JP5678418B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
(特徴1)主活性領域には、縦型のIGBTが形成されている。
(特徴2)温度検知素子の少なくとも1つは、IGBTのボディ領域近傍のドリフト領域の深さの温度を検知する位置に設けられている。
2 温度検知領域
3、3a、3b、7、93 第1温度検知素子
5、5a、5b、95 第2温度検知素子
8 等温線
10 半導体基板
32、32a、32b、52、52a、52b カソードパッド
34、34a、34b、54、54a、54b アノードパッド
41、43、45、47 絶縁膜
61、63、65 P+層
100 半導体装置
101 コレクタ領域
102 バッファ領域
103 ドリフト領域
104 ボディ領域
105 エミッタ領域
106 ボディコンタクト領域
130 トレンチゲート
301、501 トレンチ
303、503 第1半導体領域
305、505 第2半導体領域
507、507a、507b、557 絶縁体
513 第4半導体領域
515 第3半導体領域
523 第1電極
525 第2電極
527 第3電極
Claims (4)
- 主活性領域が形成された半導体基板と、
半導体基板の温度を検知する第1温度検知素子と、
第1温度検知素子よりも半導体基板の深い位置の温度を検知する第2温度検知素子とを備え、
第1温度検知素子と第2温度検知素子は、半導体基板の表面の等温度領域に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 第1温度検知素子と第2温度検知素子は、半導体基板の平面方向の位置が隣接していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1温度検知素子と第2温度検知素子は、半導体基板の平面方向の中央部となる位置に設置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 第2温度検知素子は、
半導体基板の表面から内部に向けて形成されており、その内壁面に絶縁膜が形成されているトレンチと、
トレンチ内の底部に形成された第1導電型の第1半導体領域と、
トレンチ内の底部に形成され、第1半導体領域と接する第2導電型の第2半導体領域と、
第1半導体領域に接し、第2半導体領域に接しない第1電極と、
第2半導体領域に接し、第1半導体領域に接しない第2電極と、
第1電極と第2電極とを隔離する絶縁体と、
を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
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