JP5668052B2 - 整列された微粒子が印刷された印刷物を製造する方法 - Google Patents
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Description
本発明者らは、実験を通じて、1つまたは2つ以上の微粒子の位置及び/または配向を固定させ得る第1の陰刻(例えば、nanowell)または第1の陽刻(例えば、pillar)が表面に形成された鋳型基材上に複数の微粒子を置いた後にラビング(rubbing)のような物理的圧力によって微粒子の一部または全部を第1の陰刻または第1の陽刻によって形成された孔隙に挿入させることができ、これにより、前記第1の陰刻及び/または第1の陽刻を所定の形態にパターン化すると、前記パターンに対応する(corresponding)配列(arrangement)方式で、微粒子のサイズ及び/または形状に無関係に、大面積(>cm)の1次元及び/または2次元の完全な微粒子整列(perfect particle array)を早い時間内に具現することができるということを発見した。
<鋳型基材を準備する第1の段階>
本発明の鋳型基材(template)は、1つまたは2つ以上の微粒子の位置及び/または配向を固定させ得る第1の陰刻または第1の陽刻が表面に形成された基材であるか;あるいは、少なくとも表面の一部が粘着性を帯びる基材である。
本発明において、物理的圧力は、鋳型基材をラビング(rubbing)またはプレッシングすることによってかけることができる。好ましくは、微粒子が置かれた鋳型基材の表面と平行をなすように第1の部材を配置し、第1の部材の往復運動を1回以上行って前記微粒子に物理的な圧力をかけるのが良い。
<微粒子を被印刷体上に転写させる第3の段階>
前記第3の段階は、第2の段階を介して微粒子が整列されている鋳型基材と被印刷体とを接触させて前記微粒子を被印刷体上に転写(transfer)させるものである。
1.シリコーン、アルミニウム、チタン、スズ及びインジウムなどの各種金属及び非金属元素などが単独または2種以上含まれている酸化物として表面にヒドロキシル基を有するすべての物質。例えば、石英、雲母、ガラス、ITOガラス(インジウムスズ酸化物が蒸着されたガラス)、スズ酸化物(SnO2)などの各種伝導性ガラス、溶融シリカ(fused silica)、非晶質シリカ、多孔性シリカ、アルミナ、多孔性アルミナ、水晶、サファイア、二酸化チタン、多孔性二酸化チタン及びシリコーンウエハーなど;
2.金、銀、銅、白金のようにチオール基(−SH)やアミン基(−NH2)と結合する金属、ニッケル及びステンレススチールなどのような金属;
3.表面に様々な官能基を有する重合体。例えば、表面に官能基があるポリ塩化ビニル(PVC)、メリフィールドペプチド樹脂(Merrifield peptide resin)、ポリスチレン、ポリエステル、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、(+)型または(−)型フォトレジスト(PR:photoresist)、ポリメチルメタクリレート(PMMA:poly(methyl methacrylate))及びアクリル;
4.セレン化亜鉛(ZnSe)、砒素化ガリウム(GaAs)及びリン化インジウム(InP)などの半導体;
5.天然または合成ゼオライト及びその類似多孔性分子体;及び
6.セルロース、澱粉(アミロース及びアミロペクチン)及びリグニンなど表面にヒドロキシル基を有する天然高分子、合成高分子または伝導性高分子。
前記のような方法によって、本発明は様々な立体構造(例えば、1次元、2次元または3次元の密集(close packed)または非密集(non-close packed)構造)の微粒子整列を有する印刷物を製造することができる。
前記本発明の方法を応用すれば、微粒子がn個層以上の多層で整列されたものであって(ここで、n=2以上の自然数)、隣接した第k層及び第k+1層(ここで、0<k<nであり、k=任意の自然数)において、第k+1層の微粒子が第k層の微粒子上に直立して整列された印刷物を製造することができる(図16、図17)。
101: 第1の陰刻
102: 第2の陰刻
200: 微粒子
A: 粘着性物質
Claims (18)
- 1つまたは2つ以上の微粒子の位置及び/または配向を固定させ得る第1の陰刻または第1の陽刻が表面に形成された鋳型基材(template)を準備する第1の段階;
前記鋳型基材上に2つ以上の複数の微粒子を置いた後に物理的圧力によって微粒子の一部または全部を第1の陰刻または第1の陽刻によって形成された孔隙に挿入させて微粒子を鋳型基材上に整列させる第2の段階;及び
微粒子が整列されている鋳型基材と被印刷体とを接触させて前記微粒子を被印刷体上に転写させる第3の段階を含む微粒子が印刷された印刷物を製造する方法。 - 少なくとも表面の一部が粘着性を帯びる鋳型基材を準備する第1の段階;
前記鋳型基材上に2つ以上の複数の微粒子を置いた後に物理的圧力によって前記鋳型基材のうち、粘着性を帯びる表面上に複数の微粒子を整列させる第2の段階;及び
微粒子が整列されている鋳型基材と被印刷体とを接触させて前記微粒子を被印刷体上に転写させる第3の段階を含む微粒子が印刷された印刷物を製造する方法。 - 前記物理的圧力は、鋳型基材をラビング(rubbing)またはプレッシングすることによってかかるのを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 鋳型基材表面に形成された第1の陰刻または第1の陽刻は、鋳型基材自体に直接刻印されるか、フォトレジストによって形成されるか、犠牲層をコーティングした後にレーザーアブレーション(laser ablation)によって形成されるか、またはインクジェット印刷法によって形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 第2の段階で鋳型基材上に置く微粒子は、溶媒に分散させない粉末形態である、または、微粒子の体積に対して0〜10倍体積比の溶媒でコーティングまたは含浸または溶媒に分散したことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記孔隙の形状は、前記微粒子の配向を調節するために孔隙内に挿入される微粒子の所定部分の形状と対応されるように形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の陰刻によって形成される孔隙形状または第1の陽刻の形状は、ナノ井戸(nanowell)、ナノ点(nanodot)、ナノ柱(nanopillar)、ナノ溝(nanotrench)またはナノ円錐(nanocone)であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記鋳型基材は、微粒子が挿入される孔隙のサイズ及び/または形状が2種以上であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記鋳型基材は、前記1つの第1の陰刻内に更に個別的な微粒子の位置及び/または配向を固定させ得る2つ以上の第2の陰刻が形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 鋳型基材上の孔隙に挿入された微粒子が集まって特定パターンまたは形状を形成する、または、鋳型基材のうち、粘着性を帯びる表面自体が特定パターンまたは形状を形成して鋳型基材の粘着性を帯びる表面に固定された複数の微粒子がこれに対応する特定パターンまたは形状を形成することを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 鋳型基材の孔隙間の距離を調節することによって、孔隙に挿入される複数の微粒子は、隣接した微粒子と接触または離隔されていることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 鋳型基材上に整列される複数の微粒子が集まって形成するパターンまたは形状が異なっている、または、挿入される微粒子のサイズ及び/または配向が異なっている鋳型基材を2つ以上併用することを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 第2の段階以後、第3の段階以前に、第2の段階で形成された微粒子単一層のうち、隣接した3つ以上の微粒子によって形成される第2次孔隙に、複数の微粒子を置いた後に物理的圧力によって微粒子を挿入する段階を1回以上行って鋳型基材上に複数の微粒子を2層以上の多層(multilayer)で整列させることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 第1の段階、第2の段階及び続いて第3の段階を2回以上繰り返して被印刷体上に複数の微粒子を単層または2層以上の多層(multilayer)で整列させたことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 第2の段階の微粒子表面及び/または第1の段階の鋳型基材表面及び/または被印刷体は、粘着性物質でコーティングされたことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 第2の段階以後、第3の段階以前に、微粒子表面及び/または鋳型基材表面にコーティングされた粘着性物質を除去する段階を更に含むことを特徴とする、請求項15に記載の方法。
- 前記被印刷体または被印刷体にコーティングされた粘着性物質は、鋳型基材または鋳型基材にコーティングされた粘着性物質より微粒子との親和性または粘着性がさらに大きいことを特徴とする、請求項15に記載の方法。
- 第2の段階によって鋳型基材上に複数の微粒子を整列させた後、ランダムに固定されない残り微粒子を粘着性を有する第2の部材で除去する段階を更に含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20090030647 | 2009-04-09 | ||
KR10-2009-0030647 | 2009-04-09 | ||
PCT/KR2010/002180 WO2010117228A2 (ko) | 2009-04-09 | 2010-04-09 | 정렬된 미립자가 인쇄된 인쇄물을 제조하는 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012523323A JP2012523323A (ja) | 2012-10-04 |
JP5668052B2 true JP5668052B2 (ja) | 2015-02-12 |
Family
ID=42936380
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012504622A Expired - Fee Related JP5814224B2 (ja) | 2009-04-09 | 2010-04-09 | 物理的圧力によって微粒子を基材上に配置させる方法 |
JP2012504621A Expired - Fee Related JP5668052B2 (ja) | 2009-04-09 | 2010-04-09 | 整列された微粒子が印刷された印刷物を製造する方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012504622A Expired - Fee Related JP5814224B2 (ja) | 2009-04-09 | 2010-04-09 | 物理的圧力によって微粒子を基材上に配置させる方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9181085B2 (ja) |
EP (2) | EP2418170B1 (ja) |
JP (2) | JP5814224B2 (ja) |
KR (2) | KR101341259B1 (ja) |
TW (2) | TWI388434B (ja) |
WO (3) | WO2010117102A1 (ja) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0913258D0 (en) * | 2009-07-29 | 2009-09-02 | Dynex Technologies Inc | Reagent dispenser |
KR101161060B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2012-06-29 | 서강대학교산학협력단 | 나노입자를 기둥형태로 조직화시키기 위한 배열장치 및 그 배열방법 |
KR101420232B1 (ko) * | 2010-08-20 | 2014-07-21 | 서강대학교산학협력단 | 홀을 가지는 다공성 박막 및 그의 제조 방법 |
KR101695496B1 (ko) | 2010-09-08 | 2017-01-11 | 서강대학교산학협력단 | 기재상에 3개의 결정축 배향이 모두 정렬된 종자 결정들을 2차 성장시켜 형성된 막 |
JP5707909B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2015-04-30 | 大日本印刷株式会社 | 微粒子の製造方法 |
KR101255780B1 (ko) | 2011-04-11 | 2013-04-17 | 서강대학교산학협력단 | 보울-형태 구조체, 이의 제조 방법, 및 보울 어레이 |
US10384947B2 (en) | 2012-06-15 | 2019-08-20 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Substrate having at least one partially or entirely flat surface and use thereof |
CN104583220A (zh) | 2012-06-15 | 2015-04-29 | 发现知识有限公司 | 用于晶体生长、仅诱导从硅沸石-1或沸石β晶种表面的二次生长的合成凝胶 |
SE537104C2 (sv) | 2012-11-02 | 2015-01-07 | Rolling Optics Ab | Höghastighetstillverkning av tryckta produktmikrokännemärken |
KR101407080B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2014-06-12 | 아주대학교산학협력단 | 입자 정렬을 이용한 코팅 방법 및 이에 의해 제조된 입자 코팅 기판 |
KR102074699B1 (ko) * | 2013-09-23 | 2020-03-02 | 한국전자통신연구원 | 광 기능성 기판의 형성방법 및 이를 포함하는 유기발광 다이오드 |
EP3572875A1 (en) * | 2013-12-19 | 2019-11-27 | Illumina, Inc. | Roll-to-roll process of preparing a patterned substrate and patterned substrate prepared by the same process |
KR102264386B1 (ko) * | 2014-04-09 | 2021-06-16 | 주식회사 에이엔케이 | 입자 정렬을 이용한 코팅 방법 및 이에 의해 제조된 입자 코팅 기판 |
KR102353553B1 (ko) * | 2014-04-24 | 2022-01-21 | 주식회사 에이엔케이 | 입자 정렬을 이용한 코팅 방법 및 이에 의해 제조된 입자 코팅 기판 |
KR101599540B1 (ko) * | 2014-05-28 | 2016-03-04 | 아주대학교산학협력단 | 마이크로미터 수준 입자의 함침율 조절방법 및 이에 의해 제조된 입자 코팅 기판 |
KR102264385B1 (ko) * | 2014-05-28 | 2021-06-16 | 주식회사 에이엔케이 | 입자 정렬을 이용한 코팅 방법 |
KR101586471B1 (ko) * | 2014-05-28 | 2016-01-18 | 아주대학교산학협력단 | 입자 부분 노출형 기재 및 그 제조방법 |
KR102389946B1 (ko) * | 2014-05-28 | 2022-05-10 | 주식회사 에이엔케이 | 입자 정렬을 이용한 코팅 방법 |
KR102424487B1 (ko) * | 2014-06-12 | 2022-07-25 | 알파 어?뻠磁? 솔루션 인크. | 재료들의 소결 및 그를 이용하는 부착 방법들 |
US10005674B2 (en) | 2014-06-27 | 2018-06-26 | Regents Of The University Of Minnesota | Silica support structure for a zeolite membrane |
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GB201509080D0 (en) | 2015-05-27 | 2015-07-08 | Landa Labs 2012 Ltd | Coating apparatus |
US11701684B2 (en) | 2015-05-27 | 2023-07-18 | Landa Labs (2012) Ltd. | Method for coating a surface with a transferable layer of thermoplastic particles and related apparatus |
JP6437400B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2018-12-12 | 東芝メモリ株式会社 | パターン形成方法、スタンパの製造方法、およびデバイスの製造方法 |
JP6710949B2 (ja) * | 2015-12-04 | 2020-06-17 | 東ソー株式会社 | 微粒子配列膜及び反射防止膜 |
EP3408693A1 (en) * | 2016-01-29 | 2018-12-05 | The Procter and Gamble Company | Iridescent article |
WO2017191772A1 (ja) * | 2016-05-05 | 2017-11-09 | デクセリアルズ株式会社 | フィラー配置フィルム |
KR101884248B1 (ko) * | 2016-08-23 | 2018-08-01 | 포항공과대학교 산학협력단 | 연속적으로 대면적에 입자를 배치하는 방법 |
JP6777310B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2020-10-28 | 国立大学法人金沢大学 | チャンバーアレイの製造方法 |
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2009
- 2009-04-21 WO PCT/KR2009/002077 patent/WO2010117102A1/ko active Application Filing
-
2010
- 2010-04-09 EP EP10761890.2A patent/EP2418170B1/en not_active Not-in-force
- 2010-04-09 US US13/263,696 patent/US9181085B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-04-09 JP JP2012504622A patent/JP5814224B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-04-09 US US13/263,689 patent/US9994442B2/en active Active
- 2010-04-09 JP JP2012504621A patent/JP5668052B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-04-09 WO PCT/KR2010/002181 patent/WO2010117229A2/ko active Application Filing
- 2010-04-09 EP EP10761889.4A patent/EP2418169B1/en not_active Not-in-force
- 2010-04-09 TW TW099111052A patent/TWI388434B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-04-09 KR KR1020117026434A patent/KR101341259B1/ko active IP Right Grant
- 2010-04-09 KR KR1020117026433A patent/KR101256323B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-04-09 TW TW099111053A patent/TWI388435B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-04-09 WO PCT/KR2010/002180 patent/WO2010117228A2/ko active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120100364A1 (en) | 2012-04-26 |
EP2418169B1 (en) | 2017-12-13 |
EP2418169A2 (en) | 2012-02-15 |
EP2418170A4 (en) | 2013-07-10 |
TWI388435B (zh) | 2013-03-11 |
WO2010117229A2 (ko) | 2010-10-14 |
JP2012523323A (ja) | 2012-10-04 |
TW201103769A (en) | 2011-02-01 |
US9994442B2 (en) | 2018-06-12 |
TW201110205A (en) | 2011-03-16 |
WO2010117102A1 (ko) | 2010-10-14 |
KR101341259B1 (ko) | 2013-12-13 |
EP2418170B1 (en) | 2016-08-31 |
JP2012523311A (ja) | 2012-10-04 |
US9181085B2 (en) | 2015-11-10 |
KR101256323B1 (ko) | 2013-04-18 |
EP2418170A2 (en) | 2012-02-15 |
WO2010117229A3 (ko) | 2011-01-27 |
KR20120009484A (ko) | 2012-01-31 |
JP5814224B2 (ja) | 2015-11-17 |
WO2010117228A2 (ko) | 2010-10-14 |
KR20120022876A (ko) | 2012-03-12 |
TWI388434B (zh) | 2013-03-11 |
WO2010117228A3 (ko) | 2011-01-27 |
US20120114920A1 (en) | 2012-05-10 |
EP2418169A4 (en) | 2013-07-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140603 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |