KR102480893B1 - 표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판, 및 상기 화소 영역에 배치된 화소 전극을 포함하고, 상기 화소 전극은 제1 방향으로 연장된 제1 줄기부, 상기 제1 줄기부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 줄기부, 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들, 및 상기 복수의 가지부들 중 적어도 하나에서 연장된 절곡부를 포함하는 표시 기판을 제공한다.

Description

표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치{DISPLAY SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY COMPRISING THE SAME}
본 발명은 표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 표시 품질이 향상된 표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 발광 방식에 따라 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel, PDP) 및 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등으로 분류된다.
액정 표시 장치는 화소 전극과 공통 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 상기 기판 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 화소 전극과 공통 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치 중에서 전기장이 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 기판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 방식(Vertically Aligned mode) 액정 표시 장치는 대비비가 크고 넓은 시야각 구현이 용이하다.
최근 화소 전극을 복수의 도메인(Multi-domain)으로 구분하고, 전압 인가 시 액정 분자가 도메인마다 서로 다른 방향으로 배열되도록 하여 시야각 특성을 개선하는 기술이 사용되고 있다. 다만, 화소 전극은 사각 형태이기 때문에, 화소 전극의 가장자리 영역에서 주변 전계(Fringe Field)로 인해 액정 분자가 원하는 방향으로 배열되지 못하는 경우가 발생하고, 이로 인해 표시 품질이 저하된다.
이에 본 발명은 표시 품질이 향상된 표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치를 제공하고자 한다.
복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판, 및 상기 화소 영역에 배치된 화소 전극을 포함하고, 상기 화소 전극은 제1 방향으로 연장된 제1 줄기부, 상기 제1 줄기부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 줄기부, 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들, 및 상기 복수의 가지부들 중 적어도 하나에서 연장된 절곡부를 포함하는 표시 기판을 제공한다.
상기 절곡부는 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나와 실질적으로 평행할 수 있다.
상기 절곡부는 인접한 다른 가지부와 2㎛ 내지 10㎛로 이격될 수 있다.
상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부는 십자 형태로 배치될 수 있다.
상기 제1 줄기부는 상기 제2 줄기부로부터 돌출된 형태일 수 있다.
상기 화소 전극은 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 연장되어 상기 가지부보다 더 돌출된 연결부, 및 상기 연결부와 교차하는 에지바를 더 포함할 수 있다.
상기 연결부는 2㎛ 내지 10㎛의 길이를 가질 수 있다.
상기 에지바는 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나와 실질적으로 평행할 수 있다.
상기 에지바는 상기 절곡부와 실질적으로 평행할 수 있다.
상기 에지바는 인접하게 배치된 상기 절곡부와 2㎛ 내지 10㎛로 이격될 수 있다.
상기 절곡부와 상기 가지부 사이의 이격 거리는, 상기 에지바와 상기 절곡부 사이의 이격 거리와 동일할 수 있다.
복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판, 및 상기 화소 영역에 배치된 화소 전극을 포함하고, 상기 화소 전극은 제1 방향으로 연장된 제1 줄기부, 상기 제1 줄기부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 줄기부, 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들, 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 연장되어 상기 가지부보다 더 돌출된 연결부, 및 상기 연결부와 교차하는 에지바를 포함하는 표시 기판을 제공한다.
상기 에지바는 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나와 실질적으로 평행할 수 있다.
상기 에지바는 인접하게 배치된 상기 가지부들과 2㎛ 내지 10㎛로 이격될 수 있다.
표시 기판, 상기 표시 기판에 대향되어 배치된 대향 기판, 및 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층을 포함하며, 상기 표시 기판은 복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판, 및 상기 화소 영역에 배치된 화소 전극을 포함하고, 상기 화소 전극은 제1 방향으로 연장된 제1 줄기부, 상기 제1 줄기부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 줄기부, 및 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들을 포함하며, 상기 복수의 가지부들 중 적어도 하나에서 연장된 절곡부를 포함하는 액정 표시 장치를 제공한다.
상기 절곡부는 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나와 실질적으로 평행할 수 있다.
상기 절곡부는 인접한 다른 가지부와 2㎛ 내지 10㎛로 이격될 수 있다.
상기 화소 전극은 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 연장되어 상기 가지부보다 더 돌출된 연결부, 및 상기 연결부와 교차하는 에지바를 더 포함할 수 있다.
상기 연결부는 2㎛ 내지 10㎛의 길이를 가질 수 있다.
상기 에지바는 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나와 실질적으로 평행할 수 있다.
상기 에지바는 인접하게 배치된 상기 절곡부와 2㎛ 내지 10㎛로 이격될 수 있다.
표시 기판, 상기 표시 기판에 대향되어 배치된 대향 기판, 및 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층을 포함하며, 상기 표시 기판은 복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판, 및 상기 화소 영역에 배치된 화소 전극을 포함하고, 상기 화소 전극은 제1 방향으로 연장된 제1 줄기부, 상기 제1 줄기부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 줄기부, 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들, 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 연장되어 상기 가지부보다 더 돌출된 연결부, 및 상기 연결부와 교차하는 에지바를 포함하는 액정 표시 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치는 화소 전극의 형태를 변경시켜 화소 전극 가장자리에서의 액정 제어력을 향상시키고, 표시 품질을 개선시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 화소 전극을 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 "A" 영역을 확대한 부분 확대도이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화소 전극을 나타낸 평면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화소 전극을 나타낸 평면도이다.
도 10은 도 9의 "B" 영역을 확대한 부분 확대도이다.
도 11은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화소 전극을 나타낸 평면도이다.
도 12는 도 11의 "C" 영역을 확대한 부분 확대도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경이 가능하고, 여러 가지 형태로 실시될 수 있는 바, 특정의 실시예만을 도면에 예시하고 본문은 이를 주로 설명한다. 그렇다고 하여 본 발명의 범위가 상기 특정한 실시예로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 또는 대체물은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
도면에서, 각 구성요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하며, 실제 제품에 있는 구성요소가 표현되지 않고 생략되기도 한다. 따라서, 도면은 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 한다. 또한, 동일한 기능을 하는 구성요소는 동일한 부호로 표시된다.
어떤 층이나 구성요소가 다른 층이나 구성요소의 '상'에 있다 라고 기재되는 것은 어떤 층이나 구성요소가 다른 층이나 구성요소와 직접 접촉하여 배치된 경우뿐만 아니라, 그 사이에 제3의 층이 개재되어 배치된 경우까지 모두 포함하는 의미이다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 구성요소를 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제1, 제2, 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해 설명과 관계없는 부분은 도면에서 생략되었으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호가 붙여진다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 절단한 단면도이다. 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치는 복수의 화소를 포함하며, 도 1은 설명의 편의상 제2 방향(D2)으로 나란하게 배치된 2개의 화소(PXn, PXn+1)를 도시하였다. 또한, 도 1에서 화소 전극(PEn, PEn+1)은 제1 방향(D1)으로의 길이가 제2 방향(D2)으로의 길이보다 큰 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 제1 방향(D1)으로의 길이가 제2 방향(D2)으로의 길이보다 작을 수도 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치는 표시 기판(100), 대향 기판(200), 및 표시 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에 개재된 액정층(300)을 포함한다. 이외에도 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치는 표시 기판(100) 측으로 광을 출력하는 백라이트 유닛(미도시)을 더 포함할 수 있다.
표시 기판(100)은 베이스 기판(110), 게이트 배선(GLn-1, GLn, GLn+1, GE), 게이트 절연막(120), 반도체층(SM), 데이터 배선(DLn, SE, DE), 층간 절연막(130), 보호층(140), 화소 전극(PEn, PEn+1) 등을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터(T)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(GE), 반도체층(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)를 포함한다.
베이스 기판(110)은 매트릭스 형태로 배치된 복수의 화소 영역(PA)을 갖는다. 베이스 기판(110)은 플라스틱 기판과 같이 광 투과 특성 및 플렉시블 특성을 갖는 절연 기판일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 기판(110)은 유리 기판과 같은 하드 기판으로 만들어질 수도 있다.
베이스 기판(110) 상에 게이트 배선(GLn-1, GLn, GLn+1, GE)이 배치된다.
게이트 배선(GLn-1, GLn, GLn+1, GE)은 제1 방향(D1)으로 연장된 게이트 라인들(GLn-1, GLn, GLn+1) 및 게이트 라인들(GLn-1, GLn, GLn+1)로부터 분기된 게이트 전극(GE)을 포함한다.
게이트 배선(GLn-1, GLn, GLn+1, GE)은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등으로 이루어질 수 있다.
또한, 게이트 배선(GLn-1, GLn, GLn+1, GE)은 물리적 성질이 다른 두 개 이상의 도전막(미도시)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 다중막 구조 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(low resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어질 수 있으며, 다른 한 도전막은, ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어질 수 있다.
이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 상부막, 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막 및 티타늄 하부막과 구리 상부막 등을 들 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트 배선(GLn-1, GLn, GLn+1, GE)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 만들어질 수 있다. 게이트 배선(GLn-1, GLn, GLn+1, GE)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
게이트 배선(GLn-1, GLn, GLn+1, GE)이 배치된 베이스 기판(110) 상에 게이트 절연막(120)이 배치된다. 게이트 절연막(120)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 또한, 게이트 절연막(120)은 산화 알루미늄, 산화 티타늄, 산화 탄탈륨 또는 산화 지르코늄을 더 포함할 수 있다.
게이트 절연막(120) 상에 반도체층(SM)이 배치된다. 반도체층(SM)은 비정질 실리콘(amorphous Silicon)으로 이루어지거나, 또는, 갈륨(Ga), 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn) 중 적어도 하나 이상의 원소를 포함하는 산화물 반도체(oxide semiconductor)로 이루어 질 수 있다. 도면에 도시되지 않았으나, 반도체층(SM) 상에 오믹 콘택층이 배치될 수 있다.
도 2에서 반도체층(SM)은 게이트 전극(GE)과 실질적으로 중첩되는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체층(SM)은 후술할 데이터 배선(DLn, SE, DE)과 실질적으로 중첩되게 배치될 수 있다.
반도체층(SM)이 배치된 베이스 기판(110) 상에 데이터 배선(DLn, SE, DE)이 배치된다.
데이터 배선(DLn, SE, DE)은 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 데이터 라인(DLn)과 데이터 라인(DLn)으로부터 분기되어 반도체층(SM)과 중첩되게 배치된 소스 전극(SE), 및 소스 전극(SE)과 이격되어 반도체층(SM)이 중첩되게 배치된 드레인 전극(DE)을 포함한다. 데이터 배선(DLn, SE, DE)은 전술된 게이트 배선(GLn-1, GLn, GLn+1, GE)과 동일한 재료로 형성될 수 있다. 데이터 배선(DLn, SE, DE)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
데이터 배선(DLn, SE, DE)이 배치된 베이스 기판(110) 상에 층간 절연막(130)이 배치된다. 층간 절연막(130)은 예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 감광성(photosensitivity)의 유기물 또는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질 등을 포함하는 단일막 또는 다중막 구조를 가질 수 있다.
층간 절연막(130) 상에 보호층(140)이 배치된다. 보호층(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 감광성(photosensitivity)의 유기물 또는 실리콘계 저유전율 절연 물질 등을 포함하는 단일막 또는 다중막 구조를 가질 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 컬러 필터가 베이스 기판(110) 상에 배치된 COA(color filter on array)구조의 경우, 보호층(140) 대신 컬러 필터가 배치되거나, 층간 절연막(130)과 보호층(140) 사이에 컬러 필터가 배치될 수 있다.
보호층(140) 상에 화소 전극(PEn, PEn+1)이 배치된다. 화소 전극(PEn, PEn+1)은 층간 절연막(130)과 보호층(140)을 관통하여 드레인 전극(DE)에 연결된다.
화소 전극(PEn, PEn+1)은 투명 도전성 물질로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(PEn, PEn+1)은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide, IZO), 인듐 주석 아연 산화물(indium tin zinc oxide, ITZO), 알루미늄 아연 산화물(aluminum zinc oxide, AZO), 및 비정질 인듐 주석 산화물(amorphous indium tin oxide, a-ITO)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
화소 전극(PEn, PEn+1) 상에 하부 배향막(미도시)이 배치될 수 있다. 하부 배향막은 수직 배향막 또는 광중합 물질을 포함하는 광배향막일 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 화소 전극을 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 3의 "A" 영역을 확대한 부분 확대도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 화소 전극(PEn)은 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 줄기부(HS), 제1 줄기부(HS)로부터 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 줄기부(VS), 및 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS) 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들(MB), 및 복수의 가지부들(MB) 중 적어도 하나에서 연장된 절곡부(SB)를 포함할 수 있다. 또한, 화소 전극(PEn)은 드레인 전극(DE)과 연결되기 위한 연결 전극(CNE)를 더 포함할 수 있다.
제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS)는 십자 형태로 배치될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 줄기부(HS)는 제2 줄기부(VS)로부터 돌출된 형태를 가질 수도 있다.
도 3에서 절곡부(SB)는 제1 줄기부(HS)와 평행하게 연장된 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 절곡부(SB)는 제1 줄기부(HS)와 소정의 각도를 갖고 연장될 수도 있으며, 절곡부(SB)는 제2 줄기부(VS)와 평행하게 연장될 수도 있다.
또한, 도 3에서 절곡부(SB)는 제2 줄기부(VS)를 중심으로 바깥쪽으로 절곡된 형태를 갖는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 절곡부(SB)는 제2 줄기부(VS)를 중심으로 안쪽으로 절곡된 형태를 가질 수도 있고, 제1 줄기부(HS)를 중심으로 안쪽 또는 바깥쪽으로 절곡된 형태를 가질 수도 있다.
또한, 도 3 및 도 4에서 4개의 가지부(MB) 당 하나의 가지부(MB)가 절곡부(SB)를 갖는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 절곡부(SB)의 개수는 화소 전극(PEn)의 형태 및 크기에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 절곡부(SB)의 길이(L)도 화소 전극(PEn)의 형태 및 크기에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
도 4를 참조하면, 가지부(MB)들은 2㎛ 이상 내지 10㎛ 이하의 이격 거리(W1)를 가질 수 있으며, 절곡부(SB)는 인접한 다른 가지부(MB)와 2㎛ 이상 내지 10㎛ 이하의 이격 거리(W2)를 가질 수 있다.
이와 같이, 복수의 가지부(MB)들 중 적어도 하나의 절곡부(SB)를 화소 전극(PEn)의 가장자리를 따라 절곡시킴으로써, 화소 전극(PEn) 바깥쪽에서 안쪽으로 작용하는 주변 전계(Fringe Field)로 인한 영향을 최소화시킬 수 있다. 따라서, 화소 전극(PEn) 가장자리에서의 액정 제어력을 향상시킬 수 있고, 액정 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 대향 기판(200)은 대향 베이스 기판(210), 블랙 매트릭스(220), 컬러 필터(230), 공통 전극(CE) 등을 포함할 수 있다.
대향 베이스 기판(210)은 플라스틱 기판과 같이 광 투과 특성 및 플렉시블 특성을 갖는 절연 기판일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며 대향 베이스 기판(210)은 유리 기판과 같은 하드 기판으로 만들어질 수도 있다.
대향 베이스 기판(210) 상에 블랙 매트릭스(220)가 배치될 수 있다. 차광 부재가 베이스 기판(110)에 배치된 BOA(Black matrix on array) 구조의 경우, 블랙 매트릭스(220)는 베이스 기판(110) 상에 배치될 수도 있다.
블랙 매트릭스(220)는 감광성 조성물로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 감광성 조성물은 바인더 수지, 중합성 모노머, 중합성 올리고머, 안료, 분산제, 광 개시제를 포함할 수 있다. 안료로 검은색 안료 또는 블랙 수지(black resin) 등이 사용될 수 있다.
블랙 매트릭스(220) 상에 컬러 필터(230)가 배치된다.
컬러 필터(230)는 적색, 녹색, 청색, 원청색(cyan), 원적색(magenta), 원황색(yellow), 및 백색(white) 중 어느 하나일 수 있다. 적색, 녹색, 및 청색, 또는 원청색(cyan), 원적색(magenta), 및 원황색(yellow)과 같은 3개의 기본색이 색을 형성하기 위한 기본 화소군으로 구성될 수 있다.
컬러 필터(230)가 배치된 대향 베이스 기판(210) 상에 공통 전극(CE)이 배치된다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 공통 전극(CE)은 베이스 기판(110) 상에 배치될 수도 있다.
공통 전극(CE)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전체로 이루어진 통판 전극일 수 있다. 다른 실시예에서, 공통 전극(CE)은 복수의 도메인들을 정의하기 위한 요철 형상 및 적어도 하나 이상의 슬릿들을 가질 수 있다.
공통 전극(CE) 상에 상부 배향막(미도시)이 배치될 수 있다. 상부 배향막(미도시)은 수직 배향막 또는 광중합 물질을 포함하는 광배향막일 수 있다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화소 전극을 나타낸 평면도이다. 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화소 전극에 관한 설명 가운데 본 발명의 일실시예에 따른 화소 전극에 관한 설명과 중복되는 내용은 생략한다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화소 전극(PEn)은 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 줄기부(HS), 제1 줄기부(HS)로부터 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 줄기부(VS), 및 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS) 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들(MB), 및 복수의 가지부들(MB) 중 적어도 하나에서 연장된 절곡부(SB)를 포함할 수 있다. 또한, 화소 전극(PEn)은 드레인 전극(DE)과 연결되기 위한 연결 전극(CNE)를 더 포함할 수 있다.
제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS)는 십자 형태일 수 있다.
절곡부(SB)는 제1 줄기부(HS)를 중심으로 바깥쪽으로 절곡되며, 제2 줄기부(VS)와 평행하게 연장될 수 있다(도 5 참조). 또한, 절곡부(SB)는 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS)를 중심으로 바깥쪽으로 절곡되며, 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS)와 평행하게 연장될 수 있다(도 6 참조).
또한, 절곡부(SB)는 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS)를 중심으로 안쪽으로 절곡되며, 제1 줄기부(HS) 또는 제2 줄기부(VS)와 평행하게 연장될 수 있다(도 7 참조).
도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화소 전극(PEn)은 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 줄기부(HS), 제1 줄기부(HS)로부터 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 줄기부(VS), 및 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS) 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들(MB), 및 복수의 가지부들(MB) 중 적어도 하나에서 연장된 절곡부(SB)를 포함할 수 있다. 또한, 화소 전극(PEn)은 드레인 전극(DE)과 연결되기 위한 연결 전극(CNE)를 더 포함할 수 있다. 제1 줄기부(HS)는 제2 줄기부(VS)로부터 돌출된 형태일 수 있다.
도 8에서, 절곡부(SB)는 제1 줄기부(HS)와 평행하게 연장된 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 절곡부(SB)는 제1 줄기부(HS)와 소정의 각도를 갖고 연장될 수도 있으며, 절곡부(SB)는 제2 줄기부(VS)와 평행하게 연장될 수도 있다.
도 9는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화소 전극을 나타낸 평면도이고, 도 10은 도 9의 "B" 영역을 확대한 부분 확대도이다. 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화소 전극에 관한 설명 가운데 본 발명의 일실시예에 따른 화소 전극에 관한 설명과 중복되는 내용은 생략한다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화소 전극(PEn)은 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 줄기부(HS), 제1 줄기부(HS)로부터 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 줄기부(VS), 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS) 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들(MB), 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS) 중 적어도 하나로부터 연장되어 가지부(MB)보다 더 돌출된 연결부(CB) 및 연결부(CB)와 교차하는 에지바(EB)를 포함할 수 있다. 또한, 화소 전극(PEn)은 드레인 전극(DE)과 연결되기 위한 연결 전극(CNE)를 더 포함할 수 있다.
도 9에서, 에지바(EB)는 제1 줄기부(HS)와 평행하게 연장된 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 에지바(EB)는 제1 줄기부(HS)와 소정의 각도를 갖고 연장될 수도 있으며, 에지바(EB)는 제2 줄기부(VS)와 평행하게 연장될 수도 있다. 에지바(EB)는 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS) 중 적어도 하나와 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있다.
도 10을 참조하면, 연결부(CB)는 2㎛ 내지 10㎛의 길이를 가질 수 있으며, 에지바(EB)는 인접하게 배치된 가지부(MB)들과 2㎛ 내지 10㎛의 이격 거리(W3)를 가질 수 있다.
이와 같이, 화소 전극(PEn)의 가장자리를 따라 에지바(EB)를 배치시킴으로써, 화소 전극(PEn) 바깥쪽에서 안쪽으로 작용하는 주변 전계(Fringe Field)로 인한 영향을 최소화시킬 수 있다. 따라서, 화소 전극(PEn) 가장자리에서의 액정 제어력을 향상시킬 수 있고, 액정 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화소 전극을 나타낸 평면도이고, 도 12는 도 11의 "C" 영역을 확대한 부분 확대도이다. 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화소 전극에 관한 설명 가운데 본 발명의 일실시예에 따른 화소 전극에 관한 설명과 중복되는 내용은 생략한다
도 11을 참조하면, 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 줄기부(HS), 제1 줄기부(HS)로부터 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 줄기부(VS), 및 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS) 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들(MB), 복수의 가지부들(MB) 중 적어도 하나에서 연장된 절곡부(SB), 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS) 중 적어도 하나로부터 연장되어 가지부(MB)보다 더 돌출된 연결부(CB) 및 연결부(CB)와 교차하는 에지바(EB)를 포함할 수 있다. 또한, 화소 전극(PEn)은 드레인 전극(DE)과 연결되기 위한 연결 전극(CNE)를 더 포함할 수 있다. 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS)는 십자 형태일 수 있다.
도 11에서, 에지바(EB)는 제1 줄기부(HS)와 평행하게 연장된 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 에지바(EB)는 제1 줄기부(HS)와 소정의 각도를 갖고 연장될 수도 있으며, 에지바(EB)는 제2 줄기부(VS)와 평행하게 연장될 수도 있다. 또한, 에지바(EB)는 인접하게 배치된 절곡부(SB)와 실질적으로 평행할 수 있다. 에지바(EB)는 제1 줄기부(HS) 및 제2 줄기부(VS) 중 적어도 하나와 실질적으로 동일한 길이를 가질 수 있다.
도 12을 참조하면, 연결부(CB)는 2㎛ 내지 10㎛의 길이를 가질 수 있으며, 에지바(EB)는 인접하게 배치된 절곡부(SB)와 2㎛ 내지 10㎛의 이격 거리(W4)를 가질 수 있다.
마찬가지로, 절곡부(SB)는 인접하게 배치된 가지부(MB)와 2㎛ 내지 10㎛의 이격 거리(W5)를 가질 수 있다.
일실시예에서, 에지바(EB)와 절곡부(SB) 사이의 이격 거리(W4)는 절곡부(SB)와 가지부(MB) 사이의 이격 거리(W5)와 동일할 수 있다.
이와 같이, 화소 전극(PEn)의 가장자리를 따라 절곡부(SB) 및 에지바(EB)를 배치시킴으로써, 화소 전극(PEn) 바깥쪽에서 안쪽으로 작용하는 주변 전계(Fringe Field)로 인한 영향을 최소화시킬 수 있다. 따라서, 화소 전극(PEn) 가장자리에서의 액정 제어력을 향상시킬 수 있고, 액정 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
PE: 화소 전극
HS: 제1 줄기부
VS: 제2 줄기부
MB: 가지부
SB: 절곡부
CB: 연결부
EB: 에지바

Claims (22)

  1. 복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판; 및
    상기 화소 영역에 배치된 화소 전극;을 포함하고,
    상기 화소 전극은,
    제1 방향으로 연장된 제1 줄기부;
    상기 제1 줄기부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 줄기부;
    상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들; 및
    상기 복수의 가지부들 중 적어도 하나의 제1 가지부에서 연장된 절곡부;를 포함하고,
    상기 복수의 가지부 중 상기 절곡부를 향해 연장하는 인접한 복수의 제2 가지부는 상기 절곡부와 동일한 거리만큼 떨어져 있는 표시 기판.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 절곡부는 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나와 실질적으로 평행한 표시 기판.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 절곡부는 상기 제2 가지부와 2㎛ 내지 10㎛로 이격된 표시 기판.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부는 십자 형태로 배치된 표시 기판.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제1 줄기부는 상기 제2 줄기부로부터 돌출된 형태인 표시 기판.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 화소 전극은,
    상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 연장되어 상기 제2 가지부보다 더 돌출된 연결부; 및
    상기 연결부와 교차하는 에지바;를 더 포함하는 표시 기판.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 연결부는 2㎛ 내지 10㎛의 길이를 갖는 표시 기판.
  8. 제6 항에 있어서, 상기 에지바는 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나와 실질적으로 평행한 표시 기판.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 에지바는 상기 절곡부와 실질적으로 평행한 표시 기판.
  10. 제6 항에 있어서, 상기 에지바는 인접하게 배치된 상기 절곡부와 2㎛ 내지 10㎛로 이격된 표시 기판.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 절곡부와 상기 제2 가지부 사이의 이격 거리는, 상기 에지바와 상기 절곡부 사이의 이격 거리와 동일한 표시 기판.
  12. 복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판; 및
    상기 화소 영역에 배치된 화소 전극;을 포함하고,
    상기 화소 전극은,
    제1 방향으로 연장된 제1 줄기부;
    상기 제1 줄기부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 줄기부;
    상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들;
    상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 연장되어 상기 가지부보다 더 돌출된 연결부; 및
    상기 연결부와 교차하는 에지바;를 포함하고,
    상기 에지바는 상기 에지바를 향해 연장하는 상기 가지부의 단부와 떨어져 있는 표시 기판.
  13. 제12 항에 있어서, 상기 에지바는 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나와 실질적으로 평행한 표시 기판.
  14. 제12 항에 있어서, 상기 에지바는 인접하게 배치된 상기 가지부들과 2㎛ 내지 10㎛로 이격된 표시 기판.
  15. 표시 기판;
    상기 표시 기판에 대향되어 배치된 대향 기판; 및
    상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층;을 포함하며,
    상기 표시 기판은,
    복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판; 및
    상기 화소 영역에 배치된 화소 전극;을 포함하고,
    상기 화소 전극은,
    제1 방향으로 연장된 제1 줄기부;
    상기 제1 줄기부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 줄기부; 및
    상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들;을 포함하며,
    상기 복수의 가지부들 중 적어도 하나의 제1 가지부에서 연장된 절곡부;를 포함하고,
    상기 복수의 가지부 중 상기 절곡부를 향해 연장하는 인접한 복수의 제2 가지부는 상기 절곡부와 동일한 거리만큼 떨어져 있는 액정 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서, 상기 절곡부는 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나와 실질적으로 평행한 액정 표시 장치.
  17. 제15 항에 있어서, 상기 절곡부는 상기 제2 가지부와 2㎛ 내지 10㎛로 이격된 액정 표시 장치.
  18. 제15 항에 있어서, 상기 화소 전극은,
    상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 연장되어 상기 제2 가지부보다 더 돌출된 연결부; 및
    상기 연결부와 교차하는 에지바;를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서, 상기 연결부는 2㎛ 내지 10㎛의 길이를 갖는 액정 표시 장치.
  20. 제18 항에 있어서, 상기 에지바는 상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나와 실질적으로 평행한 액정 표시 장치.
  21. 제20 항에 있어서, 상기 에지바는 인접하게 배치된 상기 절곡부와 2㎛ 내지 10㎛로 이격된 액정 표시 장치.
  22. 표시 기판;
    상기 표시 기판에 대향되어 배치된 대향 기판; 및
    상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층;을 포함하며,
    상기 표시 기판은,
    복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판; 및
    상기 화소 영역에 배치된 화소 전극;을 포함하고,
    상기 화소 전극은,
    제1 방향으로 연장된 제1 줄기부;
    상기 제1 줄기부로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 줄기부;
    상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 경사지게 연장된 복수의 가지부들;
    상기 제1 줄기부 및 상기 제2 줄기부 중 적어도 하나로부터 연장되어 상기 가지부보다 더 돌출된 연결부; 및
    상기 연결부와 교차하는 에지바;를 포함하고,
    상기 에지바는 상기 에지바를 향해 연장하는 상기 가지부의 단부와 떨어져 있는 액정 표시 장치.

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