JP6501819B2 - 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - Google Patents
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Description
このとき、薄いポリシリコン膜109を使用する。従って、ポリシリコン膜中にボイドが形成されることを防ぐことができる。
金属膜108は、半導体工程に用いられ、トランジスタのしきい値電圧を設定する金属であればよく、例えば窒化チタンを用いることができる。。
ゲート絶縁膜107は、半導体工程に用いられるものであればよく、例えば酸化膜、酸窒化膜、高誘電体膜を用いることができる。
柱状半導体層106の側壁の金属膜108とポリシリコン膜109とでゲート電極111aが形成される。従って、自己整合プロセスとなる。
図1に示すように、上記方法によって得られる半導体装置は、半導体基板101上に形成されたフィン状半導体層103と、フィン状半導体層103上に形成された柱状半導体層106と、柱状半導体層106の周囲に形成されたゲート絶縁膜107と、ゲート絶縁膜107の周囲に形成されたゲート電極111aと、ゲート電極111aに接続されたゲート配線111bと、柱状半導体層106の上部に形成された第1の第1導電型拡散層114と、柱状半導体層106の下部とフィン状半導体層103の上部とに形成された第2の第1導電型拡散層113と、柱状半導体層106の上部側壁の周囲に形成された第1の金属からなる第1のサイドウォール122と、を有する。
102.第1のレジスト
103.フィン状半導体層
104.第1の絶縁膜
105.第2のレジスト
106.柱状半導体層
107.ゲート絶縁膜
108.金属膜
109.ポリシリコン膜
110.第3のレジスト
111a.ゲート電極
111b.ゲート配線
112.第4のレジスト
113.第2の第1導電型拡散層
114.第1の第1導電型拡散層
115.酸化膜
116a.酸化膜サイドウォール
116b.酸化膜サイドウォール
117.第2のシリサイド
118.第1のシリサイド
119.シリサイド
120.シリサイド
121.第1の層間絶縁膜
122.第1の金属、第1のサイドウォール
123.第2の層間絶縁膜
124.第5のレジスト
125.コンタクト孔
126.コンタクト孔
127.第2の金属
128.第1のコンタクト
129.第1のコンタクト
130.第6のレジスト
131.第6のレジスト
132.第6のレジスト
133.第1の金属配線
134.第1の金属配線
135.第1の金属配線
Claims (7)
- トランジスタの一部である柱状半導体層と、
前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成されたゲート電極と、
前記柱状半導体層の上部側壁の周囲を取り囲むように形成された第1の金属からなる第1のサイドウォールと、
を有し、
上方から見たとき、前記第1のサイドウォールの上面は、前記柱状半導体層の上面と重なりを有さないことを特徴とする半導体装置。 - 前記柱状半導体層上部と前記第1のサイドウォール上に形成された第1の金属配線をさらに有し、
前記第1の金属配線は前記柱状半導体層に対して垂直方向に延在し、
前記第1の金属配線は前記第1のサイドウォールの上面に直接接続することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記柱状半導体層はシリコン層であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第1のサイドウォールの前記第1の金属の仕事関数は、4.0eVから4.2eVの間であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1のサイドウォールの前記第1の金属の仕事関数は、5.0eVから5.2eVの間であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記柱状半導体層の上部側壁と前記第1のサイドウォールとは接していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記柱状半導体層の上部と前記第1のサイドウォールの仕事関数差により表面キャリアを誘起することを特徴とする請求項1又は6に記載の半導体装置
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