅Xが下式を満たす(但し、Wは前記ハイメサ型導波路の幅、dは前記第4半導体積層部の厚みを示す)
X≧W+0.8d
製造方法。 - 前記基板は、InPで形成され、
前記複数のメサ型導波路は、前記基板の(100)面に形成される
請求項1または2に記載の製造方法。 - 前記第1保護マスクの幅Xは、80μm以下である
請求項3に記載の製造方法。 - 前記第2保護マスクは、前記第1形成マスクより幅が大きい
請求項1から4のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記光素子は、並列に設けられた複数の前記ハイメサ型導波路を有し、
それぞれの前記第1保護マスクの幅Xは下式を満たす
W+2d+5μm≧X≧W+2d
請求項1に記載の製造方法。 - 前記光素子は、並列に設けられた複数の前記ハイメサ型導波路を有し、
それぞれの前記第1保護マスクの幅Xは下式を満たす
W+0.8d+5μm≧X≧W+0.8d
請求項2に記載の製造方法。 - 請求項1から7のいずれか一項に記載の製造方法で製造された光素子。
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JP2011162086A JP5730702B2 (ja) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | 光素子の製造方法及び光素子 |
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JP2011162086A JP5730702B2 (ja) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | 光素子の製造方法及び光素子 |
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JP2013025242A JP2013025242A (ja) | 2013-02-04 |
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