JP6971090B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
a=(1+Δα)cosΔθ
b=−(1+Δα)sinΔθ
c=(1+Δα)sinΔθ
d=(1+Δα)cosΔθ
となる。
Claims (15)
- 荷電粒子線を生成する荷電粒子源と、
試料を載置する試料台と、
前記荷電粒子線を収束させて前記試料に照射するコンデンサレンズと対物レンズと、
前記荷電粒子線を偏向させる複数のイメージシフト偏向器と、
第1制御パラメータ及び第2制御パラメータを用いて、前記複数のイメージシフト偏向器による前記荷電粒子線の偏向を制御する制御部とを有し、
前記第1制御パラメータは、前記荷電粒子線の光軸を前記対物レンズの対物レンズ中心を通り前記試料の所定の位置に入射する第1の光軸に設定するパラメータであり、前記第2制御パラメータは、前記荷電粒子線の光軸を前記第1の光軸から、前記第1の光軸とは異なる所定の入射角で前記試料の前記所定の位置に入射する第2の光軸に設定するよう前記第1制御パラメータを変換するパラメータであり、
前記第2制御パラメータは、固定値である、または前記対物レンズの励磁強度あるいは前記荷電粒子線の物点位置に基づく補正関数より算出される荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記荷電粒子源、前記コンデンサレンズ、前記対物レンズ及び前記複数のイメージシフト偏向器を含んで荷電粒子光学系を構成し、
前記第1制御パラメータにより、前記荷電粒子線の光軸が前記対物レンズの主面と前記荷電粒子光学系の中心軸との交点を通るよう設定される荷電粒子線装置。 - 請求項2において、
前記第2の光軸は、前記荷電粒子線の光軸が前記荷電粒子光学系の中心軸に平行に前記試料に入射するよう設定される荷電粒子線装置。 - 請求項2において、
前記第2制御パラメータは、前記荷電粒子光学系に設定される複数の光学条件について求めた、前記荷電粒子線の光軸を前記第1の光軸に設定する前記複数のイメージシフト偏向器の制御量と前記荷電粒子線の光軸を前記第2の光軸に設定するための前記複数のイメージシフト偏向器の制御量との差分の代表値として与えられ、
前記複数の光学条件として、少なくとも前記荷電粒子線の加速電圧の異なる光学条件を含む荷電粒子線装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項において、
前記荷電粒子源、前記コンデンサレンズ、前記対物レンズ及び前記複数のイメージシフト偏向器を含んで構成される荷電粒子光学系は減速法を適用しない荷電粒子線装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項において、
画像を取得するために前記荷電粒子線を2次元に走査するための複数の偏向器を有し、
前記複数のイメージシフト偏向器は、前記対物レンズと前記荷電粒子源との間に配置され、前記複数の偏向器は、前記対物レンズと前記試料台との間に配置される荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線を生成する荷電粒子源と、
試料を載置する試料台と、
前記荷電粒子線を収束させて前記試料に照射するコンデンサレンズと対物レンズと、
前記荷電粒子線を偏向させる複数のイメージシフト偏向器と、
第1制御パラメータ及び第2制御パラメータを用いて、前記複数のイメージシフト偏向器による前記荷電粒子線の偏向を制御する制御部とを有し、
前記第1制御パラメータは、前記荷電粒子線の光軸を前記対物レンズの対物レンズ中心を通り前記試料の所定の位置に入射する第1の光軸に設定するパラメータであり、前記第2制御パラメータは、前記荷電粒子線の光軸を前記第1の光軸から、前記第1の光軸とは異なる所定の入射角で前記試料の前記所定の位置に入射する第2の光軸に設定するよう前記第1制御パラメータを変換するパラメータであり、
前記第2制御パラメータは、固定値である、または前記対物レンズの励磁強度あるいは前記荷電粒子線の物点位置に基づく補正関数より算出され、
前記制御部は、前記第1制御パラメータにより設定される前記第1の光軸に対して軸調整を行って前記対物レンズの焦点距離を周期的に変動させた場合に像のシフトが生じない値に前記第1制御パラメータを更新し、更新された前記第1制御パラメータを前記第2制御パラメータにより変換した制御パラメータにより、前記複数のイメージシフト偏向器による前記荷電粒子線の偏向を制御する荷電粒子線装置。
- 請求項7において、
前記荷電粒子源、前記コンデンサレンズ、前記対物レンズ及び前記複数のイメージシフト偏向器を含んで荷電粒子光学系を構成し、
前記第2の光軸は、前記荷電粒子線の光軸が前記荷電粒子光学系の中心軸に平行に前記試料に入射するよう設定される荷電粒子線装置。 - 請求項7または8のいずれかにおいて、
前記荷電粒子源、前記コンデンサレンズ、前記対物レンズ及び前記複数のイメージシフト偏向器を含んで構成される荷電粒子光学系は減速法を適用しない荷電粒子線装置。 - 荷電粒子線を生成する荷電粒子源と、
試料を載置する試料台と、
前記荷電粒子線を収束させて前記試料に照射するコンデンサレンズと対物レンズと、
前記荷電粒子線を偏向させる複数のイメージシフト偏向器と、
第1制御パラメータ及び第2制御パラメータを用いて、前記複数のイメージシフト偏向器による前記荷電粒子線の偏向を制御する制御部とを有し、
前記第1制御パラメータは、前記荷電粒子線の光軸を前記対物レンズの対物レンズ中心を通り前記試料の所定の位置に入射する第1の光軸に設定するパラメータであり、前記第2制御パラメータは、前記荷電粒子線の光軸を前記第1の光軸から、前記第1の光軸とは異なる所定の入射角で前記試料の前記所定の位置に入射する第2の光軸に設定するよう前記第1制御パラメータを変換するパラメータであり、
前記第2制御パラメータは、固定値である、または前記対物レンズの励磁強度あるいは前記荷電粒子線の物点位置に基づく補正関数より算出され、
前記制御部は、前記第1制御パラメータにより設定される前記第1の光軸に対して焦点補正を行い、前記焦点補正後の前記対物レンズの励磁強度を算出し、算出した前記対物レンズの励磁強度及び前記対物レンズの励磁強度と前記第2の光軸の視野移動量との関係式に基づき前記焦点補正に伴う前記第2の光軸の視野移動量を算出し、前記視野移動量を相殺するように前記第1の光軸における前記荷電粒子線の前記試料への入射位置が補正された前記第1制御パラメータを前記第2制御パラメータにより変換した制御パラメータにより、前記複数のイメージシフト偏向器による前記荷電粒子線の偏向を制御する荷電粒子線装置。 - 請求項10において、
前記複数のイメージシフト偏向器の偏向量に対応した前記視野移動量の補正係数を格納する記憶部を有し、
前記制御部は、前記対物レンズの励磁強度及び前記関係式に基づき算出された視野移動量を前記補正係数に基づき補正し、補正された前記視野移動量を相殺するように前記第1の光軸における前記荷電粒子線の前記試料への入射位置が補正された前記第1制御パラメータを前記第2制御パラメータにより変換した制御パラメータにより、前記複数のイメージシフト偏向器による前記荷電粒子線の偏向を制御する荷電粒子線装置。 - 請求項10において、
前記荷電粒子源、前記コンデンサレンズ、前記対物レンズ及び前記複数のイメージシフト偏向器を含んで荷電粒子光学系を構成し、
前記第1制御パラメータにより、前記荷電粒子線の光軸が前記対物レンズの主面と前記荷電粒子光学系の中心軸との交点を通るよう設定される荷電粒子線装置。 - 請求項10において、
前記荷電粒子源、前記コンデンサレンズ、前記対物レンズ及び前記複数のイメージシフト偏向器を含んで荷電粒子光学系を構成し、
前記第2の光軸は、前記荷電粒子線の光軸が前記荷電粒子光学系の中心軸に平行に前記試料に入射するよう設定される荷電粒子線装置。 - 請求項10〜13のいずれか一項において、
前記荷電粒子源、前記コンデンサレンズ、前記対物レンズ及び前記複数のイメージシフト偏向器を含んで構成される荷電粒子光学系は減速法を適用しない荷電粒子線装置。 - 請求項1、請求項7または請求項10のいずれか一項において、
前記対物レンズの磁路の開口が光軸方向に向いている荷電粒子線装置。
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