JP5641779B2 - 不揮発性記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 683
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 282
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 174
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 153
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 claims description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 71
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 44
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 10
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 7
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 266
- 239000010408 film Substances 0.000 description 130
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 92
- 230000008859 change Effects 0.000 description 44
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 43
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 22
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 16
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 15
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 14
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 208000036252 interstitial lung disease 1 Diseases 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 102100033067 Growth factor receptor-bound protein 2 Human genes 0.000 description 3
- 101000871017 Homo sapiens Growth factor receptor-bound protein 2 Proteins 0.000 description 3
- 101001120056 Homo sapiens Phosphatidylinositol 3-kinase regulatory subunit alpha Proteins 0.000 description 3
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 3
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 3
- 102100026169 Phosphatidylinositol 3-kinase regulatory subunit alpha Human genes 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 208000036971 interstitial lung disease 2 Diseases 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100030385 Granzyme B Human genes 0.000 description 1
- 101100069394 Homo sapiens GZMB gene Proteins 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/102—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including bipolar components
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
- H10B63/82—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays the switching components having a common active material layer
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- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
- H10B63/84—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays
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Description
半導体基板上に形成され、
前記半導体基板の主面の第1方向に延在する複数の第1配線と、
前記複数の第1配線のそれぞれの上部に、所定の間隔をおいて形成された複数のダイオードと、
前記複数のダイオードの上部に形成され、前記複数のダイオードに電気的に接続された複数の不揮発性メモリと、
前記複数の不揮発性メモリの上部に形成され、前記第1方向と直交する第2方向に延在する複数の第2配線と、
を有し、
前記複数のダイオードのそれぞれは、前記複数の不揮発性メモリの選択素子として機能し、
前記複数の第1配線のそれぞれの上に形成され、前記複数の第1配線と電気的に接続された、第1の抵抗値を有する第1導電型の半導体層と、
前記第1導電型の半導体層上に積層された、前記第1の抵抗値よりも高い第2の抵抗値を有する複数の多結晶半導体層と、
前記複数の多結晶半導体層上に形成され、前記複数の不揮発性メモリに電気的に接続された、前記第2の抵抗値よりも低い第3の抵抗値を有する第2導電型の半導体層と、
からなる、前記半導体基板の主面に垂直に積層された柱状の積層構造を有し、
前記複数の第1配線および前記複数の第2配線は、前記複数の不揮発性メモリを選択するワード線およびビット線を構成しているものである。
半導体基板上に形成され、
前記半導体基板の主面の第1方向に延在する複数の第1配線と、
前記複数の第1配線のそれぞれの上部に、所定の間隔をおいて形成された複数のダイオードと、
前記複数のダイオードの上部に形成され、前記複数のダイオードに電気的に接続された複数の不揮発性メモリと、
前記複数の不揮発性メモリの上部に形成され、前記第1方向と直交する第2方向に延在する複数の第2配線と、
を有し、
前記複数のダイオードのそれぞれは、前記複数の不揮発性メモリの選択素子として機能し、
前記複数の第1配線のそれぞれの上に形成され、前記複数の第1配線と電気的に接続された、第1の抵抗値を有する第1導電型の半導体層と、
前記第1導電型の半導体層上に積層された、前記第1の抵抗値よりも高い第2の抵抗値を有する複数の多結晶半導体層と、
前記複数の多結晶半導体層上に形成され、前記複数の不揮発性メモリに電気的に接続された、前記第2の抵抗値よりも低い第3の抵抗値を有する第2導電型の半導体層と、
からなる、前記半導体基板の主面に垂直に積層された柱状の積層構造を有し、
前記複数の第1配線および前記複数の第2配線は、前記複数の不揮発性メモリを選択するワード線およびビット線を構成している不揮発性記憶装置の製造方法であって、
(a)前記半導体基板上に、第1金属膜、前記第1導電型の半導体層、前記第1の抵抗値より高い第2の抵抗値を有する複数の半導体層および前記第2導電型の半導体層を順次形成する工程と、
(b)前記第1方向に沿って前記第2導電型の半導体層、前記複数の半導体層、前記第1導電型の半導体層および前記第1金属膜をストライプ状に加工して、前記第1金属膜からなる前記複数の第1配線と、前記複数の第1配線のそれぞれの上に形成された前記第1導電型の半導体層、前記複数の半導体層および前記第2導電型の半導体層を含む複数の第1パターンとを形成する工程と、
(c)前記複数の第1配線同士の間および前記複数の第1パターン同士の間を第1絶縁膜で埋め込んだ後、前記複数の第1パターンのそれぞれの上面を露出させる工程と、
(d)前記第2方向に沿って前記第1絶縁膜および前記第1パターンをストライプ状に加工し、前記第1絶縁膜および前記第1パターンを含む複数の第2パターンを形成する工程と、
(e)前記複数の第2パターン同士の間を層間絶縁膜で埋め込んだ後、前記複数の第2パターンのそれぞれの上面を露出させる工程と、
(f)前記(a)工程の後、熱処理により前記複数の半導体層を結晶化して前記複数の多結晶半導体層を形成する工程と、
を有し、
前記第1導電型の半導体層、前記複数の多結晶半導体層および前記第2導電型の半導体層からなる前記複数のダイオードを形成するものである。
本実施の形態では、自己整列した複数のメモリセルをビットラインとワードラインとの交点に垂直に配置形成するチェインメモリ型のメモリマトリクスを有し、選択素子としてダイオードを有し、記憶素子として相変化メモリを有する不揮発性記憶装置について説明する。
絶縁層71が形成されている。ゲートポリシリコン層21p〜24pおよび61pは、それぞれ相変化メモリを選択する選択トランジスタのゲートとして機能するものである。
前記実施の形態1では、相変化メモリとして縦型チェインメモリを有する不揮発性記憶装置について説明した。本実施の形態では、相変化メモリとして金属電極に挟まれた相変化材料を有するクロスポイント型の相変化メモリを有す不揮発性記憶装置について、図30〜図39を用いて説明する。
2 ワード線
2a、3a タングステン膜
3 ビット線
4、5 金属電極膜
7、7a 相変化材料層
9 ゲート絶縁層
10〜15 絶縁層
8a、21a、22a、23a、24a、38a アモルファスシリコン層
8p、38p、40p、49p、50p ポリシリコン層
21p〜24p ゲートポリシリコン層
31、33、51、71、91、92 絶縁層
40a、51a、52a、60a、61a アモルファスシリコン層
51b、52b、51p、52p、60p ポリシリコン層
51c〜53c アモルファスシリコン層
61p ゲートポリシリコン層
BL1〜BL3、BLn ビット線
BLC コンタクトプラグ
C1、C2 コンタクトプラグ
DIF 拡散層
G1 溝
GATE ゲート電極
GBL グローバルビット線
GBLC コンタクトプラグ
GC1〜GC4 コンタクトプラグ
GL1〜GL4 ゲート配線
GOX ゲート絶縁膜
GRB、GRB1、GRB2 結晶粒界
ILD1〜ILD6 層間絶縁膜
M1、M2 配線層
MA メモリセルアレイ
PD、PDa、PDb ポリシリコンダイオード
SMC 選択セル
STGC1 コンタクトプラグ
STGL1、STGL2 ゲート配線
STI 素子分離層
USMC1〜USMC3 非選択セル
WL1〜WL3、WLm ワード線
WLC コンタクトプラグ
Claims (12)
- 半導体基板上に形成され、
前記半導体基板の主面の第1方向に延在する複数の第1配線と、
前記複数の第1配線のそれぞれの上部に、所定の間隔をおいて形成された複数のダイオードと、
前記複数のダイオードの上部に形成され、前記複数のダイオードに電気的に接続された複数の不揮発性メモリと、
前記複数の不揮発性メモリの上部に形成され、前記第1方向と直交する第2方向に延在する複数の第2配線と、
を有し、
前記複数のダイオードのそれぞれは、前記複数の不揮発性メモリの選択素子として機能し、
前記複数の第1配線のそれぞれの上に形成され、前記複数の第1配線と電気的に接続された、第1の抵抗値を有する第1導電型の半導体層と、
前記第1導電型の半導体層上に形成され、前記第1の抵抗値よりも高い第2の抵抗値を有し、複数層を積層した構造を有する多結晶半導体層と、
前記多結晶半導体層上に形成され、前記複数の不揮発性メモリに電気的に接続された、前記第2の抵抗値よりも低い第3の抵抗値を有する第2導電型の半導体層と、
からなる、前記半導体基板の主面に垂直に積層された柱状の積層構造を有し、
前記多結晶半導体層中の多結晶粒は、前記多結晶半導体層を構成する前記複数層間の層境界で前記第1方向と前記第2方向との両方に平行な多結晶粒界面を形成し、
前記第1導電型の半導体層から前記第2導電型の半導体層に至る前記多結晶半導体層中の多結晶粒界面は、前記多結晶半導体層を形成する前記複数層間の層境界に形成される前記第1方向と前記第2方向との両方に平行な多結晶粒界面を介しており、
前記複数の第1配線および前記複数の第2配線は、前記複数の不揮発性メモリを選択するワード線およびビット線を構成していることを特徴とする不揮発性記憶装置。 - 前記第1導電型の半導体層および前記第2導電型の半導体層は多結晶シリコンからなり、
前記多結晶半導体層はシリコン、ゲルマニウム、炭化ケイ素、シリコンゲルマニウムのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶装置。 - 前記第1導電型の半導体層および前記第2導電型の半導体層はそれぞれ単一の層からなることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶装置。
- 前記複数の第1配線は、前記半導体基板の主面上に前記第1方向に延在するストライプ状に形成され、
前記複数のダイオード同士の間には第1絶縁膜が埋め込まれ、
前記第1絶縁膜上には、複数の第2絶縁膜と複数のゲート配線とが交互に積層され、
前記複数の第2絶縁膜および前記複数のゲート配線は前記複数のダイオードのそれぞれの上面に達する複数の溝を有し、
前記複数の溝のそれぞれの内壁には、第3絶縁膜、前記複数の溝の底部において前記第2導電型の半導体層と電気的に接続されたチャネル半導体層、第4絶縁膜、相変化材料層および第5絶縁膜が、前記複数の溝のそれぞれの内壁側から順に前記複数の溝の内壁に沿って形成され、
前記複数の第2配線は前記チャネル半導体層と電気的に接続され、
前記複数の不揮発性メモリは前記複数のゲート配線、前記第3絶縁膜、前記チャネル半導体層、および前記相変化材料層により構成されていることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶装置。 - 前記複数の第1配線は、前記半導体基板の主面上に前記第1方向に延在するストライプ状に形成され、
前記複数のダイオード同士の間には第1絶縁膜が埋め込まれ、
前記複数のダイオードのそれぞれの上には、第1金属電極膜、相変化材料層および第2金属電極膜が順に積層された積層構造を有する前記複数の不揮発性メモリが配置され、
隣り合う前記複数の不揮発性メモリ同士の間には層間絶縁膜が埋め込まれ、
前記第2金属電極膜上および前記層間絶縁膜上には前記複数の第2配線がストライプ状に形成され、前記第2金属電極膜および前記複数の第2配線は電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶装置。 - 半導体基板上に形成され、
前記半導体基板の主面の第1方向に延在する複数の第1配線と、
前記複数の第1配線のそれぞれの上部に、所定の間隔をおいて形成された複数のダイオードと、
前記複数のダイオードの上部に形成され、前記複数のダイオードに電気的に接続された複数の不揮発性メモリと、
前記複数の不揮発性メモリの上部に形成され、前記第1方向と直交する第2方向に延在する複数の第2配線と、
を有し、
前記複数のダイオードのそれぞれは、前記複数の不揮発性メモリの選択素子として機能し、
前記複数の第1配線のそれぞれの上に形成され、前記複数の第1配線と電気的に接続された、第1の抵抗値を有する第1導電型の半導体層と、
前記第1導電型の半導体層上に形成され、前記第1の抵抗値よりも高い第2の抵抗値を有し、複数層を積層した構造を有する多結晶半導体層と、
前記多結晶半導体層上に形成され、前記複数の不揮発性メモリに電気的に接続された、前記第2の抵抗値よりも低い第3の抵抗値を有する第2導電型の半導体層と、
からなる、前記半導体基板の主面に垂直に積層された柱状の積層構造を有し、
前記複数の第1配線および前記複数の第2配線は、前記複数の不揮発性メモリを選択するワード線およびビット線を構成している不揮発性記憶装置の製造方法であって、
(a)前記半導体基板上に、第1金属膜、前記第1導電型の半導体層、前記第1の抵抗値より高い前記第2の抵抗値を有し、複数層を積層した構造を有する半導体層および前記第2導電型の半導体層を順次形成する工程と、
(b)前記第1方向に沿って前記第2導電型の半導体層、前記半導体層、前記第1導電型の半導体層および前記第1金属膜をストライプ状に加工して、前記第1金属膜からなる前記複数の第1配線と、前記複数の第1配線のそれぞれの上に形成された前記第1導電型の半導体層、前記半導体層および前記第2導電型の半導体層を含む複数の第1パターンとを形成する工程と、
(c)前記複数の第1配線同士の間および前記複数の第1パターン同士の間を第1絶縁膜で埋め込んだ後、前記複数の第1パターンのそれぞれの上面を露出させる工程と、
(d1)前記複数の第1パターン上および前記第1絶縁膜上に複数の第2絶縁膜と複数の第3金属膜とを交互に積層する工程と、
(d2)前記複数の第2絶縁膜および前記複数の第3金属膜を前記第1方向に沿ってストライプ状に加工し、前記第1パターンの上面を露出する複数の溝を形成し、前記複数の第3金属膜からなる複数のゲート配線を形成する工程と、
(d3)前記複数の溝の内壁に第3絶縁膜、チャネル半導体層、第4絶縁膜、相変化材料層および第5絶縁膜を順次形成して前記複数の溝内を埋める工程と、
(d4)前記第4絶縁膜、前記相変化材料層および前記第5絶縁膜をエッチバックし、前記チャネル半導体層の上面を露出させる工程と、
(d5)前記(d4)工程の後、前記チャネル半導体層上に、前記チャネル半導体層と電気的に接続された第2金属膜を形成する工程と、
(d)前記第2方向に沿って前記第2金属膜、前記チャネル半導体層、前記第5絶縁膜、前記相変化材料層、前記第4絶縁膜、前記第1絶縁膜および前記第1パターンをストライプ状に加工して、前記第2金属膜、前記チャネル半導体層、前記複数の第2絶縁膜、前記複数のゲート配線、前記第5絶縁膜、前記相変化材料層、前記第4絶縁膜、前記第1絶縁膜および前記複数の第1パターンからなる複数の第2パターンを形成する工程と、
(e)前記複数の第2パターン同士の間を層間絶縁膜で埋め込む工程と、
(f)前記(a)工程の後、熱処理により前記半導体層を結晶化して前記多結晶半導体層を形成する工程と、
を有し、
前記第1導電型の半導体層、前記多結晶半導体層および前記第2導電型の半導体層からなる前記複数のダイオードを形成し、
前記第2金属膜からなる前記複数の第2配線と、前記複数のゲート配線、前記第3絶縁膜、前記相変化材料層からなる前記複数の不揮発性メモリを形成することを特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法。 - 前記(f)工程における前記熱処理はレーザーアニールによって行うことを特徴とする請求項6記載の不揮発性記憶装置の製造方法。
- 前記(a)工程では、前記第1導電型の半導体層および前記第2導電型の半導体層はそれぞれ単一の層で形成することを特徴とする請求項6記載の不揮発性記憶装置の製造方法。
- 前記(a)工程では、多結晶シリコンを含む前記第1導電型の半導体層および前記第2導電型の半導体層と、シリコン、ゲルマニウム、炭化ケイ素、シリコンゲルマニウムのうち少なくとも一つを含む前記半導体層とを形成することを特徴とする請求項6記載の不揮発性記憶装置の製造方法。
- 半導体基板上に形成され、
前記半導体基板の主面の第1方向に延在する複数の第1配線と、
前記複数の第1配線のそれぞれの上部に、所定の間隔をおいて形成された複数のダイオードと、
前記複数のダイオードの上部に形成され、前記複数のダイオードに電気的に接続された複数の不揮発性メモリと、
前記複数の不揮発性メモリの上部に形成され、前記第1方向と直交する第2方向に延在する複数の第2配線と、
を有し、
前記複数のダイオードのそれぞれは、前記複数の不揮発性メモリの選択素子として機能し、
前記複数の第1配線のそれぞれの上に形成され、前記複数の第1配線と電気的に接続された、第1の抵抗値を有する第1導電型の半導体層と、
前記第1導電型の半導体層上に形成され、前記第1の抵抗値よりも高い第2の抵抗値を有し、複数層を積層した構造を有する多結晶半導体層と、
前記多結晶半導体層上に形成され、前記複数の不揮発性メモリに電気的に接続された、前記第2の抵抗値よりも低い第3の抵抗値を有する第2導電型の半導体層と、
からなる、前記半導体基板の主面に垂直に積層された柱状の積層構造を有し、
前記複数の第1配線および前記複数の第2配線は、前記複数の不揮発性メモリを選択するワード線およびビット線を構成している不揮発性記憶装置の製造方法であって、
(a)前記半導体基板上に、第1金属膜、前記第1導電型の半導体層、前記第1の抵抗値より高い前記第2の抵抗値を有する前記多結晶半導体層および前記第2導電型の半導体層を順次形成する工程と、
(b)前記第1方向に沿って前記第2導電型の半導体層、前記多結晶半導体層、前記第1導電型の半導体層および前記第1金属膜をストライプ状に加工して、前記第1金属膜からなる前記複数の第1配線と、前記複数の第1配線のそれぞれの上に形成された前記第1導電型の半導体層、前記多結晶半導体層および前記第2導電型の半導体層を含む複数の第1パターンとを形成する工程と、
(c)前記複数の第1配線同士の間および前記複数の第1パターン同士の間を第1絶縁膜
で埋め込んだ後、前記複数の第1パターンのそれぞれの上面を露出させる工程と、
(d1)前記複数の第1パターン上および前記第1絶縁膜上に複数の第2絶縁膜と複数の第3金属膜とを交互に積層する工程と、
(d2)前記複数の第2絶縁膜および前記複数の第3金属膜を前記第1方向に沿ってストライプ状に加工し、前記第1パターンの上面を露出する複数の溝を形成し、前記複数の第3金属膜からなる複数のゲート配線を形成する工程と、
(d3)前記複数の溝の内壁に第3絶縁膜、チャネル半導体層、第4絶縁膜、相変化材料層および第5絶縁膜を順次形成して前記複数の溝内を埋める工程と、
(d4)前記第4絶縁膜、前記相変化材料層および前記第5絶縁膜をエッチバックし、前記チャネル半導体層の上面を露出させる工程と、
(d5)前記(d4)工程の後、前記チャネル半導体層上に、前記チャネル半導体層と電気的に接続された第2金属膜を形成する工程と、
(d)前記第2方向に沿って前記第2金属膜、前記チャネル半導体層、前記第5絶縁膜、前記相変化材料層、前記第4絶縁膜、前記第1絶縁膜および前記第1パターンをストライプ状に加工して、前記第2金属膜、前記チャネル半導体層、前記複数の第2絶縁膜、前記複数のゲート配線、前記第5絶縁膜、前記相変化材料層、前記第4絶縁膜、前記第1絶縁膜および前記複数の第1パターンからなる複数の第2パターンを形成する工程と、
(e)前記複数の第2パターン同士の間を層間絶縁膜で埋め込む工程と、
を有し、
前記第1導電型の半導体層、前記多結晶半導体層および前記第2導電型の半導体層からなる前記複数のダイオードを形成し、
前記第2金属膜からなる前記複数の第2配線と、前記複数のゲート配線、前記第3絶縁膜、前記相変化材料層からなる前記複数の不揮発性メモリを形成することを特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法。 - 前記(a)工程では、前記第1導電型の半導体層および前記第2導電型の半導体層はそれぞれ単一の層で形成することを特徴とする請求項10記載の不揮発性記憶装置の製造方法。
- 前記(a)工程では、多結晶シリコンを含む前記第1導電型の半導体層および前記第2導電型の半導体層と、シリコン、ゲルマニウム、炭化ケイ素、シリコンゲルマニウムのうち少なくとも一つを含む前記多結晶半導体層とを形成することを特徴とする請求項10記載の不揮発性記憶装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010114372A JP5641779B2 (ja) | 2010-05-18 | 2010-05-18 | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
US13/109,985 US8592789B2 (en) | 2010-05-18 | 2011-05-17 | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
US14/076,261 US9070621B2 (en) | 2010-05-18 | 2013-11-10 | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010114372A JP5641779B2 (ja) | 2010-05-18 | 2010-05-18 | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011243738A JP2011243738A (ja) | 2011-12-01 |
JP5641779B2 true JP5641779B2 (ja) | 2014-12-17 |
Family
ID=44971743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010114372A Expired - Fee Related JP5641779B2 (ja) | 2010-05-18 | 2010-05-18 | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8592789B2 (ja) |
JP (1) | JP5641779B2 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102959635B (zh) | 2010-09-08 | 2015-06-03 | 株式会社日立制作所 | 半导体存储器件 |
JP5639828B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2014-12-10 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP5624425B2 (ja) * | 2010-10-14 | 2014-11-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN102544049B (zh) * | 2010-12-22 | 2014-04-16 | 中国科学院微电子研究所 | 三维半导体存储器件及其制备方法 |
KR20120134869A (ko) * | 2011-06-03 | 2012-12-12 | 삼성전자주식회사 | 저항 변화 체를 갖는 비-휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US10566056B2 (en) | 2011-06-10 | 2020-02-18 | Unity Semiconductor Corporation | Global bit line pre-charge circuit that compensates for process, operating voltage, and temperature variations |
KR20130017347A (ko) * | 2011-08-10 | 2013-02-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
EP2608210B1 (en) * | 2011-12-23 | 2019-04-17 | IMEC vzw | Stacked RRAM array with integrated transistor selector |
KR101929246B1 (ko) | 2012-09-14 | 2018-12-14 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 그 형성 방법 |
US10340451B2 (en) * | 2013-01-18 | 2019-07-02 | Nec Corporation | Switching element having overlapped wiring connections and method for fabricating semiconductor switching device |
US8933457B2 (en) * | 2013-03-13 | 2015-01-13 | Macronix International Co., Ltd. | 3D memory array including crystallized channels |
US9184217B2 (en) | 2013-04-18 | 2015-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory device |
KR20150056309A (ko) | 2013-11-15 | 2015-05-26 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US9905756B2 (en) * | 2014-02-03 | 2018-02-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor storage device |
KR20150122369A (ko) * | 2014-04-22 | 2015-11-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
KR102135181B1 (ko) | 2014-05-12 | 2020-07-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102192539B1 (ko) * | 2014-05-21 | 2020-12-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이의 프로그램 방법 |
US9627391B2 (en) * | 2014-07-10 | 2017-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile memory device |
KR102275543B1 (ko) * | 2014-10-27 | 2021-07-13 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 |
WO2016194092A1 (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置及びその製造方法並びに半導体記憶装置の製造装置 |
JP2018160303A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
US10991435B2 (en) * | 2017-09-29 | 2021-04-27 | Intel Corporation | Vertical flash memory cell with selector for fast read |
KR102400100B1 (ko) * | 2017-11-17 | 2022-05-19 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 제조 방법 |
KR102387099B1 (ko) | 2017-12-27 | 2022-04-15 | 삼성전자주식회사 | 타겟 게이트 라인의 전압 강하를 보상하는 비휘발성 메모리 장치 |
JP7013293B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2022-01-31 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
US10431502B1 (en) * | 2018-04-16 | 2019-10-01 | International Business Machines Corporation | Maskless epitaxial growth of phosphorus-doped Si and boron-doped SiGe (Ge) for advanced source/drain contact |
KR102542624B1 (ko) | 2018-07-17 | 2023-06-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
US11387250B2 (en) * | 2019-12-20 | 2022-07-12 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device containing metal-organic framework inter-word line insulating layers |
TWI753633B (zh) * | 2020-10-30 | 2022-01-21 | 台灣奈米碳素股份有限公司 | 利用電漿輔助原子層沉積技術製造的半導體裝置及其方法 |
CN113571544A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-10-29 | 杭州电子科技大学 | 高集成度相变存储器阵列结构 |
US11948616B2 (en) | 2021-11-12 | 2024-04-02 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
CN117156867A (zh) * | 2022-05-18 | 2023-12-01 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制备方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2904370B2 (ja) | 1991-09-18 | 1999-06-14 | キヤノン株式会社 | フォトダイオード |
JP3404064B2 (ja) | 1993-03-09 | 2003-05-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5739545A (en) | 1997-02-04 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting diodes having transparent cathode structures |
JP2002231967A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
US7767993B2 (en) * | 2002-04-04 | 2010-08-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistance change memory device |
JP4376191B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2009-12-02 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 3次元メモリアレイ |
JP2008078404A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Toshiba Corp | 半導体メモリ及びその製造方法 |
JP2008160004A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2008277543A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP5194273B2 (ja) | 2007-09-20 | 2013-05-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2009123725A (ja) | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP5268376B2 (ja) | 2008-01-29 | 2013-08-21 | 株式会社日立製作所 | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
JP5341373B2 (ja) | 2008-03-12 | 2013-11-13 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | ダイオード |
JP5191803B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2013-05-08 | 株式会社東芝 | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
JP5342189B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-11-13 | 株式会社日立製作所 | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-05-18 JP JP2010114372A patent/JP5641779B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-05-17 US US13/109,985 patent/US8592789B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-11-10 US US14/076,261 patent/US9070621B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110284817A1 (en) | 2011-11-24 |
US8592789B2 (en) | 2013-11-26 |
US9070621B2 (en) | 2015-06-30 |
JP2011243738A (ja) | 2011-12-01 |
US20140065789A1 (en) | 2014-03-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121214 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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