JP5677677B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
本実施例に係るSEM(荷電粒子線装置)を用い、イメージシフトで半導体基板上のライン寸法を測定したところ、良好な結果が得られた。
本実施例に係るSEM(荷電粒子線装置)を用い、イメージシフトで半導体基板上のライン寸法を測定したところ、良好な結果が得られた。
本実施例に係るSEM(荷電粒子線装置)を用い、イメージシフトで半導体基板上のライン寸法を測定したところ、良好な結果が得られた。
本実施例に係るSEM(荷電粒子線装置)を用い、イメージシフトで半導体基板上のライン寸法を測定したところ、良好な結果が得られた。
図1に示すSEM(荷電粒子線装置)と図18に示す計測用マークとを用い、イメージシフトで半導体基板上のライン寸法を測定したところ、良好な結果が得られた。
図1に示すSEM(荷電粒子線装置)を用い、イメージシフトで半導体基板上のライン寸法を測定したところ、良好な結果が得られた。
図1に示すSEM(荷電粒子線装置)を用い、イメージシフトで半導体基板上のライン寸法を測定したところ、良好な結果が得られた。
図1に示すSEM(荷電粒子線装置)を用い、イメージシフトで半導体基板上のライン寸法を測定したところ、良好な結果が得られた。
本実施例に係るSEM(荷電粒子線装置)を用い、イメージシフトで半導体基板上のライン寸法を測定したところ、良好な結果が得られた。
Claims (15)
- 荷電粒子源と、前記荷電粒子源から発せられた荷電粒子線を偏向する偏向手段と、前記荷電粒子線の焦点位置を変更する焦点位置変更手段と、前記荷電粒子線が照射された試料からの電気信号を検出する検出器と、前記荷電粒子源、前記偏向手段、前記焦点位置変更手段を制御すると共に前記検出器により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部を有する荷電粒子線装置において、
前記制御演算部は、
前記偏向手段により前記荷電粒子線を所定の量だけ偏向させ、前記試料上の同じマークの画像を、前記焦点位置変更手段により焦点位置を変えて複数枚数取得し、
取得した前記マークの画像における前記マークの位置ずれ量と、前記記録部に登録された補正係数に基づいて、前記荷電粒子線を前記所定の量だけ偏向させて計測用画像を取得する際に、前記荷電粒子線のランディング角が所望の値となるように光学条件を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の電子線装置において、
前記制御演算部は、
前記偏向手段により前記荷電粒子線を異なる複数の量だけ偏向し、それぞれの偏向量に対して前記試料上の同じマークの画像を、焦点位置を変えて複数枚数取得し、
取得した前記マークの画像における前記マークの位置ずれ量と、前記記録部に登録された補正係数に基づいて、前記荷電粒子線を任意の量だけ偏向させて計測用画像を取得する際に、前記荷電粒子線のランディング角が所望の値となるように光学条件を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御演算部は、
取得した複数の前記マークの画像から歪収差を算出し、前記荷電粒子線を任意の量だけ偏向させて計測用画像を取得する際に、算出した前記歪収差に基づいて更に前記光学条件を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御演算部は、
取得した複数の前記マークの画像から、前記荷電粒子線のビーム径を算出することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
更に、荷電粒子線の非点収差を補正する非点補正器を備え、
前記制御演算部は、前記非点補正器を制御すると共に、
取得した前記マークの画像におけるマークの位置ずれ量と、前記記録部に登録された補正係数、および、取得した複数枚の前記マークの画像から算出した、像面湾曲収差、あるいは、非点収差、あるいはその両方に基づいて、前記光学条件を制御する荷電粒子線装置。 - 請求項5に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御演算部は、
前記偏向手段により前記荷電粒子線を異なる複数の量だけ偏向し、それぞれの偏向量に対して前記試料上の同じマークの画像を、焦点位置を変えて複数枚数取得し、
取得した前記マークの画像における前記マークの位置ずれ量と、前記記録部に登録された補正係数、および、取得した複数枚の前記マークの画像から算出した、像面湾曲収差、あるいは、非点収差、あるいはその両方に基づいて、前記荷電粒子線を任意の量だけ偏向させて計測用画像を取得する際に、前記光学条件を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項6に記載の荷電粒子線装置において、
前記制御演算部は、
取得した複数の前記マークの画像から歪収差を算出し、前記荷電粒子線を任意の量だけ偏向させて計測用画像を取得する際に、算出した前記歪収差に基づいて更に前記光学条件を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記取得した前記画像における前記マークの位置ずれ量と、前記記録部に登録された補正係数に基づいて光学条件を制御するとは、
前記取得した前記マークの画像における前記マークの位置ずれ量と、焦点位置との関係から求めた係数に対し、前記記録部に登録された補正係数を用いて補正を行って補正値を算出し、前記補正値に基づいて前記光学条件を制御することであることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項8に記載の荷電粒子線装置において、
前記補正値は、前記荷電粒子線のランディング角であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記焦点位置変更手段は、前記試料を乗せるステージへの電圧印加手段であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記試料上の同じマークは、複数のホールパターンからなるマークであることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子源と、前記荷電粒子源から発せられた荷電粒子線を偏向する偏向手段と、前記荷電粒子線の焦点位置を変更する焦点位置変更手段と、前記荷電粒子線が照射された試料からの電気信号を検出する検出器と、前記荷電粒子源、前記偏向手段、前記焦点位置変更手段を制御すると共に前記検出器により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部を有する荷電粒子線装置において、
前記制御演算部は、
前記偏向手段により前記荷電粒子線を所定の量だけ偏向させ、前記試料上の同じマークの画像を前記焦点位置変更手段により焦点位置を変えて複数枚数取得し、
前記荷電粒子線を前記所定の量だけ偏向させて前記試料上に形成された微細パターンの画像を取得して前記微細パターンの画像に基づいて前記微細パターンの寸法を計測し、
取得した前記マークの画像における前記マークの位置ずれ量と、前記記録部に登録された補正係数に基づいて、前記微細パターンの計測値を補正することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項12に記載の荷電粒子線装置において、
前記取得した前記マークの画像における前記マークの位置ずれ量と、前記記録部に登録された補正係数に基づいて補正するとは、
前記取得した前記マークの画像における前記マークの位置ずれ量と、焦点位置との関係から求めた係数に対し、前記記録部に登録された補正係数を用いて補正を行って補正値を算出し、前記補正値に基づいて補正することであることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子源と、前記荷電粒子源から発せられた一次荷電粒子線を偏向する偏向手段と、前記荷電粒子源から発せられた荷電粒子線の焦点位置を変更する焦点位置変更手段と、前記一次荷電粒子線が照射された試料からの電気信号を検出する検出器と、前記荷電粒子源、前記偏向手段、前記焦点位置変更手段を制御すると共に前記検出器により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部を有する荷電粒子線装置において、
前記制御演算部は、
前記偏向手段により前記一次荷電粒子線を異なる複数の量だけ偏向し、
前記試料上の立体形状が既知であるマークの画像を取得し、
取得した前記マークの画像における形状パターンから前記一次荷電粒子線のランディング角を算出し、
前記一次荷電粒子線の偏向量と、算出した前記ランディング角との関係から算出した係数を、前記記録部に登録することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項14に記載の荷電粒子線装置において、
前記試料は、前記立体形状が既知であるマークと複数のホールパターンとをマークとして有することを特徴とする荷電粒子線装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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