JP5624753B2 - リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 - Google Patents
リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5624753B2 JP5624753B2 JP2009265213A JP2009265213A JP5624753B2 JP 5624753 B2 JP5624753 B2 JP 5624753B2 JP 2009265213 A JP2009265213 A JP 2009265213A JP 2009265213 A JP2009265213 A JP 2009265213A JP 5624753 B2 JP5624753 B2 JP 5624753B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning liquid
- resist pattern
- lithography
- resist
- amine compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/02—Anionic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Description
本発明のリソグラフィー用洗浄液は、アニオン性界面活性剤(A)、アミン化合物(B)、及び水(C)を含有する。
アニオン系界面活性剤をリソグラフィー用洗浄液に添加した場合、リソグラフィー用洗浄液の表面張力を低下させて、例えばリソグラフィー用洗浄液をスピンドライさせる際に発生するパターン間の応力を下げることができる。このため、アニオン系界面活性剤を含有するリソグラフィー用洗浄液を用いてレジストパターンの形成方法を行うことによりパターン倒れを抑制することができる。
本発明のリソグラフィー用洗浄液は、アミン化合物を含有する。リソグラフィー用洗浄液にアミン化合物を含有させることにより、アニオン性界面活性剤と塩を形成して、アニオン性界面活性剤のレジスト膜への浸透を抑制することができる。これにより、レジストパターンの溶解を抑制することができ、CDシフトを抑制できる。
本発明のリソグラフィー用洗浄液は、水を含有する。水の含有量は、90質量%以上99.99質量%以下であることが好ましく、95質量%以上99.95質量%以下であることが更に好ましい。
本発明のレジストパターンの形成方法は、基板上にレジスト膜を設ける工程(工程(1))と、レジスト膜を、マスクパターンを介して選択的に露光する工程(工程(2))と、露光後のレジスト膜を露光後加熱する工程(工程(3))と、露光後加熱したレジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程(工程(4))と、レジストパターンを本発明のリソグラフィー用洗浄液と接触させる工程(工程(5))と、を順次行うものである。
<実施例1>
純水に平均炭素数15の直鎖アルキル基を有するアルキルスルホン酸テトラメチルアンモニウム塩を1300ppmとなるように添加し、リソグラフィー用洗浄液を調製した。
平均炭素数15の直鎖アルキル基を有するアルキルスルホン酸テトラメチルアンモニウム塩に代えて、平均炭素数15の直鎖アルキル基を有するアルキルスルホン酸モノエタノールアミン塩を添加した点以外は、実施例1と同様にしてリソグラフィー用洗浄液を調製した。
純水に平均炭素数12の直鎖アルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸を1000ppmとなるように、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを200ppmとなるように添加し、リソグラフィー用洗浄液を調製した。
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの添加量を300ppmとした点以外は、実施例3と同様にしてリソグラフィー用洗浄液を調製した。
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代えて、モノエタノールアミンを150ppmとなるように添加した点以外は、実施例3と同様にしてリソグラフィー用洗浄液を調製した。
モノエタノールアミンの添加量を300ppmとした点以外は、実施例5と同様にしてリソグラフィー用洗浄液を調製した。
純水にラウリルジメチルアミンオキシドを500ppmとなるように添加し、リソグラフィー用洗浄液を調製した。
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを添加しなかった点以外は、実施例3と同様にしてリソグラフィー用洗浄液を調製した。
(レジスト膜の形成)
12インチシリコンウェーハ上に、反射防止膜形成用組成物「ARC−29A」を塗布して膜厚89nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、ArFレジスト組成物「TArF−PP006」(商品名、東京応化工業社製)を塗布し、120℃で60秒間加熱処理して、膜厚70nmのレジスト膜を形成させた。
形成されたレジスト膜に対して、ArF液浸露光装置「NSR−S609B」(商品名、株式会社ニコン社製)を用い、L/S 50nmのマスクパターンを介して、5.0mJ/cm2から52.0mJ/cm2の露光量で露光処理したのち、90℃で60秒加熱処理した。
次に、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて23℃で30秒間現像処理した後、レジストパターンに脱イオン水(参考例1)、及び実施例1から6、比較例1から2のいずれかのリソグラフィー用リンス液を、1200rpmで3秒間、次いで500rpmで4秒間スピンさせながら塗布し、その後、2000rpmで15秒間スピン乾燥させた。
走査型電子顕微鏡(SEM)を用いてレジストパターンのパターン幅を観察し、脱イオン水で洗浄した場合で、ターゲット寸法(50nm)どおりのレジストパターン寸法が得られている露光量(最適露光量)において、リソグラフィー用洗浄液で洗浄した場合の微小寸法(CD)を測定し、脱イオン水を使用した場合と、リソグラフィー用洗浄液を使用した場合とにおける微小寸法の差異をCDシフトとした。また、CDシフト(絶対値)のターゲット寸法に対する割合(%)も算出した。
走査型電子顕微鏡(SEM)を用いてレジストパターンのパターン幅を観察し、パターン幅をターゲット寸法の±5%の範囲内で形成できる露光量の値の範囲を求め、その最大値と最小値との差異の、上記最適露光量に対する割合(%)を算出した。なお、ELマージンは、露光量を変化させて露光した際に、ターゲット寸法に対するずれが所定の範囲内となる条件でレジストパターンを形成できる露光量の範囲、即ち、マスクパターンに忠実なレジストパターンが得られる露光量の範囲を意味し、この値が大きいほど好ましいとされる。
走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、最適露光量におけるレジストパターンのライン幅を、ラインの長手方向の5箇所において測定し、得られた値の標準偏差(s)の3倍値(3s)を、LWRを示す尺度として算出した。なお、この3sの値が小さいほど、線幅あらさが小さく、より均一な線幅のレジストパターンができていることが分かる。
走査型電子顕微鏡(SEM)を用いてレジストパターンを観察し、最適露光量に対するレジストパターンが倒壊した最小の露光量の割合(%)を求めた。なお、この値が大きいほど、レジストパターンが倒壊しにくいものと評価され、好ましいものとされる。
(高分子化合物の合成)
温度計、還流管を繋いだ3つ口フラスコ中で、7.85g(46.16mmol)の化合物(1)、10.00g(31.65mmol)の化合物(2)、8.50g(34.29mmol)の化合物(3)、3.10g(18.46mmol)の化合物(4)、及び2.18g(9.23mmol)の化合物(5)を、47.45gのメチルエチルケトン(MEK)に溶解させた。この溶液に、重合開始剤としてアゾビスイソ酪酸ジメチル(V−601)を14.0mmol添加して溶解させた。この溶液を、窒素雰囲気下、3時間かけて、78℃に加熱したMEK(26.35g)に滴下した。滴下終了後、反応液を4時間加熱撹拌し、その後、反応液を室温まで冷却した。得られた反応液を大量のn−ヘプタンに滴下し、重合体を析出させる操作を行い、沈殿した白色粉体を濾別し、n−ヘプタン/イソプロピルアルコール混合溶媒にて洗浄、乾燥して、目的物である高分子化合物(6)を21g得た。反応式を下記に示す。
この高分子化合物(6)について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量(Mw)は7600であり、分子量分散度(Mw/Mn)は1.54であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル(600MHz 13C−NMR)により求められた共重合組成比(構造式中の各構成単位の割合(モル比))は、l/m/n/o/p=34.9/26.0/19.0/12.6/7.5であった。
500mlの3つ口フラスコに、窒素雰囲気下、20g(105.14mmol)のアルコール(8)、30.23g(157.71mmol)のエチルジイソプロピルアミノカルボジイミド(EDCI)塩酸塩、及びジメチルアミノピリジン(DMAP)0.6g(5mmol)のTHF溶液300mlを入れ、そこに、16.67g(115.66mmol)の前駆体(7)を加えて室温で12時間撹拌した。薄層クロマトグラフィー(TLC)にて原料の消失を確認後、50mlの水を加えて反応を停止した。反応溶媒を減圧濃縮し、酢酸エチルで3回抽出して得られた有機層を水、飽和炭酸水素ナトリウム、1N HClaqの順で洗浄した。減圧下、溶媒留去して得られた生成物を乾燥させ、化合物(2)を得た。反応式を下記に示す。
得られた化合物(2)の機器分析結果は、以下の通りであった。
1H−NMR(CDCl3,400MHz):δ(ppm)=6.22(s,1H,Ha),5.70(s,1H,Hb),4.71−4.85(m,2H,Hc,d),4.67(s,2H,Hk),3.40−3.60(m,2H,He,f),2.58−2.70(m,1H,Hg),2.11−2.21(m,2H,Hh),2.00(s,3H,Hi),1.76−2.09(m,2H,Hj).
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/プロピレングリコールモノメチルエーテル=6/4(質量比)の混合溶媒2900質量部に、上記で合成した高分子化合物(6)100質量部と、下記式で表される酸発生剤(9)11.4質量部と、トリフェニルスルホニウム d−カンファー−10−スルホネート2質量部と、サリチル酸0.21質量部と、ガンマブチロラクトン25質量部と、下記式で表される高分子化合物(10)(質量平均分子量(Mw):7600、分子量分散度(Mw/Mn):1.54、f1/f2=78/22(モル比))1.5質量部とを溶解・混合して、ポジ型のArFレジスト組成物を調製した。
(レジスト膜の形成)
12インチシリコンウェーハ上に、反射防止膜形成用組成物「ARC−29A」を塗布して膜厚85nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、上記で調製したArFレジスト組成物を塗布し、120℃で60秒間加熱処理して、膜厚100nmのレジスト膜を形成させた。
形成されたレジスト膜に対して、ArF露光装置「NSR−S308F」(商品名、株式会社ニコン社製)を用い、L/S 60nmのマスクパターンを介して、種々、最適露光量(Eop)で露光処理したのち、90℃で60秒加熱処理した。
次に、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて23℃で30秒間現像処理した後、レジストパターンに脱イオン水(参考例3)、及び実施例7から10、参考例2のいずれかのリソグラフィー用洗浄液を、1200rpmで3秒間、次いで500rpmで7秒間(ただし、参考例2の場合は500rpmで12秒間)スピンさせながら塗布し、その後、2000rpmで15秒間スピン乾燥させた。
得られたレジストパターンについて、上記実施例1〜6等と同様にして、[CDシフトの評価]、[線幅あらさ(LWR)の評価]、及び[倒壊余裕度の評価]を行った。結果を表3に示す。
Claims (6)
- アニオン性界面活性剤(A)、アミン化合物(B)、及び水(C)を含有し、かつ、水溶性ポリマーを含有せず、
前記アミン化合物が第四級アミン化合物、又は炭素数2以上5以下のアルキレン鎖若しくはアルキル基を有するアルカノールアミン若しくはアルキルアルカノールアミンであるリソグラフィー用洗浄液。 - 前記アニオン性界面活性剤と、前記アミン化合物との含有比率が、50:1から1:10である請求項1に記載のリソグラフィー用洗浄液。
- アニオン性界面活性剤(A’)及び水(C)を含有し、かつ、水溶性ポリマーを含有せず、
前記アニオン性界面活性剤のアニオン性基がアミン化合物(B)と塩を形成しており、
前記アミン化合物が第四級アミン化合物、又は炭素数2以上5以下のアルキレン鎖若しくはアルキル基を有するアルカノールアミン若しくはアルキルアルカノールアミンであるリソグラフィー用洗浄液。 - 前記アニオン性界面活性剤が、アニオン性基としてスルホン酸基を有する請求項1から3のいずれかに記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 前記アニオン性界面活性剤の含有量が、100ppm以上1質量%以下である請求項1から4のいずれかに記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 基板上にレジスト膜を設ける工程と、
前記レジスト膜を、マスクパターンを介して選択的に露光する工程と、
露光後の前記レジスト膜を露光後加熱する工程と、
露光後加熱した前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを請求項1から5のいずれかに記載のリソグラフィー用洗浄液と接触させる工程と、を順次行うことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009265213A JP5624753B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-11-20 | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
TW099108587A TWI502064B (zh) | 2009-03-31 | 2010-03-23 | A microfilm cleaning solution and a method of forming a photoresist pattern using the cleaning solution |
US12/730,087 US20100248164A1 (en) | 2009-03-31 | 2010-03-23 | Cleaning liquid for lithography and method for forming a resist pattern using the same |
KR1020100027175A KR101843176B1 (ko) | 2009-03-31 | 2010-03-26 | 리소그래피용 세정액 및 이것을 사용한 레지스트 패턴의 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009088527 | 2009-03-31 | ||
JP2009088527 | 2009-03-31 | ||
JP2009265213A JP5624753B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-11-20 | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010256849A JP2010256849A (ja) | 2010-11-11 |
JP5624753B2 true JP5624753B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=42784707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009265213A Active JP5624753B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-11-20 | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100248164A1 (ja) |
JP (1) | JP5624753B2 (ja) |
KR (1) | KR101843176B1 (ja) |
TW (1) | TWI502064B (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5170456B2 (ja) * | 2009-04-16 | 2013-03-27 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR101432395B1 (ko) | 2009-07-07 | 2014-08-20 | 미츠비시 레이온 가부시키가이샤 | 중합체의 제조 방법, 리소그라피용 중합체, 레지스트 조성물, 및 기판의 제조 방법 |
CN102472982B (zh) | 2009-07-07 | 2014-07-02 | 三菱丽阳株式会社 | 光刻用共聚物及其评价方法 |
KR20120066227A (ko) * | 2010-12-14 | 2012-06-22 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토리소그래피용 세정액 조성물 |
KR101934687B1 (ko) * | 2011-03-18 | 2019-03-18 | 바스프 에스이 | 50 ㎚ 이하의 라인 스페이스 치수들을 갖는 패터닝된 재료 층들을 가진 집적 회로 디바이스들, 광학 디바이스들, 마이크로머신들 및 기계 정밀 디바이스들의 제조 방법 |
JP5705607B2 (ja) | 2011-03-23 | 2015-04-22 | メルクパフォーマンスマテリアルズIp合同会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
WO2012157433A1 (ja) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | Jsr株式会社 | ダブルパターン形成方法 |
EP2742523B1 (en) * | 2011-08-10 | 2020-09-23 | 3M Innovative Properties Company | Perfluoroalkyl sulfonamides surfactants for photoresist rinse solutions |
US9097977B2 (en) | 2012-05-15 | 2015-08-04 | Tokyo Electron Limited | Process sequence for reducing pattern roughness and deformity |
RU2015104112A (ru) | 2012-07-10 | 2016-08-27 | Басф Се | Композиции для обработки, предотвращающие коллапс рисунка элементов схемы, включающие димерные добавки |
SG11201504607QA (en) | 2012-12-14 | 2015-07-30 | Basf Se | Use of compositions comprising a surfactant and a hydrophobizer for avoiding anti pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below |
JP6044428B2 (ja) * | 2013-04-04 | 2016-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
KR101617169B1 (ko) * | 2015-07-17 | 2016-05-03 | 영창케미칼 주식회사 | 포토리소그래피용 세정액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법 |
KR102507301B1 (ko) | 2015-12-23 | 2023-03-07 | 삼성전자주식회사 | 포토리소그래피용 린스액 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
JP2018127513A (ja) * | 2017-02-06 | 2018-08-16 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 半導体水溶性組成物、およびその使用 |
JP7344720B2 (ja) * | 2019-09-03 | 2023-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、記憶媒体、及び基板処理装置 |
WO2022162972A1 (ja) * | 2021-01-29 | 2022-08-04 | メルテックス株式会社 | レジスト残渣除去液及びこれを用いる導体パターン付き基板材の形成方法 |
WO2024149777A1 (en) * | 2023-01-13 | 2024-07-18 | Merck Patent Gmbh | Electronic device manufacturing aqueous solution, method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing device |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3908443B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
WO2002023598A2 (en) * | 2000-09-15 | 2002-03-21 | Infineon Technologies North America Corp. | A method to reduce post-development defects without sacrificing throughput |
US6451510B1 (en) * | 2001-02-21 | 2002-09-17 | International Business Machines Corporation | Developer/rinse formulation to prevent image collapse in resist |
KR100610453B1 (ko) * | 2001-12-12 | 2006-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 |
CN1240816C (zh) * | 2001-12-12 | 2006-02-08 | 海力士半导体有限公司 | 除去光致抗蚀剂的洗涤液 |
US20040259371A1 (en) * | 2003-06-18 | 2004-12-23 | Zhijian Lu | Reduction of resist defects |
JP2005202121A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製版方法及び平版印刷版用リンス液 |
JP2006011054A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP4585299B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2010-11-24 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
US8367312B2 (en) * | 2006-01-11 | 2013-02-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Detergent for lithography and method of forming resist pattern with the same |
JP4767829B2 (ja) * | 2006-01-11 | 2011-09-07 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
US8444768B2 (en) * | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
-
2009
- 2009-11-20 JP JP2009265213A patent/JP5624753B2/ja active Active
-
2010
- 2010-03-23 US US12/730,087 patent/US20100248164A1/en not_active Abandoned
- 2010-03-23 TW TW099108587A patent/TWI502064B/zh active
- 2010-03-26 KR KR1020100027175A patent/KR101843176B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI502064B (zh) | 2015-10-01 |
JP2010256849A (ja) | 2010-11-11 |
KR20100109428A (ko) | 2010-10-08 |
TW201035307A (en) | 2010-10-01 |
KR101843176B1 (ko) | 2018-03-28 |
US20100248164A1 (en) | 2010-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5624753B2 (ja) | リソグラフィー用洗浄液及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 | |
JP3703094B2 (ja) | フォトレジスト・パターンの形成方法 | |
JP6175547B2 (ja) | フォトリソグラフィー用洗浄液組成物及びこれを用いたフォトレジストパターンの形成方法 | |
TWI556067B (zh) | 微影用沖洗液及使用其之圖案形成方法 | |
JP2002505766A (ja) | ホトレジスト現像剤および現像方法 | |
WO2006046383A1 (ja) | レジスト組成物、レジストパターン形成方法および化合物 | |
CN110023841B (zh) | 光刻组合物、形成抗蚀图案的方法和制造半导体器件的方法 | |
JP2008287176A (ja) | パターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法 | |
KR20190043577A (ko) | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
WO2018079203A1 (ja) | 樹脂の製造方法、及び、感活性光線性又は感放射線性組成物の製造方法 | |
CN103080844A (zh) | 光刻用清洗液以及使用其的图案形成方法 | |
JP2005220350A (ja) | 洗浄液組成物及びこれを用いた半導体装置の洗浄方法 | |
JP4027494B2 (ja) | リンス剤組成物 | |
CN105103054A (zh) | 图案剥离方法、电子元件及其制造方法 | |
CN107735730A (zh) | 显影液、图案形成方法及电子设备的制造方法 | |
KR20190013969A (ko) | 갭 충전 조성물 및 중합체를 함유하는 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법 | |
KR20080103565A (ko) | 레지스트 기판용 처리액과 이를 사용한 레지스트 기판의 처리방법 | |
TW200426516A (en) | Positive resist composition and resist pattern forming method | |
TW202201125A (zh) | 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物的製造方法、圖案形成方法及電子元件的製造方法 | |
JP2009229572A (ja) | リソグラフィー用洗浄剤及びレジストパターン形成方法 | |
JP5659873B2 (ja) | レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
TW200424775A (en) | Positive photoresist composition and resist pattern formation method | |
WO2007034719A1 (ja) | 化合物およびその製造方法、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
CN109643061A (zh) | 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法 | |
US20080138747A1 (en) | Method for Forming a Photoresist Pattern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120823 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130521 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130712 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140311 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140916 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140929 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5624753 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |