JP3908443B2 - 基板処理方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体のリソグラフィ工程において被加工基板の表面を洗浄するための基板処理方法に係わり、特に現像液で現像を行った後のリンスプロセスに利用される基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のＬＳＩパターン寸法の微細化に伴い、現像リンスプロセスにおける欠陥数、パターン寸法制御に対するスペックは益々厳しくなってきている。これまでのリソグラフィ工程における現像プロセス後のリンスプロセスでは、一般的に純水（ＤＩＷ）が洗浄液として用いられていた。しかし、純水のみに依存した洗浄方法では、洗浄力が弱く、欠陥を十分に除去しきれなかった。
【０００３】
そこで最近、通常の現像プロセス後にもう一度現像液を注いで洗浄する方法が行われ始めている。これは、欠陥発生の主たる原因が現像プロセスからリンスプロセスに移るときのｐＨショック（急激なｐＨの低下により現像液中に溶け込んでいたレジスト溶解生成物が液中に溶けきれず析出してくる）によることから、２回目の現像液投入により欠陥（レジスト溶解生成物）を現像液に溶け込ませながら洗浄することで、次に行う純水投入により欠陥の発生を低減するという方法である。
【０００４】
しかしながらこの方法では、確かに欠陥数を大幅に低減させることは可能となったが、現像終点付近で更にフレッシュな現像液を注ぐことから、レジストによってはパターン寸法の制御性が悪化する。そして、基板面内の寸法ばらつきが大きくなってしまうという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来、現像プロセス後のリンスプロセスに純水のみを用いた洗浄方法では、欠陥低減に限界があった。また、現像プロセス後に再度現像液を注いで洗浄する方法では、欠陥数は大幅に低減できるものの、パターン寸法の制御性が悪化して基板面内の寸法ばらつきが大きくなってしまう問題があった。
【０００６】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、基板面内の寸法ばらつきを大きくすることなく、現像後に発生する欠陥の大幅な低減をはかり得る基板処理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は次のような構成を採用している。
【０００８】
即ち本発明は、感光性樹脂膜に所望パターンが露光された被加工基板に対し、現像液を用いて感光性樹脂膜を現像した後に、露出表面を純水で洗浄するための基板処理方法であって、オゾンガスを１〜１０ｐｐｍ溶解させた純水で洗浄することで、前記基板の露出表面に付着した有機物を分解する第１の洗浄工程と、前記第１の洗浄工程に続き、還元性のガスを溶解させた純水で洗浄することで、前記分解した有機物を除去する第２の洗浄工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
また本発明は、感光性樹脂膜に所望パターンが露光された被加工基板に対し、現像液を用いて感光性樹脂膜を現像した後に、露出表面を純水で洗浄するための基板処理方法であって、オゾンガスを１〜１０ｐｐｍ溶解させた純水で洗浄することで、前記基板の露出表面に付着した有機物を分解する第１の洗浄工程と、前記第１の洗浄工程に続き、アンモニアを溶解させた純水で洗浄することで、前記分解した有機物を除去する第２の洗浄工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては、次のものがあげられる。
【００１２】
(1) 第２の洗浄工程として、水素ガスを純水に０．５〜１０ｐｐｍ溶解させること。
【００１３】
(2) 第２の洗浄工程として、アンモニアガスを純水に０．５〜１０ｐｐｍ溶解させること。
【００１４】
(3) 露出表面が、現像液と現像液に溶解した感光性樹脂であること。
【００１５】
（作用）
本発明によれば、現像液を用いて現像された被加工基板に対し、第１の洗浄工程として酸化性の洗浄水で処理することにより、現像後に発生するレジスト溶解生成物であるレジスト欠陥を分解（Ｒ−ＣＨ3 →Ｒ１−ＣＯＯＨ，Ｒ２−ＣＯＯＨ，Ｒ３−ＣＯＯＨ）することができる。このとき、レジスト表面も同様にＲ−ＣＯＯＨとなり、欠陥は小さく分解されるが、欠陥とレジスト表面（Ｒ−ＣＯＯＨ）との間に二量体と呼ばれる強い水素結合が発生する。
【００１６】
このままでは欠陥を基板外に除去できないので、次に第２の洗浄工程として還元性の洗浄水で洗浄することにより、Ｒ−ＣＯＯＨをＲ−ＣＨ2（ＯＨ）と還元し、欠陥と基板表面との結合を断ち、欠陥を基板外に容易に除去することができる。ここで、第２の洗浄工程として、アンモニアを溶解させた純水で脱炭酸処理を行っても、上記と同様に欠陥と基板表面との結合を断ち、欠陥を基板外に容易に除去することができる。
【００１７】
このように本発明では、酸化性ガスを溶解させた純水による第１の洗浄工程と、還元性ガス又はアンモニアを溶解させた純水による第２の洗浄工程との２段階のプロセスにより、現像後に発生する欠陥を十分に低減させることができる。そしてこの場合、現像プロセス後に再度現像液を注いで洗浄する方法とは異なり、パターン寸法の制御性を悪化させることもなく、基板面内の寸法ばらつきを小さく保つことが可能である。
【００１８】
なお、本発明で使用している酸化性の洗浄水としてオゾン水、還元性の洗浄水として水素水を用いる提案は、前者として特開平９−２５５９９８号公報、後者として特開平９−１２５０９７号公報等に代表されるようにこれまで幾つかあるが、本発明のように酸化性故の有機物の分解性、還元性故の有機物に対する水素結合の分断・物理的性質に着目し、洗浄順位を規定したものはなかった。さらに、これまでの提案は全て半導体ウェットプロセスに適用した場合であり、リソグラフィプロセスに適用した例はなかった。
【００１９】
つまり、上記の第１及び第２の洗浄工程という２段階のプロセスによって現像後に発生する欠陥の十分に低減できることは、従来全く認識されておらず、本発明者らの鋭意研究及び実験によって初めて分かった事実である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わるレジストパターン形成工程を示す断面図である。
【００２２】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体ウェハ等の被加工基板１１上にレジスト（ＤＵＶ化学増幅型）１２を回転塗布法で厚さ０．３μｍ形成した。続いて、図１（ｂ）に示すように、波長２４８ｎｍの光（ＫｒＦレーザ）を用い、露光用マスク（図示せず）を介してＬＳＩパターンの縮小投影露光を行った。ここで、図中の１３はＫｒＦレーザ光、１４は光照射による潜像領域を示している。
【００２３】
次いで、図１（ｃ）に示すように、ノズル１５から現像液（ＴＭＡＨ：テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイドの０．２７Ｎ濃度）１６を基板１１の表面に吐出し、現像液膜がウェハ全面に渡ってある一定膜厚（１〜２ｍｍ）になるように液盛りを行った。この液盛りのために、例えばスリット状のノズル１５を基板１１上で一方向に走査した。その後、基板１１をある一定時間（１５〜６０ｓ）放置することにより、図１（ｄ）に示すように、レジスト１２内の露光部分（潜像領域１４）の除去を行った。
【００２４】
次いで、本発明に係わる基板洗浄処理として、図１（ｅ）に示すように、基板１１を５００ｒｐｍで回転させながら、オゾンガスを３ｐｐｍ溶解させたＤＩＷ（以下、オゾン水と称する）１７を用いて１５ｓ間洗浄処理を行った（第１の洗浄工程）。続いて、図１（ｆ）に示すように、基板１１を５００ｒｐｍで回転させながら、水素ガスを１．２ｐｐｍ溶解させたＤＩＷ（以下、水素水と称する）１８を用いて１５ｓ間洗浄処理を行った（第２の洗浄工程）。なお、オゾン水１７及び水素水１８の供給は、ノズル等を用いて基板１１の表面の回転中心付近に行った。最後に、基板１１を３０００ｒｐｍで１０ｓ間回転させることによって、基板面を振り切り乾燥した。
【００２５】
以上の工程により、レジストパターンの面内寸法のばらつきを悪化させずに、欠陥数を従来法（ＤＩＷのみの洗浄）よりも大幅に低減させることができた。さらに、現像後のリンス処理を効率良く短時間で行うことができた。
【００２６】
図２及び下記の（表１）は共に、各種のリンス法に対する、被加工基板面内の欠陥数（ＫＬＡ測定）と、０．１５μｍのＬ／Ｓパターンにおけるライン寸法の３σ（ｎｍ）｛面内十字２５点（ｘ方向１３点，ｙ方向１３点）｝の値を示している。
【００２７】
【表１】
図２及び（表１）において、▲１▼は純水のみを用いてリンスする従来法（ＤＩＷ：３０ｓ，５００ｒｐｍ）である。▲２▼は、従来より欠陥対策として行われている現像液置換法である。即ち、現像後一旦現像液を振り切った後、更に現像液を再吐出し４ｓ，５００ｒｐｍで洗浄する。これにより、ＤＩＷ投入時に起きるｐＨショックにより生じるレジスト溶解生成物の再析出を防ぐ。その後、ＤＩＷでアルカリ成分を１６ｓ，５００ｒｐｍで洗浄する。
【００２８】
▲３▼はオゾン水（３ｐｐｍ）を用いてリンスする方法（３０ｓ，５００ｒｐｍ）であり、▲４▼は水素水（１．２ｐｐｍ）を用いてリンスする方法（３０ｓ，５００ｒｐｍ）である。また、▲５▼は水素水で１５ｓ，５００ｒｐｍで洗浄を行った後、オゾン水で１５ｓ，５００ｒｐｍで洗浄を行う方法であり、▲６▼はオゾン水で１５ｓ，５００ｒｐｍで洗浄を行った後、水素水で１５ｓ，５００ｒｐｍで洗浄を行う方法（本実施形態）である。
【００２９】
図２及び（表１）より明らかなように、▲６▼の本実施形態による方法であれば、寸法ばらつきを悪化させることなく、小欠陥，大欠陥共に大幅に低減されていることが分かる。▲２▼の従来より行われている現像液リフレッシュ法では、欠陥数は低減するものの現像液を用いて洗浄する際に寸法が大きく変動するため、面内のばらつきが悪化してしまった。
【００３０】
また、▲３▼のオゾン水のみの洗浄では、大欠陥が効果的に減少しているが、逆に小欠陥が増大してしまっている。これは、オゾン水が有機物を酸化分解する作用を有するためであり、ここでは有機物であるレジストの溶解生成物の大欠陥が分解されて小欠陥になっていることを意味している。小欠陥と基板表面はそれぞれＲ−ＣＨ3 →Ｒ−ＣＯＯＨとなり、Ｒ−ＣＯＯＨ同士は二量体と呼ばれる強い結合（図３）を持つため、欠陥は基板外に除去できなかったと考えられる。
【００３１】
一方、▲４▼の水素水のみを用いた洗浄では、欠陥は純水洗浄よりは多く除去されるがその効果は十分ではなかった。水素水には還元作用があるが、オゾン水のように酸化分解する効果がないので、レジスト基板面に対して広範囲に密着した大欠陥に対しては除去が不十分になると考えられる。
【００３２】
そこで、水素水，オゾン水の両方を用いたのが▲５▼と▲６▼であるが、▲５▼の水素水で先に洗浄した後にオゾン水で洗浄する方法では、そもそも水素水で洗った時点で大欠陥に対して分解作用がないため、次にオゾン水で洗った時点で大欠陥が分解し小欠陥が増大する傾向となってしまった。
【００３３】
一方、▲６▼のオゾン水で先に洗浄する方法では、小欠陥，大欠陥共に大幅に欠陥数が低減した。本方法で効果がある理由は、オゾン水処理時にまずレジスト欠陥が細かく酸化分解される。このとき、レジスト欠陥，レジストパターン表面はそれぞれＲ−ＣＨ3 →Ｒ−ＣＯＯＨとなり、これらは二量体と呼ばれる強い水素結合を持つ（図３）。この状態では、分解された小欠陥を十分に基板外に除去することができない。そこで、次に還元作用のある水素水で洗浄するとＲ−ＣＯＯＨが還元されてＲ−ＣＨ2 （ＯＨ）という状態となり、小欠陥とレジスト基板表面との水素結合が弱まり基板外に容易に除去できたと考えられる（図４）。
【００３４】
次に、欠陥低減効果のある本実施形態の▲６▼の方法でオゾン濃度を０．５〜３０ｐｐｍで変化させた場合の欠陥数の変化を図５に示す。図５において、最適なオゾン濃度は１〜１０ｐｐｍ程度であり、それ以上オゾンを添加するとオゾンの分解作用が強すぎて基板自体を強く分解し、色むら欠陥の発生が始まる。また、オゾン濃度が１よりも低いと、有機物を酸化分解する作用が十分に得られず、大欠陥を細かく分解することができない。従って、本方法をレジストプロセスに適用する場合にはオゾン添加濃度は１〜１０ｐｐｍの範囲で設定するのが望ましい。
【００３５】
（第２の実施形態）
本実施形態におけるレジストパターン形成工程は基本的に図１と同じであるため、その図面は省略する。本実施形態が先に説明した第１の実施形態と異なる点は、第２の洗浄工程における洗浄液として、水素水の代わりにアンモニア水を用いたことである。
【００３６】
まず、第１の実施形態と同様に、被加工基板上にレジスト（ＤＵＶ化学増幅型）を回転塗布法で厚さ０．３μｍ形成したのち、波長２４８ｎｍの光（ＫｒＦレーザ）を用い、露光用マスクを介してＬＳＩパターンの縮小投影露光を行った。続いて、現像液（ＴＭＡＨ：テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイドの０．２７Ｎ濃度）を基板面に吐出し、現像液膜がウェハ全面に渡ってある一定膜厚（１〜２ｍｍ）になるように液盛りを行った。その後、基板をある一定時間（１５〜６０ｓ）放置することにより、レジスト膜内の露光部分の除去を行った。
【００３７】
次いで、基板洗浄処理として、基板を５００ｒｐｍで回転させながら、オゾンガスを７ｐｐｍ溶解させたオゾン水を用いて１５ｓ間洗浄を行った（第１の洗浄工程）。このとき、レジストパターン表面に付着していた欠陥はオゾン水により酸化分解された。しかし、分解した欠陥の端部及びオゾン水に触れたレジストパターン表面にはカルボニル基（Ｒ−ＣＯＯＨ）が形成され、分解し微小化された欠陥がカルボニル基の水素結合により依然として吸着していた。
【００３８】
第１の実施形態ではこのカルボニル基を水素水により還元し、水素結合を切ることで欠陥をレジストパターン表面から遊離させ、基板外に除去させたが、本実施形態ではアンモニア水によりカルボニル基の分解（脱炭酸処理）を行った。即ち、アンモニアガスを２ｐｐｍ添加したＤＩＷを用いて１５ｓ，５００ｒｐｍで洗浄を行った。このとき、欠陥の端部とレジスト表面に生じていたカルボン酸は脱炭酸処理によりそれぞれ分解され、これにより水素結合が切断されて、欠陥が遊離してアンモニア水と共に基板外に放出された。
【００３９】
Ｒ−ＣＯＯＨ＋ＮＨ3ＯＨ
→Ｒ−Ｈ（ＮＨ2）＋ＣＯ2＋Ｈ2Ｏ
最後に、基板を３０００ｒｐｍで１０ｓ間回転させることによって基板面を振り切り乾燥した。
【００４０】
以上の工程により、レジストパターンの面内寸法のばらつきを悪化させずに、欠陥数を従来法（ＤＩＷのみの洗浄）よりも大幅に低減させることができた。さらに、現像後のリンス処理を効率良く短時間で行うことができた。
【００４１】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では露光波長にＫｒＦレーザの２４８ｎｍを用いたが、これに限るものではなく、１９３ｎｍのＡｒＦレーザ，弗素レーザ，又は水素ランプの発振線を狭帯域化して用いた露光においても適用可能である。さらに、露光光源は必ずしも光に限らず、電子ビーム，イオンビーム，Ｘ線を用いることも可能である。また、レジストの種類や塗布方法に対してもこれに限るものではなく、メニスカスの原理を用いた塗布法や、ノズルを基板上にスキャンさせながら液膜を形成し、溶剤を除去する成膜方法により作られた膜に対しても適用可能である。
【００４２】
また、第１の実施形態では、酸化性ガスとしてオゾンを用いたが、この代わりに過酸化水素（Ｈ2Ｏ2 ）や酸素を用いることも可能である。さらに、第２の実施形態では、脱炭酸反応を生じさせるためにアンモニアを用いたが、この代わりにアミン等を用いることも可能である。また、今回は、オゾン水，水素水，或いはアンモニア水を流水で供給し放置したが、基板上に溜めた状態で攪拌してもよい。
【００４３】
また、第１及び第２の洗浄工程における洗浄時間，回転数は、それぞれ１５ｓ，５００ｒｐｍに何ら限定されるものではなく、適宜変更可能である。第１の洗浄工程と第２の洗浄工程でそれぞれで異なった値にしてもよい。また、オゾン添加濃度は３ｐｐｍや７ｐｐｍに限るものではなく、使用するレジスト，プロセスによって適宜変更可能である。具体的には、オゾン水におけるオゾン濃度は１〜１０ｐｐｍの範囲で変化させてよい。また、第１の実施形態における水素添加濃度は１．２ｐｐｍに限るものではなく、使用するレジスト，プロセスによって０．５〜１０ｐｐｍで変化させてよい。さらに、第２の実施形態におけるアンモニア添加濃度は２ｐｐｍに限るものではなく、使用するレジスト，プロセスによって０．５〜１０ｐｐｍで変化させてよい。
【００４４】
現像方法は、ノズルを走査する方法に限らず、例えば基板を低速で回転させながら全面に現像液を広げる方法でもよい。また、以上のような液盛りを行うパドル現像法に限らず、プロセス中常に現像液を供給するスプレー現像法でもよい。また、使用する現像液濃度，時間はそれぞれ０．２７Ｎ，１５〜６０ｓｅｃに限らず、適宜変更可能である。
【００４５】
また、第１及び第２の実施形態の技術はウェハ上の現像工程だけでなく、有機樹脂膜をレジストに用いるあらゆる工程に適用可能で、例えば露光用マスクの製造工程や液晶基板の製造工程、コンパクトディスク（デジタルビデオディスク：ＤＶＤを含む）やミニディスクなどの製造工程に対しても適用できる。
【００４６】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、酸化性ガスを溶解させた純水による第１の洗浄工程と、還元性ガス又はアンモニアを溶解させた純水による第２の洗浄工程との２段階のプロセスにより、現像後に発生する欠陥を十分に低減させることができる。そしてこの場合、現像プロセス後に再度現像液を注いで洗浄する方法とは異なり、パターン寸法の制御性を悪化させることもなく、基板面内の寸法ばらつきを小さく保つことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わるレジストパターン形成工程を示す断面図。
【図２】各種のリンス法に対する、被加工基板面内の欠陥数と面内寸法ばらつきとの関係を示す図。
【図３】オゾン水洗浄後の欠陥と基板表面の結合状態を示す図。
【図４】オゾン水洗浄後に水素洗浄を行った後の欠陥と基板表面の結合状態を示す図。
【図５】オゾン水濃度と欠陥数との関係を示す図。
【符号の説明】
１１…ウェハ（被処理基板）
１２…レジスト
１３…ＫｒＦレーザ光
１４…潜像領域
１５…ノズル
１６…現像液
１７…オゾン水
１８…水素水
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体のリソグラフィ工程において被加工基板の表面を洗浄するための基板処理方法に係わり、特に現像液で現像を行った後のリンスプロセスに利用される基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のＬＳＩパターン寸法の微細化に伴い、現像リンスプロセスにおける欠陥数、パターン寸法制御に対するスペックは益々厳しくなってきている。これまでのリソグラフィ工程における現像プロセス後のリンスプロセスでは、一般的に純水（ＤＩＷ）が洗浄液として用いられていた。しかし、純水のみに依存した洗浄方法では、洗浄力が弱く、欠陥を十分に除去しきれなかった。
【０００３】
そこで最近、通常の現像プロセス後にもう一度現像液を注いで洗浄する方法が行われ始めている。これは、欠陥発生の主たる原因が現像プロセスからリンスプロセスに移るときのｐＨショック（急激なｐＨの低下により現像液中に溶け込んでいたレジスト溶解生成物が液中に溶けきれず析出してくる）によることから、２回目の現像液投入により欠陥（レジスト溶解生成物）を現像液に溶け込ませながら洗浄することで、次に行う純水投入により欠陥の発生を低減するという方法である。
【０００４】
しかしながらこの方法では、確かに欠陥数を大幅に低減させることは可能となったが、現像終点付近で更にフレッシュな現像液を注ぐことから、レジストによってはパターン寸法の制御性が悪化する。そして、基板面内の寸法ばらつきが大きくなってしまうという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来、現像プロセス後のリンスプロセスに純水のみを用いた洗浄方法では、欠陥低減に限界があった。また、現像プロセス後に再度現像液を注いで洗浄する方法では、欠陥数は大幅に低減できるものの、パターン寸法の制御性が悪化して基板面内の寸法ばらつきが大きくなってしまう問題があった。
【０００６】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、基板面内の寸法ばらつきを大きくすることなく、現像後に発生する欠陥の大幅な低減をはかり得る基板処理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は次のような構成を採用している。
【０００８】
即ち本発明は、感光性樹脂膜に所望パターンが露光された被加工基板に対し、現像液を用いて感光性樹脂膜を現像した後に、露出表面を純水で洗浄するための基板処理方法であって、オゾンガスを１〜１０ｐｐｍ溶解させた純水で洗浄することで、前記基板の露出表面に付着した有機物を分解する第１の洗浄工程と、前記第１の洗浄工程に続き、還元性のガスを溶解させた純水で洗浄することで、前記分解した有機物を除去する第２の洗浄工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
また本発明は、感光性樹脂膜に所望パターンが露光された被加工基板に対し、現像液を用いて感光性樹脂膜を現像した後に、露出表面を純水で洗浄するための基板処理方法であって、オゾンガスを１〜１０ｐｐｍ溶解させた純水で洗浄することで、前記基板の露出表面に付着した有機物を分解する第１の洗浄工程と、前記第１の洗浄工程に続き、アンモニアを溶解させた純水で洗浄することで、前記分解した有機物を除去する第２の洗浄工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては、次のものがあげられる。
【００１２】
(1) 第２の洗浄工程として、水素ガスを純水に０．５〜１０ｐｐｍ溶解させること。
【００１３】
(2) 第２の洗浄工程として、アンモニアガスを純水に０．５〜１０ｐｐｍ溶解させること。
【００１４】
(3) 露出表面が、現像液と現像液に溶解した感光性樹脂であること。
【００１５】
（作用）
本発明によれば、現像液を用いて現像された被加工基板に対し、第１の洗浄工程として酸化性の洗浄水で処理することにより、現像後に発生するレジスト溶解生成物であるレジスト欠陥を分解（Ｒ−ＣＨ3 →Ｒ１−ＣＯＯＨ，Ｒ２−ＣＯＯＨ，Ｒ３−ＣＯＯＨ）することができる。このとき、レジスト表面も同様にＲ−ＣＯＯＨとなり、欠陥は小さく分解されるが、欠陥とレジスト表面（Ｒ−ＣＯＯＨ）との間に二量体と呼ばれる強い水素結合が発生する。
【００１６】
このままでは欠陥を基板外に除去できないので、次に第２の洗浄工程として還元性の洗浄水で洗浄することにより、Ｒ−ＣＯＯＨをＲ−ＣＨ2（ＯＨ）と還元し、欠陥と基板表面との結合を断ち、欠陥を基板外に容易に除去することができる。ここで、第２の洗浄工程として、アンモニアを溶解させた純水で脱炭酸処理を行っても、上記と同様に欠陥と基板表面との結合を断ち、欠陥を基板外に容易に除去することができる。
【００１７】
このように本発明では、酸化性ガスを溶解させた純水による第１の洗浄工程と、還元性ガス又はアンモニアを溶解させた純水による第２の洗浄工程との２段階のプロセスにより、現像後に発生する欠陥を十分に低減させることができる。そしてこの場合、現像プロセス後に再度現像液を注いで洗浄する方法とは異なり、パターン寸法の制御性を悪化させることもなく、基板面内の寸法ばらつきを小さく保つことが可能である。
【００１８】
なお、本発明で使用している酸化性の洗浄水としてオゾン水、還元性の洗浄水として水素水を用いる提案は、前者として特開平９−２５５９９８号公報、後者として特開平９−１２５０９７号公報等に代表されるようにこれまで幾つかあるが、本発明のように酸化性故の有機物の分解性、還元性故の有機物に対する水素結合の分断・物理的性質に着目し、洗浄順位を規定したものはなかった。さらに、これまでの提案は全て半導体ウェットプロセスに適用した場合であり、リソグラフィプロセスに適用した例はなかった。
【００１９】
つまり、上記の第１及び第２の洗浄工程という２段階のプロセスによって現像後に発生する欠陥の十分に低減できることは、従来全く認識されておらず、本発明者らの鋭意研究及び実験によって初めて分かった事実である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わるレジストパターン形成工程を示す断面図である。
【００２２】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体ウェハ等の被加工基板１１上にレジスト（ＤＵＶ化学増幅型）１２を回転塗布法で厚さ０．３μｍ形成した。続いて、図１（ｂ）に示すように、波長２４８ｎｍの光（ＫｒＦレーザ）を用い、露光用マスク（図示せず）を介してＬＳＩパターンの縮小投影露光を行った。ここで、図中の１３はＫｒＦレーザ光、１４は光照射による潜像領域を示している。
【００２３】
次いで、図１（ｃ）に示すように、ノズル１５から現像液（ＴＭＡＨ：テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイドの０．２７Ｎ濃度）１６を基板１１の表面に吐出し、現像液膜がウェハ全面に渡ってある一定膜厚（１〜２ｍｍ）になるように液盛りを行った。この液盛りのために、例えばスリット状のノズル１５を基板１１上で一方向に走査した。その後、基板１１をある一定時間（１５〜６０ｓ）放置することにより、図１（ｄ）に示すように、レジスト１２内の露光部分（潜像領域１４）の除去を行った。
【００２４】
次いで、本発明に係わる基板洗浄処理として、図１（ｅ）に示すように、基板１１を５００ｒｐｍで回転させながら、オゾンガスを３ｐｐｍ溶解させたＤＩＷ（以下、オゾン水と称する）１７を用いて１５ｓ間洗浄処理を行った（第１の洗浄工程）。続いて、図１（ｆ）に示すように、基板１１を５００ｒｐｍで回転させながら、水素ガスを１．２ｐｐｍ溶解させたＤＩＷ（以下、水素水と称する）１８を用いて１５ｓ間洗浄処理を行った（第２の洗浄工程）。なお、オゾン水１７及び水素水１８の供給は、ノズル等を用いて基板１１の表面の回転中心付近に行った。最後に、基板１１を３０００ｒｐｍで１０ｓ間回転させることによって、基板面を振り切り乾燥した。
【００２５】
以上の工程により、レジストパターンの面内寸法のばらつきを悪化させずに、欠陥数を従来法（ＤＩＷのみの洗浄）よりも大幅に低減させることができた。さらに、現像後のリンス処理を効率良く短時間で行うことができた。
【００２６】
図２及び下記の（表１）は共に、各種のリンス法に対する、被加工基板面内の欠陥数（ＫＬＡ測定）と、０．１５μｍのＬ／Ｓパターンにおけるライン寸法の３σ（ｎｍ）｛面内十字２５点（ｘ方向１３点，ｙ方向１３点）｝の値を示している。
【００２７】
【表１】
【００２８】
▲３▼はオゾン水（３ｐｐｍ）を用いてリンスする方法（３０ｓ，５００ｒｐｍ）であり、▲４▼は水素水（１．２ｐｐｍ）を用いてリンスする方法（３０ｓ，５００ｒｐｍ）である。また、▲５▼は水素水で１５ｓ，５００ｒｐｍで洗浄を行った後、オゾン水で１５ｓ，５００ｒｐｍで洗浄を行う方法であり、▲６▼はオゾン水で１５ｓ，５００ｒｐｍで洗浄を行った後、水素水で１５ｓ，５００ｒｐｍで洗浄を行う方法（本実施形態）である。
【００２９】
図２及び（表１）より明らかなように、▲６▼の本実施形態による方法であれば、寸法ばらつきを悪化させることなく、小欠陥，大欠陥共に大幅に低減されていることが分かる。▲２▼の従来より行われている現像液リフレッシュ法では、欠陥数は低減するものの現像液を用いて洗浄する際に寸法が大きく変動するため、面内のばらつきが悪化してしまった。
【００３０】
また、▲３▼のオゾン水のみの洗浄では、大欠陥が効果的に減少しているが、逆に小欠陥が増大してしまっている。これは、オゾン水が有機物を酸化分解する作用を有するためであり、ここでは有機物であるレジストの溶解生成物の大欠陥が分解されて小欠陥になっていることを意味している。小欠陥と基板表面はそれぞれＲ−ＣＨ3 →Ｒ−ＣＯＯＨとなり、Ｒ−ＣＯＯＨ同士は二量体と呼ばれる強い結合（図３）を持つため、欠陥は基板外に除去できなかったと考えられる。
【００３１】
一方、▲４▼の水素水のみを用いた洗浄では、欠陥は純水洗浄よりは多く除去されるがその効果は十分ではなかった。水素水には還元作用があるが、オゾン水のように酸化分解する効果がないので、レジスト基板面に対して広範囲に密着した大欠陥に対しては除去が不十分になると考えられる。
【００３２】
そこで、水素水，オゾン水の両方を用いたのが▲５▼と▲６▼であるが、▲５▼の水素水で先に洗浄した後にオゾン水で洗浄する方法では、そもそも水素水で洗った時点で大欠陥に対して分解作用がないため、次にオゾン水で洗った時点で大欠陥が分解し小欠陥が増大する傾向となってしまった。
【００３３】
一方、▲６▼のオゾン水で先に洗浄する方法では、小欠陥，大欠陥共に大幅に欠陥数が低減した。本方法で効果がある理由は、オゾン水処理時にまずレジスト欠陥が細かく酸化分解される。このとき、レジスト欠陥，レジストパターン表面はそれぞれＲ−ＣＨ3 →Ｒ−ＣＯＯＨとなり、これらは二量体と呼ばれる強い水素結合を持つ（図３）。この状態では、分解された小欠陥を十分に基板外に除去することができない。そこで、次に還元作用のある水素水で洗浄するとＲ−ＣＯＯＨが還元されてＲ−ＣＨ2 （ＯＨ）という状態となり、小欠陥とレジスト基板表面との水素結合が弱まり基板外に容易に除去できたと考えられる（図４）。
【００３４】
次に、欠陥低減効果のある本実施形態の▲６▼の方法でオゾン濃度を０．５〜３０ｐｐｍで変化させた場合の欠陥数の変化を図５に示す。図５において、最適なオゾン濃度は１〜１０ｐｐｍ程度であり、それ以上オゾンを添加するとオゾンの分解作用が強すぎて基板自体を強く分解し、色むら欠陥の発生が始まる。また、オゾン濃度が１よりも低いと、有機物を酸化分解する作用が十分に得られず、大欠陥を細かく分解することができない。従って、本方法をレジストプロセスに適用する場合にはオゾン添加濃度は１〜１０ｐｐｍの範囲で設定するのが望ましい。
【００３５】
（第２の実施形態）
本実施形態におけるレジストパターン形成工程は基本的に図１と同じであるため、その図面は省略する。本実施形態が先に説明した第１の実施形態と異なる点は、第２の洗浄工程における洗浄液として、水素水の代わりにアンモニア水を用いたことである。
【００３６】
まず、第１の実施形態と同様に、被加工基板上にレジスト（ＤＵＶ化学増幅型）を回転塗布法で厚さ０．３μｍ形成したのち、波長２４８ｎｍの光（ＫｒＦレーザ）を用い、露光用マスクを介してＬＳＩパターンの縮小投影露光を行った。続いて、現像液（ＴＭＡＨ：テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイドの０．２７Ｎ濃度）を基板面に吐出し、現像液膜がウェハ全面に渡ってある一定膜厚（１〜２ｍｍ）になるように液盛りを行った。その後、基板をある一定時間（１５〜６０ｓ）放置することにより、レジスト膜内の露光部分の除去を行った。
【００３７】
次いで、基板洗浄処理として、基板を５００ｒｐｍで回転させながら、オゾンガスを７ｐｐｍ溶解させたオゾン水を用いて１５ｓ間洗浄を行った（第１の洗浄工程）。このとき、レジストパターン表面に付着していた欠陥はオゾン水により酸化分解された。しかし、分解した欠陥の端部及びオゾン水に触れたレジストパターン表面にはカルボニル基（Ｒ−ＣＯＯＨ）が形成され、分解し微小化された欠陥がカルボニル基の水素結合により依然として吸着していた。
【００３８】
第１の実施形態ではこのカルボニル基を水素水により還元し、水素結合を切ることで欠陥をレジストパターン表面から遊離させ、基板外に除去させたが、本実施形態ではアンモニア水によりカルボニル基の分解（脱炭酸処理）を行った。即ち、アンモニアガスを２ｐｐｍ添加したＤＩＷを用いて１５ｓ，５００ｒｐｍで洗浄を行った。このとき、欠陥の端部とレジスト表面に生じていたカルボン酸は脱炭酸処理によりそれぞれ分解され、これにより水素結合が切断されて、欠陥が遊離してアンモニア水と共に基板外に放出された。
【００３９】
Ｒ−ＣＯＯＨ＋ＮＨ3ＯＨ
→Ｒ−Ｈ（ＮＨ2）＋ＣＯ2＋Ｈ2Ｏ
最後に、基板を３０００ｒｐｍで１０ｓ間回転させることによって基板面を振り切り乾燥した。
【００４０】
以上の工程により、レジストパターンの面内寸法のばらつきを悪化させずに、欠陥数を従来法（ＤＩＷのみの洗浄）よりも大幅に低減させることができた。さらに、現像後のリンス処理を効率良く短時間で行うことができた。
【００４１】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では露光波長にＫｒＦレーザの２４８ｎｍを用いたが、これに限るものではなく、１９３ｎｍのＡｒＦレーザ，弗素レーザ，又は水素ランプの発振線を狭帯域化して用いた露光においても適用可能である。さらに、露光光源は必ずしも光に限らず、電子ビーム，イオンビーム，Ｘ線を用いることも可能である。また、レジストの種類や塗布方法に対してもこれに限るものではなく、メニスカスの原理を用いた塗布法や、ノズルを基板上にスキャンさせながら液膜を形成し、溶剤を除去する成膜方法により作られた膜に対しても適用可能である。
【００４２】
また、第１の実施形態では、酸化性ガスとしてオゾンを用いたが、この代わりに過酸化水素（Ｈ2Ｏ2 ）や酸素を用いることも可能である。さらに、第２の実施形態では、脱炭酸反応を生じさせるためにアンモニアを用いたが、この代わりにアミン等を用いることも可能である。また、今回は、オゾン水，水素水，或いはアンモニア水を流水で供給し放置したが、基板上に溜めた状態で攪拌してもよい。
【００４３】
また、第１及び第２の洗浄工程における洗浄時間，回転数は、それぞれ１５ｓ，５００ｒｐｍに何ら限定されるものではなく、適宜変更可能である。第１の洗浄工程と第２の洗浄工程でそれぞれで異なった値にしてもよい。また、オゾン添加濃度は３ｐｐｍや７ｐｐｍに限るものではなく、使用するレジスト，プロセスによって適宜変更可能である。具体的には、オゾン水におけるオゾン濃度は１〜１０ｐｐｍの範囲で変化させてよい。また、第１の実施形態における水素添加濃度は１．２ｐｐｍに限るものではなく、使用するレジスト，プロセスによって０．５〜１０ｐｐｍで変化させてよい。さらに、第２の実施形態におけるアンモニア添加濃度は２ｐｐｍに限るものではなく、使用するレジスト，プロセスによって０．５〜１０ｐｐｍで変化させてよい。
【００４４】
現像方法は、ノズルを走査する方法に限らず、例えば基板を低速で回転させながら全面に現像液を広げる方法でもよい。また、以上のような液盛りを行うパドル現像法に限らず、プロセス中常に現像液を供給するスプレー現像法でもよい。また、使用する現像液濃度，時間はそれぞれ０．２７Ｎ，１５〜６０ｓｅｃに限らず、適宜変更可能である。
【００４５】
また、第１及び第２の実施形態の技術はウェハ上の現像工程だけでなく、有機樹脂膜をレジストに用いるあらゆる工程に適用可能で、例えば露光用マスクの製造工程や液晶基板の製造工程、コンパクトディスク（デジタルビデオディスク：ＤＶＤを含む）やミニディスクなどの製造工程に対しても適用できる。
【００４６】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、酸化性ガスを溶解させた純水による第１の洗浄工程と、還元性ガス又はアンモニアを溶解させた純水による第２の洗浄工程との２段階のプロセスにより、現像後に発生する欠陥を十分に低減させることができる。そしてこの場合、現像プロセス後に再度現像液を注いで洗浄する方法とは異なり、パターン寸法の制御性を悪化させることもなく、基板面内の寸法ばらつきを小さく保つことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わるレジストパターン形成工程を示す断面図。
【図２】各種のリンス法に対する、被加工基板面内の欠陥数と面内寸法ばらつきとの関係を示す図。
【図３】オゾン水洗浄後の欠陥と基板表面の結合状態を示す図。
【図４】オゾン水洗浄後に水素洗浄を行った後の欠陥と基板表面の結合状態を示す図。
【図５】オゾン水濃度と欠陥数との関係を示す図。
【符号の説明】
１１…ウェハ（被処理基板）
１２…レジスト
１３…ＫｒＦレーザ光
１４…潜像領域
１５…ノズル
１６…現像液
１７…オゾン水
１８…水素水
Claims (3)
- 感光性樹脂膜に所望パターンが露光された被加工基板に対し、現像液を用いて感光性樹脂膜を現像した後に、露出表面を純水で洗浄するための基板処理方法であって、
オゾンガスを１〜１０ｐｐｍ溶解させた純水で洗浄することで、前記基板の露出表面に付着した有機物を分解する第１の洗浄工程と、
前記第１の洗浄工程に続き、還元性のガスを溶解させた純水で洗浄することで、前記分解した有機物を除去する第２の洗浄工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 感光性樹脂膜に所望パターンが露光された被加工基板に対し、現像液を用いて感光性樹脂膜を現像した後に、露出表面を純水で洗浄するための基板処理方法であって、
オゾンガスを１〜１０ｐｐｍ溶解させた純水で洗浄することで、前記基板の露出表面に付着した有機物を分解する第１の洗浄工程と、
前記第１の洗浄工程に続き、アンモニアを溶解させた純水で洗浄することで、前記分解した有機物を除去する第２の洗浄工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記露出表面が、現像液と現像液に溶解した感光性樹脂であることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
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