JP2005343722A - AlN結晶の成長方法、AlN結晶基板および半導体デバイス - Google Patents
AlN結晶の成長方法、AlN結晶基板および半導体デバイス Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 HVPE法により成長させた第1のAlN種結晶1を用いて、昇華法によりAlN結晶を成長させるAlN結晶2の成長方法。また、種結晶として、上記のAlN結晶の成長方法により得られたAlN結晶2の少なくとも一部である第2のAlN種結晶1を準備し、この第2のAlN種結晶1を用いて昇華法によりAlN結晶2を成長させるAlN結晶の成長方法。
【選択図】 図1
Description
M.Tanaka, 他4名, "Morphology and X-Ray Diffraction Peak Widths of Aluminum Nitride Single Crystals Prepared by the Sublimation Method", Jpn. J. Appl. Phys., Vol36, (1997), Pt.2, No.8B, p.L1062-L1064 L.Liu, 他3名, "Raman characterization and stress analysis of AlN grown on SiC by sublimation", J. Appl. Phys., Vol. 92, Nov. (2002), No. 1, p.5183-5188 Yu.Melnik, 他11名, "AlN substrate: fabrication via vapor phase growth and characterization", Phys. stat. sol., (a)200, (2002), No. 1, p.22-25
HVPE法で成長させたAlN結晶を切り出したAlN種結晶(直径50mm×厚さ1.5mm、表面を鏡面に研磨した後、エッチングを行ない、研磨ダメージ層を除去したもの)上に、昇華法により以下のようにしてAlN結晶を成長させた。
Claims (7)
- HVPE法により成長させた第1のAlN種結晶を用いて、昇華法によりAlN結晶を成長させるAlN結晶の成長方法。
- 前記第1のAlN種結晶の結晶成長面が(0001)面または(000−1)面である請求項1に記載のAlN結晶の成長方法。
- 前記第1のAlN種結晶の直径が5cm以上である請求項1に記載のAlN結晶の成長方法。
- 種結晶として、請求項1から請求項3のいずれかに記載のAlN結晶の成長方法により得られたAlN結晶の少なくとも一部である第2のAlN種結晶を準備し、前記第2のAlN種結晶を用いて昇華法によりAlN結晶を成長させるAlN結晶の成長方法。
- AlN種結晶の平坦に加工された裏面に、結晶成長温度における昇華速度が前記AlN種結晶以下である種結晶保護材を密着させた前記AlN種結晶を用いて、昇華法によりAlN結晶を成長させるAlN結晶の成長方法。
- 請求項1から請求項5のいずれかに記載のAlN結晶の成長方法により得られたAlN結晶の少なくとも一部を切り取り、その表面を研磨することにより得られるAlN結晶基板。
- 請求項6に記載のAlN結晶基板を含む半導体デバイス。
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