JP2011193579A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
半導体装置1aは、外部電源電圧VDDに応じた昇圧幅で内部電源電圧VCCを昇圧する昇圧回路10aと、外部電源電圧VDDと所定のリファレンス電圧VREF1とを比較する外部電圧レベル比較回路21aと、昇圧回路10aの出力端子に接続された可変抵抗を有する可変抵抗回路20aとを備え、可変抵抗回路20aは、外部電圧レベル比較回路21aの比較結果に応じて可変抵抗の抵抗値を制御する。
【選択図】図1
Description
2 電源端子
10a,10b 昇圧回路
11a,11b OSC回路
12 チャージポンプ回路
13 OSC制御回路
20a,20b 可変抵抗回路
21a,21b 外部電圧レベル比較回路
22,43,44,51 キャパシタ
30 内部回路
40 ブースター回路
41 基板電位生成回路
42 トランスファーゲート
45〜48,63,64,71〜76,78,80,82,83 Nチャンネル型トランジスタ
49〜53,65〜70,77,79.84〜86 Pチャンネル型トランジスタ
55a,55b ディレイライン
56 バッファ
57,81 インバータ
60a,60b 分圧回路
61a,61b 比較回路
62,R1〜R6,RA〜RF,RS,RX,RY 抵抗素子
87 配線
90,P1〜P5 比較器
91 NAND回路
SW1〜SW6 スイッチ素子
Claims (11)
- 外部電源電圧に応じた昇圧幅で内部電源電圧を昇圧する昇圧回路と、
前記外部電源電圧と所定のリファレンス電圧とを比較する比較回路と、
前記昇圧回路の出力端子に接続された可変抵抗を有する可変抵抗回路とを備え、
前記可変抵抗回路は、前記比較回路の比較結果に応じて、前記可変抵抗の抵抗値を制御する
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記外部電源電圧を分圧する分圧回路をさらに備え、
前記比較回路は、前記分圧回路から出力される前記外部電源電圧の分圧と前記リファレンス電圧とを比較する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記可変抵抗回路は、
前記分圧が前記リファレンス電圧より小さい場合に、前記可変抵抗を第1の抵抗値とし、
前記分圧が前記リファレンス電圧より大きい場合に、前記可変抵抗を前記第1の抵抗値より大きい第2の抵抗値とする
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記可変抵抗は、直列に接続された第1及び第2の抵抗素子を含み、
前記可変抵抗回路は、前記第2の抵抗素子と並列に接続されたスイッチ素子を有し、前記スイッチ素子をオンとすることにより前記可変抵抗を前記第1の抵抗値とするとともに、前記スイッチ素子をオフとすることにより前記可変抵抗を前記第2の抵抗値とする
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記可変抵抗は、並列に接続された第1及び第2の抵抗素子を含み、
前記可変抵抗回路は、前記第2の抵抗素子と直列に接続されたスイッチ素子を有し、前記スイッチ素子をオンとすることにより前記可変抵抗を前記第1の抵抗値とするとともに、前記スイッチ素子をオフとすることにより前記可変抵抗を前記第2の抵抗値とする
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記可変抵抗回路は、前記可変抵抗に流れる電流の値にも応じて、前記可変抵抗の抵抗値を制御する
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記可変抵抗回路は、
前記可変抵抗に流れる電流が相対的に小さい場合に、前記可変抵抗を相対的に大きい抵抗値とし、
前記可変抵抗に流れる電流が相対的に大きい場合に、前記可変抵抗を相対的に小さい抵抗値とする
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。 - 前記昇圧回路は、
クロック信号を生成するクロック回路と、
前記クロック信号に応じて前記内部電源電圧を昇圧するチャージポンプ回路とを有する
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記昇圧回路は、
前記可変抵抗回路から出力される前記内部電源電圧に応じて前記チャージポンプ回路の動作を制限する制御回路をさらに有する
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。 - 前記可変抵抗回路の出力端子とグランド配線の間に接続された平滑容量をさらに備える
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記リファレンス電圧は、前記外部電源電圧の規格値である
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の半導体装置。
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