JP5584981B2 - GaN結晶の成長方法 - Google Patents
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Description
図1および2を参照して、基板10の第1の主面10mおよび第1の主面10mと反対側の第2の主面10nにかかる圧力が均等な状態は、基板10の第1の主面10mおよび第2の主面10nに、Ga融液3に窒素原料ガス5を溶解させた溶液7を接触させることにより得られる。実施形態1においては、Ga融液3に窒素原料ガス5が溶解した溶液7が、基板10の第1の主面10mの全面および第2の主面10nのほぼ全面に接触することにより、基板10の第1の主面10mおよび第2の主面10nの全面に均等に圧力がかかる。
図3および4を参照して、基板10の第1の主面10mおよび第1の主面10mと反対側の第2の主面10nにかかる圧力が均等な状態は、平坦な主面40nを有する第2の基板支持体40を準備し、第2の主面10nを平坦化処理して、平坦化された第2の主面10nに第2の基板支持体40の平坦な主面40nを接触させることにより得られる。すなわち、実施形態2においては、Ga融液3に窒素原料ガス5が溶解した溶液7が基板10の第1の主面10mに接触しており、基板10の平坦な第2の主面10nが第2の基板支持体40の平坦な主面40nに接触している。このため、溶液7が第2の主面10nと基板支持体40の主面40nとの間に形成される空間に侵入して第2の主面10nに部分的に接触することが困難となり、基板10の第1の主面10mおよび第2の主面10nの全面に均等に圧力がかかる。第2の基板支持体40は、特に制限はないが、溶液7との反応性が低い観点から、カーボン製支持体、p−BN製支持体などが好ましい。
図5および6を参照して、基板10の第1の主面10mおよび第1の主面10mと反対側の第2の主面10nにかかる圧力が均等な状態は、第2の主面10nに窒素原料ガス5を接触させることにより得られる。すなわち、実施形態3においては、基板10の第1の主面10mがGa融液3に窒素原料ガス5が溶解した溶液7に接触しており、基板10の第2の主面10nが供給される窒素原料ガス5に接触している。結晶成長容器1内において、Ga融液3への窒素原料ガス5の溶解は、Ga融液3が配置されている結晶成長容器1内に窒素原料ガス5を加圧により供給することにより行われる。このため、溶液7にかかる圧力と供給される窒素原料ガス5の圧力とが等しい。したがって、基板10の第1の主面10mおよび第2の主面10nの全面に均等に圧力がかかる。
1.基板の準備
図1を参照して、GaN結晶を成長させるための基板10として、直径2インチ(50.8mm)で厚さ400μmのサファイア基板(基礎基板10b)上にMOCVD法により厚さ3μmのGaN種結晶(III族窒化物種結晶10a)が形成されたGaNテンプレート基板Aを準備した。かかるGaNテンプレート基板AにおけるGaN種結晶の転位密度は、カソードルミネッセンスにより測定したところ、3〜5×108cm-2であった。
図1および2を参照して、内径60mmのカーボン製坩堝(結晶成長容器1)の床面に、直径3mmで長さ45mmのカーボン製円柱棒(第1の基板支持体40)を2本互いに平行に配置した。次いで、これらのカーボン製棒上に上記のGaNテンプレート基板AをGaN種結晶(III族窒化物種結晶10a)の第1の主面10mを上に向けて配置した。次いで、カーボン製坩堝内に純度が99.9999質量%の金属Gaを160g配置した。
1.基板の準備
図3を参照して、GaN結晶を成長させるための基板10として、実施例1と同様のGaNテンプレート基板A(基板10)を準備した。
図3および4を参照して、内径60mmのカーボン製坩堝(結晶成長容器1)の床面に、機械的研磨により研磨された、接触式段差計により測定された面粗さRaが0.5μmの主面を有する直径50mmで高さ10mmのカーボン製円板台(第2の基板支持体40)を、その主面を上に向けて配置した。
1.基板の準備
図7を参照して、GaN結晶を成長させるための基板10として、実施例1と同様のGaNテンプレート基板A(基板10)を準備した。
図7および8を参照して、基板支持体を用いることなく、内径60mmのカーボン製坩堝(結晶成長容器1)の床面に、直接上記のGaNテンプレート基板A(基板10)を、GaN種結晶(III族窒化物種結晶10a)の第1の主面10mを上に向けて配置した。次いで、カーボン製坩堝内に純度が99.9999質量%の金属Gaを100g配置した。上記以外は、実施例1と同様にして、GaN結晶の成長を10回行なった。ここで、GaN結晶の成長において、溶液7の表面からGaNテンプレート基板Aの第1の主面10mまでの深さは約4.6mmであった。
1.基板の準備
図5を参照して、GaN結晶を成長させるための基板10として、直径2インチ(50.8mm)で厚さ400μmのSi基板(基礎基板10b)上にMOCVD法により厚さ3μmのGaN種結晶(III族窒化物種結晶10a)が形成されたGaNテンプレート基板Bを準備した。かかるGaNテンプレート基板BにおけるGaN種結晶の転位密度は、カソードルミネッセンスにより測定したところ、5〜8×109cm-2であった。
図5および6を参照して、内径60mmのカーボン製坩堝(結晶成長容器1)の床面に、上記のGaNテンプレート基板B(基板10)を、GaN種結晶(III族窒化物種結晶10a)の第1の主面10mを上に向けて配置した。次いで、GaNテンプレート基板Bの第1の主面10m上に、床面に直径40mmの開口部2wを有する内径50mmで外径52mmのカーボン製内坩堝(溶液仕切り器2)を配置した。次いで、カーボン製内坩堝内に、純度が99.9999質量%の金属Gaを80g配置した。上記以外は、実施例1と同様にして、GaN結晶の成長を10回行なった。ここで、GaN結晶の成長において、溶液7の表面からGaNテンプレート基板Bの第1の主面10mまでの深さは約4mmであった。
1.基板の準備
図7を参照して、GaN結晶を成長させるための基板10として、実施例3と同様のGaNテンプレート基板B(基板10)を準備した。
図7および8を参照して、内径60mmのカーボン製坩堝(結晶成長容器1)の床面に、上記のGaNテンプレート基板B(基板10)を、GaN種結晶(III族窒化物種結晶10a)の第1の主面10mを上に向けて配置した。実施例3のようなカーボン製内坩堝(溶液仕切り器2)は配置しなかった。次いで、カーボン製坩堝内に純度が99.9999質量%の金属Gaを100g配置した。上記以外は、実施例3と同様にして、GaN結晶の成長を10回行なった。ここで、GaN結晶の成長において、溶液7の表面からGaNテンプレート基板Bの第1の主面10mまでの深さは約4.6mmであった。
1.基板の準備
図1を参照して、GaN結晶を成長させるための基板10として、直径2インチ(50.8mm)で厚さ400μmのサファイア基板(基礎基板10b)上にMOCVD法により厚さ3μmのAl0.1Ga0.9N種結晶(III族窒化物種結晶10a)が形成されたAl0.1Ga0.9Nテンプレート基板Aを準備した。かかるAl0.1Ga0.9Nテンプレート基板CにおけるAl0.1Ga0.9N種結晶の転位密度は、カソードルミネッセンスにより測定したところ、5〜8×109cm-2であった。
図1および2を参照して、基板10として上記で準備したAl0.1Ga0.9Nテンプレート基板Cを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、基板10を配置し、金属Gaを配置し、カーボン製坩堝(結晶成長容器1)内を真空排気(真空度は約1Pa)した後、純度99.9999質量%の窒素ガスを供給して雰囲気圧力を大気圧から30気圧(3.04MPa)まで0.1時間かけて昇圧し、雰囲気圧力を30気圧に保持して雰囲気温度を室温から1200℃まで3時間かけて昇温し、雰囲気温度を1200℃に保持して雰囲気圧力を30気圧から2000気圧(202.65MPa)まで1時間かけて昇圧した後、雰囲気温度1200℃および雰囲気圧力を2000気圧で10時間保持した。
1.基板の準備
図3を参照して、GaN結晶を成長させるための基板10として、実施例4と同様のAl0.1Ga0.9Nテンプレート基板C(基板10)を準備した。
図3および4を参照して、実施例2と同様にして、内径60mのカーボン製坩堝(結晶成長容器1)の床面に、実施例2と同様のカーボン製円板台(第2の基板支持体40)を、その主面を上に向けて配置した。
1.基板の準備
図7を参照して、GaN結晶を成長させるための基板10として、実施例4と同様のAl0.1Ga0.9Nテンプレート基板C(基板10)を準備した。
図7および8を参照して、基板支持体を用いることなく、内径60mmのカーボン製坩堝(結晶成長容器1)の床面に、直接上記のGaNテンプレート基板A(基板10)を、Al0.1Ga0.9N種結晶(III族窒化物種結晶10a)の第1の主面10mを上に向けて配置した。次いで、カーボン製坩堝内に純度が99.9999質量%の金属Gaを100g配置した。上記以外は、実施例4と同様にして、GaN結晶の成長を10回行なった。ここで、GaN結晶の成長において、溶液7の表面からAl0.1Ga0.9Nテンプレート基板Cの第1の主面10mまでの深さは約4.6mmであった。
Claims (8)
- 第1の主面を有するIII族窒化物種結晶を含む基板を準備する工程と、
結晶成長容器内において、前記III族窒化物種結晶を含む基板を前記第1の主面を上に向けて配置して、前記第1の主面および前記第1の主面と反対側の第2の主面にかかる圧力が均等な状態で、前記第1の主面にGa融液に窒素原料ガスを溶解させた溶液を接触させることにより、前記第1の主面上にGaN結晶を成長させる工程と、を備え、
前記GaN結晶は、800℃以上1500℃以下の雰囲気温度および500気圧以上20000気圧以下の雰囲気圧力下で成長させるGaN結晶の成長方法。 - 前記圧力が均等な状態は、前記第2の主面にも前記溶液を接触させることにより得られる請求項1に記載のGaN結晶の成長方法。
- 前記第2の主面への前記溶液の接触は、第1の基板支持体を準備し、前記第1の基板支持体により前記基板の前記第2の主面が前記結晶成長容器の内面から離れて支持されることにより得られる請求項2に記載のGaN結晶の成長方法。
- 第1の主面を有するIII族窒化物種結晶を含む基板を準備する工程と、
結晶成長容器内において、前記III族窒化物種結晶を含む基板を前記第1の主面を上に向けて配置して、前記第1の主面および前記第1の主面と反対側の第2の主面にかかる圧力が均等な状態で、前記第1の主面にGa融液に窒素原料ガスを溶解させた溶液を接触させることにより、前記第1の主面上にGaN結晶を成長させる工程と、を備え、
前記圧力が均等な状態は、平坦な主面を有する第2の基板支持体を準備し、前記第2の主面を平坦化処理して、平坦化された前記第2の主面に前記第2の基板支持体の平坦な前記主面を接触させることにより得られるGaN結晶の成長方法。 - 前記第2の主面および前記第2の基板支持体の前記主面の面粗さRaが10μm以下である請求項4に記載のGaN結晶の成長方法。
- 第1の主面を有するIII族窒化物種結晶を含む基板を準備する工程と、
結晶成長容器内において、前記III族窒化物種結晶を含む基板を前記第1の主面を上に向けて配置して、前記第1の主面および前記第1の主面と反対側の第2の主面にかかる圧力が均等な状態で、前記第1の主面にGa融液に窒素原料ガスを溶解させた溶液を接触させることにより、前記第1の主面上にGaN結晶を成長させる工程と、を備え、
前記圧力が均等な状態は、前記第2の主面に前記窒素原料ガスを接触させることにより得られるGaN結晶の成長方法。 - 前記第2の主面への前記窒素原料ガスの接触は、溶液仕切り器を準備し、前記溶液仕切り器により前記溶液の接触を前記第1の主面に限定することにより得られる請求項6に記載のGaN結晶の成長方法。
- 前記GaN結晶は、800℃以上1500℃以下の雰囲気温度および500気圧以上20000気圧以下の雰囲気圧力下で成長させる請求項4から請求項7のいずれか1項に記載のGaN結晶の成長方法。
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