JP6790808B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について説明する。図1に示すように、本実施形態の半導体装置は、浮遊ゲートに電荷を蓄積することで情報を記憶するフラッシュメモリが形成されたメモリ領域1と、MOSFET素子が形成されたMOSFET領域2とを備えた構成とされている。MOSFET領域2は、素子領域に相当する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して制御ゲートの構成を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
10 基板
12 絶縁膜
13 浮遊ゲート
21 酸化膜
22 SiN膜
23 酸化膜
24 酸化膜
Claims (23)
- 浮遊ゲート(13)に電荷を蓄積することによって情報を記憶するフラッシュメモリが形成されたメモリ領域(1)を備える半導体装置であって、
基板(10)と、
前記基板の上面と前記浮遊ゲートとの間に形成された絶縁膜(12)と、
前記浮遊ゲートの側壁に形成されたサイドウォール(20)と、
前記浮遊ゲートの直上および前記サイドウォールの表面に形成された第1酸化膜(21)と、
前記第1酸化膜の上面に形成されたシリコン窒化膜(22)と、
前記シリコン窒化膜の上面に形成され、シリコン酸化膜で構成された第2酸化膜(23)と、を備え、
少なくとも前記浮遊ゲートの上部において、前記第2酸化膜の膜厚は、前記シリコン窒化膜の膜厚以上とされている半導体装置。 - 前記第2酸化膜の膜厚は、前記シリコン窒化膜の膜厚の1.25倍以上とされている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記シリコン窒化膜は、屈折率が1.88以上1.918以下とされている請求項1または2に記載の半導体装置。
- 浮遊ゲート(13)に電荷を蓄積することによって情報を記憶するフラッシュメモリが形成されたメモリ領域(1)を備える半導体装置であって、
基板(10)と、
前記基板の上面と前記浮遊ゲートとの間に形成された絶縁膜(12)と、
前記浮遊ゲートの側壁に形成されたサイドウォール(20)と、
前記浮遊ゲートの直上および前記サイドウォールの表面に形成された第1酸化膜(21)と、
前記第1酸化膜の上面に形成されたシリコン窒化膜(22)と、
前記シリコン窒化膜の上面に形成され、シリコン酸化膜で構成された第2酸化膜(23)と、を備え、
前記シリコン窒化膜は、屈折率が1.88以上1.918以下とされている半導体装置。 - 前記基板には、前記フラッシュメモリとは別の半導体素子が形成された素子領域(2)が含まれており、
前記シリコン窒化膜は、前記メモリ領域と前記素子領域とを含む領域に形成されている請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 浮遊ゲート(13)に電荷を蓄積することによって情報を記憶するフラッシュメモリが形成されたメモリ領域(1)を備える半導体装置の製造方法であって、
基板(10)の上面に絶縁膜(12)を形成することと、
前記絶縁膜の上面に前記浮遊ゲートを形成することと、
前記浮遊ゲートの側壁にサイドウォール(20)を形成することと、
前記浮遊ゲートの直上および前記サイドウォールの表面に第1酸化膜(21)を形成することと、
前記第1酸化膜の上面にSiH4ガスおよびN2ガスを原料としてシリコン窒化膜(22)を形成することと、
前記シリコン窒化膜の上面に、前記シリコン窒化膜の膜厚以上の膜厚で、シリコン酸化膜で構成された第2酸化膜(23)を形成することと、を備える半導体装置の製造方法。 - 前記第2酸化膜を形成することでは、前記シリコン窒化膜の膜厚の1.25倍以上の膜厚で前記第2酸化膜を形成する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2酸化膜の上面に300℃以下の成膜温度で第3酸化膜(24)を形成することを備える請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン窒化膜を形成することでは、前記シリコン窒化膜の屈折率が1.88以上1.918以下となるようにSiH4ガスおよびN2ガスのガス比を調整する請求項6ないし8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン窒化膜を形成することでは、雰囲気中にSiH4ガスおよびN2ガスを導入した後にプラズマ着火し、プラズマCVDによって前記シリコン窒化膜を形成する請求項6ないし9のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン窒化膜を形成することでは、成膜初期に雰囲気中に導入するSiH4ガスの量を、N2ガス1ccに対して115/4500〜125/4500ccとする請求項6ないし10のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 浮遊ゲート(13)に電荷を蓄積することによって情報を記憶するフラッシュメモリが形成されたメモリ領域(1)を備える半導体装置の製造方法であって、
基板(10)の上面に絶縁膜(12)を形成することと、
前記絶縁膜の上面に前記浮遊ゲートを形成することと、
前記浮遊ゲートの上面に第1酸化膜(21)を形成することと、
前記第1酸化膜の上面にSiH4ガスおよびN2ガスを原料としてシリコン窒化膜(22)を形成することと、
前記シリコン窒化膜の上面に第2酸化膜(23)を形成することと、
前記第2酸化膜の上面に300℃以下の成膜温度で第3酸化膜(24)を形成することと、を備える半導体装置の製造方法。 - 前記シリコン窒化膜を形成することでは、前記シリコン窒化膜の屈折率が1.88以上1.918以下となるようにSiH4ガスおよびN2ガスのガス比を調整する請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン窒化膜を形成することでは、雰囲気中にSiH4ガスおよびN2ガスを導入した後にプラズマ着火し、プラズマCVDによって前記シリコン窒化膜を形成する請求項12または13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン窒化膜を形成することでは、成膜初期に雰囲気中に導入するSiH4ガスの量を、N2ガス1ccに対して115/4500〜125/4500ccとする請求項12ないし14のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 浮遊ゲート(13)に電荷を蓄積することによって情報を記憶するフラッシュメモリが形成されたメモリ領域(1)を備える半導体装置の製造方法であって、
基板(10)の上面に絶縁膜(12)を形成することと、
前記絶縁膜の上面に前記浮遊ゲートを形成することと、
前記浮遊ゲートの側壁にサイドウォール(20)を形成することと、
前記浮遊ゲートの直上および前記サイドウォールの表面に第1酸化膜(21)を形成することと、
前記第1酸化膜の上面にSiH4ガスおよびN2ガスを原料としてシリコン窒化膜(22)を形成することと、
前記シリコン窒化膜の上面に、シリコン酸化膜で構成された第2酸化膜(23)を形成することと、を備え、
前記シリコン窒化膜を形成することでは、前記シリコン窒化膜の屈折率が1.88以上1.918以下となるようにSiH4ガスおよびN2ガスのガス比を調整する半導体装置の製造方法。 - 前記シリコン窒化膜を形成することでは、雰囲気中にSiH4ガスおよびN2ガスを導入した後にプラズマ着火し、プラズマCVDによって前記シリコン窒化膜を形成する請求項16に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコン窒化膜を形成することでは、成膜初期に雰囲気中に導入するSiH4ガスの量を、N2ガス1ccに対して115/4500〜125/4500ccとする請求項16または17に記載の半導体装置の製造方法。
- 浮遊ゲート(13)に電荷を蓄積することによって情報を記憶するフラッシュメモリが形成されたメモリ領域(1)を備える半導体装置の製造方法であって、
基板(10)の上面に絶縁膜(12)を形成することと、
前記絶縁膜の上面に前記浮遊ゲートを形成することと、
前記浮遊ゲートの側壁にサイドウォール(20)を形成することと、
前記浮遊ゲートの直上および前記サイドウォールの表面に第1酸化膜(21)を形成することと、
前記第1酸化膜の上面にSiH4ガスおよびN2ガスを原料としてシリコン窒化膜(22)を形成することと、
前記シリコン窒化膜の上面に、シリコン酸化膜で構成された第2酸化膜(23)を形成することと、を備え、
前記シリコン窒化膜を形成することでは、雰囲気中にSiH4ガスおよびN2ガスを導入した後にプラズマ着火し、プラズマCVDによって前記シリコン窒化膜を形成する半導体装置の製造方法。 - 前記シリコン窒化膜を形成することでは、成膜初期に雰囲気中に導入するSiH4ガスの量を、N2ガス1ccに対して115/4500〜125/4500ccとする請求項19に記載の半導体装置の製造方法。
- 浮遊ゲート(13)に電荷を蓄積することによって情報を記憶するフラッシュメモリが形成されたメモリ領域(1)を備える半導体装置の製造方法であって、
基板(10)の上面に絶縁膜(12)を形成することと、
前記絶縁膜の上面に前記浮遊ゲートを形成することと、
前記浮遊ゲートの上面に酸化膜(21)を形成することと、
前記酸化膜の上面にSiH4ガスおよびN2ガスを原料としてシリコン窒化膜(22)を形成することと、を備え、
前記シリコン窒化膜を形成することでは、成膜初期に雰囲気中に導入するSiH4ガスの量を、N2ガス1ccに対して115/4500〜125/4500ccとする半導体装置の製造方法。 - 前記浮遊ゲートを形成することの後、前記シリコン窒化膜を形成することの前に、前記浮遊ゲートに蓄積される電荷の量を制御するための制御ゲート(25)を、前記浮遊ゲートと電気的に絶縁された状態で形成することを備える請求項12〜15および21のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板に前記フラッシュメモリとは別の半導体素子が形成された素子領域(2)を形成することを備え、
前記シリコン窒化膜を形成することでは、前記メモリ領域と前記素子領域とを含む領域に前記シリコン窒化膜を形成する請求項6ないし22のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
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