JP5535600B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
20,30 内部電圧発生回路
40,50 制御回路
41 検知回路
42 オシレータ回路
43 制御信号出力回路
60 リファレンス電位生成回路
70 コマンドデコーダ
80 パワーオン検出回路
90 電源配線
100 内部電圧発生回路
CAP0,CAP1 キャパシタ
G1〜G3 ゲート回路
INV インバータ回路
Tr1〜Tr8,Tr11〜Tr16 トランジスタ(スイッチ)
Claims (11)
- 第1及び第2の電極を有するキャパシタを有し、前記キャパシタを第1の電圧にチャージするチャージ動作と、前記キャパシタの前記第1の電極に第2の電圧を印加して前記第2の電極に絶対値が前記第1及び第2の電圧よりも大きい第3の電圧を発生させるディスチャージ動作を繰り返すことにより内部電圧を発生する内部電圧発生回路と、
前記内部電圧発生回路がスタンバイ状態のときに、前記キャパシタに前記第1の電圧よりも小さい第4の電圧がかかるよう制御する制御回路と、を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第4の電圧は、前記キャパシタを前記第1の電圧にチャージする際に前記キャパシタの前記第2の電極に所定の電位を供給するトランジスタのしきい値以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第4の電圧がゼロであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記内部電圧発生回路は、前記内部電圧が供給される負荷に接続された出力スイッチをさらに有し、
前記制御回路は、前記内部電圧発生回路をスタンバイ状態とする場合には前記出力スイッチをオフ状態とすることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記制御回路は、前記内部電圧発生回路がアクティブ状態のときに、前記内部電圧を負荷に供給する電源配線の電圧が所定の電圧を超えた場合、前記内部電圧発生回路に前記チャージ動作を継続させることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記内部電圧発生回路と並列に設けられ、少なくとも前記内部電圧発生回路がスタンバイ状態である期間においてアクティブ状態となる別の内部電圧発生回路をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記別の内部電圧発生回路は常にアクティブ状態とされることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 第1及び第2の電極を有するキャパシタを有し、アクティブ状態において内部電圧を発生し、スタンバイ状態において前記内部電圧の発生を停止する内部電圧発生回路と、
前記内部電圧発生回路の動作を制御する制御回路と、を備え、
前記制御回路は、
前記内部電圧発生回路をアクティブ状態とする場合、前記キャパシタを所定の電圧に充電するチャージ動作と、前記第1の電極に与える電位を変化させることによって前記第2の電極に現れる電位を変化させるディスチャージ動作を交互に行い、
前記内部電圧発生回路をスタンバイ状態とする場合、前記チャージ動作を停止させ、
前記内部電圧発生回路は、前記内部電圧が供給される負荷に接続された出力スイッチをさらに有し、
前記制御回路は、前記内部電圧発生回路をスタンバイ状態とする場合には前記出力スイッチをオフ状態とすることを特徴とする半導体装置。 - 前記制御回路は、前記内部電圧発生回路がアクティブ状態のときに、前記内部電圧を負荷に供給する電源配線の電圧が所定の電圧を超えた場合、前記内部電圧発生回路に前記チャージ動作を継続させることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
- 第1及び第2の電極を有するキャパシタを有し、アクティブ状態において内部電圧を発生し、スタンバイ状態において前記内部電圧の発生を停止する内部電圧発生回路と、
前記内部電圧発生回路の動作を制御する制御回路と、を備え、
前記制御回路は、
前記内部電圧発生回路をアクティブ状態とする場合、前記キャパシタを所定の電圧に充電するチャージ動作と、前記第1の電極に与える電位を変化させることによって前記第2の電極に現れる電位を変化させるディスチャージ動作を交互に行い、
前記内部電圧発生回路をスタンバイ状態とする場合、前記チャージ動作を停止させ、
前記制御回路は、前記内部電圧発生回路がアクティブ状態のときに、前記内部電圧を負荷に供給する電源配線の電圧が所定の電圧を超えた場合、前記内部電圧発生回路に前記チャージ動作を継続させることを特徴とする半導体装置。 - 第1及び第2の電極を有するキャパシタと、
第1の電位を供給する第1の配線と、
第2の電位を供給する第2の配線と、
前記キャパシタの前記第1の電極と前記第1の配線との間に接続された第1のスイッチと、
前記キャパシタの前記第1の電極と前記第2の配線との間に接続された第2のスイッチと、
前記キャパシタの前記第2の電極と前記第2の配線との間に接続された第3のスイッチと、
少なくともステート信号に基づいて前記第1乃至第3のスイッチを制御する制御回路と、を備え、
前記制御回路は、
前記第1及び第3のスイッチをオンし前記第2のスイッチをオフする第1の制御状態と、前記第2のスイッチをオンし前記第1及び第3のスイッチをオフする第2の制御状態とを有し、
前記ステート信号が活性状態である場合には前記第1の制御状態と前記第2の制御状態を交互に繰り返し、
前記ステート信号が非活性状態である場合には前記第2の制御状態に保持する、ことを特徴とする半導体装置。
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