JP5546270B2 - 高周波伝送線路 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1による高周波伝送線路の外観構成を示す上面図である。図2は、図1に示すA−A線断面図である。図3は、図1に示すB−B線断面図である。図4は、図1に示す第1の誘電体基板の表面および裏面を示す平面図である。図5は、図1に示す第2の誘電体基板の表面および裏面を示す平面図である。図6は、図1に示す高周波伝送線路の電磁界分布を説明する図である。
図7は、本発明の実施の形態2による高周波伝送線路の外観構成を示す上面図である。図8は、図7に示すA−A線断面図である。図9は、図7に示すB−B線断面図である。なお、図7〜図9では、図1〜図3(実施の形態1)に示した構成要素と同一ないしは同等である要素には、同一の符号を付してある。ここでは、この実施の形態2に関わる部分を中心に説明する。
図10は、本発明の実施の形態3として、バンプ導体による接続構造の一例を説明する図であり、(1)は第1の誘電体基板の表面図、(2)は第2の誘電体基板の裏面図である。
図11は、本発明の実施の形態4として、バンプ導体による接続構造の他の一例を説明する図であり、(1)は第1の誘電体基板の表面図、(2)(3)は第2の誘電体基板の表裏面図である。
2,11 第1の誘電体基板
3 バンプ導体
4 第2の誘電体基板
5,15 空洞
6 開口
14 凹部
21 信号導体パターン
22a,22b 帯状表面グランド導体パターン
23 内層グランド導体パターン
24,26 裏面グランド導体パターン
25,28 スルーホール
27 表面グランド導体パターン
Claims (10)
- 金属筐体と、
前記金属筐体の線路配置面に裏面が接して配置され、内層グランド導体パターンを有する多層構成の第1の誘電体基板であって、
一方端の入出力ポートと他方端の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンであって、両端の入出力ポート側領域と、前記入出力ポート側領域より幅広である所定長の中央部領域とを有する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される2本の帯状表面グランド導体パターンとが表面に形成され、
前記信号導体パターンの中央部領域の直下に、前記中央部領域に対応した大きさの開口を有するように裏面グランド導体パターンが、裏面に形成され、
裏面側内部に、前記開口の周縁から前記表面に向かった所定高さ位置まで前記開口の内側が削除された空洞が形成され、
前記2本の帯状表面グランド導体パターンと共にスルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される前記内層グランド導体パターンは、前記空洞の外周形状に合わせた開口を有して形成されている第1の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの前記中央部領域の直上に配置され、前記中央部領域を覆う程度の大きさを有する多層構成または単層構成の第2の誘電体基板であって、前記第1の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第2の誘電体基板と、
前記2本の帯状表面グランド導体パターンと前記第2の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続する複数のバンプ導体と
を備え、前記信号導体パターンは、前記中央部領域をサスペンデッド線路構造とし、前記両端の入出力ポート側領域をマイクロストリップ線路構造とすることを特徴とする高周波伝送線路。 - 金属筐体と、
前記金属筐体の線路配置面に裏面が接して配置される単層構成の第1の誘電体基板であって、
一方端の入出力ポートと他方端の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンであって、両端の入出力ポート側領域と、前記入出力ポート側領域より幅広である所定長の中央部領域とを有する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される2本の帯状表面グランド導体パターンとが表面に形成され、
前記信号導体パターンの中央部領域の直下に、前記中央部領域に対応した大きさの開口を有するように裏面グランド導体パターンが、裏面に形成され、
裏面側内部に、前記開口の周縁から前記表面に向かった所定高さ位置まで前記開口の内側が削除された空洞が形成され、前記2本の帯状表面グランド導体パターンは、スルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される第1の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの前記中央部領域の直上に配置され、前記中央部領域を覆う程度の大きさを有する多層構成または単層構成の第2の誘電体基板であって、前記第1の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第2の誘電体基板と、
前記2本の帯状表面グランド導体パターンと前記第2の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続する複数のバンプ導体と
を備え、前記信号導体パターンは、前記中央部領域をサスペンデッド線路構造とし、前記両端の入出力ポート側領域をマイクロストリップ線路構造とすることを特徴とする高周波伝送線路。 - 金属筐体と、
前記金属筐体の線路配置面に裏面が接して配置され、内層グランド導体パターンを有する多層構成の第1の誘電体基板であって、
一方端の入出力ポートと他方端の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンであって、両端の入出力ポート側領域と、前記入出力ポート側領域より幅広である所定長の中央部領域とを有する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される2本の帯状表面グランド導体パターンとが表面に形成され、
前記信号導体パターンの中央部領域の直下に、前記中央部領域に対応した大きさの開口を有するように裏面グランド導体パターンが、裏面に形成され、
前記信号導体パターンの中央部領域の直下に、前記中央部領域に対応した大きさの開口を有するように前記内層グランド導体パターンが形成され、
前記内層グランド導体パターンは、前記2本の帯状表面グランド導体パターンと共にスルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される第1の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの前記中央部領域の直上に配置され、前記中央部領域を覆う程度の大きさを有する多層構成または単層構成の第2の誘電体基板であって、前記第1の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第2の誘電体基板と、
前記2本の帯状表面グランド導体パターンと前記第2の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続する複数のバンプ導体と
を備え、
前記金属筐体の線路配置面に、前記開口の形成領域に対応する位置において前記開口の周縁から前記金属筐体内部に向かった所定深さ位置まで前記開口の内側に対応する部分が削除された空洞となる凹部が形成され、
前記信号導体パターンは、前記中央部領域をサスペンデッド線路構造とし、前記両端の入出力ポート側領域をマイクロストリップ線路構造とすることを特徴とする高周波伝送線路。 - 金属筐体と、
前記金属筐体の線路配置面に裏面が接して配置される単層構成の第1の誘電体基板であって、
一方端の入出力ポートと他方端の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンであって、両端の入出力ポート側領域と、前記入出力ポート側領域より幅広である所定長の中央部領域とを有する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される2本の帯状表面グランド導体パターンとが表面に形成され、
前記信号導体パターンの中央部領域の直下に、前記中央部領域に対応した大きさの開口を有するように裏面グランド導体パターンが、裏面に形成され、
前記2本の帯状表面グランド導体パターンは、スルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される第1の誘電体基板と、
前記第1の誘電体基板における前記信号導体パターンの前記中央部領域の直上に配置され、前記中央部領域を覆う程度の大きさを有する多層構成または単層構成の第2の誘電体基板であって、前記第1の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第2の誘電体基板と、
前記2本の帯状表面グランド導体パターンと前記第2の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続する複数のバンプ導体と
を備え、
前記金属筐体の線路配置面に、前記開口の形成領域に対応する位置において前記開口の周縁から前記金属筐体内部に向かった所定深さ位置まで前記開口の内側に対応する部分が削除された空洞となる凹部が形成され、
前記信号導体パターンは、前記中央部領域をサスペンデッド線路構造とし、前記両端の入出力ポート側領域をマイクロストリップ線路構造とすることを特徴とする高周波伝送線路。 - 前記バンプ導体は、半田バンプまたは金属バンプであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。
- 前記第1の誘電体基板は、前記2本の帯状表面グランド導体パターンの前記信号導体パターンの前記中央部領域に対応する領域に、前記バンプ導体の接続箇所毎に該接続箇所を囲んでレジストを塗布した分離枠が形成され、
前記第2の誘電体基板は、前記裏面グランド導体パターンに、前記バンプ導体の接続箇所毎に該接続箇所を囲んでレジストを塗布した分離枠が形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。 - 前記第1の誘電体基板は、前記2本の帯状表面グランド導体パターンが、前記信号導体パターンの前記中央部領域に対応する領域において、前記バンプ導体の接続箇所毎に分離して形成され、
前記第2の誘電体基板は、表面に、全面を被覆する表面グランド導体パターンが形成され、前記裏面グランド導体パターンが、裏面全面ではなく、前記バンプ導体の接続箇所毎に分離して形成され、それぞれがスルーホールにより前記表面グランド導体パターンに接続されている
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。 - 前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板は、それぞれ同一の材質で形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。
- 前記バンプ導体は、半田バンプであることを特徴とする請求項6または7に記載の高周波伝送線路。
- 前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板は、それぞれセラミック基板であることを特徴とする請求項7に記載の高周波伝送線路。
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