JP4087365B2 - SiC半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
{SiC+Ni → Ni−Si化合物+C(炭素)}
という化学反応をおこし、その焼鈍後に黒鉛の微粉末が未反応NiとNi−Si化合物層との間に層状に生じる。すると、黒鉛の微粉末の層により電極の剥離が生じ易くなると共に、プロセスラインが黒鉛で汚染されるという問題点が生じてしまう。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。本SiC半導体装置10Aは、n型SiC基板1と、第1層2a1,2a2,…2anと、第2層2b1,2b2,…2bnとを有して構成されている。第1層2a1,2a2,…2an及び第2層2b1,2b2,…2bnは、オーミック電極をなしている。
図2は、本発明の第2実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。図2において、図1に示す第1実施形態のSiC半導体装置10Aの構成要素と同一のものには同一符号を付している。本実施形態のSiC半導体装置10Bと第1実施形態のSiC半導体装置10Aとの相違点は、第1層2a1,2a2,…2anと、第2層2b1,2b2,…2bnとの配置が逆になっている点である。
図3は、本発明の第3実施形態に係るSiC半導体装置の構造を示す断面図である。本SiC半導体装置20は、n型SiC基板1と、合成層21,22,…2nとを有して構成されている。合成層21,22,…2nは、オーミック電極をなしている。合成層21は、n型SiC基板1の電極形成領域上に形成されている。合成層22は、合成層21上に形成されている。そして、合成層23…2nが順次、合成層22上に積層されている。合成層21…2nは、例えば20層とする。
次に、上記実施形態の応用例について図7及び図8を参照して説明する。
図7は、上記実施形態のSiC半導体装置10A,10B,20を構成要素としたSiCショットキーダイオードの基本的な構造を示す断面図である。本SiCショットキーダイオード30は、n+型SiC層31と、n−型SiC層32と、p型SiC層33と、裏面オーミック電極34と、半田接合用金属35と、絶縁物36と、ショットキー電極37と、引出し電極38とを有して構成されている。
Claims (4)
- n型SiC基板の電極形成領域上に、Ni−Cu合金膜からなる第1層を形成し、該第1層上にSiからなる第2層を形成し、
前記第1層及び第2層に対してアニールを施すことにより、前記電極形成領域上に電極を形成することを特徴とするSiC半導体装置の製造方法。 - 前記アニールは、前記n型SiC基板と前記第1層又は第2層とからシリサイドが形成される温度以上の温度で行うことを特徴とする請求項1に記載のSiC半導体装置の製造方法。
- 前記第1層及び第2層を交互に複数積層し、その後に前記アニールを行うことを特徴とする請求項1又は2に記載のSiC半導体装置の製造方法。
- 前記第2層は、前記第1層よりも薄いことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のSiC半導体装置の製造方法。
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