JP5572944B2 - 配線構造体の製造方法及び配線構造体 - Google Patents
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Description
基板表面の相互に離隔した2つの縦配線領域に、第1の厚さの縦配線用触媒膜を形成し、1つの該縦配線領域から他の縦配線領域まで連続する横配線領域に、該第1の厚さよりも厚い第2の厚さの横配線用触媒膜を形成する工程と、
前記縦配線用触媒膜及び横配線用触媒膜の上に、カーボンを含む構造体を気相成長させる工程と
を有し、
前記気相成長の初期段階には、前記縦配線用触媒膜及び横配線用触媒膜の上にグラファイトが形成され、その後、前記縦配線領域の前記グラファイトと前記基板との間にカーボンナノチューブが成長し、前記横配線領域の前記グラファイトが、前記縦配線領域に成長したカーボンナノチューブによって中空に支持されるように前記第1の厚さ及び第2の厚さが設定されている。
基板の表面の複数の導電性領域の各々から延びる複数のカーボンナノチューブからなる縦配線と、
少なくとも2つの前記縦配線の一方の上端上から他方の上端上まで横方向に延びるグラファイトからなる横配線と、
前記横配線の底面の一部から前記基板側に向かって延びる複数のカーボンナノチューブからなる支持部材と、
前記支持部材の下端と前記基板との間に配置された絶縁膜と
を有する。
・成長温度 450℃
・原料ガス アルゴンで希釈したアセチレン(アセチレンの分圧比10%)
・圧力 1kPa
図2Fに示すように、成長初期段階には、縦配線用触媒膜21及び横配線用触媒膜35の上に、グラファイト(横配線)12が成長する。第1の無配線領域25には、グラファイトが形成されない。成長を続けると、縦配線用触媒膜21が炭素を吸収して微粒子状になる。
11 1層目の縦配線
12 1層目の横配線
13 2層目の縦配線
14 2層目の横配線
15 支持部材
20 導電膜
21 縦配線用触媒膜
22 レジストパターン
23 第1の縦配線領域
25 第1の無配線領域
26 第1の横配線領域
27 支持領域
30 レジストパターン
34 絶縁膜
35 横配線用触媒膜
40 充填膜
50 第2の縦配線領域
51 第2の横配線領域
52 第2の無配線領域
55 導電膜
56 縦配線用触媒膜
57 絶縁膜
58 横配線用触媒膜
60 充填膜
65 導電膜
66 絶縁膜
67 3層目の縦配線
68 3層目の横配線
Claims (4)
- 基板表面の相互に離隔した2つの縦配線領域に、第1の厚さの縦配線用触媒膜を形成し、1つの該縦配線領域から他の縦配線領域まで連続する横配線領域に、該第1の厚さよりも厚い第2の厚さの横配線用触媒膜を形成する工程と、
前記縦配線用触媒膜及び横配線用触媒膜の上に、カーボンを含む構造体を気相成長させる工程と
を有し、
前記気相成長の初期段階には、前記縦配線用触媒膜及び横配線用触媒膜の上にグラファイトが形成され、その後、前記縦配線領域の前記グラファイトと前記基板との間にカーボンナノチューブが成長し、前記横配線領域の前記グラファイトが、前記縦配線領域に成長したカーボンナノチューブによって中空に支持されるように前記第1の厚さ及び第2の厚さが設定されている配線構造体の製造方法。 - 前記第1の厚さは1nmから5nmまでの範囲内であり、前記第2の厚さは2nmから50nmまでの範囲内である請求項1に記載の配線構造体の製造方法。
- 基板の表面の複数の導電性領域の各々から延びる複数のカーボンナノチューブからなる縦配線と、
少なくとも2つの前記縦配線の一方の上端上から他方の上端上まで横方向に延びるグラファイトからなる横配線と、
前記横配線の底面の一部から前記基板側に向かって延びる複数のカーボンナノチューブからなる支持部材と、
前記支持部材の下端と前記基板との間に配置された絶縁膜と
を有する配線構造体。 - 前記横配線と前記基板との間は真空である、または前記横配線と前記基板との間に気体が満たされている請求項3に記載の配線構造体。
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