JP5599192B2 - 表示基板 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に使用される表示基板、これを有する表示装置、及び表示基板の製造方法に関する。

液晶表示装置は現在最も広く使用されているフラットパネル表示装置のうちの１つである。液晶表示装置は、一般的に、複数の画素電極が形成された下部基板、画素電極に対向する共通電極が形成された上部基板、及び下部基板と上部基板との間に介在される液晶層を含む。

液晶表示装置は、画素電極と共通電極に互いに異なる電圧を印加して電界を生成し、生成された電界を液晶層に印加して液晶層の内部の液晶分子の配列を制御することによって画像を表示する。液晶分子は一般的に一方向に延伸された形状を有し、液晶分子が延伸された方向と平行に配向する配向子（ｄｉｒｅｃｔｏｒ）を有する。液晶層を通過する光量は、液晶分子の配向子と入射光とが成す角度によって変化する。従って、液晶表示装置は、一般的に他の表示装置に比べて相対的に狭い視野角の特性を有する。

このような液晶表示装置の狭い視野角の特性を解決するために、多様な技術が開発されている。一例として、１つの画素領域を幾つかのドメインに分けて駆動するＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードを採用する液晶表示装置に関する研究が活発になされている。

ＰＶＡモードを採用する液晶表示装置においては、液晶分子を上下基板に対して垂直に配向し、画素電極と共通電極に一定のスリットパターンを形成するか又は突起パターンを形成することによって、画素領域にマルチドメイン構造（ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を形成する。

しかし、上述のように、スリットパターン又は突起パターンを形成して画素領域にマルチドメインを形成する場合、液晶表示装置の開口率が減少されることがあり、液晶分子の配列が部分的に制御されなくなり、視認性が落ちる場合もある。

本発明の技術的課題は、このような従来の問題点を解決することであり、本発明の目的は、視野角及び画素領域の開口率を向上させることのできる表示基板を提供することである。

本発明の他の目的は、前記表示基板を有する表示装置を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、前記表示基板の製造方法を提供することである。

上述の本発明の目的を実現するための一実施形態による表示基板はベース基板及び画素電極を含む。

ベース基板にはゲートライン、ゲートラインと交差するデータライン、及びゲートラインとデータラインとに電気的に接続される薄膜トランジスタが形成される。また、ベース基板には、画素領域が定義される。画素電極は、ベース基板の画素領域に形成された複数の枝電極及び複数の枝電極を接続する接続電極を含む。枝電極のそれぞれは、折曲げ部（ａ ｂｅｎｔ ｐｏｒｔｉｏｎ）を備え、隣接する枝電極の折曲げ部は互いに離隔されていることが望ましい。画素電極は、薄膜トランジスタに電気的に接続される。

枝電極のそれぞれは、ゲートラインに対して傾いた方向に延伸された第１パターン部、第１パターン部に対して傾いた方向に延伸された第２パターン部、及び第１パターン部の一端部と第２パターン部の一端部とが接して折曲げ部が形成される接続部を含むことができる。例えば、画素領域が互いに隣接するサブ領域を含む場合、第１パターン部及び第２パターン部はサブ領域のそれぞれに形成され、接続部は、サブ領域の境界に沿って形成されてもよい。

接続部は、第１パターン部より折曲げられて延伸される第１サブパターン部と第２パターン部より折曲げられて延伸され第１サブパターン部と接して折曲げ部を形成する第２サブパターン部を含み、第１サブパターン部と第２サブパターン部とが成す角度は第１パターン部と第２パターン部とが成す角度より小さいか又は同一であってもよい。この場合、第１パターン部と第２パターン部とが成す角度は９０°であり、第１サブパターン部と第２サブパターン部とが成す角度は６°〜９０°の範囲内に存在することが望ましい。

接続部は、折曲げ部の幅を大きくするように折曲げ部の内側に形成された平坦化部（ａ ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ ｐｏｒｔｉｏｎ）をさらに含んでもよい。第１パターン部及び第２パターン部は第１幅を有し、互いに隣接する枝電極の第１パターン部及び第２パターン部は第２幅で離隔されている場合、平坦化部を含む折曲げ部の幅は、第１幅より大きく、第１幅と第２幅との和より小さいことが望ましい。

上述した本発明の他の目的を実現するための一実施形態による表示装置は、表示基板、対向基板、及び液晶層を含む。

表示基板は、第１ベース基板及び画素電極を含む。第１ベース基板は、ゲートライン、ゲートラインと交差するデータライン、及びゲートラインとデータラインに電気的に接続される薄膜トランジスタを含み、第１ベース基板には、画素領域が定義される。画素電極は、薄膜トランジスタに電気的に接続されており、第１ベース基板の画素領域に形成された複数の枝電極及び複数の枝電極を接続する接続電極を含む。枝電極のそれぞれは、折曲げ部を備え、隣接する枝電極の折曲げ部は互いに離隔されている。対向基板は第１ベース基板に対向する第２ベース基板を含む。第２ベース基板には画素電極と対向する共通電極が形成される。液晶層は表示基板と対向基板との間に形成される。

上述した本発明のさらに他の目的を実現するための一実施形態による表示基板の製造方法においては、先ず、画素領域が定義された基板上に薄膜トランジスタが形成される。それから、スイッチング素子が形成された基板上にパッシベーション膜及び有機膜を順次に蒸着し、パッシベーション膜及び有機膜に薄膜トランジスタを部分的に露出させるコンタクトホールを形成する。続いて、コンタクトホールを備える有機膜の上部に透明な導電膜を形成する。そして、透明導電膜をパターニングして画素領域に形成された複数の枝電極及び枝電極を接続する接続電極を含み、枝電極のそれぞれは、折曲げ部を備え、隣接する枝電極の折曲げ部は互いに離隔されており、薄膜トランジスタに電気的に接続される画素電極を形成する。

このような表示基板、これを有する表示装置、及び表示基板の製造方法によると、画素電極が互いに離隔されている複数の枝電極及び枝電極を接続する接続電極を備えるため、画素領域を複数のドメインに分割できるだけでなく、枝電極の中央部分を接続する導電パターンを省略することができる。これにより、液晶表示装置の視野角を向上させるだけでなく、画素領域の開口率を向上させることができる。

本発明の第１実施形態による液晶表示装置の平面図である。 図１に示す「Ａ」領域を拡大した平面図である。 図１に示す液晶表示装置の断面図である。 図１〜図３において説明した表示基板を製造する方法を説明するための断面図である。 図１〜図３において説明した表示基板を製造する方法を説明するための断面図である。 図１〜図３において説明した表示基板を製造する方法を説明するための断面図である。 図１〜図３において説明した表示基板を製造する方法を説明するための断面図である。 図１〜図３において説明した表示基板を製造する方法を説明するための断面図である。 図１〜図３において説明した表示基板を製造する方法を説明するための断面図である。 図１〜図３において説明した表示基板を製造する方法を説明するための断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置の平面図である。 図１１に示す「Ｂ」領域を拡大した平面図である。 本発明の第３実施形態による液晶表示装置の平面図である。 図１３に示す「Ｃ」領域を拡大した平面図である。 本発明の第４実施形態による液晶表示装置の平面図である。 図１５に示す「Ｄ」領域を拡大した平面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態をより詳しく説明する。

本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるため、特定実施形態を図面に例示し、本明細書に詳しく説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に対して限定しようとすることではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、ないしは代替物を含むことと理解されるべきである。各図面を説明しながら類似する参照符号を、類似する構成要素に対して使用した。添付図面において、構造物のサイズは本発明の明確性に基づくために実際より拡大して示した。第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するにあたって使用することができるが、各構成要素は使用される用語によって限定されるものではない。各用語は１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用されるものであって、例えば、明細書中において、第１構成要素を第２構成要素に書き換えることも可能であり、同様に第２構成要素を第１構成要素とすることができる。単数表現は文脈上、明白に異なる意味を有しない限り、複数の表現を含む。

本明細書において、「含む」又は「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、１つ又はそれ以上の別の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されるべきである。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする場合、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。反対に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「下に」あるとする場合、これは他の部分の「すぐ下に」ある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の平面図であり、図２は、図１に示す「Ａ」領域を拡大した平面図であり、図３は、図１に示す液晶表示装置の断面図である。

図１、図２、及び図３を参照すると、本発明の第１実施形態による表示装置１０は、表示基板１００、対向基板２００、及び液晶層３００を含む。

表示基板１００は、第１ベース基板１１０、ゲートラインＧＬ、ゲート絶縁膜１２０、データラインＤＬ、薄膜トランジスタＳＷ、パッシベーション膜１４０、有機膜１５０、画素電極１６０、及び第１配向膜１７０を含む。

第１ベース基板１１０は、光を透過させることのできる透明な絶縁性物質で形成される。例えば、第１ベース基板１１０は、ガラスで形成されてもよい。第１ベース基板１１０に使用されるガラスは、無アルカリ特性を有することが望ましい。ガラスがアルカリ特性を有する場合、ガラスからアルカリイオンが液晶セルに溶出して表示装置１０の表示特性を低下させることがあり、溶出されたアルカリイオンによって液晶を密封する密封部材（図示せず）と第１ベース基板１１０との間の付着力が低下されることがあり、第１ベース基板１１０に形成された薄膜トランジスタＳＷの動作に悪影響を与えることがあるからである。また、第１ベース基板１１０は、光学的に等方性（ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）であることが望ましい。第１ベース基板１１０上に画素領域ＰＡが定義される。

ゲートラインＧＬは、第１ベース基板１１０の隣接する画素領域ＰＡの間に形成され、第１ベース基板１１０上から第１方向Ｄ１に延伸される。ゲートラインＧＬは外部より供給を受けるゲート信号を薄膜トランジスタＳＷに供給して薄膜トランジスタＳＷをターンオン（ｔｕｒｎ−ｏｎ）させる。一例として、ゲートラインＧＬはアルミニウムＡｌ及びモリブデンＭｏの２重層で形成されてもよい。

ゲート絶縁膜１２０は、ゲートラインＧＬ及びゲート電極ＧＥを覆うように第１ベース基板１１０の上部に形成される。ゲート絶縁膜１２０は、シリコン窒化物又はシリコン酸化物などで形成されてもよい。

データラインＤＬは、隣接する画素領域ＰＡの間に形成され、ゲート絶縁膜１２０上にゲートラインＧＬの延伸方向である第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に延伸される。第２方向Ｄ２は第１方向Ｄ１と直交してもよい。データラインＤＬは、外部より供給を受けるデータ信号を、薄膜トランジスタＳＷを経由して画素電極１６０に印加する。

薄膜トランジスタＳＷは、ゲートラインＧＬと電気的に接続されたゲート電極ＧＥ、ゲート電極ＧＥに対応し、ゲート絶縁膜１２０上に形成された半導体パターン１３０、データラインＤＬと電気的に接続されたソース電極ＳＥ及び画素電極１６０と電気的に接続されたドレイン電極ＤＥから構成される。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは半導体パターン１３０の上部に配置され、互いに離隔されている。ゲートラインＧＬからのゲート信号が薄膜トランジスタＳＷのゲート電極ＧＥに供給されると、半導体パターン１３０は、不導体から導体に性質が変化する。つまり、ゲート信号がゲート電極ＧＥに印加されると、薄膜トランジスタＳＷがターンオン（ｔｕｒｎ−ｏｎ）される。薄膜トランジスタＳＷがターンオン（ｔｕｒｎ−ｏｎ）されると、データラインＤＬからソース電極ＳＥに印加されたデータ信号は、半導体パターン１３０及びドレイン電極ＤＥを経由して画素電極１６０に印加される。

パッシベーション膜１４０は、データラインＤＬ及び薄膜トランジスタＳＷを覆うようにゲート絶縁膜１２０の上部に形成される。一例として、パッシベーション膜１４０は、ゲート絶縁膜１２０と同様にシリコン窒化物又はシリコン酸化物で形成されてもよい。

有機膜１５０は、パッシベーション膜１４０の上部に形成され、表示基板１００を平坦化させる役割をする。また、有機膜１５０は、画素電極１６０とデータラインＤＬとの間に発生することがある寄生容量を減少させる。従って、データラインＤＬが画素電極１６０とオーバーラップしない場合は、有機膜１５０は省略されてもよい。パッシベーション膜１４０及び有機膜１５０にはドレイン電極ＤＥの一部を露出させるコンタクトホールＣＮＴが形成される。

画素電極１６０は、第１ベース基板１１０の画素領域ＰＡに対応するように有機膜１５０上に形成される。画素電極１６０は透明な導電性物質からなってもよい。例えば、画素電極１６０は、インジウムスズ酸化物ＩＴＯ又はインジウム亜鉛酸化物ＩＺＯで形成されてもよい。画素電極１６０はパッシベーション膜１４０及び有機膜１５０に形成されたコンタクトホールＣＮＴを通じて薄膜トランジスタＳＷのドレイン電極ＤＥに電気的に接続される。データラインＤＬに印加されたデータ信号は薄膜トランジスタＳＷのソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを経由して画素電極１６０に印加され、画素電極１６０に印加されたデータ信号と対向基板２００の共通電極２５０に印加された共通電圧によって、液晶層３００に印加される電界が形成される。

第１配向膜１７０は、画素電極１６０を覆うように有機膜１５０上に形成される。第１配向膜１７０は、液晶層３００の液晶分子を初期配向させ、液晶分子の応答速度を向上させる。

第１ベース基板１１０の上部にはストレージラインＳＴＬがさらに形成されてもよい。ストレージラインＳＴＬは、ゲート絶縁膜１２０の下部に形成され、ゲートラインＧＬと平行に延伸される。ストレージラインＳＴＬは、画素電極１６０及び薄膜トランジスタＳＷのドレイン電極ＤＥと部分的にオーバーラップして形成される。ストレージラインＳＴＬ、画素電極１６０、ゲート絶縁膜１２０、及びパッシベーション膜１４０によってストレージキャパシタが定義される。ストレージキャパシタは、画素電極１６０に印加された電圧を１フレーム（ｆｒａｍｅ）の間に一定に維持させる役割をする。

図１及び図２を再び参照すると、画素電極１６０は複数の枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）及び接続電極１６５を含む。

枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）は、画素領域ＰＡに形成されて画素領域ＰＡを複数のドメイン（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）に分割する。枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）のそれぞれは折曲げ部を備え、隣接する枝電極の折曲げ部は互いに離隔されている。例えば、枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）のそれぞれは中央部分が折曲げられた「Ｖ」字形状を有してもよい。具体的に、枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）のそれぞれは、第１パターン部（１６１ａ，１６２ａ，１６３ａ，１６４ａ）、第２パターン部（１６１ｂ，１６２ｂ，１６３ｂ，１６４ｂ）、及び接続部（１６１ｃ，１６２ｃ，１６３ｃ，１６４ｃ）を備える。第１パターン部（１６１ａ，１６２ａ，１６３ａ，１６４ａ）は、一方向に延伸され、第２パターン部（１６１ｂ，１６２ｂ，１６３ｂ，１６４ｂ）は、第１パターン部（１６１ａ，１６２ａ，１６３ａ，１６４ａ）に対して傾いた方向に延伸される。第２パターン部（１６１ｂ，１６２ｂ，１６３ｂ，１６４ｂ）は、第１パターン部（１６１ａ，１６２ａ，１６３ａ，１６４ａ）に対して約９０°傾いた方向に延伸することが望ましい。接続部（１６１ｃ，１６２ｃ，１６３ｃ，１６４ｃ）は、第１パターン部（１６１ａ，１６２ａ，１６３ａ，１６４ａ）の一端部と第２パターン部（１６１ｂ，１６２ｂ，１６３ｂ，１６４ｂ）の一端部が接する部分であり、接続部（１６１ｃ，１６２ｃ，１６３ｃ，１６４ｃ）には折曲げ部が形成される。第１パターン部（１６１ａ，１６２ａ，１６３ａ，１６４ａ）の幅は第２パターン部（１６１ｂ，１６２ｂ，１６３ｂ，１６４ｂ）の幅と異なってもよいが、同一であることが望ましい。

画素領域ＰＡが互いに隣接する２つのサブ領域を含む場合、第１パターン部（１６１ａ，１６２ａ，１６３ａ，１６４ａ）及び第２パターン部（１６１ｂ，１６２ｂ，１６３ｂ，１６４ｂ）は隣接するサブ領域にそれぞれ形成され、接続部（１６１ｃ，１６２ｃ，１６３ｃ，１６４ｃ）は隣接するサブ領域の境界に沿って形成される。

例えば、画素領域ＰＡが第１サブ領域Ｓ１、ゲートラインＧＬの延伸方向に沿って第１サブ領域Ｓ１に隣接する第２サブ領域Ｓ２、データラインＤＬの延伸方向に沿って第２サブ領域Ｓ２に隣接する第３サブ領域Ｓ３及びゲートラインＧＬの延伸方向に沿って第１サブ領域Ｓ１に隣接し、データラインＤＬの延伸方向に沿って第３サブ領域Ｓ３に隣接する第４サブ領域Ｓ４を含む場合、枝電極は、複数の第１枝電極１６１、複数の第２枝電極１６２、複数の第３枝電極１６３、及び複数の第４枝電極１６４を含んでもよい。

第１枝電極１６１のそれぞれは、第１サブ領域Ｓ１に形成された第１パターン部１６１ａ、第２サブ領域Ｓ２に形成された第２パターン部１６１ｂ、及び第１サブ領域Ｓ１と第２サブ領域Ｓ２の境界に沿って形成される接続部１６１ｃを備える。隣接する第１枝電極１６１の接続部１６１ｃは所定間隔ほど互いに離隔されている。第１枝電極１６１の第１パターン部１６１ａはゲートラインＧＬに対して−４５°方向に傾き、第１枝電極１６１の第２パターン部１６１ｂは、ゲートラインＧＬに対して−１３５°方向に傾くように形成されることが望ましい。

第２枝電極１６２のそれぞれは、第２サブ領域Ｓ２に形成された第１パターン部１６２ａ、第３サブ領域Ｓ３に形成された第２パターン部１６２ｂ、及び第２サブ領域Ｓ２と第３サブ領域Ｓ３の境界に沿って形成される接続部１６２ｃを備える。隣接する第２枝電極１６２の接続部１６２ｃは所定間隔ほど互いに離隔されている。第２枝電極１６２の第１パターン部１６２ａはゲートラインＧＬに対して−１３５°方向に傾き、第２枝電極１６２の第２パターン部１６２ｂは、ゲートラインＧＬに対して−４５°方向に傾くように形成されることが望ましい。例えば、第２枝電極１６２は、第１枝電極１６１を時計回りに９０°ほど回転させる形状を有してもよい。

第３枝電極１６３のそれぞれは、第３サブ領域Ｓ３に形成された第１パターン部１６３ａ、第４サブ領域Ｓ４に形成された第２パターン部１６３ｂ、及び第３サブ領域Ｓ３と第４サブ領域Ｓ４の境界に沿って形成される接続部１６３ｃを備える。隣接する第３枝電極１６３の接続部１６３ｃは所定間隔ほど互いに離隔されている。第３枝電極１６３の第１パターン部１６３ａはゲートラインＧＬに対して１３５°方向に傾き、第３枝電極１６３の第２パターン部１６３ｂは、ゲートラインＧＬに対して４５°方向に傾くように形成されることが望ましい。例えば、第３枝電極１６３は、第１枝電極１６１を時計回りに１８０°ほど回転させる形状を有してもよい。

第４枝電極１６４のそれぞれは、第４サブ領域Ｓ４に形成された第１パターン部１６４ａ、第１サブ領域Ｓ１に形成された第２パターン部１６４ｂ、及び第４サブ領域Ｓ４と第１サブ領域Ｓ１の境界に沿って形成される接続部１６４ｃを備える。隣接する第４枝電極１６４の接続部１６４ｃは所定間隔ほど互いに離隔されている。第４枝電極１６４の第１パターン部１６４ａはゲートラインＧＬに対して４５°方向に傾き、第４枝電極１６４の第２パターン部１６４ｂは、ゲートラインＧＬに対して１３５°方向に傾くように形成されることが望ましい。例えば、第４枝電極１６４は、第１枝電極１６１を時計回りに２７０°ほど回転させる形状を有してもよい。

上述のように枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）を形成する場合、第１サブ領域Ｓ１及び第３サブ領域Ｓ３にはゲートラインＧＬに対して約１３５°方向に傾いた方向に延伸されるパターン部が形成され、第２サブ領域Ｓ２及び第４サブ領域Ｓ４にはゲートラインＧＬに対して約４５°傾いた方向に延伸されるパターン部が形成されるため、１つの画素領域ＰＡを複数のドメインに分割することができる。

接続電極１６５は、枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）を接続する。例えば、接続電極１６５は、枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）の端部を互いに接続してもよい。枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）のそれぞれは互いに一定の間隔ほど離隔されており、接続電極１６５は、互いに離隔されている枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）を電気的に接続する機能を有する。接続電極１６５の幅Ｗ３は、第１パターン部（１６１ａ，１６２ａ，１６３ａ，１６４ａ）又は第２パターン部（１６１ｂ，１６２ｂ，１６３ｂ，１６４ｂ）の幅Ｗ１より大きいことが望ましい。

接続電極１６５は、画素領域ＰＡの外郭に沿って延伸されることが望ましい。つまり、接続電極１６５の形状は画素領域ＰＡの形状によって決定されてもよい。例えば、画素領域ＰＡが長方形状を有する場合、接続電極１６５は、画素領域ＰＡに対応して長方形のフレーム形状を有してもよい。接続電極１６５は、ゲートラインＧＬ及び／又はデータラインＤＬとオーバーラップしないように、画素領域ＰＡの内部に形成されてもよいが、接続電極１６５はこれとは異なって、データラインＤＬ及び／又はゲートラインＧＬと部分的にオーバーラップするように形成されてもよい。

画素電極１６０は、接続電極１６５を介して薄膜トランジスタＳＷのドレイン電極ＤＥに電気的に接続するように形成されることが望ましい。

図３を再び参照すると、対向基板２００は、表示基板１００と対向するように配置される。

対向基板２００は、第２ベース基板２１０、遮光パターン２２０、カラーフィルタ２３０、オーバーコーティング層２４０、共通電極２５０、及び第２配向膜２６０を含んでもよい。

第２ベース基板２１０は、光を透過させることのできる透明な絶縁性物質で形成されることが望ましい。例えば、第２ベース基板２１０は、透明で、無アルカリ特性を有し、光学的に等方性なガラスで形成されてもよい。

遮光パターン２２０は、ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、及び薄膜トランジスタＳＷに対応するように第２ベース基板２１０に形成される。本発明の一実施形態において、遮光パターン２２０は、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）成分を含む不透明な有機物質で形成されてもよい。不透明な有機物質は、カーボンブラック（Ｃａｒｂｏｎ Ｂｌａｃｋ）、顔料混合物、染料混合物を含む。本発明の他の実施形態において、遮光パターン２２０は、クロムＣｒ、酸化クロムＣｒＯｘ、窒化クロムＣｒＮｘなどのような金属物質で形成されてもよい。また、後述するカラーフィルタ２３０がオーバーラップされて遮光領域を通過する光が遮断される場合、遮光パターン２２０は、省略されてもよい。

カラーフィルタ２３０は、遮光パターン２２０が形成された第２ベース基板２１０に形成され、画素電極１６０に対応する。カラーフィルタ２３０は、所定の波長を有する光だけを選択的に透過させる。一例として、カラーフィルタ２３０は、赤色光を透過させる赤色カラーフィルタ、緑色光を透過させる緑色カラーフィルタ、及び青色光を透過させる青色カラーフィルタを含んでもよい。

オーバーコーティング層２４０は、遮光パターン２２０及びカラーフィルタ層２３０が形成された第２ベース基板２１０の上部に形成される。オーバーコーティング層２４０は、カラーフィルタ２３０を保護し、カラーフィルタ２３０が形成された第２ベース基板２１０の表面を平坦化させる。

共通電極２５０は、透明な導電性物質からなり、オーバーコーティング層２４０の上部に形成される。共通電極２５０は画素電極１６０に対向し、第２ベース基板２１０の全面に渡って全体的に形成される。共通電極２５０には共通電圧Ｖｃｏｍが印加される。

第２配向膜２６０は、共通電極２５０の上部に形成されて第１配向膜１７０とともに液晶層３００の液晶分子を初期配向させる。

液晶層３００は、表示基板１００と対向基板２００との間に介在される。例えば、液晶分子が表示基板１００、対向基板２００、及び表示基板１００と対向基板２００との間に形成された密封部材（図示せず）によって定義される空間に密封されて液晶層３００を形成する。

表示基板１０は、下部偏光板１８０及び上部偏光板２７０をさらに含んでもよい。

下部偏光板１８０は、第１ベース基板１１０の下面に付着される。下部偏光板１８０は、第１偏光軸を備えて、バックライト（図示せず）より供給された光のうち、第１偏光軸に平行である成分（ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）からなる光は透過させ、残りの成分からなる光は反射又は吸収する。つまり、下部偏光板１８０は、光を第１偏光軸方向に偏光させる。

上部偏光板２７０は、第２ベース基板２１０の上面に付着され、第１偏光軸と異なる第２偏光軸を備える。第２偏光軸の方向は、第１偏光軸の方向と直交するものであってもよい。上部偏光板２７０は、液晶層３００を通過した光又は外部より供給された光のうち、第２偏光軸に平行である成分からなる光は透過させ、残りの成分からなる光は反射又は吸収する。

このように、本発明の第１実施形態による表示装置１０は、互いに離隔されている複数の枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）及び枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）を接続する接続電極１６５を備える画素電極１６０を含むため、画素領域ＰＡを複数のドメインに分割できるだけでなく、枝電極の中央部分を接続する導電パターンを省略することができる。その結果、表示装置の視野角が形成されるだけでなく、画素領域ＰＡの開口率が向上される。

図４〜図１０は、図１〜図３に説明した表示基板を製造する方法を説明するための断面図である。

図１、図２、図３、及び図４を参照すると、ベース基板１１０の上部にスパッタ法（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などの方法でゲート金属を蒸着してゲート金属層を形成する。例えば、アルミニウムＡｌ及びモリブデンＭｏの２重層を約３００ｎｍの厚さで蒸着してゲート金属層を形成してもよい。その後、ゲート金属層を、フォトエッチング工程によってパターニングすることによって、図４に示すようにゲートラインＧＬ及びゲートラインＧＬより突出したゲート電極ＧＥを形成する。ゲートラインＧＬは、ベース基板１０２上から第１方向Ｄ１に延伸される。

図１、図２、図３、及び図５を参照すると、ゲートラインＧＬ及びゲート電極ＧＥに形成されたベース基板１１０の上部にゲート絶縁膜１２０及び半導体パターン１３０を形成する。ゲート絶縁膜１２０はゲートラインＧＬ及びゲート電極ＧＥを覆うようにベース基板１１０の全面に形成される。例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物を約４５０ｎｍの厚さで蒸着してゲート絶縁膜１２０を形成してもよい。それから、ゲート絶縁膜１２０の上部に半導体層が形成される。半導体層は、約２００ｎｍの厚さのアモルファスシリコン層ａ―Ｓｉ及びｎ＋イオンが高濃度でドーピングされ、約５０ｎｍの厚さのｎ＋アモルファスシリコン層ｎ＋ａ―Ｓｉを含んでもよい。半導体層をエッチングして図５に示したように半導体パターン１３０を形成する。半導体パターン１３０は、ゲート電極ＧＥの上部に形成される。

図１、図２、図３、及び図６を参照すると、ゲート絶縁膜１２０上にデータ金属層を形成する。例えば、モリブデン―アルミニウム―モリブデンからなる３重層をそれぞれ約３０ｎｍ、２５０ｎｍ、１００ｎｍの厚さで蒸着してデータ金属層を形成してもよい。

その後、データ金属層をパターニングして図６に示したようにデータラインＤＬ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを形成する。データラインＤＬはゲート絶縁膜１２０上で第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に延伸される。ソース電極ＳＥは、データラインＤＬから半導体パターン１３０の上部に突出して形成される。ドレイン電極ＤＥは、半導体パターン１３０の上部でソース電極ＳＥと離隔するように配置され、ドレイン電極ＤＥの一部は、画素領域ＰＡの内部に延伸される。

ゲート電極ＧＥ、半導体パターン１３０、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥは、３端子素子である薄膜トランジスタＳＷを構成する。

図１、図２、図３、及び図７を参照すると、データラインＤＬ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを覆うようにベース基板１１０の上部にパッシベーション膜１４０が形成される。例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物を約２００ｎｍの厚さで蒸着してパッシベーション膜１４０を形成してもよい。

図１、図２、図３、及び図８を参照すると、パッシベーション膜１４０の上部に有機膜１５０を形成する。有機膜１５０は、約２．０μｍの厚さで形成されてもよい。有機膜１５０及びパッシベーション膜１４０にはドレイン電極ＤＥの一部を露出させるコンタクトホールＣＮＴが形成されてもよい。画素電極１６０がデータラインＤＬとオーバーラップしない場合、有機膜１５０は省略されてもよい。

図１、図２、図３、及び図９を参照すると、有機膜１５０の上部に透明な導電膜１６０’を形成する。例えば、ＩＴＯ又はＩＺＯのような透明な導電性物質を約９０ｎｍの厚さで蒸着して透明な導電膜１６０’を形成してもよい。その後、透明な導電膜１６０’をパターニングして画素電極１６０を形成する。画素電極１６０は、コンタクトホールＣＮＴを介してドレイン電極ＤＥに接触される。

画素電極１６０は、複数の枝電極（１６１，１６２，１６３，１６４）及び接続電極１６５を含み、画素電極１６０の具体的な構成は、上記にて説明したため、これ以上の具体的な説明は省略する。

図１、図２、図３、及び図１０を参照すると、画素電極１６０が形成されたベース基板１１０の全面に第１配向膜１７０を形成する。第１配向膜１７０は、液晶層３００の液晶分子を初期配向させる。

（第２実施形態）
図１１は、本発明の第２実施形態による液晶表示装置の平面図であり、図１２は、図１１に示す「Ｂ」領域を拡大した平面図である。本発明の第２実施形態による表示装置は、画素電極の構成を除いては、上記説明した本発明の第１実施形態による表示装置と実質的に同一であるか又は類似である。従って、本発明の第２実施形態を説明するにあたって、上記説明した本発明の第１実施形態と重複する説明は省略する。

図１１及び図１２を参照すると、本発明の第２実施形態による表示装置は、表示基板１００、対向基板２００、及び液晶層３００を含む。

表示基板１００は、第１ベース基板１１０、ゲートラインＧＬ、ゲート絶縁膜１２０、データラインＤＬ、薄膜トランジスタＳＷ、パッシベーション膜１４０、有機膜１５０、画素電極５６０、及び第１配向膜１７０を含む。

画素電極５６０は、画素領域ＰＡに対応するように、有機膜１５０上に形成され、パッシベーション膜１４０及び有機膜１５０に形成されたコンタクトホールＣＮＴを介して薄膜トランジスタＳＷのドレイン電極ＤＥに電気的に接続される。

画素電極５６０は、複数の枝電極（５６１，５６２，５６３，５６４）及び接続電極５６５を含む。

枝電極（５６１，５６２，５６３，５６４）は、画素領域ＰＡに形成されて画素領域ＰＡを複数のドメインに分割する。枝電極（５６１，５６２，５６３，５６４）のそれぞれは、折曲げ部を備え、隣接する電極の折曲げ部は互いに離隔されている。例えば、枝電極（５６１，５６２，５６３，５６４）のそれぞれは中央部分が折曲げられた「Ｖ」字形状を有してもよい。具体的に、枝電極（５６１，５６２，５６３，５６４）のそれぞれは第１パターン部（５６１ａ，５６２ａ，５６３ａ，５６４ａ）、第２パターン部（５６１ｂ，５６２ｂ，５６３ｂ，５６４ｂ）、及び接続部（５６１ｃ，５６２ｃ，５６３ｃ，５６４ｃ）を具備する。第１パターン部（５６１ａ，５６２ａ，５６３ａ，５６４ａ）は一方向に延伸され、第２パターン部（５６１ｂ，５６２ｂ，５６３ｂ，５６４ｂ）は第１パターン部（５６１ａ，５６２ａ，５６３ａ，５６４ａ）に対して傾いた方向に延伸される。第２パターン部（５６１ｂ，５６２ｂ，５６３ｂ，５６４ｂ）は、第１パターン部（５６１ａ，５６２ａ，５６３ａ，５６４ａ）に対して約９０°傾いた方向に延伸されることが望ましい。

接続部（５６１ｃ，５６２ｃ，５６３ｃ，５６４ｃ）は、第１パターン部（５６１ａ，５６２ａ，５６３ａ，５６４ａ）の一端部と第２パターン部（５６１ｂ，５６２ｂ，５６３ｂ，５６４ｂ）の一端部が接する部分で、接続部（５６１ｃ，５６２ｃ，５６３ｃ，５６４ｃ）には折曲げ部が形成される。

枝電極（５６１，５６２，５６３，５６４）のうち、隣接する画素領域に渡って形成された第１枝電極５６１を例として、接続部５６１ｃの構成を具体的に説明する。接続部５６１ｃは、第１パターン部５６１ａより折曲げられて延伸する第１サブパターン部５６１ａ’と第２パターン部５６１ｂから折曲げられて延伸し、第１サブパターン部５６１ａ’と接して折曲げ部を形成する第２サブパターン部５６１ｂ’を含む。

第１サブパターン部５６１ａ’と第２サブパターン部５６１ｂ’が接して成す角度θ１は、第１パターン部５６１ａと第２パターン部５６１ｂとが成す角度θ２より小さいか又は同一であることが望ましい。具体的に、第１パターン部５６１ａと第２パターン部５６１ｂとが成す角度θ２が約９０°である場合、第１サブパターン部５６１ａ’と第２サブパターン部５６１ｂ’が接して成す角度θ１は、約６°〜約９０°の範囲内に存在することが望ましい。

画素領域ＰＡが互いに隣接する２つのサブ領域（Ｓ１，Ｓ２）を含む場合、第１パターン部５６１ａ及び第２パターン部５６１ｂは、サブ領域（Ｓ１，Ｓ２）にそれぞれ形成され、接続部５６１ｃはサブ領域（Ｓ１，Ｓ２）の境界に沿って形成される。第１パターン部５６１ａ及び／又は第２パターン部５６１ｂは、第１幅Ｗ１を有する場合、サブ領域（Ｓ１，Ｓ２）の境界を基準にした接続部５６１ｃの幅Ｗ４は第１幅Ｗ１よりは大きく、第１幅Ｗ１の１０倍よりは小さいか又は同一であることが望ましい。

画素領域ＰＡが第１サブ領域Ｓ１、ゲートラインＧＬの延伸方向に沿って第１サブ領域Ｓ１に隣接する第２サブ領域Ｓ２、データラインＤＬの延伸方向に沿って第２サブ領域Ｓ２に隣接する第３サブ領域Ｓ３及びゲートラインＧＬの延伸方向に沿って第１サブ領域Ｓ１に隣接し、データラインＤＬの延伸方向に沿って第３サブ領域Ｓ３に隣接する第４サブ領域Ｓ４を含む場合、枝電極（５６１，５６２，５６３，５６４）は、本発明の第１実施形態による表示装置の画素電極１６０と同様に、複数の第１枝電極５６１、複数の第２枝電極５６２、複数の第３枝電極５６３、及び複数の第４枝電極５６４を含んでもよい。

第１枝電極５６１は、第１サブ領域Ｓ１に形成された第１パターン部５６１ａ、第２サブ領域Ｓ２に形成された第２パターン部５６１ｂ、及び第１サブ領域Ｓ１と第２サブ領域Ｓ２の境界に沿って形成される接続部５６１ｃを備える。隣接する第１枝電極５６１の接続部５６１ｃは、所定間隔ほど互いに離隔されている。

第２枝電極５６２は、第２サブ領域Ｓ２に形成された第１パターン部５６２ａ、第３サブ領域Ｓ３に形成された第２パターン部５６２ｂ、及び第２サブ領域Ｓ２と第３サブ領域Ｓ３の境界に沿って形成される接続部５６２ｃを備える。隣接する第２枝電極５６２の接続部５６２ｃは、所定間隔ほど互いに離隔されている。

第３枝電極５６３は、第３サブ領域Ｓ３に形成された第１パターン部５６３ａ、第４サブ領域Ｓ４に形成された第２パターン部５６３ｂ、及び第３サブ領域Ｓ３と第４サブ領域Ｓ４の境界に沿って形成される接続部５６３ｃを備える。隣接する第３枝電極５６３の接続部５６３ｃは、所定間隔ほど互いに離隔されている。

第４枝電極５６４は、第４サブ領域Ｓ４に形成された第１パターン部５６４ａ、第１サブ領域Ｓ１に形成された第２パターン部５６４ｂ、及び第４サブ領域Ｓ４と第１サブ領域Ｓ１の境界に沿って形成される接続部５６４ｃを備える。隣接する第４枝電極５６４の接続部５６４ｃは、所定間隔ほど互いに離隔されている。

本実施形態による表示基板の製造方法は、画素電極の接続部の構造を除いては、本発明の第１実施形態による表示基板の製造方法と実質的に同一であるため、重複する説明は省略する。

一般的に、マイクロスリット構造（ｍｉｃｒｏ ｓｌｉｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）の画素電極を利用して１つの画素領域ＰＡを複数のドメインに分割する場合、隣接するドメインとの間においては液晶が制御されない領域が発生される場合がある。しかし、本発明によって、画素電極を形成する場合、画素領域ＰＡを複数のドメインに分割できるだけでなく、液晶が制御されない領域の範囲を小さくすることができる。

（第３実施形態）
図１３は、本発明の第３実施形態による液晶表示装置の平面図であり、図１４は、図１３に示す「Ｃ」領域を拡大した平面図である。本発明の第３実施形態による表示装置は、画素電極の構成を除いては、上記説明した本発明の第１実施形態による表示装置と実質的に同一であるか又は類似である。従って、本発明の第３実施形態を説明するにあたって、上記説明した本発明の第１実施形態と重複する説明は省略する。

図１３及び図１４を参照すると、本発明の第３実施形態による表示装置１０は、表示基板１００、対向基板２００、及び液晶層３００を含む。

表示基板１００は、第１ベース基板１１０、ゲートラインＧＬ、ゲート絶縁膜１２０、データラインＤＬ、薄膜トランジスタＳＷ、パッシベーション膜１４０、有機膜１５０、画素電極６６０、及び第１配向膜１７０を含む。

画素電極６６０は、画素領域ＰＡに対応するように、有機膜１５０上に形成され、パッシベーション膜１４０及び有機膜１５０に形成されたコンタクトホールＣＮＴを介して薄膜トランジスタＳＷのドレイン電極ＤＥに電気的に接続される。

画素電極６６０は、複数の枝電極（６６１，６６２，６６３，６６４）及び接続電極６６５を含む。

枝電極（６６１，６６２，６６３，６６４）は、画素領域ＰＡに形成されて画素領域ＰＡを複数のドメインに分割する。枝電極（６６１，６６２，６６３，６６４）のそれぞれは、折曲げ部を備え、隣接する電極の折曲げ部は互いに離隔されている。例えば、枝電極（６６１，６６２，６６３，６６４）のそれぞれは中央部分が折曲げられた「Ｖ」字形状を有してもよい。具体的に、枝電極（６６１，６６２，６６３，６６４）のそれぞれは第１パターン部（６６１ａ，６６２ａ，６６３ａ，６６４ａ）、第２パターン部（６６１ｂ，６６２ｂ，６６３ｂ，６６４ｂ）、及び接続部（６６１ｃ，６６２ｃ，６６３ｃ，６６４ｃ）を具備する。第１パターン部（６６１ａ，６６２ａ，６６３ａ，６６４ａ）は一方向に延伸され、第２パターン部（６６１ｂ，６６２ｂ，６６３ｂ，６６４ｂ）は第１パターン部（６６１ａ，６６２ａ，６６３ａ，６６４ａ）に対して傾いた方向に延伸される。第２パターン部（６６１ｂ，６６２ｂ，６６３ｂ，６６４ｂ）は、第１パターン部（６６１ａ，６６２ａ，６６３ａ，６６４ａ）に対して約９０°傾いた方向に延伸されることが望ましい。

接続部（６６１ｃ，６６２ｃ，６６３ｃ，６６４ｃ）は、第１パターン部（６６１ａ，６６２ａ，６６３ａ，６６４ａ）の一端部と第２パターン部（６６１ｂ，６６２ｂ，６６３ｂ，６６４ｂ）の一端部が接する部分で、接続部（６６１ｃ，６６２ｃ，６６３ｃ，６６４ｃ）には折曲げ部が形成される。

枝電極（６６１，６６２，６６３，６６４）のうち、隣接するサブ画素領域に渡って形成された第１枝電極６６１を例として、接続部６６１ｃの構成を具体的に説明する。接続部６６１ｃには、折曲げ部の幅を増加させるための平坦化部６６１ｃ’が形成される。平坦化部６６１ｃ’は第１パターン部６６１ａと第２パターン部６６１ｂが接する折曲げ部の内側に形成される。

第１パターン部６６１ａ及び第２パターン部６６１ｂは、第１幅Ｗ１を有し、互いに隣接する第１電極６６１の第１パターン部６６１ａ及び第２パターン部６６１ｂは、第２幅Ｗで離隔されている場合、平坦化部６６１ｃ’を含む折曲げ部の幅Ｗ５は、第１幅Ｗ１より大きく、第１幅Ｗ１と第２幅Ｗ２との和（Ｗ１＋Ｗ２）より小さいことが望ましい。

画素領域ＰＡが互いに隣接する２つのサブ領域（Ｓ１，Ｓ２）を含む場合、第１パターン部６６１ａ及び第２パターン部６６１ｂはサブ領域（Ｓ１，Ｓ２）にそれぞれ形成されることが望ましい。接続部６６１ｃの平坦化部６６１ｃ’は、サブ領域（Ｓ１，Ｓ２）の境界に沿って形成されることが望ましい。

例えば、画素領域ＰＡが第１サブ領域Ｓ１、ゲートラインＧＬの延伸方向に沿って第１サブ領域Ｓ１に隣接する第２サブ領域Ｓ２、データラインＤＬの延伸方向に沿って第２サブ領域Ｓ２に隣接する第３サブ領域Ｓ３、及びゲートラインＧＬの延伸方向に沿って第１サブ領域Ｓ１に隣接し、データラインＤＬの延伸方向に沿って第３サブ領域Ｓ３に隣接する第４サブ領域Ｓ４を含む場合、枝電極（６６１，６６２，６６３，６６４）は、本発明の第１実施形態による表示装置の画素領域１６０と同様に、複数の第１枝電極６６１、複数の第２枝電極６６２、複数の第３枝電極６６３、及び複数の第４枝電極６６４を含んでもよい。

第１枝電極６６１は、第１サブ領域Ｓ１に形成された第１パターン部６６１ａ、第２サブ領域Ｓ２に形成された第２パターン部６６１ｂ、及び第１サブ領域Ｓ１と第２サブ領域Ｓ２の境界に沿って形成される接続部６６１ｃを備える。隣接する第１枝電極６６１の接続部６６１ｃは、所定間隔ほど互いに離隔されている。

第２枝電極６６２は、第２サブ領域Ｓ２に形成された第１パターン部６６２ａ、第３サブ領域Ｓ３に形成された第２パターン部６６２ｂ、及び第２サブ領域Ｓ２と第３サブ領域Ｓ３の境界に沿って形成される接続部６６２ｃを備える。隣接する第２枝電極６６２の接続部６６２ｃは、所定間隔ほど互いに離隔されている。

第３枝電極６６３は、第３サブ領域Ｓ３に形成された第１パターン部６６３ａ、第４サブ領域Ｓ４に形成された第２パターン部６６３ｂ、及び第３サブ領域Ｓ３と第４サブ領域Ｓ４の境界に沿って形成される接続部６６３ｃを備える。隣接する第３枝電極６６３の接続部６６３ｃは、所定間隔ほど互いに離隔されている。

第４枝電極６６４は、第４サブ領域Ｓ４に形成された第１パターン部６６４ａ、第１サブ領域Ｓ１に形成された第２パターン部６６４ｂ、及び第４サブ領域Ｓ４と第１サブ領域Ｓ１の境界に沿って形成される接続部６６４ｃを備える。隣接する第４枝電極６６４の接続部６６４ｃは、所定間隔ほど互いに離隔されている。

本実施形態による表示基板の製造方法は、画素電極の接続部の構造を除いては、本発明の第１実施形態による表示基板の製造方法と実質的に同一であるため、重複する説明は省略する。

本発明によって、画素電極を形成する場合、画素領域ＰＡを複数のドメインに分割できるだけでなく、隣接するドメインの間で発生され得る液晶が制御されない領域の範囲を小さくすることができる。

（第４実施形態）
図１５は、本発明の第４実施形態による液晶表示装置の平面図であり、図１６は、図１５に示す「Ｄ」領域を拡大した平面図である。本発明の第４実施形態による表示装置は、画素電極の構成を除いては、上記説明した本発明の第１実施形態による表示装置と実質的に同一であるか又は類似である。従って、本発明の第４実施形態を説明するにあたって、上記説明した本発明の第１実施形態と重複する説明は省略する。

図１５及び図１６を参照すると、本発明の第４実施形態による表示装置は、表示基板１００、対向基板２００、及び液晶層３００を含む。

表示基板１００は、第１ベース基板１１０、ゲートラインＧＬ、ゲート絶縁膜１２０、データラインＤＬ、薄膜トランジスタＳＷ、パッシベーション膜１４０、有機膜１５０、画素電極７６０、及び第１配向膜１７０を含む。

画素電極７６０は、画素領域ＰＡに対応するように、有機膜１５０上に形成され、パッシベーション膜１４０及び有機膜１５０に形成されたコンタクトホールＣＮＴを介して薄膜トランジスタＳＷのドレイン電極ＤＥに電気的に接続される。

画素電極７６０は、複数の枝電極（７６１，７６２，７６３，７６４）及び接続電極７６５を含む。

枝電極（７６１，７６２，７６３，７６４）は、画素領域ＰＡに形成されて画素領域ＰＡを複数のドメインに分割する。枝電極（７６１，７６２，７６３，７６４）のそれぞれは、折曲げ部を備え、隣接する枝電極の折曲げ部は互いに離隔されている。例えば、枝電極（７６１，７６２，７６３，７６４）のそれぞれは中央部分が折曲げられた「Ｖ」字形状を有してもよい。具体的に、枝電極（７６１，７６２，７６３，７６４）のそれぞれは第１パターン部（７６１ａ，７６２ａ，７６３ａ，７６４ａ）、第２パターン部（７６１ｂ，７６２ｂ，７６３ｂ，７６４ｂ）、及び接続部（７６１ｃ，７６２ｃ，７６３ｃ，７６４ｃ）を具備する。第１パターン部（７６１ａ，７６２ａ，７６３ａ，７６４ａ）は一方向に延伸され、第２パターン部（７６１ｂ，７６２ｂ，７６３ｂ，７６４ｂ）は第１パターン部（７６１ａ，７６２ａ，７６３ａ，７６４ａ）に対して傾いた方向に延伸される。第２パターン部（７６１ｂ，７６２ｂ，７６３ｂ，７６４ｂ）は、第１パターン部（７６１ａ，７６２ａ，７６３ａ，７６４ａ）に対して約９０°傾いた方向に延伸されることが望ましい。

接続部（７６１ｃ，７６２ｃ，７６３ｃ，７６４ｃ）は、第１パターン部（７６１ａ，７６２ａ，７６３ａ，７６４ａ）の一端部と第２パターン部（７６１ｂ，７６２ｂ，７６３ｂ，７６４ｂ）の一端部が接する部分で、接続部（７６１ｃ，７６２ｃ，７６３ｃ，７６４ｃ）には折曲げ部が形成される。

枝電極（７６１，７６２，７６３，７６４）のうち、隣接するサブ画素領域に渡って形成された第１枝電極７６１を例として、接続部７６１ｃの構成を具体的に説明する。接続部７６１ｃは、第１パターン部７６１ａから折曲げられて延伸する第１サブパターン部７６１ａ’、第２パターン部７６１ｂから折曲げられて延伸する第１サブパターン部７６１ａ’と接して折曲げ部を形成する第２サブパターン部７６１ｂ’、及び折曲げ部の幅を増加させる平坦化部７６１ｃ’を含む。

第１サブパターン部７６１ａ’と第２サブパターン部７６１ｂ’が接して成す角度θ１は、第１パターン部７６１ａと第２パターン部７６１ｂとが成す角度θ２より小さいか又は同一であることが望ましい。具体的に、第１パターン部７６１ａと第２パターン部７６１ｂとが成す角度θ２が約９０°である場合、第１サブパターン部７６１ａ’と第２サブパターン部７６１ｂ’とが接して成す角度θ１は、約６°〜約９０°の範囲内に存在することが望ましい。

平坦化部７６１ｃ’は、第１サブパターン部７６１ａ’と第２サブパターン部７６１ｂ’が接する折曲げ部の内側に形成される。第１パターン部及び第２パターン部は、第１幅Ｗ１を有し、互いに隣接する第１枝電極７６１の第１パターン部及び第２パターン部は、第２幅Ｗ２から離隔されている場合、平坦化部７６１ｃ’を含む折曲げ部の幅Ｗ６は、第１幅Ｗ１と第２幅Ｗ２との和より大きくてもよい。本発明の他の実施形態において、平坦化部７６１ｃ’を含む折曲げ部の幅Ｗ６は、第１幅Ｗ１と第２幅Ｗ２との和より小さくてもよい。

画素領域ＰＡが互いに隣接する２つのサブ領域（Ｓ１，Ｓ２）を含む場合、第１枝電極７６１の第１パターン部７６１ａ及び第２パターン部７６１ｂは、サブ領域（Ｓ１，Ｓ２）にそれぞれ形成され、接続部７６１ｃの平坦化部７６１ｃ’はサブ領域（Ｓ１，Ｓ２）の境界に沿って形成される。第１パターン部７６１ａ及び／又は第２パターン部７６１ｂは、第１幅Ｗ１を有し、サブ領域（Ｓ１，Ｓ２）の境界を基準にした接続部７６１ｃの幅Ｗ７は、第１幅Ｗ１よりは大きく第１幅Ｗ１の１０倍よりは小さいか又は同一であることが望ましい。

例えば、画素領域ＰＡが第１サブ領域Ｓ１、ゲートラインＧＬの延伸方向に沿って第１サブ領域Ｓ１に隣接する第２サブ領域Ｓ２、データラインＤＬの延伸方向に沿って第２サブ領域Ｓ２に隣接する第３サブ領域Ｓ３、及びゲートラインＧＬの延伸方向に沿って第１サブ領域Ｓ１に隣接し、データラインＤＬの延伸方向に沿って第３サブ領域Ｓ３に隣接する第４サブ領域Ｓ４を含む場合、枝電極（７６１，７６２，７６３，７６４）は、本発明の第１実施形態による表示装置の画素電極と類似するように、複数の第１枝電極７６１、複数の第２枝電極７６２、複数の第３枝電極７６３、及び複数の第４枝電極７６４を含んでもよい。

第１枝電極７６１は、第１サブ領域Ｓ１に形成された第１パターン部７６１ａ、第２サブ領域Ｓ２に形成された第２パターン部７６１ｂ、及び第１サブ領域Ｓ１と第２サブ領域Ｓ２の境界に沿って形成される接続部７６１ｃを備える。隣接する第１枝電極７６１の接続部７６１ｃは、所定間隔ほど互いに離隔されている。

第２枝電極７６２は、第２サブ領域Ｓ２に形成された第１パターン部７６２ａ、第３サブ領域Ｓ３に形成された第２パターン部７６２ｂ、及び第２サブ領域Ｓ２と第３サブ領域Ｓ３の境界に沿って形成される接続部７６２ｃを備える。隣接する第２枝電極７６２の接続部７６２ｃは、所定間隔ほど互いに離隔されている。

第３枝電極７６３は、第３サブ領域Ｓ３に形成された第１パターン部７６３ａ、第４サブ領域Ｓ４に形成された第２パターン部７６３ｂ、及び第３サブ領域Ｓ３と第４サブ領域Ｓ４の境界に沿って形成される接続部７６３ｃを備える。隣接する第３枝電極７６３の接続部７６３ｃは、所定間隔ほど互いに離隔されている。

第４枝電極７６４は、第４サブ領域Ｓ４に形成された第１パターン部７６４ａ、第１サブ領域Ｓ１に形成された第２パターン部７６４ｂ、及び第４サブ領域Ｓ４と第１サブ領域Ｓ１の境界に沿って形成される接続部７６４ｃを備える。隣接する第４枝電極７６４の接続部７６４ｃは、所定間隔ほど互いに離隔されている。

本実施形態による表示基板の製造方法は、画素電極の接続部の構造を除いては、本発明の第１実施形態による表示基板の製造方法と実質的に同一であるため、重複する説明は省略する。

本発明によって、画素電極を形成する場合、画素領域ＰＡを複数のドメインに分割できるだけでなく、液晶が制御されない領域の範囲を小さくすることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明の実施形態によると、画素電極が互いに離隔されている複数の枝電極及び枝電極を接続する接続電極を備えているため、画素領域を複数のドメインに分割できるだけでなく、枝電極の中央部分を接続する導電パターンを省略することができる。その結果、液晶表示装置の視野角を向上させることができるだけでなく、画素領域の開口率を向上させることができるようになる。

なお、上述した画素電極の接続部において、接続部の角を、第１及び第２パターンが成す角より小さく形成するか、又は、折曲げ部に平坦化部を形成することによって、隣接するドメインとの間で発生され得る液晶が制御されない領域の範囲を小さくすることができる。

１００表示基板
１１０第１ベース基板
１２０ゲート絶縁膜
１３０半導体パターン
１４０パッシベーション膜
１５０有機膜
１６０、５６０、６６０、７６０ 画素電極
１７０第１配向膜
２００対向基板
２１０第２ベース基板
２２０遮光パターン
２３０カラーフィルタ
２４０オーバーコーティング層
２５０共通電極

Claims (7)

1. ＰＶＡモードで液晶を駆動するために用いられる表示基板であって、
   ゲートライン、前記ゲートラインと交差するデータライン、及び前記ゲートラインと前記データラインに電気的に接続された薄膜トランジスタが形成され、画素領域が定義されたベース基板と、
   前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、を含み、
   前記画素電極は、前記画素領域に形成された複数の枝電極及び前記複数の枝電極を接続する接続電極を含み、前記複数の枝電極のそれぞれは、折曲げ部を備え、隣接する前記複数の枝電極の折曲げ部は互いに離隔され、
   前記複数の枝電極のそれぞれは、
   前記ゲートラインに対して傾いた方向に延伸される第１パターン部と、
   前記第１パターン部に対して傾いた方向に延伸される第２パターン部と、
   前記第１パターン部の一端部と前記第２パターン部の一端部とが接して、前記折曲げ部が形成される接続部と、を含み、
   前記接続部は、前記第１パターン部から折曲げられて延伸される第１サブパターン部と前記第２パターン部から折曲げられて延伸され、前記第１サブパターン部と接して前記折曲げ部を形成する第２サブパターン部とを含み、
   前記第１サブパターン部と前記第２サブパターン部とが成す角度は、前記第１パターン部と前記第２パターン部とが成す角度より小さいことを特徴とする表示基板。
2. 前記第１パターン部と前記第２パターン部とが成す角度は９０°であり、
   前記第１サブパターン部と前記第２サブパターン部とが成す角度は６°〜９０°の範囲内に存在することを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
3. 前記接続電極の幅は、前記第１パターン部の幅及び前記第２パターン部の幅より大きく、前記第１パターン部の幅は、前記第２パターン部の幅と同一であることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
4. 前記画素領域は、互いに隣接するサブ領域を含み、
   前記第１パターン部及び前記第２パターン部は、前記サブ領域のそれぞれに形成され、前記接続部は、前記サブ領域の境界に沿って形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
5. 前記サブ領域は、前記ゲートラインの延伸方向に沿って隣接し、前記第１パターン部は、前記ゲートラインに対して−４５°傾き、前記第２パターン部は、前記ゲートラインに対して−１３５°傾くことを特徴とする請求項４に記載の表示基板。
6. 前記画素領域は、第１サブ領域、前記ゲートラインの延伸方向に沿って前記第１サブ領域に隣接する第２サブ領域、前記データラインの延伸方向に沿って前記第２サブ領域に隣接する第３サブ領域、及び前記ゲートラインの延伸方向に沿って前記第１サブ領域に隣接して前記データラインの延伸方向に沿って前記第３サブ領域に隣接する第４サブ領域を含み、
   前記複数の枝電極は、
   前記第１サブ領域に形成される第１パターン部、前記第２サブ領域に形成される第２パターン部、及び前記第１サブ領域と前記第２サブ領域の境界に沿って形成される接続部を備える第１枝電極と、
   前記第２サブ領域に形成される第１パターン部、前記第３サブ領域に形成される第２パターン部、及び前記第２サブ領域と前記第３サブ領域の境界に沿って形成される接続部を備える第２枝電極と、
   前記第３サブ領域に形成される第１パターン部、前記第４サブ領域に形成される第２パターン部、及び前記第３サブ領域と前記第４サブ領域の境界に沿って形成される接続部を備える第３枝電極と、
   前記第４サブ領域に形成される第１パターン部、前記第１サブ領域に形成される第２パターン部、及び前記第２サブ領域と前記第１サブ領域の境界に沿って形成される接続部を備える第４枝電極と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示基板。
7. 前記画素領域は、互いに隣接するサブ領域を含み、
   前記第１パターン部及び前記第２パターン部は第１幅を有し、前記サブ領域のそれぞれに形成され、
   前記接続部は、前記サブ領域の境界に沿って形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。

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