JP5672719B2 - パワー素子を備えた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について説明する。図1に、本実施形態にかかる縦型のパワー素子を備えた半導体装置として、IGBTを備えた半導体装置の断面図を示す。以下、この図を参照して、本実施形態にかかるIGBTを備えた半導体装置について説明する。
上記実施形態では、表面電極11における電極膜を構成する第3金属膜13の構成材料としてアルミニウムを用いているが、純粋なアルミニウムである必要は無く、アルミニウムに対してシリコンや銅などの添加物を含んだ材料であっても構わない。つまり、アルミニウム合金や純粋なアルミニウムなど、アルミニウムを含む金属材料によって電極膜となる第3金属膜13が構成されていれば構わない。
2 n-型ドリフト層
3 p型ベース領域
4 ゲート用トレンチ
5 n+型エミッタ領域
6 ボデーp層
7 ゲート絶縁膜
8 ゲート電極
9 層間絶縁膜
10 コンタクト用トレンチ
11 表面電極
12 バリアメタル
12a 第1金属膜
12b 第2金属膜
13 第3金属膜(電極膜)
14 下部電極
Claims (2)
- シリコンにて構成された半導体基板(1、2)に対して縦型のパワー素子を構成する不純物領域(3、5、6)を形成したのち、前記半導体基板(1、2)の表面側に該不純物領域(3、5、6)に対して電気的に接続される表面電極(11)を形成すると共に、前記半導体基板(1、2)の裏面側に裏面電極(14)を形成してなる縦型のパワー素子を備えた半導体装置の製造方法において、
前記不純物領域(3、5、6)に接触させられる前記バリアメタル(12)を形成する工程と、前記バリアメタル(12)を介して前記不純物領域(3、5、6)の上に形成されるアルミニウムを含む金属にて構成される電極膜(13)を形成する工程とを行うことにより、前記バリアメタル(12)および前記電極膜(13)を有する前記表面電極(11)を形成する工程と、
前記表面電極(11)を形成したのち、電子線照射、ヘリウム照射もしくはX線照射を行う照射工程と、
前記照射工程の後で水素アニールを行う工程とを含み、
前記バリアメタル(12)を形成する工程では、前記不純物領域(3、5、6)に接触させられるVIII族の金属材料で構成される第1金属膜(12a)を形成する工程を行い、
前記第1金属膜(12a)を形成する工程では、前記VIII族の金属材料として、ニッケルもしくはコバルトを用い、
前記第1金属膜(12a)を形成する工程の後、前記第1金属膜(12a)をシリサイド化するための熱処理工程を行うことを特徴とする縦型のパワー素子を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記バリアメタル(12)を形成する工程では、前記第1金属膜(12a)の上に、窒化チタンにて構成される第2金属膜(12b)を形成する工程を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の縦型のパワー素子を備えた半導体装置の製造方法。
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