JP5616839B2 - 高周波装置 - Google Patents
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Description
本発明において、グランドリードピンは、グランド線路と接続される部分を除いて、厚さが薄くなるように裏面側の全体が削除された欠損部(グランド線路と接続される根元部から先端までに形成された凹部)を有していても良い。この場合も、欠損部は、モールド樹脂が充填されていても、空間であっても良い。
また、グランド線路のダイパッド側の端部は、グランド層と第1ビアホールにより導通しており、その第1ビアホールの位置からダイパッドまでのグランドリードピンの長さは、それぞれの信号リードピンとそれに隣接するグランドリードピンとの長さ方向の中心線の、ダイパッドに接近した側での間隔以上であって、伝搬する信号の波長×3/8以下であることが望ましい。第1ビアホールの位置からダイパッドまでのグランドリードピンの長さはが、短過ぎると、コプレーナ線路によるガイドの効果が小さいため、隣接する信号リードピンに信号が漏れ、アイソレーションが劣化する。また、その長さが管内λ/2であると、グランドリードピンは両端がショートしているので、共振する。このため、管内波長λ×3/8程度以下が望ましい。
また、グランド線路のダイパッドから離れた側の端部は、グランド層と第2ビアホールにより導通していることが望ましい。
また、ダイパッド30の縁30cに近い位置における信号リードピン26a、26bのそれぞれの長さ方向にとられる中心線の間隔は1mmより狭い場合に効果があり、0.8mm以下であっても良い。信号リードピン26a、26bの中心線の間隔が1mm以上となると、信号リードピン26a、26bがマイクロストリップ線路として機能するので、信号リードピン26a、26bに欠損部262がなくとも、アイソレーションは得られる。しかし、信号リードピン26a、26bの中心線の間隔が1mmよりも狭くなると、信号リードピン26a、26bに欠損部262が存在しないと、アイソレーションが劣化する。したがって、信号リードピン26a、26bの中心線の間隔が1mmより狭い場合、特に、0.8mm以下の場合に、本発明の効果は高い。
また、同様な理由から、ダイパッド30の縁30cに近い位置における信号リードピン26a、26b…と、それに隣接するグランドリードピン25a、25b…との長さ方向にとられる中心線の間隔は0.5mmより狭い場合に効果があり、0.4mm以下であっても良い。また、ダイパッド30の周辺の縁30cにおける信号リードピン26a、26b…の長さ方向の稜線と、これに対面するグランドリードピン25a、25b…の長さ方向の稜線間の間隔は0.3mmより狭い場合に効果があり、0.2mm以下であっても良い。信号リードピン26a、26b…とグランドリードピン25a、25b…の幅は0.2mm以下でああっても良い。
10…実装基板
11…グランド層
21a、21b…信号線路
22a、22b…グランド線路
25a、25b…グランドリードピン
26a、26b…信号リードピン
30…ダイパッド
33…集積回路
24a、24b…第1ビアホール
23a、23b…第2ビアホール
42…樹脂
Claims (4)
- 裏面に面状の金属膜から成るグランド層を有した基板と、該基板の表面に配設され前記グランド層と導通する金属性のダイパッドと、該ダイパッドの表面に配設された集積回路とを有する高周波装置において、
前記基板の表面であって前記ダイパッドの周辺部において、前記ダイパッドから突出して形成された複数の平坦なグランドリードピンと、
前記基板の表面の前記周辺部に形成され、前記基板の前記グランド層と導通する複数のグランド線路と、
前記基板の表面に形成され、前記グランド層との間でマイクロストリップ導波路を形成し、前記周辺部に向けて伸びた複数の信号線路と、
前記基板の表面の前記周辺部に形成され、複数の前記信号線路の一端に、それぞれ、一端が接続された複数の平坦な信号リードピンであって、隣接する2つの前記グランドリードピンの間に、前記ダイパッドに向けて伸びた信号リードピンと、
前記信号リードピンの他端において、前記集積回路と接続されたボンディングワイヤと、
前記集積回路、前記ダイパッド、前記ボンディングワイヤ、前記グランドリードピン、前記信号リードピンを、前記ダイパッドの裏面と、前記グランドリードピンの先端部分と、前記信号リードピンの先端部分を露出させて、モールドした樹脂と、
を有し、
それぞれの前記信号リードピンと、それに隣接するグランドリードピンとの、前記ダイパッドに接近した端部での長さ方向の中心線の間隔は、500μmより狭く、
前記信号リードピンは、前記一端において、前記信号線路と接続される部分を除いて、厚さが薄くなるように裏面側の全体が削除された欠損部を有し、
前記信号リードピンの前記一端と前記信号線路、及び、前記グランドリードピンと前記グランド線路は、半田により接続されている
ことを特徴とする高周波装置。 - 前記グランドリードピンは、前記グランド線路と接続される部分を除いて、厚さが薄くなるように裏面側の全体が削除された欠損部を有することを特徴とする請求項1に記載の高周波装置。
- 前記グランド線路の前記ダイパッド側の端部は、前記グランド層と第1ビアホールにより導通しており、その第1ビアホールの位置から前記ダイパッドまでの前記グランドリードピンの長さは、それぞれの前記信号リードピンとそれに隣接するグランドリードピンとの長さ方向の中心線の、前記ダイパッドに接近した側での間隔以上であって、伝搬する信号の波長×3/8以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の高周波装置。
- 前記グランド線路の前記ダイパッドから離れた側の端部は、前記グランド層と第2ビアホールにより導通していることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の高周波装置。
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JP2011093400A JP5616839B2 (ja) | 2011-04-19 | 2011-04-19 | 高周波装置 |
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JP2011093400A JP5616839B2 (ja) | 2011-04-19 | 2011-04-19 | 高周波装置 |
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Family Applications (1)
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2011
- 2011-04-19 JP JP2011093400A patent/JP5616839B2/ja active Active
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