JP3264995B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一対の電極間に液晶組
成物が保持された液晶表示装置に係り、特にその電極構
造に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置は、小型、軽量、低
消費電力の特徴を生かして、テレビ表示、グラフィック
表示用として種々の分野で利用されるようになってき
た。

【０００３】液晶表示装置としては、例えば液晶組成物
を一対のマトリクス状に配置されるストライプ状電極の
間に挾持して成る単純マトリクス型の他に、各表示画素
毎にスイッチング素子が設けられて成るアクティブマト
リクス型等の種々のものがある。

【０００４】しかし、これら液晶表示装置のいずれにも
要求されることは、少なくとも一方の電極基板を透明に
形成することである。即ち、基板は勿論のこと、電極を
透光性にする必要がある。

【０００５】一般に、透明な電極材料としては、例えば
ＮＥＳＡ（酸化スズ）膜、Ｉ．Ｔ．Ｏ．（Indium Tin O
xide）膜等が良く知られている。特にＩ．Ｔ．Ｏ．膜
は、フォトエッチングプロセス等によるパターニングが
他の透明電極材料に比べて容易であることに加え、光透
過率、導電率が共に高いことから、透明電極材料として
の需要は増加の一途をたどっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した
Ｉ．Ｔ．Ｏ．膜にはインジウム（Ｉｎ）が使用されてい
るが、このインジウム（Ｉｎ）は非常に希少な金属であ
り、また回収も困難であることから、近年ではＩ．Ｔ．
Ｏ．膜に代わる透明電極材料の開発が盛んに進められて
いる。

【０００７】本発明は、上記した課題に鑑がみなされた
もので、光透過率に優れたＩ．Ｔ．Ｏ．膜に代わる電極
を備えた液晶表示装置を提供することを目的としたもの
である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１の電極が
形成された第１の電極基板と、第２の電極が形成された
第２の電極基板と、前記第１の電極と前記第２の電極と
の間に保持された液晶組成物とを備え、前記第１の電極
と前記第２の電極との交差部分を表示画素と成す液晶表
示装置において、前記表示画素における前記第１の電極
と前記第２の電極の少なくとも一方は、インジウムを含
まない材料からなり、５乃至４０ミクロンのピッチで形
成され且つ少なくとも２辺が前記第１の電極基板と前記
第２の電極基板の対角線方向に略平行に配置された複数
の透光孔を有する遮光性導電体からなることを特徴とし
ている。

【０００９】また、本発明は、第１の電極が形成された
第１の電極基板と、第２の電極が形成された第２の電極
基板と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に保持
された液晶組成物とを備え、前記第１の電極と前記第２
の電極との交差部分を表示画素と成す液晶表示装置にお
いて、前記表示画素における前記第１の電極と前記第２
の電極の少なくとも一方は、インジウムを含まない材料
からなり、５乃至４０ミクロンのピッチで形成され且つ
少なくとも２辺が前記第１の電極基板と前記第２の電極
基板の対角線方向に略平行に配置された複数の透光用ス
リットを有する遮光性導電体からなることを特徴として
いる。

【００１０】

【作用】上記したように、本発明の液晶表示装置は、一
対の電極の少なくとも一方が透光孔あるいは透光用スリ
ットを有する遮光性導電体を備えている。

【００１１】電極に透光孔あるいは透光用スリットを設
けることにより、遮光性導電体で電極を構成した場合で
あっても、十分な光透過率が得られる。そして、電極に
透光孔あるいは透光用スリットを設けても、電極の透光
孔あるいは透光用スリット内部の液晶組成物も十分に応
答することが確認された。

【００１２】このように電極に透光孔あるいは透光用ス
リットを設けた場合、透光孔あるいは透光用スリット内
部の液晶組成物が応答する原理については定かではない
が、電極からの電気力線および電荷の蓄積によるものと
考えられる。

【００１３】図１１は、縦軸に四角形状に形成された透
光孔内部の絶縁領域に接する液晶組成物の光学応答の割
合をとり、横軸に透光孔ピッチをとり示したものであ
る。そして、図中曲線（ａ）は応答速度50msecで駆動さ
せた場合を、図中曲線（ｂ）は応答速度100msec で駆動
させた場合を、図中曲線（ｃ）は応答速度200msec で駆
動させた場合をそれぞれ示している。尚、本明細書にお
ける透光孔ピッチあるいは透光用スリットピッチとは、
隣接する透光孔あるいは透光用スリットの重心間距離を
示すものとする。

【００１４】この図から、特に透光孔ピッチを15ミクロ
ン以下とすることにより、応答速度50msecといった高速
駆動した場合であっても、60％以上の液晶組成物の応答
が可能であることが理解できる。

【００１５】このようなことから、実用上では透光孔ピ
ッチあるいは透光用スリットピッチは、 5〜40ミクロン
とすると良く、5 〜15ミクロンがより好ましい。このピ
ッチが 5ミクロンよりも小さいと、遮光性導電体のパタ
ーニング精度が低下し、断線、孔明け不良等を引き起こ
す恐れがある。また、ピッチが40ミクロンよりも大きい
と、液晶組成物の光学応答の割合が低下し、良好な表示
画像が得られなくなる恐れがある。

【００１６】そして、上述した透光孔あるいは透光用ス
リットを有する遮光性導電体の隣接する透光孔あるいは
透光用スリット間の線幅としては、液晶表示装置として
の開口率が最大となるように調整すると良い。尚、透光
用スリット間の線幅としては、 5ミクロン以下とすれ
ば、比較的容易に液晶表示装置の開口率を60％以上とす
ることができる。

【００１７】また、透光孔あるいは透光用スリットの配
置としては、ラビング処理方向と少なくとも２辺が略平
行となるように透光孔を配置する、あるいはラビング処
理方向と略平行となるように透光用スリットを配置する
と良い。このように透光孔あるいは透光用スリットを配
置させることにより、ラビング処理方向に対して角度を
もって接する遮光性導電体の輪郭を低減させることがで
きるため、配向不良が生じることがない。

【００１８】この作用について、図１２，図１３を参照
して更に詳細に説明する。液晶表示装置のマトリクスア
レイ基板に設置される画素電極を図１３に示すような正
方形の透光孔(611) を有する遮光性導電体(601) で構成
し、透光孔(611) の対角線がラビング処理方向と一致す
るように配置した場合、ラビング処理方向に対して角度
をもって接する遮光性導電体(601) の輪郭近傍部分(62
1) で配向不良が生じる。これは、遮光性導電体(601)
の存在する領域と、遮光性導電体(601) の存在しない領
域とでは配向膜の高さが異なることから、ラビング処理
方向に対して角度をもって接する遮光性導電体(601) の
輪郭近傍部分(621) では、配向膜に十分配向処理が施さ
れないためと考えられる。

【００１９】これに対して、図１２に示すように、少な
くとも透光孔(711) の２辺がラビング処理方向に対して
略平行となるように透光孔(711) を有する遮光性導電体
(701) を構成すれば、ラビング処理方向に対して角度を
もって接する遮光性導電体(701) の輪郭近傍部分(721)
を低減させることができ、これにより配向不良を抑える
ことができる。

【００２０】また、液晶表示装置の少なくとも一方の電
極を、透光孔あるいは透光用スリットを有する遮光性導
電体と、遮光性導電体よりも高抵抗の透明抵抗体とで構
成しても良い。このような積層構造とすることにより、
透光孔あるいは透光用スリットを40ミクロン程度にまで
大きなものにできるため、液晶表示装置として十分な応
答速度を確保しつつ、一層開口率を向上させることがで
きる。

【００２１】本発明における遮光性導電体としては、例
えば金属、合金、非晶質体もしくは多結晶体等が挙げら
れる。金属としては、特に導電率が高くパターニングが
容易なアルミニウム（Ａｌ），タンタル（Ｔａ）等が、
非晶質体あるいは多結晶体としては均一に容易に製造す
ることができるアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、ポ
リシリコン（ｐ−Ｓｉ）等が挙げられる。

【００２２】本発明における透明抵抗体としては、例え
ば酸化タンタル，酸化タングステン，酸化モリブデン、
酸化亜鉛等が使用可能であり、体積抵抗値としては10〜
106Ω・cm程度が好ましい。以下、本発明について実施
例を参照して詳細に説明する。

【００２３】

【実施例】図１は、本発明の第１の実施例の液晶表示装
置(1) のマトリクスアレイ基板(71)の概略構成図を示
し、図２は図１におけるＡＡ’線に沿って切断した液晶
表示装置(1) の概略断面図を示している。

【００２４】透明なガラス基板(11)上には複数本の信号
電極(21)と走査電極(31)とがマトリクス状に設置されて
おり、各交点部分にはチャンネル領域(41a) がアモルフ
ァスシリコン（a-Si）膜から成る薄膜トランジスタ(41)
を介して、透光孔(52)を有する遮光性導電体(53)から成
る画素電極(51)に接続されている。遮光性導電体(53)は
光線を遮光する材料或は、光線を減衰させる導電性の材
料から作られた膜、例えば、a-Si膜から成り、透光孔(5
2)は四角形状で、透光孔ピッチ（P1）15ミクロンで構成
されると共に、 4ミクロンの線幅で複数が配置されて成
っている。そして、この上に、所定方向にラビング処理
された配向膜(61)が設置されてマトリクスアレイ基板(7
1)は構成されている。また、透明なガラス基板(111) 上
にＩ．Ｔ．Ｏ．膜から成る共通電極(151) 、配向膜(16
1) が順次設置されて対向電極基板(171) は構成されて
いる。

【００２５】このような構成の画素電極(51)と共通電極
(151) との間には、15ミクロンピッチで液晶組成物(10
1) が挾持され、更にマトリクスアレイ基板(71)および
対向電極基板(171) 外表面には偏光板(81),(181)がそれ
ぞれ設置されて液晶表示装置(1) は構成されている。液
晶組成物(101) が挾持されるピッチとしては、特に 5〜
10ミクロンピッチとすることにより、透光孔(52)内の液
晶組成物(101) をも十分に応答させることができる。

【００２６】次に、図３を参照して、本実施例の液晶表
示装置(1) の製造方法について説明する。まず、図３
（ａ）に示すように、透明なガラス基板(11)上にタンタ
ル（Ｔａ）膜をスパッタリングにより3000オングストロ
ームの膜厚で成膜し、フォトエッチングプロセスにより
複数本の走査電極(31)および走査電極(31)に接続される
ゲート電極(31a) を形成する。

【００２７】次に、ＳｉＯｘから成る絶縁膜(35)を3500
オングストロームの膜厚で成膜し、更に薄膜トランジス
タ(41)のチャンネル領域(41a) となるa-Si膜をプラズマ
ＣＶＤ法によって2000オングストロームの膜厚となるよ
うに順次形成し、パターニングすることにより、図３
（ｂ）に示すような薄膜トランジスタ(41)のチャンネル
領域(41a) 、および透光孔ピッチ（P1）が15ミクロン、
4ミクロンの線幅で透光孔(52)を有する遮光性導電体(5
3)を画素電極(51)として形成する。この際、a-Si膜から
成る遮光性導電体(53)の膜厚としては、抵抗値の低減を
考慮して2000オングストローム以上とすることが特に好
ましい。

【００２８】次に、アルミニウム（Ａｌ）膜をスパッタ
リングにより5000オングストロームの膜厚となるように
被着させ、図３（ｃ）に示す如くパターニングすること
により、信号電極(21)と薄膜トランジスタ(41)のチャン
ネル領域(41a) とを接続するためのドレイン電極(21a)
、画素電極(51)と薄膜トランジスタ(41)のチャンネル
領域(41a) とを接続するためのソース電極(51a) を形成
する。そして、図３（ｄ）に示すように、配向膜(61)を
設置し、所定方向にラビング処理を施してマトリクスア
レイ基板(71)を構成することができる。

【００２９】このような本発明の第１の実施例の液晶表
示装置(1) によれば、画素電極(51)が複数の透光孔(52)
を所定ピッチで有するa-Si膜から成る遮光性導電体(53)
によって構成されているため、希少な金属であるインジ
ウム（Ｉｎ）の使用量を低減させることができた。ま
た、白黒液晶表示装置(1) としての光透過率も17％であ
り、画素電極(51)をＩ．Ｔ．Ｏ．膜で構成した場合に比
べて遜色がなかった。特に、遮光性導電体(53)としてa-
Si膜を用いることにより、光照射時には抵抗値が大幅に
低減するため、電極材料としては非常に有用である。

【００３０】更に、上述した実施例の液晶表示装置(1)
によれば、薄膜トランジスタ(41)のチャンネル領域(41
a) 形成時に同一工程にて製造することができるため、
画素電極(51)を個別に形成する場合に比べて製造工程を
低減させることもできる。

【００３１】上述した第１の実施例では、配向膜(61)の
ラビング処理方向と遮光性導電体(53)に設けられた透光
孔(52)の配置とは、透光孔(52)のいずれの辺もラビング
処理方向と平行でないが、図４に示すように透光孔(52)
を配列させてマトリクスアレイ基板(72)を構成すること
により一層の効果が得られる。

【００３２】即ち、マトリクスアレイ基板(72)は、四角
形状の透光孔(52)の２辺が配向膜(61)のラビング処理方
向と一致する方向に配列されて成る画素電極(51)を備え
ている。

【００３３】このようなマトリクスアレイ基板(72)を用
いて液晶表示装置を構成することにより、上述した実施
例に加え、更に、ラビング処理方向に対して角度をもっ
て接する透光孔(52)の輪郭を低減させることができ、こ
れにより配向不良が解消され、実効的にコントラスト比
の大きな表示画像を得ることができる。

【００３４】遮光性導電体(53)に設けられる透光孔(52)
形状としては、上述した実施例にあるような四角形状以
外にも、図５に示すような六角形状の透光孔(52)として
も良く、このような形状としても、配向不良を解消し、
実効的なコントラスト比を大きくすることができる。

【００３５】上述した実施例は、遮光性導電体(53)に透
光孔(52)が設けられて成る画素電極(51)が用いられた場
合を示したが、図６に示すような遮光性導電体(53)に透
光スリット(55)が設けられて成る画素電極(51)によって
マトリクスアレイ基板(73)を構成しても良い。

【００３６】この画素電極(51)は、a-Si膜から成る遮光
性導電体(53)にラビング処理方向に沿ったスリットピッ
チ（P2）15ミクロンの複数の透光スリット(54)が設けら
れて成っており、ソース電極(51a) に電気的に接続され
ている。そして、この画素電極(51)を構成する遮光性導
電体(53)の線幅は 4ミクロンで構成されている。

【００３７】このようにして構成されたマトリクスアレ
イ基板(73)が用いられて成る液晶表示装置では、遮光性
導電体(53)間の液晶組成物は良好に光学応答し、上述し
た実施例と同様に優れた表示画像を得ることができた。

【００３８】また、上述したように、a-Si膜から成る遮
光性導電体(53)に透光孔(52)を網目状に設ける場合に比
べて、画素電極(51)の開口率を向上させることができ、
これにより液晶表示装置の開口率を17％から25％に向上
させることができた。

【００３９】ところで、本実施例では、いずれも画素電
極(51)を構成する遮光性導電体(53)としてa-Si膜を用い
る場合を示したが、このa-Si膜は赤色光を透過する性質
を有していることから、表示画像が全体として赤みを帯
びることがある。しかし、このような場合、光源の波長
を調整すること、あるいはフィルタ等を設けて赤色光を
抑えることにより、良好な表示画像を確保することがで
きる。

【００４０】また、遮光性導電体(53)として、上述した
a-Si膜以外の種々の遮光性導電体で構成することができ
るが、例えば薄膜トランジスタ(41)のソース電極(51a)
と一体に構成しても良い。このようにすれば、製造工程
を増加させることなく液晶表示装置を構成することがで
きる。次に、本発明の第２の実施例の液晶表示装置(3)
について、上述した第１の実施例と同一箇所には同一符
号を付して説明する。

【００４１】図７は、第２の実施例の液晶表示装置(3)
のマトリクスアレイ基板(74)の概略構成図を示し、図８
は図７におけるＢＢ’線に沿って切断した液晶表示装置
(3)の概略断面図を示している。

【００４２】透明なガラス基板(11)上には複数本の信号
電極(21)と走査電極(31)とがマトリクス状に設置されて
いる。そして、これら各交点部分には、薄膜トランジス
タ(41)を介して画素電極(51)が接続設置されている。こ
の画素電極(51)は、酸化タンタル膜から成る透明抵抗体
(55)と、この透明抵抗体(55)上に略正方形状の複数の透
光孔(52)が配設されたアルミニウム（Ａｌ）から成る遮
光性導電体(53)とによって構成されている。透光孔(52)
は、透光孔ピッチが20ミクロン、遮光性導電体(53)の線
幅が 5ミクロンで構成され、配向膜(61)のラビング処理
方向と透光孔(52)の２辺が平行となるように配置されて
いる。また、透明なガラス基板(11)上にＩ．Ｔ．Ｏ．膜
から成る共通電極(151) 、配向膜(161) が順次設置され
て対向電極基板(171) は構成されている。

【００４３】そして、このような構成の画素電極(51)と
共通電極(151) との間には、10ミクロンのピッチで液晶
組成物(101) が挾持され、更にマトリクスアレイ基板(7
4)および対向電極基板(171) 外表面には偏光板(81),(18
1)がそれぞれ設置されて液晶表示装置(3) は構成されて
いる。

【００４４】次に、本実施例の液晶表示装置(3) の製造
方法について簡単に説明する。まず、図９（ａ）に示す
ように、透明なガラス基板(11)上にタンタル（Ｔａ）膜
をスパッタリングにより3000オングストロームの膜厚で
成膜し、フォトエッチングプロセスにより複数本の走査
電極(31)および走査電極(31)に接続されるゲート電極(3
1a) を形成する。

【００４５】次に、同図中（ｂ）に示すようにゲート絶
縁膜(35)としてＳｉＯｘを3500オングストロームの膜厚
で成膜し、更に薄膜トランジスタ(41)のチャンネル領域
(40)となるa-Si膜をプラズマＣＶＤ法によって2000オン
グストロームの膜厚となるように順次形成し、パターニ
ングすることにより、薄膜トランジスタ(41)のチャンネ
ル領域(41a) を形成する。

【００４６】そして、同図中（ｃ）に示すように、画素
電極(51)を構成するため酸化タンタル膜をスパッタリン
グによって1000オングストロームの膜厚で形成し、島状
にパターニングして透明抵抗体(55)を形成する。更に、
Al膜をスパッタリングにより5000オングストロームの膜
厚となるように被着させ、パターニングして信号電極(2
1)と薄膜トランジスタ(41)とを接続するためのドレイン
電極(21a) を形成すると共に、薄膜トランジスタ(41)に
接続されたソース電極(51a) と一体の透光孔(52)を有す
る遮光性導電体(53)を形成する。

【００４７】そして、図示しないが、この上に配向膜(6
1)を設置し、透光孔(52)の２辺に略平行な方向に沿って
配向膜(61)にラビング処理を施してマトリクスアレイ基
板(74)を構成する。

【００４８】このような液晶表示装置(3) によれば、画
素電極(51)が酸化タンタル膜から成る透明抵抗体(55)と
アルミニウム（Ａｌ）膜から成り複数の透光孔(52)を備
えた遮光性導電体(53)との積層構造で構成されているた
め、希少な金属であるインジウム（Ｉｎ）の使用量を大
幅に低減させることができた。

【００４９】そして、本実施例の液晶表示装置(3) は、
上述した第１の実施例の液晶表示装置(1) の光透過率が
17％であったのに対して、透光孔ピッチを15ミクロンか
ら20ミクロンと大きくすることができたため、光透過率
も17％から25％と向上させることができた。

【００５０】この第２の実施例では、遮光性導電体(53)
を複数の透光孔(52)を備えたアルミニウム（Ａｌ）膜で
構成したが、図１０に示すように複数の透光スリット(5
4)を備えたアルミニウム（Ａｌ）膜から成る遮光性導電
体(53)を有する画素電極(51)でマトリクスアレイ基板(7
5)をで構成しても良い。

【００５１】このようにすれば、上述した実施例に比べ
て一層開口率を向上させることがてき、光透過率も25％
から33％へと大きく向上させることができた。そして、
この透光スリット(54)の延長方向に沿って配向膜(61)に
ラビング処理を施しておくことにより、配向不良を解消
し、優れた表示特性を確保することができる。この第２
の実施例によれば、遮光性導電体(53)をアルミニウム
（Ａｌ）膜によって構成したが、第１の実施例の如くa-
Si膜によって構成しても良い。

【００５２】また、本実施例では透明抵抗体(55)として
酸化タンタル膜を用いたが、各種光透過性の金属酸化物
を用いることができ、例えば酸化亜鉛、酸化モリブデ
ン、酸化タングステン等が利用でき、その体積抵抗とし
ては１ＭΩ・cm程度あれば十分な効果が得られる。

【００５３】更に、第２の実施例によれば、透明抵抗体
(55)上に遮光性導電体(53)を積層させて画素電極(51)を
構成したが、この積層順序は逆であっても良く、遮光性
導電体(53)上に透明抵抗体(55)を積層する方が画素電極
(51)上の凹凸を低減させ、配向膜(61)に配向不良などが
生じることを低減させることができる。

【００５４】上述した実施例は、いずれもアクティブマ
トリックスタイプの液晶表示装置に於ける画素電極に光
線を通過させる透光孔 (52) あるいは透光スリット(54)
を備えた遮光電極について記述したが、画素電極に対向
して配置される共通電極が透光孔 あるいは透光スリッ
トを備え、この共通電極が遮光性或は、光減衰性の材料
で作られても良い。

【００５５】例えば、図１４に示すように対向電極基板
が構成されても良い。即ち、この対向電極基板において
は、共通電極(161) がＣｒから作られ、画素電極に対向
する画素領域には、既に述べた画素電極と同様に四角形
状の透光孔(162) が形成配列されている。このように共
通電極を構成することによって透光孔(162) 間の部分
は、不透明となり、いわゆるブラックマトリックスとし
ての機能を有することとなる。従って、別途ブラックマ
トリックスとしての部材を設けることなく、薄膜トラン
ジスタへの不所望な光線の入射を抑制し、良好な表示画
像を得ることができる。

【００５６】また、共通電極を遮光導体で作る場合に
は、遮光導体の表面で光反射が生じ、薄膜トランジスタ
に不所望な光線の入射が考えられる。この為、遮光導体
の表面を黒化処理するか或は、、カラー表示の場合に
は、色フイルターを共通電極上に配置することが好まし
い。

【００５７】ところで、上述した実施例は、いずれもア
クティブマトリクス型液晶表示装置について示したが、
本発明は、図１５に示すように一方のガラス基板 (11)
上にX ーY 座標系におけるY 方向にストライプ電極(22
0) が互いに略平行に延出され、これに対向して他方の
ガラス基板 (111)上にX 方向に互いに略平行にストライ
プ電極(222) が延出されている単純マトリクス型液晶表
示装置にも適用することができる。即ち、単純マトリク
ス型液晶表示装置の少なくとも一方のストライプ電極
(220, 222) を、透光孔 (52) あるいは透光スリット(5
4)を有するストライプ状の導電体で構成することによ
り、光透過率を損なうことなく希少な金属であるインジ
ウム（Ｉｎ）の使用量を低減させることができる。尚、
この透光孔あるいは透光スリットを設ける場所は、一対
のストライプ電極が重複して表示画素を構成する領域に
のみ設けることが、電極の抵抗値等を考慮すると好まし
い。これは、アクティブマトリクス型液晶表示装置にお
ける共通電極の場合も同様である。尚、図１５において
他の図面に付したと同一符号は、同一部分及び同一箇所
を示すものとしてその詳細な説明は省略する。

【００５８】上述したアクティブマトリックスタイプの
液晶表示装置、或は、単純マトリックスタイプの液晶表
示装置においては、いずれもいっっていのピッチで一定
の大きさの透光孔、或は、スリットが規則正しく配列さ
れた例を示したが、例えば、図１６に示すように１つの
画素電極内でスリットの配列方向が異なっても良い。

【００５９】このように構成することによって１つの画
素電極上で液晶の配列状態が異なることになることか
ら、画素毎に液晶動作に相違が生じ、視野角の改善を図
ることができる。

【００６０】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の液晶表示
装置によれば、希少な金属であるインジウム（Ｉｎ）の
使用量を低減させ、且つ良好な光透過率を確保すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の液晶表示装置のマトリ
クスアレイ基板の概略正面図である。

【図２】図１におけるＡＡ’線に沿って切断した第１の
実施例の液晶表示装置の概略断面図である。

【図３】図１における第１の実施例の液晶表示装置の製
造プロセスを示す図である。

【図４】本発明の第１の実施例の液晶表示装置の変形例
のマトリクスアレイ基板の概略正面図である。

【図５】本発明の第１の実施例の液晶表示装置の他の変
形例のマトリクスアレイ基板の要部拡大図である。

【図６】本発明の第１の実施例の液晶表示装置の他の変
形例のマトリクスアレイ基板の概略正面図である。

【図７】本発明の第２の実施例の液晶表示装置のマトリ
クスアレイ基板の概略正面図である。

【図８】図７におけるＢＢ’線に沿って切断した第２の
実施例の液晶表示装置の概略断面図である。

【図９】図７における第２の実施例の液晶表示装置の製
造プロセスを示す図である。

【図１０】本発明の第２の実施例の液晶表示装置の他の
変形例のマトリクスアレイ基板の概略正面図である。

【図１１】縦軸に網目内部の絶縁領域に接する液晶組成
物の応答の割合をとり、横軸に網目ピッチをとり、液晶
組成物の応答の透光ピッチ依存性を示す図である。

【図１２】本発明の一液晶表示装置の作用を説明するた
めの図である。

【図１３】本発明の一液晶表示装置の作用を説明するた
めの図である。

【図１４】本発明の他の実施例に係る液晶表示装置に係
る対向電極の構造を概略的に示す斜視図である。

【図１５】本発明のまた他の実施例に係る単純マトリッ
クスタイプの液晶表示装置を概略的に示す断面図であ
る。

【図１６】本発明の変形実施に係る液晶表示装置のマト
リクスアレイ基板を概略的に示す正面図である。

【符号の説明】

(1),(3) …液晶表示装置 (51)…画素電極 (52)…透光孔 (53)…遮光性導電体 (54)…透光スリット (55)…透明抵抗体 (71),(73),(74),(75) …マトリクスアレイ基板 (101) …液晶組成物 (171) …対向電極基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−69238（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−46289（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−264929（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−293639（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1362 G02F 1/1333

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１の電極が形成された第１の電極基板
   と、第２の電極が形成された第２の電極基板と、前記第
   １の電極と前記第２の電極との間に保持された液晶組成
   物とを備え、前記第１の電極と前記第２の電極との交差
   部分を表示画素と成す液晶表示装置において、前記表示
   画素における前記第１の電極と前記第２の電極の少なく
   とも一方は、インジウムを含まない材料からなり、５乃
   至４０ミクロンのピッチで形成され且つ少なくとも２辺
   が前記第１の電極基板と前記第２の電極基板の対角線方
   向に略平行に配置された複数の透光孔を有する遮光性導
   電体からなることを特徴とした液晶表示装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の第１の電極と第２の電極の
   少なくとも一方の電極は、透光孔を有する遮光性導電体
   と、この遮光性導電体よりも高抵抗であり、インジウム
   を含まない材料からなる透明抵抗体とからなることを特
   徴とした液晶表示装置。
3. 【請求項３】第１の電極が形成された第１の電極基板
   と、第２の電極が形成された第２の電極基板と、前記第
   １の電極と前記第２の電極との間に保持された液晶組成
   物とを備え、前記第１の電極と前記第２の電極との交差
   部分を表示画素と成す液晶表示装置において、前記表示
   画素における前記第１の電極と前記第２の電極の少なく
   とも一方は、インジウムを含まない材料からなり、５乃
   至４０ミクロンのピッチで形成され且つ少なくとも２辺
   が前記第１の電極基板と前記第２の電極基板の対角線方
   向に略平行に配置された複数の透光用スリットを有する
   遮光性導電体からなることを特徴とした液晶表示装置。
4. 【請求項４】請求項３記載の第１の電極と第２の電極の
   少なくとも一方の電極は、透光用スリットを有する遮光
   性導電体と、この遮光性導電体よりも高抵抗であり、イ
   ンジウムを含まない材料からなる透明抵抗体とからなる
   ことを特徴とした液晶表示装置。