JP5655735B2 - 処理装置、処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 11
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 126
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 15
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 claims 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 138
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 64
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 31
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- KDEZRSAOKUGNAJ-UHFFFAOYSA-N C=C.C=C.F.F.F Chemical group C=C.C=C.F.F.F KDEZRSAOKUGNAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
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Description
被処理基板が高圧流体により処理される処理空間を区画形成し、被処理基板が当該被処理基板の面に沿った方向に搬送される搬入出口を有する処理容器と、
被処理基板を保持して前記搬入出口を介して前記処理空間に搬入出するための基板ホルダーと、
この基板ホルダーの端部に設けられ、当該基板ホルダーが処理空間に進入したときに前記搬入出口を気密に塞ぐための蓋体と、
前記基板ホルダーに保持された被処理基板を処理容器に対して搬入出させるために前記蓋体を進退させる駆動部と、
前記蓋体が前記処理容器内の圧力により当該処理容器側から後退することを規制するための規制機構と、
前記蓋体と前記処理容器の外面との間に前記搬入出口を囲んだ状態で介在するように設けられ、高圧流体に対して耐食性を有する材質により構成された第1のシール部材と、
前記搬入出口から見て前記第1のシール部材よりも外側に離れた位置において、前記蓋体と前記処理容器の外面との間に前記搬入出口を囲んだ状態で介在するように設けられた第2のシール部材と、
前記第1のシール部材と前記第2のシール部材との間の領域に補助流体を供給する流体供給機構と、を備えたことを特徴とする。
被処理基板が高圧流体により処理される処理空間を区画形成し、被処理基板が当該被処理基板の面に沿った方向に搬送される搬入出口を有する処理容器を用い、
基板ホルダーに被処理基板を保持して前記搬入出口を介して前記処理空間に搬入し、この基板ホルダーの端部に設けられた蓋体により前記搬入出口を気密に塞ぐ工程と、
次いで、前記蓋体が前記処理容器内の圧力により当該処理容器側から後退することを規制する工程と、
前記蓋体と前記処理容器の外面との間に、高圧流体に対して耐食性を有する材質により構成された第1のシール部材を、前記搬入出口を囲んだ状態で介在させると共に、前記搬入出口から見て前記第1のシール部材よりも外側に離れた位置において、第2のシール部材を前記搬入出口を囲んだ状態で前記蓋体と前記処理容器との間に介在させることにより、前記処理容器内と外部とを気密にシールする工程と、
前記第1のシール部材と前記第2のシール部材との間の領域に補助流体を供給する工程と、
その後、被処理基板に対して高圧流体を用いて処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
処理容器内に搬入出領域を介して搬入された被処理基板に対して高圧流体を用いて処理を行う処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、前記処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
更に、各シール部材11、12は、処理容器1に対して蓋体3が気密に接触する時に摺動しないので、パーティクルの発生を抑えることができる。
そして、超臨界流体を用いることにより、ウエハWの表面に形成されたパターン倒れを抑制できる。
また、既述のオリフィスからなる圧力調整部36に代えて、図17に示すように、窒素ガスを一時的に貯留するための容器(アキュームレータ)71を設けても良い。この容器71と、高圧流体供給路22における高圧流体供給口21側のバルブVとの間には、容器71から供給される窒素ガスの流量を調整するための流量調整部Mが設けられる。そして、図17の装置において既述の処理を行う時には、容器71よりも上流側(高圧流体貯留源23側)のバルブVを開放すると共に容器71よりも下流側(処理領域8側)のバルブVを閉じて、窒素供給源35から容器71内に窒素ガスを供給する。次いで、前記上流側のバルブVを閉じると共に前記下流側のバルブVを開放して、容器71から窒素ガスを差圧緩和領域13に供給する。こうして容器71以外の部位における手順については既述の例と同様に進行して、ウエハWに対する処理が行われる。
更に、処理容器1と蓋体3との間において、第2のシール部材12を囲むように、図示しない第3のシール部材を設けると共に、第2のシール部材12と第3のシール部材との間に差圧緩和用流体を供給し、処理容器1の内部領域側から差圧緩和領域13、第2のシール部材12と第3のシール部材との間の領域及び大気雰囲気の順番で圧力が低くなるようにしても良い。
また、以上の各例では、ロックプレート26やロック部材45などの規制機構により処理容器1側からの蓋体3の後退を規制したが、この規制機構としては、これらロックプレート26及びロック部材45に代えて、スライダー48を進退させる駆動部49に例えば油圧式のシリンダーを組み合わせて設けておき、このシリンダーによりスライダー48を処理容器1側に押圧し続けるようにしても良い。
また、処理装置において行う処理としては、既述の乾燥処理以外にも、例えばウエハWの表面からのレジスト膜の除去(溶解)処理などであっても良い。
1 処理容器
2 搬入出口
3 蓋体
4 ウエハホルダー
8 処理領域
11 第1のシール部材
12 第2のシール部材
13 差圧緩和領域
Claims (15)
- 被処理基板が高圧流体により処理される処理空間を区画形成し、被処理基板が当該被処理基板の面に沿った方向に搬送される搬入出口を有する処理容器と、
被処理基板を保持して前記搬入出口を介して前記処理空間に搬入出するための基板ホルダーと、
この基板ホルダーの端部に設けられ、当該基板ホルダーが処理空間に進入したときに前記搬入出口を気密に塞ぐための蓋体と、
前記基板ホルダーに保持された被処理基板を処理容器に対して搬入出させるために前記蓋体を進退させる駆動部と、
前記蓋体が前記処理容器内の圧力により当該処理容器側から後退することを規制するための規制機構と、
前記蓋体と前記処理容器の外面との間に前記搬入出口を囲んだ状態で介在するように設けられ、高圧流体に対して耐食性を有する材質により構成された第1のシール部材と、
前記搬入出口から見て前記第1のシール部材よりも外側に離れた位置において、前記蓋体と前記処理容器の外面との間に前記搬入出口を囲んだ状態で介在するように設けられた第2のシール部材と、
前記第1のシール部材と前記第2のシール部材との間の領域に補助流体を供給する流体供給機構と、を備えたことを特徴とする処理装置。 - 前記規制機構は、前記蓋体が前記搬入出口を気密に塞いだ後、当該蓋体の背面側に当該蓋体との間にわずかな隙間を介して移動し、処理空間内の圧力が上昇したときに当該蓋体が後退する後退位置を規制するロック部材を備えていることを特徴とする請求項1記載の処理装置。
- 前記第1のシール部材は、少なくとも表面がフッ素樹脂からなるものであることを特徴とする請求項1または2に記載の処理装置。
- 前記第1のシール部材は、ばね構造体として構成され、このばね構造体に金属材からなる補強材が組み合わされていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の処理装置。
- 前記処理容器内の圧力をP1、前記第1のシール部材と前記第2のシール部材との間の領域の圧力をP2とすると、前記処理容器内の昇圧時には圧力P1がその設定した圧力に昇圧するまでP1≧P2となるように制御信号を出力し、また前記処理容器内の降圧時には圧力P1がその設定した圧力に降圧するまでP1≧P2となるように制御信号を出力する制御部を備えたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の処理装置。
- 前記制御部は、前記処理容器内の降圧時には、圧力P1の減圧勾配よりも圧力P2の減圧勾配の方が小さくなるように制御信号を出力することを特徴とする請求項5に記載の処理装置。
- 前記制御部は、前記処理容器内の降圧時には、圧力P1及び圧力P2の少なくとも一方について、減圧勾配を複数段階に切り替えて降圧するように制御信号を出力することを特徴とする請求項6に記載の処理装置。
- 前記第1のシール部材と前記第2のシール部材との間に供給された補助流体を排出するための流体排出機構を備え、
前記制御部は、被処理基板に対して処理を行う時は、前記流体供給機構及び前記流体排出機構を介して、前記第1のシール部材と前記第2のシール部材との間の領域への補助流体の供給と排出とを継続し、
この補助流体は、前記第2のシール部材を冷却するために、前記処理容器内における高圧流体よりも低い温度に設定されていることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか一つに記載の処理装置。 - 補助流体は、前記第2のシール部材の劣化を抑えるために、不活性ガス、及び炭素と水素とを含む無極性ガスの少なくとも一方であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一つに記載の処理装置。
- 前記流体供給機構は、前記処理容器内の圧力よりも低く且つ前記処理容器の外部よりも高い圧力で補助流体を供給することを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一つに記載の処理装置。
- 被処理基板が高圧流体により処理される処理空間を区画形成し、被処理基板が当該被処理基板の面に沿った方向に搬送される搬入出口を有する処理容器を用い、
基板ホルダーに被処理基板を保持して前記搬入出口を介して前記処理空間に搬入し、この基板ホルダーの端部に設けられた蓋体により前記搬入出口を気密に塞ぐ工程と、
次いで、前記蓋体が前記処理容器内の圧力により当該処理容器側から後退することを規制する工程と、
前記蓋体と前記処理容器の外面との間に、高圧流体に対して耐食性を有する材質により構成された第1のシール部材を、前記搬入出口を囲んだ状態で介在させると共に、前記搬入出口から見て前記第1のシール部材よりも外側に離れた位置において、第2のシール部材を前記搬入出口を囲んだ状態で前記蓋体と前記処理容器との間に介在させることにより、前記処理容器内と外部とを気密にシールする工程と、
前記第1のシール部材と前記第2のシール部材との間の領域に補助流体を供給する工程と、
その後、被処理基板に対して高圧流体を用いて処理を行う工程と、を含むことを特徴とする処理方法。 - 前記処理容器内から高圧流体を排出する工程と、
前記第1のシール部材と前記第2のシール部材との間の領域から補助流体を排出する工程と、を備え、
前記処理容器内の圧力をP1、前記第1のシール部材と前記第2のシール部材との間の領域の圧力をP2とすると、前記補助流体を供給する工程及び前記高圧流体を用いて処理を行う工程は、圧力P1がその設定した圧力に昇圧するまでP1≧P2となるように高圧流体及び補助流体の供給量を調整する工程であり、
前記高圧流体を排出する工程及び前記補助流体を排出する工程は、圧力P1がその設定した圧力に降圧するまでP1≧P2となるように高圧流体及び補助流体の供給量を調整する工程であることを特徴とする請求項11に記載の処理方法。 - 前記高圧流体を排出する工程及び前記補助流体を排出する工程は、圧力P1の減圧勾配よりも圧力P2の減圧勾配の方が小さくなるように高圧流体及び補助流体の供給量を調整する工程であることを特徴とする請求項12に記載の処理方法。
- 前記規制する工程は、前記蓋体が前記搬入出口を気密に塞いだ後、ロック部材が当該蓋体の背面側に当該蓋体との間にわずかな隙間を介して移動し、処理空間内の圧力が上昇したときに当該蓋体が後退して、ロック部材がその後退位置を規制する工程である請求項12または13に記載の処理方法。
- 処理容器内に搬入出領域を介して搬入された被処理基板に対して高圧流体を用いて処理を行う処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、請求項11ないし14のいずれか一つに記載の処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011163430A JP5655735B2 (ja) | 2011-07-26 | 2011-07-26 | 処理装置、処理方法及び記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011163430A JP5655735B2 (ja) | 2011-07-26 | 2011-07-26 | 処理装置、処理方法及び記憶媒体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014238132A Division JP6015738B2 (ja) | 2014-11-25 | 2014-11-25 | 処理装置、処理方法及び記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013030502A JP2013030502A (ja) | 2013-02-07 |
JP2013030502A5 JP2013030502A5 (ja) | 2013-09-26 |
JP5655735B2 true JP5655735B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=47787299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011163430A Active JP5655735B2 (ja) | 2011-07-26 | 2011-07-26 | 処理装置、処理方法及び記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5655735B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5708506B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP6189161B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-08-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 乾燥装置、乾燥処理方法、基板ホルダ及び溶媒吸着シート |
KR102314667B1 (ko) * | 2015-10-04 | 2021-10-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 작은 열 질량의 가압 챔버 |
JP6840036B2 (ja) * | 2017-06-09 | 2021-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7410547B2 (ja) * | 2019-12-06 | 2024-01-10 | 株式会社レクザム | ウェハ処理装置 |
WO2021112130A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | 株式会社レクザム | ウェハ処理装置 |
JP6959668B2 (ja) * | 2020-02-06 | 2021-11-02 | 株式会社レクザム | ウェハ処理装置 |
JP7427232B2 (ja) * | 2020-02-10 | 2024-02-05 | 株式会社レクザム | ウェハ処理装置 |
JP7104190B2 (ja) * | 2021-01-13 | 2022-07-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06314678A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 密閉式洗浄装置 |
JP2000340540A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Hitachi Koki Co Ltd | 超臨界乾燥装置 |
JP2003051474A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Kobe Steel Ltd | 高圧処理装置 |
TWI233147B (en) * | 2003-03-31 | 2005-05-21 | Lam Res Corp | Chamber and associated methods for wafer processing |
JP2006291984A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-26 | Toagosei Co Ltd | 低温用ガスケット、それを用いる収容容器及びその密封方法 |
JP4907310B2 (ja) * | 2006-11-24 | 2012-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置、処理方法及び記録媒体 |
-
2011
- 2011-07-26 JP JP2011163430A patent/JP5655735B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013030502A (ja) | 2013-02-07 |
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