JP5630937B2 - ゲートドライバー - Google Patents
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Description
前記少なくとも1つのノードは、前記第1の制御信号が印加される信号線と前記スイッチング素子が電気的に接続されるノードであることが好ましい。
前記第1の制御信号は、以前のステージのゲート駆動信号であることが好ましい。
前記透明導電体は、インジウム錫酸化物(ITO)を含むことが好ましい。
前記少なくとも2つのコンタクトは、異なる個所に形成されることが好ましい。
前記ノードのうち前記少なくとも2つのコンタクトを備えるノードの電流値が最も高いことが好ましい。
前記本発明の目的を達成するために、本発明の他の側面によれば、複数のゲート線を駆動するためのゲートドライバーであって、前記ゲートドライバーは、ゲート駆動信号を出力する複数のステージより構成されるシフトレジスターを備え、前記ステージは、第1のクロック信号及び第2のクロック信号に基づいて、ゲート駆動信号を出力端子に与えるためのプルアップ回路と、ゲートオフ信号を前記出力端子に与えるためのプルダウン回路と、第1の制御信号に基づいて前記プルアップ回路を駆動するプルアップ駆動回路と、第2の制御信号に基づいて前記プルダウン回路を駆動するプルダウン駆動回路とを備え、前記ステージは、複数のスイッチング素子及び前記複数のスイッチング素子のうち第1のスイッチング素子に接続されている冗長スイッチング素子を備えることを特徴とするゲートドライバーを提供する。
前記第1のクロック信号、第2のクロック信号、第1の制御信号または第2の制御信号が印加される信号線と前記スイッチング素子が電気的に接続されるノードのうち第1のノードは、少なくとも2つのコンタクトを備えることが好ましい。
前記第1のノードは、前記第1の制御信号が印加される信号線と前記スイッチング素子が電気的に接続されるノードであることが好ましい。
前記第1の制御信号は、直前のステージのゲート駆動信号であることが好ましい。
前記透明導電体は、インジウム錫酸化物(ITO)を含むことが好ましい。
前記本発明の目的を達成するために、本発明のさらに他の側面によれば、スイッチング薄膜トランジスターと、前記スイッチング薄膜トランジスターに印加された信号電圧を液晶に加えるための画素電極、及び前記画素電極に印加された信号電圧を一定時間以上に維持するストレージキャパシターを備える画素がマトリックス状に配列された基板と、前記基板の上に形成された複数のゲート線を駆動するために前記基板の上に形成されたゲートドライバーとを備え、前記ゲートドライバーは、ゲート駆動信号を出力する複数のステージより構成されるシフトレジスターを備え、前記ステージは、第1のクロック信号及び第2のクロック信号に基づいて、ゲート駆動信号を出力端子に与えるためのプルアップ回路と、ゲートオフ信号を前記出力端子に与えるためのプルダウン回路と、第1の制御信号に基づいて、前記プルアップ回路を駆動するプルアップ駆動回路と、第2の制御信号に基づいて前記プルダウン回路を駆動するプルダウン駆動回路とを備え、前記ステージは複数のスイッチング素子を備え、前記第1のクロック信号、第2のクロック信号、第1の制御信号または第2の制御信号が印加される信号線と前記スイッチング素子が電気的に接続されるノードのうち少なくとも1つのノードは、少なくとも2つのコンタクトを備えることを特徴とする薄膜トランジスター基板を提供する。
前記第1の制御信号は、直前のステージのゲート駆動信号である。
前記画素のスイッチング薄膜トランジスターは、非晶質シリコン薄膜トランジスターであることが好ましい。
前記第1のクロック信号、第2のクロック信号、第1の制御信号または第2の制御信号が印加される信号線と前記スイッチング素子が電気的に接続されるノードのうち第1のノードは、少なくとも2つのコンタクトを備えることが好ましい。
前記第1の制御信号は、以前のステージのゲート駆動信号であることが好ましい。
前記スイッチング薄膜トランジスターは、非晶質シリコン薄膜トランジスターであることが好ましい。
図3Aは、従来の技術によるゲートドライバーの概略回路図であり、図3Bは、ゲートドライバーノードの電流測定値を示すグラフである。
この図3Aは、シフトレジスターを構成する複数個の縦続接続されたステージのうち個別ステージの概略回路図であり、このステージは、複数個の非晶質シリコン薄膜トランジスタTFT1〜TFT7と、キャパシターCとにより構成されている。このとき、信号入力端子、例えば、クロック信号CKV、反転クロック信号CKVB、前段のキャリー信号CR(n−1)などを印加するための信号線は、非晶質シリコンTFTのゲート電極と同じ平面上に形成されるため、これらの信号線を非晶質シリコンTFTのソース/ドレイン電極と電気的に接続するために多数のコンタクトが形成される。
図4に示すように、ゲート駆動信号G1、G2、...、Gnを出力するゲートドライバー500はシフトレジスターを備え、シフトレジスターは、複数のステージSRC1、SRC2、...、SRCnを備える。ステージSRC1、SRC2、...、SRCnのそれぞれは、S−R(Set−Reset)ラッチとANDゲートとにより構成される。S−Rラッチは、前段のキャリー信号、すなわち、ゲート出力信号によりセットされ、次段のキャリー信号、すなわち、ゲート出力信号によりリセットされる。ラッチがセットされた状態で、クロック信号が「ハイ」の信号であるとき、ゲート駆動信号が出力される。
図5に示すように、シフトレジスターの各ステージは、プルアップ回路510、プルダウン回路520、プルアップ駆動回路530、プルダウン駆動回路540及びインバータ550を備える。
プルアップ回路510は、クロック信号CKVまたはこれとは逆位相を有するクロック反転信号CKVBを出力端子に供給する。この実施形態において、プルアップ回路510はTFT1を備え、TFT1は、クロック信号CKVの入力端子と接続されてゲート駆動信号を出力する。
プルダウン回路520はTFT2及びTFT3を備え、TFT2は、ゲートオフ信号が入力されるゲートオフ信号入力端子Vssと接続され、次段のゲート駆動信号Gn+1が入力されると、ゲート駆動信号をゲートオフ信号として放電し、TFT3は、クロック信号CKVにより同期されてゲートオフ信号レベルを維持する。
また、この実施形態においては、第2のノードN2、すなわち、前段のゲート駆動信号が入力される制御信号の入力端子CR(n−1)とTFT11との間のノードを2つのコンタクトに接続することを想定しているが、他のノードに2以上のコンタクトを形成することも可能である。このとき、コンタクトとしては、ITOなどの透明導電体を用いることが好ましい。
図6は、図5に示すコンタクトの概略断面図である。図6には、制御信号の入力端子CR(n−1)とTFT11との間のノードに形成された2つのコンタクトCNT1、CNT2の概略断面図が示してある。
その上部にゲート絶縁膜630、活性層640及びオーミック接触層650を順に形成した後、感光膜マスクパターンを用いてエッチング工程を行うことにより、薄膜トランジスターの活性領域を限定する。このとき、活性層640としては、液晶パネル上のTFTの活性層と同じ材料である非晶質シリコン層を用い、オーミック接触層650としては、シリサイド、N型不純物またはP型不純物が高濃度にてドープされた非晶質シリコン層を用いる。
その上部に絶縁膜670を形成し、ドレイン電極665の上部の絶縁膜の一部を除去してコンタクトホールを形成した後、制御信号の入力端子CR(n−1)と接続される信号線625の上のゲート絶縁膜630と絶縁膜670の一部を除去して2つのコンタクトホールを形成する。次いで、その上部に導電性層680を形成し、2重コンタクトCNT1、CNT2を形成する。このとき、導電性層680は、透明導電体、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)などを用いて形成する。
図7には、本発明の他の実施形態によるシフトレジスターの各ステージに対する概略回路図が示してあるが、図5の実施形態のものと比較して、所定のTFTに冗長TFTをさらに接続しているという点で異なり、任意のノードに複数のコンタクトを形成することによりコンタクト不良を防ぐような構造はほとんど同様であるため、以下では異なる部分についてのみ説明する。
プルダウン駆動回路540は、プルダウン回路520を駆動すると共に、4個のTFTTFT5、TFT9、TFT10、TFT11−1と単一の冗長薄膜トランジスタTFT11−2により構成される。TFT5は、クロック反転信号CKVBにより同期されてゲートオフ信号レベルを維持し、TFT9は、ゲート駆動信号をゲートオフ信号として放電し、TFT10及びTFT11−1はそれぞれクロック信号CKVとクロック反転信号CKVBによりT1ノードをオフレベルに維持する。また、冗長薄膜トランジスタTFT11−2は、TFT11−1が不良である場合に備えて、TFT11−1に接続される。その結果、TFTのうちいずれか1つのTFTがコンタクト不良により駆動されなくなった場合であっても、残りのTFTが動作可能である。
図8は、本発明によるゲートドライバーを備えた液晶表示装置の概略断面図である。
ブラックマトリックス320は、カラーフィルターと画素との間に形成されて光漏れを抑え、カラーフィルター300は、3種の基本色(赤色、緑色、青色)の染料や顔料を含む樹脂フィルムから形成される。また、共通電極280は、透明な導電体であるITOなどから形成され、液晶セルに電圧を印加する。
Claims (8)
- 複数のゲート線を駆動するためのゲートドライバーであって、
前記ゲートドライバーは、ゲート駆動信号を出力する複数のステージより構成されるシフトレジスターを備え、
前記ステージは、第1のクロック信号及び第2のクロック信号のうちの一方をゲート駆動信号として出力端子に与えるためのプルアップ回路と、ゲートオフ信号を前記出力端子に与えるためのプルダウン回路と、第1の制御信号に基づいて前記プルアップ回路を駆動するプルアップ駆動回路と、第2の制御信号に基づいて前記プルダウン回路を駆動するプルダウン駆動回路とを備え、
前記プルアップ回路、前記プルアップ駆動回路、前記プルダウン回路及び前記プルダウン駆動回路は、それぞれ少なくとも1つのスイッチング素子を備え、前記第1のクロック信号、第2のクロック信号、第1の制御信号または第2の制御信号が印加される信号線と前記スイッチング素子とが電気的に接続されるノードのうち少なくとも1つのノードは、少なくとも2つのコンタクトを備え、
前記ゲート絶縁膜は前記信号線及び前記スイッチング素子のゲート電極上に配置され、
前記少なくとも2つのコンタクトは少なくとも2つのコンタクトホール及び導電層を備え、前記導電層は前記ゲート絶縁膜内の前記少なくとも2つのコンタクトホールを介して前記信号線と電気的に接続され、前記導電層は前記スイッチング素子と電気的に接続され、前記少なくとも2つのコンタクトホールは前記信号線上に位置することを特徴とするゲートドライバー。 - 前記スイッチング素子は、非晶質シリコン活性層を備える薄膜トランジスターであることを特徴とする請求項1に記載のゲートドライバー。
- 前記少なくとも1つのノードは、前記第1の制御信号が印加される信号線と前記スイッチング素子が電気的に接続されるノードであることを特徴とする請求項1に記載のゲートドライバー。
- 前記第1の制御信号は、直前のステージのゲート駆動信号であることを特徴とする請求項3に記載のゲートドライバー。
- 前記少なくとも2つのコンタクトは、透明導電体を備えることを特徴とする請求項1に記載のゲートドライバー。
- 前記少なくとも2つのコンタクトは、異なる個所に形成されることを特徴とする請求項1に記載のゲートドライバー。
- 前記少なくとも2つのコンタクトを備えるノードの電流値は、約75μAであることを特徴とする請求項1に記載のゲートドライバー。
- 複数のゲート線を駆動するためのゲートドライバーであって、
前記ゲートドライバーは、ゲート駆動信号を出力する複数のステージより構成されるシフトレジスターを備え、
前記ステージは、第1のクロック信号及び第2のクロック信号のうち一方をゲート駆動信号として出力端子に与えるためのプルアップ回路と、ゲートオフ信号を前記出力端子に与えるためのプルダウン回路と、第1の制御信号に基づいて前記プルアップ回路を駆動するプルアップ駆動回路と、第2の制御信号に基づいて前記プルダウン回路を駆動するプルダウン駆動回路とを備え、
前記プルアップ回路、前記プルアップ駆動回路、前記プルダウン回路及び前記プルダウン駆動回路は、それぞれ少なくとも1つのスイッチング素子を備え、前記第1のクロック信号、第2のクロック信号、第1の制御信号または第2の制御信号が印加される信号線と前記スイッチング素子とが電気的に接続されるノードのうち第1のノードは、少なくとも2つのコンタクトを備え、
前記ゲート絶縁膜は前記信号線及び前記スイッチング素子のゲート電極上に配置され、
前記少なくとも2つのコンタクトは少なくとも2つのコンタクトホール及び導電層を備え、前記導電層は前記ゲート絶縁膜内の前記少なくとも2つのコンタクトホールを介して前記信号線と電気的に接続され、前記導電層は前記スイッチング素子と電気的に接続され、前記少なくとも2つのコンタクトホールは前記信号線上に位置することを特徴とするゲートドライバー。
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