JP5527047B2 - 増幅装置 - Google Patents
増幅装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5527047B2 JP5527047B2 JP2010147631A JP2010147631A JP5527047B2 JP 5527047 B2 JP5527047 B2 JP 5527047B2 JP 2010147631 A JP2010147631 A JP 2010147631A JP 2010147631 A JP2010147631 A JP 2010147631A JP 5527047 B2 JP5527047 B2 JP 5527047B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate bias
- unit
- amplifier
- signal
- aclr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
- H03F1/0272—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the output signal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
本件は、信号を増幅する増幅装置に関する。
近年、移動体通信基地局の送信系高出力増幅器にドハティ回路が広く用いられている。ドハティ回路の利点としては、単体増幅器や並列接続増幅器より飛躍的に電力効率がよいことが挙げられる。
ドハティ回路は、キャリアアンプとピークアンプとを有し、キャリアアンプはＡ級〜ＡＢ級にバイアスされ、ピークアンプはＣ級にバイアスされる（例えば、特許文献１〜４参照）。入力信号は２つに分けられ、一方はキャリアアンプに、もう一方はλ／４線路を介してピークアンプに入力される。
ドハティ回路は、入力信号が小信号時にはキャリアアンプだけが動作し、ピークアンプは動作しない。しかし、入力信号がＣ級バイアスされたピークアンプのピンチオフ電圧を超えるとピークアンプが立ち上がり、その出力信号はλ／４線路を介したキャリアアンプの出力信号と同位相で合成される。このように、ドハティ回路は、小信号時にキャリアアンプのみが動作していることなどから電力効率がよい。
なお、ドハティ回路は線形性が崩れるため混変調歪がよくない。そこで、歪をキャンセルする技術として、デジタルプリディストーション（以下、ＤＰＤ）を用いて歪補償を行うことが主流となっている。
しかし、ドハティ回路のゲートバイアスは固定であるため、温度変化によって最適動作点が変動すると、ゲートバイアスと最適動作点が異なり、電力効率が非効率になるという問題点があった。
また、入力される信号の周波数変化によって最適動作点が変動すると、ゲートバイアスと最適動作点が異なり、電力効率が非効率になるという問題点があった。
本件はこのような点に鑑みてなされたものであり、温度変化によって最適動作点が変動しても電力効率を高効率化することができる増幅装置を提供することを目的とする。
本件はこのような点に鑑みてなされたものであり、温度変化によって最適動作点が変動しても電力効率を高効率化することができる増幅装置を提供することを目的とする。
また、入力される信号の周波数変化によって最適動作点が変動しても電力効率を高効率化することができる増幅装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、信号を増幅する増幅装置が提供される。この増幅装置は、前記信号を増幅する第１の増幅器と前記信号が所定レベル以上になると前記信号を増幅する第２の増幅器とを備えた増幅部と、温度変化を検出する検出部と、前記検出部の温度変化の検出により前記増幅部から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する算出部と、前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、前記第１の増幅器および前記第２の増幅器のゲートバイアスを制御する制御部と、を有する。
また、上記課題を解決するために、信号を増幅する増幅装置が提供される。この増幅装置は、前記信号を増幅する第１の増幅器と前記信号が所定レベル以上になると前記信号を増幅する第２の増幅器とを備えた増幅部と、前記信号の周波数変化を検出する検出部と、前記検出部の周波数変化の検出により前記増幅部から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する算出部と、前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、前記第１の増幅器および前記第２の増幅器のゲートバイアスを制御する制御部と、を有する。
開示の装置によれば、温度変化によって最適動作点が変動しても電力効率を高効率化することができる。
また、入力される信号の周波数変化によって最適動作点が変動しても電力効率を高効率化することができる。
また、入力される信号の周波数変化によって最適動作点が変動しても電力効率を高効率化することができる。
以下、第１の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、第１の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。図１に示すように、増幅装置は、増幅部１、検出部２、算出部３、および制御部４を有している。
図１は、第１の実施の形態に係る増幅装置を示した図である。図１に示すように、増幅装置は、増幅部１、検出部２、算出部３、および制御部４を有している。
増幅部１は、第１の増幅器１ａと第２の増幅器１ｂを有している。第１の増幅器１ａは、入力される信号を増幅する。第２の増幅器１ｂは、入力される信号が所定レベル以上になると信号を増幅する。増幅部１は、例えば、ドハティ回路である。
検出部２は、温度変化を検出する。
算出部３は、検出部２の温度変化の検出により、増幅部１から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する。
算出部３は、検出部２の温度変化の検出により、増幅部１から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する。
制御部４は、算出部３によって算出された隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、第１の増幅器１ａおよび第２の増幅器１ｂのゲートバイアスを制御する。例えば、制御部４は、隣接チャネル漏洩電力比が所定の閾値よりも小さく、かつ、その所定の閾値に近づくようにゲートバイアスを制御する。所定の閾値は、例えば、増幅部１に要求される隣接チャネル漏洩電力比である。これにより、制御部４は、温度変化によって変動した最適動作点にゲートバイアスを近づけることができる。
このように、増幅装置は、温度変化を検出すると隣接チャネル漏洩電力比を算出し、算出した隣接チャネル漏洩電力比に基づいて増幅部１のゲートバイアスを制御する。これにより、増幅装置は、温度変化によって変動した最適動作点にゲートバイアスを制御することができ、温度変化によって最適動作点が変動しても電力効率を高効率化することができる。
次に、第２の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図２は、第２の実施の形態に係る増幅装置を適用した送信機のブロック図である。図２に示すように送信機は、ＤＰＤ１１、ＤＡＣ（Digital to Analog Converter）１２、発振器１３，１９、乗算器１４，２０、増幅器１５、ドハティ回路１６、カプラ１７、アイソレータ１８、ＡＤＣ（Analog to Digital Converter）２１、温度センサ２２、およびゲートバイアス制御部２３を有している。図２に示す送信機は、例えば、第３世代、第３．９世代の携帯電話の基地局に適用される。
図２は、第２の実施の形態に係る増幅装置を適用した送信機のブロック図である。図２に示すように送信機は、ＤＰＤ１１、ＤＡＣ（Digital to Analog Converter）１２、発振器１３，１９、乗算器１４，２０、増幅器１５、ドハティ回路１６、カプラ１７、アイソレータ１８、ＡＤＣ（Analog to Digital Converter）２１、温度センサ２２、およびゲートバイアス制御部２３を有している。図２に示す送信機は、例えば、第３世代、第３．９世代の携帯電話の基地局に適用される。
ＤＰＤ１１には、例えば、携帯電話などの受信機に送信するベースバンド信号（ＩＱ信号）が入力される。また、ＤＰＤ１１には、カプラ１７を介して、受信機に無線送信する信号のフィードバック信号が入力される。
受信機に無線送信する信号は、増幅器１５およびドハティ回路１６によって歪が生じる。ＤＰＤ１１は、受信機に無線送信する信号の歪補償をするための歪補償係数を算出し、入力されるベースバンド信号に算出した歪補償係数を乗算して信号の歪を補償する。ＤＰＤ１１は、入力されるベースバンド信号とフィードバック信号とに基づいて、歪補償係数を算出する。
ＤＡＣ１２は、ＤＰＤ１１から出力されるデジタルのベースバンド信号をアナログのベースバンド信号に変換し、乗算器１４に出力する。
乗算器１４は、ＤＡＣ１２から出力されるベースバンド信号に、発振器１３から出力される発振信号を乗算し、ＤＡＣ１２から出力されるベースバンド信号を無線周波数に周波数変換する。発振器１３は、例えば、ＰＬＬ（Phase Locked Loop）発振器である。
乗算器１４は、ＤＡＣ１２から出力されるベースバンド信号に、発振器１３から出力される発振信号を乗算し、ＤＡＣ１２から出力されるベースバンド信号を無線周波数に周波数変換する。発振器１３は、例えば、ＰＬＬ（Phase Locked Loop）発振器である。
増幅器１５は、乗算器１４から出力される信号を増幅する。ドハティ回路１６は、増幅器１５から出力される信号を所望の電力まで増幅し、カプラ１７に出力する。
ドハティ回路１６は、分配器１６ａ、キャリアアンプ１６ｂ、λ／４線路（図中λ／４）１６ｃ，１６ｄ、およびピークアンプ１６ｅを有している。
ドハティ回路１６は、分配器１６ａ、キャリアアンプ１６ｂ、λ／４線路（図中λ／４）１６ｃ，１６ｄ、およびピークアンプ１６ｅを有している。
分配器１６ａは、増幅器１５から出力される信号を電力分配し、キャリアアンプ１６ｂとピークアンプ１６ｅに出力する。
キャリアアンプ１６ｂから出力される信号は、λ／４線路１６ｃによって位相が９０度遅らされる。λ／４線路１６ｄは、ピークアンプ１６ｅに入力される信号の位相を９０度遅らせる。これにより、λ／４線路１６ｃから出力される信号と、ピークアンプ１６ｅから出力される信号は同相で合成され、カプラ１７に出力される。
キャリアアンプ１６ｂから出力される信号は、λ／４線路１６ｃによって位相が９０度遅らされる。λ／４線路１６ｄは、ピークアンプ１６ｅに入力される信号の位相を９０度遅らせる。これにより、λ／４線路１６ｃから出力される信号と、ピークアンプ１６ｅから出力される信号は同相で合成され、カプラ１７に出力される。
キャリアアンプ１６ｂは、Ａ級〜ＡＢ級で動作し、ピークアンプ１６ｅは、高効率のＣ級で動作する。ドハティ回路１６は、入力信号電圧がピークアンプ１６ｅのピンチオフ電圧を超えるまでは、キャリアアンプ１６ｂが単独で動作する。このとき、キャリアアンプ１６ｂの出力から見たインピーダンスは、例えば、ドハティ回路１６に接続される負荷のインピーダンスをＺｏ／２とすると２Ｚｏとなる。
ドハティ回路１６は、入力信号のレベルがピークアンプ１６ｅのピンチオフ電圧を超えると、ピークアンプ１６ｅが動作し始め、キャリアアンプ１６ｂとともに負荷を駆動する。このとき、キャリアアンプ１６ｂの出力からみたインピーダンスはＺｏに減少し、キャリアアンプ１６ｂは出力電圧を一定に維持するために最大効率で動作する。
カプラ１７は、ドハティ回路１６で増幅された信号をアイソレータ１８に出力するとともに、その信号の一部を乗算器２０に出力する。
アイソレータ１８は、カプラ１７から出力される信号をアンテナに出力する。また、アイソレータ１８は、アンテナによって受信された信号を、図２に図示していない受信機に出力する。受信機は、例えば、アンテナで受信された携帯電話からの信号の復調処理を行い、基地局の上位装置へ出力する。
アイソレータ１８は、カプラ１７から出力される信号をアンテナに出力する。また、アイソレータ１８は、アンテナによって受信された信号を、図２に図示していない受信機に出力する。受信機は、例えば、アンテナで受信された携帯電話からの信号の復調処理を行い、基地局の上位装置へ出力する。
乗算器２０は、カプラ１７から出力される信号に、発振器１９から出力される発振信号を乗算し、カプラ１７から出力される信号をベースバンド信号の周波数に周波数変換する。
ＡＤＣ２１は、乗算器２０から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換し、ＤＰＤ１１およびゲートバイアス制御部２３へ出力する。
温度センサ２２は、温度を測定する。ゲートバイアス制御部２３は、以下で詳細に説明するが、温度センサ２２によって測定された温度の変化に基づいて、ドハティ回路１６のキャリアアンプ１６ｂおよびピークアンプ１６ｅのゲートバイアスを制御する。
温度センサ２２は、温度を測定する。ゲートバイアス制御部２３は、以下で詳細に説明するが、温度センサ２２によって測定された温度の変化に基づいて、ドハティ回路１６のキャリアアンプ１６ｂおよびピークアンプ１６ｅのゲートバイアスを制御する。
ドハティ回路１６について詳細に説明する。
図３は、ドハティ回路の詳細を示した図である。図３に示すように、ドハティ回路１６は、分配器３１、キャリアアンプ３２、λ／４線路３３，３４、ピークアンプ３５を有している。図３に示す分配器３１、キャリアアンプ３２、λ／４線路３３，３４、およびピークアンプ３５のそれぞれは、図２のドハティ回路１６の分配器１６ａ、キャリアアンプ１６ｂ、λ／４線路１６ｃ，１６ｄ、およびピークアンプ１６ｅのそれぞれに対応する。
図３は、ドハティ回路の詳細を示した図である。図３に示すように、ドハティ回路１６は、分配器３１、キャリアアンプ３２、λ／４線路３３，３４、ピークアンプ３５を有している。図３に示す分配器３１、キャリアアンプ３２、λ／４線路３３，３４、およびピークアンプ３５のそれぞれは、図２のドハティ回路１６の分配器１６ａ、キャリアアンプ１６ｂ、λ／４線路１６ｃ，１６ｄ、およびピークアンプ１６ｅのそれぞれに対応する。
キャリアアンプ３２は、整合回路３２ａ，３２ｂおよびトランジスタＭ１１を有している。整合回路３２ａは、分配器３１とトランジスタＭ１１のゲートのインピーダンスを整合している。整合回路３２ｂは、トランジスタＭ１１のドレインとλ／４線路３３のインピーダンスを整合している。
トランジスタＭ１１のドレインは電源に接続され、ソースはグランドに接続されている。トランジスタＭ１１のゲートは、端子Ｔ１１を介して、図２に示すゲートバイアス制御部２３と接続されている。トランジスタＭ１１のゲートには、ゲートバイアス制御部２３から、トランジスタＭ１１がＡ級〜ＡＢ級動作をするためのゲートバイアスが入力される。
ピークアンプ３５は、整合回路３５ａ，３５ｂおよびトランジスタＭ１２を有している。整合回路３５ａは、λ／４線路３４とトランジスタＭ１２のゲートのインピーダンスを整合している。整合回路３５ｂは、トランジスタＭ１２のドレインと負荷のインピーダンスを整合している。
トランジスタＭ１２のドレインは電源に接続され、ソースはグランドに接続されている。トランジスタＭ１２のゲートは、端子Ｔ１２を介して、図２に示すゲートバイアス制御部２３と接続されている。トランジスタＭ１２のゲートには、ゲートバイアス制御部２３から、トランジスタＭ１２がＣ級動作をするためのゲートバイアスが入力される。
図４は、ドハティ回路の出力電力と電力効率の関係を示した図である。図４に示すグラフの横軸はドハティ回路１６の出力電力を示し、縦軸は電力効率を示す。
ドハティ回路１６は、出力電力が小さいとき（入力信号が小信号のとき）、キャリアアンプ３２のみが動作する。ドハティ回路１６は、入力信号が大きくなり、出力電力が図４の点線Ａ１１に示すピークアンプ立ち上がりポイントになると、ピークアンプ３５が動作し始める。ドハティ回路１６の電力効率は、出力信号が小信号時には、出力信号の上昇とともに上昇し、出力信号が大信号時には、ほぼ横ばいとなる。
ドハティ回路１６は、出力電力が小さいとき（入力信号が小信号のとき）、キャリアアンプ３２のみが動作する。ドハティ回路１６は、入力信号が大きくなり、出力電力が図４の点線Ａ１１に示すピークアンプ立ち上がりポイントになると、ピークアンプ３５が動作し始める。ドハティ回路１６の電力効率は、出力信号が小信号時には、出力信号の上昇とともに上昇し、出力信号が大信号時には、ほぼ横ばいとなる。
ドハティ回路１６のゲートバイアスとＡＣＬＲ（隣接チャネル漏洩電力比：Adjacent Channel Leakage Power Ratio）の関係およびゲートバイアスと電力効率の関係について説明する。
図５は、ドハティ回路のゲートバイアスとＡＣＬＲの関係およびゲートバイアスと電力効率の関係を説明する図である。図５に示すグラフの横軸はドハティ回路１６のゲートバイアスを示し、縦軸はＡＣＬＲおよび電力効率を示す。以下では、説明を簡単にするために、ドハティ回路１６のキャリアアンプ３２とピークアンプ３５のゲートバイアスを区別せずにゲートバイアスとして説明する場合がある。
図５に示す直線Ｂ１１は、ゲートバイアスとＡＣＬＲとの関係を示している。直線Ｂ１１に示すように、ドハティ回路１６はゲートバイアスを低くすると、ＡＣＬＲは悪化し、ゲートバイアスを高くすると、ＡＣＬＲはよくなる。
図５に示す直線Ｂ１２は、ゲートバイアスと電力効率との関係を示している。直線Ｂ１２に示すように、ドハティ回路１６はゲートバイアスを低くすると、電力効率はよくなり、ゲートバイアスを高くすると電力効率は悪化する。
以上より、ＡＣＬＲと電力効率は、ゲートバイアスに対してトレードオフの関係を有する。
ＡＣＬＲは、３ＧＰＰ（3rd Generation Partnership Project）やＩＥＥＥ（The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.）において規格が定められている。ドハティ回路１６のゲートバイアスの最適動作点は、キャリアアンプ３２がＡ級〜ＡＢ級で動作し、ピークアンプ３５がＣ級で動作し、ドハティ回路１６がＡＣＬＲ規格を満足し、さらに電力効率が最も良くなるポイントである。
ＡＣＬＲは、３ＧＰＰ（3rd Generation Partnership Project）やＩＥＥＥ（The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.）において規格が定められている。ドハティ回路１６のゲートバイアスの最適動作点は、キャリアアンプ３２がＡ級〜ＡＢ級で動作し、ピークアンプ３５がＣ級で動作し、ドハティ回路１６がＡＣＬＲ規格を満足し、さらに電力効率が最も良くなるポイントである。
例えば、ドハティ回路１６に設定するＡＣＬＲは、図５の点線Ａ２１に示すように、ＡＣＬＲ規格より小さい値に設定する。これは、ＡＣＬＲに対してマージンを持たせ、ドハティ回路１６が温度変化等によってもＡＣＬＲ規格を満足するようにするためである。
ドハティ回路１６の最適動作点は、ドハティ回路１６のＡＣＬＲがこの設定した点線Ａ２１のＡＣＬＲより小さく、かつ、電力効率が最も良くなるポイントである。図５の場合、ゲートバイアスＶｂ１が最適動作点となる。
ドハティ回路１６のＡＣＬＲおよび電力効率は温度によって変化する。例えば、図５の矢印に示すように、直線Ｂ１１，Ｂ１２は、温度によって上下に移動する。この場合、ゲートバイアスの最適動作点が変動する。
例えば、図５において、温度変化により、直線Ｂ１１，Ｂ１２が下方に移動したとする。この場合、ゲートバイアスの最適動作点は、図５に示すゲートバイアスＶｂ１より低くなる。
そこで、図２に示したゲートバイアス制御部２３は、温度変化を検出して、ドハティ回路１６のゲートバイアスを、温度変化によって移動した最適動作点となるように制御する。これにより、ゲートバイアスがＶｂ１のときよりも、電力効率を高効率化することができる。
図６は、ゲートバイアス制御部のブロック図である。図６に示すように、ゲートバイアス制御部２３は、温度変化検出部４１、ＦＢ（フィードバック）電力算出部４２、ＦＢ電力記憶部４３、ＦＦＴ（Fast Fourier Transform）部４４、ＡＣＬＲ算出部４５、ＡＣＬＲ比較部４６、ＧＢ（ゲートバイアス）セレクト部４７、ＧＢ算出部４８，５１、ＧＢ記憶部４９，５２、およびＧＢ回路５０，５３を有している。図６に示す温度変化検出部４１、ＦＢ電力算出部４２、ＦＢ電力記憶部４３、ＦＦＴ部４４、ＡＣＬＲ算出部４５、ＡＣＬＲ比較部４６、ＧＢセレクト部４７、ＧＢ算出部４８，５１、およびＧＢ記憶部４９，５２は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やメモリなどによって形成することができる。
温度変化検出部４１には、温度センサ２２によって測定された温度が入力される。温度変化検出部４１は、温度センサ２２からの温度に基づいて、温度変化を検出する。例えば、温度変化検出部４１は、温度が所定温度上昇しまたは所定温度下降した場合、温度変化があったと検出する。
ＦＢ電力算出部４２は、温度変化検出部４１によって温度変化が検出されると、ＡＤＣ２１から出力されるフィードバック信号の電力を算出する。
ＦＢ電力記憶部４３は、ＦＢ電力算出部４２によって算出されたフィードバック信号の電力を記憶する。
ＦＢ電力記憶部４３は、ＦＢ電力算出部４２によって算出されたフィードバック信号の電力を記憶する。
ＦＦＴ部４４は、フィードバック信号のＦＦＴ処理を行い、タイムドメインのフィードバック信号を周波数ドメインのデータに変換する。
ＡＣＬＲ算出部４５は、ＦＦＴ部４４によって算出された周波数ドメインのデータに基づいて、キャリア帯域電力と歪帯域電力を算出してＡＣＬＲを算出する。
ＡＣＬＲ算出部４５は、ＦＦＴ部４４によって算出された周波数ドメインのデータに基づいて、キャリア帯域電力と歪帯域電力を算出してＡＣＬＲを算出する。
ＡＣＬＲ比較部４６は、ＡＣＬＲ算出部４５によって算出されたＡＣＬＲと、ＡＣＬＲ閾値とを比較する。ＡＣＬＲ閾値は、ＡＣＬＲの規格値に設定してもよいし、上記で説明したように、ＡＣＬＲ規格値にマージンを持たせた値であってもよい。
ＧＢセレクト部４７は、ＦＢ電力記憶部４３に記憶されているフィードバック信号の電力に基づいて、ピークアンプ３５が動作しているか否か判断する。ＧＢセレクト部４７は、フィードバック信号の電力によってドハティ回路１６の出力電力を知ることができ、図４で説明したように、出力電力に基づいてピークアンプ１６ｅが動作しているか否か判断することができる。
例えば、ＧＢセレクト部４７は、フィードバック信号の電力が所定の電力閾値より小さい場合、ピークアンプ１６ｅは動作していないと判断することができる。所定の電力閾値は、例えば、図４の点線Ａ１１に示すピークアンプ立ち上がりポイントから、ＰＡＰＲ（Peak to Average Power Ratio）を減算した値とする。
ＧＢセレクト部４７は、ピークアンプ３５の動作判断結果に基づいて、キャリアアンプ１６ｂのゲートバイアスを変化させるか、ピークアンプ１６ｅのゲートバイアスを変化させるかを判断する。例えば、ＧＢセレクト部４７は、ピークアンプ３５が動作していないと判断した場合、キャリアアンプ１６ｂのゲートバイアスを変化させると判断し、ピークアンプ３５が動作していると判断した場合、ピークアンプ１６ｅのゲートバイアスを変化させると判断する。
図６に示す点線枠Ｃ１１は、キャリアアンプ１６ｂのゲートバイアスを変化させる制御部を示し、点線枠Ｃ１２は、ピークアンプ１６ｅのゲートバイアスを変化させる制御部を示している。
点線枠Ｃ１１に示すＧＢ算出部４８は、ＧＢセレクト部４７によって、ピークアンプ１６ｅが動作していないと判断された場合、キャリアアンプ１６ｂに供給するゲートバイアスを算出する。ＧＢ算出部４８は、ＡＣＬＲ比較部４６の比較結果とＧＢ記憶部４９に記憶されているゲートバイアスに基づいて、キャリアアンプ１６ｂのゲートバイアスを算出する。ＧＢ算出部４８は、算出したゲートバイアスをＧＢ回路５０に出力し、ＧＢ記憶部４９に記憶する。
例えば、ＧＢ算出部４８は、ＡＣＬＲ比較部４６によって、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さいと判断された場合、ＧＢ記憶部４９に記憶されているゲートバイアスから所定の値を減算する。すなわち、ＧＢ算出部４８は、ＡＣＬＲ比較部４６によって、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さいと判断された場合、前回算出したゲートバイアスから所定の値を減算する。ＧＢ算出部４８は、算出したゲートバイアスをＧＢ回路５０に出力し、ＧＢ記憶部４９に記憶する。
一方、ＧＢ算出部４８は、ＡＣＬＲ比較部４６によって、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上と判断された場合、ＧＢ記憶部４９に記憶されているゲートバイアスに所定の値を加算する。すなわち、ＧＢ算出部４８は、ＡＣＬＲ比較部４６によって、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上と判断された場合、前回算出したゲートバイアスに所定の値を加算する。ＧＢ算出部４８は、算出したゲートバイアスをＧＢ回路５０に出力し、ＧＢ記憶部４９に記憶する。
ＧＢ回路５０は、ＧＢ算出部４８によって算出されたデジタルのゲートバイアス値を電圧に変換してキャリアアンプ１６ｂに出力する。
点線枠Ｃ１２に示すＧＢ算出部５１は、ＧＢセレクト部４７によって、ピークアンプ１６ｅが動作していると判断された場合、ピークアンプ１６ｅに供給するゲートバイアスを算出する。ＧＢ算出部５１は、ＡＣＬＲ比較部４６の比較結果とＧＢ記憶部５２に記憶されているゲートバイアスに基づいて、ピークアンプ１６ｅのゲートバイアスを算出する。ＧＢ算出部５１は、算出したゲートバイアスをＧＢ回路５３に出力し、ＧＢ記憶部５２に記憶する。
点線枠Ｃ１２に示すＧＢ算出部５１は、ＧＢセレクト部４７によって、ピークアンプ１６ｅが動作していると判断された場合、ピークアンプ１６ｅに供給するゲートバイアスを算出する。ＧＢ算出部５１は、ＡＣＬＲ比較部４６の比較結果とＧＢ記憶部５２に記憶されているゲートバイアスに基づいて、ピークアンプ１６ｅのゲートバイアスを算出する。ＧＢ算出部５１は、算出したゲートバイアスをＧＢ回路５３に出力し、ＧＢ記憶部５２に記憶する。
例えば、ＧＢ算出部５１は、ＡＣＬＲ比較部４６によって、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さいと判断された場合、ＧＢ記憶部４９に記憶されているゲートバイアスから所定の値を減算する。すなわち、ＧＢ算出部５１は、ＡＣＬＲ比較部４６によって、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さいと判断された場合、前回算出したゲートバイアスから所定の値を減算する。ＧＢ算出部５１は、算出したゲートバイアスをＧＢ回路５３に出力し、ＧＢ記憶部５２に記憶する。
一方、ＧＢ算出部５１は、ＡＣＬＲ比較部４６によって、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上と判断された場合、ＧＢ記憶部５２に記憶されているゲートバイアスに所定の値を加算する。すなわち、ＧＢ算出部５１は、ＡＣＬＲ比較部４６によって、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上と判断された場合、前回算出したゲートバイアスに所定の値を加算する。ＧＢ算出部５１は、算出したゲートバイアスをＧＢ回路５３に出力し、ＧＢ記憶部５２に記憶する。
ＧＢ回路５３は、ＧＢ算出部５１によって算出されたデジタルのゲートバイアス値を電圧に変換してピークアンプ１６ｅに出力する。
図７は、ＧＢ回路を示した図である。図７では、ＧＢ回路５０について説明するが、ＧＢ回路５３もＧＢ回路５０と同様の回路を有している。
図７は、ＧＢ回路を示した図である。図７では、ＧＢ回路５０について説明するが、ＧＢ回路５３もＧＢ回路５０と同様の回路を有している。
図７に示すように、ＧＢ回路５０は、抵抗Ｒ１とデジタルポテンショメータＰＭ１を有している。抵抗Ｒ１とデジタルポテンショメータＰＭ１は、電源とグランドの間に直列に接続され、抵抗Ｒ１とデジタルポテンショメータＰＭ１の接続点は、図３に示した端子Ｔ１１を介して、トランジスタＭ１１のゲートに接続されている。
デジタルポテンショメータＰＭ１には、ＧＢ算出部４８によって算出されたデジタルのゲートバイアスが入力される。デジタルポテンショメータＰＭ１は、入力されるデジタルのゲートバイアス値に応じて抵抗値が変化し、抵抗Ｒ１とデジタルポテンショメータＰＭ１の接続点からは、ゲートバイアスに比例した値の電圧が出力される。
図８、図９は、ゲートバイアス制御部の動作を示したフローチャートである。
［ステップＳ１］温度変化検出部４１は、温度センサ２２が測定した温度に基づいて、温度変化を検出する。例えば、温度変化検出部４１は、温度センサ２２が測定した温度が所定温度上昇しまたは所定温度下降した場合、温度変化があったと検出する。
［ステップＳ１］温度変化検出部４１は、温度センサ２２が測定した温度に基づいて、温度変化を検出する。例えば、温度変化検出部４１は、温度センサ２２が測定した温度が所定温度上昇しまたは所定温度下降した場合、温度変化があったと検出する。
［ステップＳ２］ＦＢ電力算出部４２は、温度変化検出部４１によって温度変化が検出されると、ＡＤＣ２１から出力されるフィードバック信号の電力を算出する。ＦＢ電力算出部４２は、算出したフィードバック信号の電力をＦＢ電力記憶部４３に記憶する。
［ステップＳ３］ＦＦＴ部４４は、ＡＤＣ２１から出力されるフィードバック信号のＦＦＴ処理を行い、タイムドメインのフィードバック信号を周波数ドメインのデータに変換する。
［ステップＳ４］ＡＣＬＲ算出部４５は、ＦＦＴ部４４によって算出された周波数ドメインのデータに基づいて、キャリア帯域電力と歪帯域電力を算出してＡＣＬＲを算出する。
［ステップＳ５］ＡＣＬＲ比較部４６は、ＡＣＬＲ算出部４５によって算出されたＡＣＬＲと、ＡＣＬＲ閾値とを比較する。ＡＣＬＲ比較部４６は、算出されたＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さい場合、電力効率を向上させるためステップＳ６へ進む。ＡＣＬＲ比較部４６は、算出されたＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上の場合、ドハティ回路１６がＡＣＬＲ閾値を満たすようにするためステップＳ９へ進む。
［ステップＳ６］ＧＢセレクト部４７は、ＦＢ電力記憶部４３に記憶されているフィードバック信号の電力に基づいて、ドハティ回路１６の出力電力が大信号であるか否か判断する。すなわち、ＧＢセレクト部４７は、ピークアンプ３５が動作しているか否か判断する。ＧＢセレクト部４７は、ドハティ回路１６の出力電力が大信号であると判断した場合、ピークアンプ１６ｅのゲートバイアスを制御するためステップＳ７へ進む。ＧＢセレクト部４７は、ドハティ回路１６の出力電力が大信号でないと判断した場合、すなわち、小信号であると判断した場合、キャリアアンプ１６ｂのゲートバイアスを制御するためステップＳ８へ進む。
［ステップＳ７］ＧＢ算出部５１は、ピークアンプ１６ｅに供給するゲートバイアスを算出する。ＧＢ算出部５１は、ステップＳ５にてＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さいと判断されているので、ＧＢ記憶部５２に記憶されている、現在ピークアンプ１６ｅに出力されているゲートバイアスから、所定の値を減算する。
例えば、ＧＢ算出部５１は、ピークアンプ１６ｅに出力されている現在のゲートバイアス電圧が０．１Ｖ低くなるように、ＧＢ記憶部５２に記憶されているゲートバイアスから、所定の値を減算する。算出されたゲートバイアスは、ＧＢ回路５３に出力され、現在より０．１Ｖ低いゲートバイアス電圧がピークアンプ１６ｅのトランジスタのゲートに出力される。
ＧＢ算出部５１は、算出したゲートバイアスをＧＢ記憶部５２に記憶し、算出したゲートバイアスでドハティ回路１６がＡＣＬＲ閾値を満たすかどうか判断するためにステップＳ３へ進む。
［ステップＳ８］ＧＢ算出部４８は、キャリアアンプ１６ｂに供給するゲートバイアスを算出する。ＧＢ算出部４８は、ステップＳ５にてＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さいと判断されているので、ＧＢ記憶部４９に記憶されている、現在キャリアアンプ１６ｂに出力されているゲートバイアスから、所定の値を減算する。
例えば、ＧＢ算出部４８は、キャリアアンプ１６ｂに出力されている現在のゲートバイアス電圧が０．０５Ｖ低くなるように、ＧＢ記憶部４９に記憶されているゲートバイアスから、所定の値を減算する。算出されたゲートバイアスは、ＧＢ回路５０に出力され、現在より０．０５Ｖ低いゲートバイアス電圧がキャリアアンプ１６ｂのトランジスタＭ１１のゲートに出力される。
ＧＢ算出部４８は、算出したゲートバイアスをＧＢ記憶部４９に記憶し、算出したゲートバイアスでドハティ回路１６がＡＣＬＲ閾値を満たすかどうか判断するためにステップＳ３へ進む。
［ステップＳ９］ＧＢセレクト部４７は、ＦＢ電力記憶部４３に記憶されているフィードバック信号の電力に基づいて、ドハティ回路１６の出力電力が大信号であるか否か判断する。すなわち、ＧＢセレクト部４７は、ピークアンプ３５が動作しているか否か判断する。ＧＢセレクト部４７は、ドハティ回路１６の出力電力が大信号であると判断した場合、ピークアンプ１６ｅのゲートバイアスを制御するためステップＳ１０へ進む。ＧＢセレクト部４７は、ドハティ回路１６の出力電力が大信号でないと判断した場合、すなわち、小信号であると判断した場合、キャリアアンプ１６ｂのゲートバイアスを制御するためステップＳ１１へ進む。
［ステップＳ１０］ＧＢ算出部５１は、ピークアンプ１６ｅに供給するゲートバイアスを算出する。ＧＢ算出部５１は、ステップＳ５にてＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上と判断されているので、ＧＢ記憶部５２に記憶されている、現在ピークアンプ１６ｅに出力されているゲートバイアスに所定の値を加算する。
例えば、ＧＢ算出部５１は、ピークアンプ１６ｅに出力されている現在のゲートバイアス電圧が０．１Ｖ高くなるように、ＧＢ記憶部５２に記憶されているゲートバイアスに所定の値を加算する。算出されたゲートバイアスは、ＧＢ回路５３に出力され、現在より０．１Ｖ高いゲートバイアス電圧がピークアンプ１６ｅのトランジスタＭ１２のゲートに出力される。
ＧＢ算出部５１は、算出したゲートバイアスをＧＢ記憶部５２に記憶し、算出したゲートバイアスでドハティ回路１６がＡＣＬＲ閾値を満たすかどうか判断するためにステップＳ１２へ進む。
［ステップＳ１１］ＧＢ算出部４８は、キャリアアンプ１６ｂに供給するゲートバイアスを算出する。ＧＢ算出部４８は、ステップＳ５にてＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上と判断されているので、ＧＢ記憶部４９に記憶されている、現在キャリアアンプ１６ｂに出力されているゲートバイアスに所定の値を加算する。
例えば、ＧＢ算出部４８は、キャリアアンプ１６ｂに出力されている現在のゲートバイアス電圧が０．０５Ｖ高くなるように、ＧＢ記憶部４９に記憶されているゲートバイアスに所定の値を加算する。算出されたゲートバイアスは、ＧＢ回路５０に出力され、現在より０．０５Ｖ高いゲートバイアス電圧がキャリアアンプ１６ｂのトランジスタＭ１１のゲートに出力される。
ＧＢ算出部４８は、算出したゲートバイアスをＧＢ記憶部４９に記憶し、算出したゲートバイアスでドハティ回路１６がＡＣＬＲ閾値を満たすかどうか判断するためにステップＳ１２へ進む。
［ステップＳ１２］ＦＦＴ部４４は、ＡＤＣ２１から出力されるフィードバック信号のＦＦＴ処理を行い、タイムドメインのフィードバック信号を周波数ドメインのデータに変換する。
［ステップＳ１３］ＡＣＬＲ算出部４５は、ＦＦＴ部４４によって算出された周波数ドメインのデータに基づいて、キャリア帯域電力と歪帯域電力を算出してＡＣＬＲを算出する。
［ステップＳ１４］ＡＣＬＲ比較部４６は、ＡＣＬＲ算出部４５によって算出されたＡＣＬＲと、ＡＣＬＲ閾値とを比較する。ＡＣＬＲ比較部４６は、算出されたＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さい場合、処理を終了する。ＡＣＬＲ比較部４６は、算出されたＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上の場合、ドハティ回路１６がＡＣＬＲ閾値を満たすようにするためステップＳ９へ進む。
次に、キャリアアンプ１６ｂとピークアンプ１６ｅによってゲートバイアスの変化させる大きさが異なる理由について説明する。
図１０は、供給するゲートバイアスの大きさが異なる理由を説明する図である。図１０には、トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓとドレインを流れるドレイン電流Ｉｄとの関係が示してある。
図１０は、供給するゲートバイアスの大きさが異なる理由を説明する図である。図１０には、トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓとドレインを流れるドレイン電流Ｉｄとの関係が示してある。
図１０に示すように、トランジスタをＣ級で動作させた場合と、ＡＢ級で動作させた場合とでは、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの変化に対するドレイン電流Ｉｄの変化の大きさが異なる。例えば、図１０に示すように、ＡＢ級の方が、Ｃ級に対し、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの変化に対するドレイン電流Ｉｄの変化が大きい。
そこで、Ａ級〜ＡＢ級で動作するキャリアアンプ１６ｂのゲートバイアスを変化させる大きさは、Ｃ級で動作するピークアンプ１６ｅより小さくする。これにより、キャリアアンプ１６ｂのトランジスタのドレイン電流を、ピークアンプ１６ｅと同じように細かく制御できるようになる。
例えば、図８、図９のフローチャートで説明したように、ピークアンプ１６ｅのゲートバイアスは、０．１Ｖ単位で変化させるのに対し、キャリアアンプ１６ｂのゲートバイアスは、それよりも小さい０．０５Ｖ単位で変化させる。
例えば、図８、図９のフローチャートで説明したように、ピークアンプ１６ｅのゲートバイアスは、０．１Ｖ単位で変化させるのに対し、キャリアアンプ１６ｂのゲートバイアスは、それよりも小さい０．０５Ｖ単位で変化させる。
このように、送信機の増幅装置は、温度変化を検出すると、ＡＣＬＲを算出し、算出したＡＣＬＲとＡＣＬＲ閾値とを比較する。そして、増幅装置は、算出したＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さければ、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値を満たす範囲でゲートバイアスを下げていき、ゲートバイアスをドハティ回路１６の最適動作点に制御する。また、増幅装置は、算出したＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上であれば、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値を満たすようにゲートバイアスを上げていき、ドハティ回路１６の最適動作点に制御する。これにより、増幅装置は、ゲートバイアスを温度変化によって変動した最適動作点に制御することができ、電力効率を高効率化することができる。
次に、第３の実施の形態について説明する。第２の実施の形態では、増幅装置は温度変化に基づいてドハティ回路のゲートバイアスを変化させた。第３の実施の形態では、増幅装置は周波数変化に基づいてドハティ回路のゲートバイアスを変化させる。なお、ドハティ回路の最適動作点は、図５で説明したように、温度によって変化するが、入力される信号の周波数によっても変化する。例えば、図５に示した直線Ｂ１１，Ｂ１２は、ドハティ回路に入力される信号の周波数によって上下に移動する。
図１１は、第３の実施の形態に係る増幅装置を適用した送信機のブロック図である。図１１において図２と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。
図１１の送信機は、ユーザの仕様に合わせて無線周波数を設定することができるようになっている。ユーザの設定した無線周波数は、ＤＰＤ６１から周波数制御情報として発振器６２，６３に出力される。周波数制御情報には、送信機に設定する無線周波数の情報が含まれている。
図１１の送信機は、ユーザの仕様に合わせて無線周波数を設定することができるようになっている。ユーザの設定した無線周波数は、ＤＰＤ６１から周波数制御情報として発振器６２，６３に出力される。周波数制御情報には、送信機に設定する無線周波数の情報が含まれている。
発振器６２，６３は、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報に応じて、ユーザの設定する無線周波数の発振信号を出力する。発振器６２，６３は、例えば、ＰＬＬ発振器である。
送信機は、初期設定として所定の無線周波数が設定されている。例えば、送信機は、工場出荷時に所定の（初期設定の）無線周波数が設定される。ユーザは、工場出荷時と異なる無線周波数で送信機を使用したい場合には、電源投入前または電源投入後に使用したい無線周波数を送信機に設定する。
ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報は、ゲートバイアス制御部６４にも出力される。ゲートバイアス制御部６４は、周波数制御情報に基づいて、発振器６２，６３に設定される周波数の変化を検出し、ドハティ回路１６のゲートバイアスを変化させる。
ゲートバイアス制御部６４は、例えば、工場出荷時に、初期設定された無線周波数において、最適動作点のゲートバイアスを出力するようになっている。このため、例えば、ユーザが電源投入前に送信機の無線周波数を変更した場合、ゲートバイアス制御部６４から出力されるゲートバイアスは最適動作点とは異なってしまう。そこで、ゲートバイアス制御部６４は、初期設定された周波数制御情報と、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報の周波数制御情報との違いによって無線周波数の変化を検出し、ゲートバイアスをユーザの設定する無線周波数に対応した最適動作点となるように変化させる。
また、電源投入後にユーザが送信機の無線周波数を変更した場合、ＤＰＤ６１からは、ユーザが変更した無線周波数に対応した周波数制御情報が出力される。ゲートバイアス制御部６４は、変更前の周波数制御情報と変更後の周波数制御情報の違いによって、無線周波数の変化を検出し、ゲートバイアスをユーザの設定する無線周波数に対応した最適動作点となるように変化させる。
図１２は、ゲートバイアス制御部のブロック図である。図１２において図６と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。
図１２では、図６に対し周波数変化検出部７１が異なる。周波数変化検出部７１は、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報に基づいて、発振器６２，６３の周波数変更があったか否か判断する。図１２に示すＦＢ電力算出部４２、ＦＢ電力記憶部４３、ＦＦＴ部４４、ＡＣＬＲ算出部４５、ＡＣＬＲ比較部４６、ＧＢセレクト部４７、ＧＢ算出部４８，５１、ＧＢ記憶部４９，５２、およびＧＢ回路５０，５３は、周波数変化検出部７１によって無線周波数の変化が検出されると、ゲートバイアスの最適動作点を算出して変更する。
図１２では、図６に対し周波数変化検出部７１が異なる。周波数変化検出部７１は、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報に基づいて、発振器６２，６３の周波数変更があったか否か判断する。図１２に示すＦＢ電力算出部４２、ＦＢ電力記憶部４３、ＦＦＴ部４４、ＡＣＬＲ算出部４５、ＡＣＬＲ比較部４６、ＧＢセレクト部４７、ＧＢ算出部４８，５１、ＧＢ記憶部４９，５２、およびＧＢ回路５０，５３は、周波数変化検出部７１によって無線周波数の変化が検出されると、ゲートバイアスの最適動作点を算出して変更する。
周波数変化検出部７１は、周波数変化があった場合、ＤＰＤ６１から出力された周波数制御情報を記憶する。周波数変化検出部７１は、次にＤＰＤ６１から周波数制御情報が出力されると、その周波数制御情報と記憶した周波数制御情報とに基づいて、無線周波数の変更があったか否かを判断する。
図１３、図１４は、ゲートバイアス制御部の動作を示したフローチャートである。
［ステップＳ２１］周波数変化検出部７１は、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報に基づいて、発振器６２，６３の周波数変更があったか否か判断する。例えば、周波数変化検出部７１は、記憶している周波数制御情報と、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報に基づいて無線周波数の変化を判断する。ゲートバイアス制御部６４は、無線周波数の変化があった場合、以下のステップの処理を行って、ドハティ回路１６のゲートバイアスが最適動作点となるように制御する。
［ステップＳ２１］周波数変化検出部７１は、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報に基づいて、発振器６２，６３の周波数変更があったか否か判断する。例えば、周波数変化検出部７１は、記憶している周波数制御情報と、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報に基づいて無線周波数の変化を判断する。ゲートバイアス制御部６４は、無線周波数の変化があった場合、以下のステップの処理を行って、ドハティ回路１６のゲートバイアスが最適動作点となるように制御する。
［ステップＳ２２〜Ｓ３４］ステップＳ２２〜Ｓ３４の処理は、図８、図９で説明したフローチャートのステップＳ２〜Ｓ１４と同様の処理を行い、その説明を省略する。
このように、送信機の増幅装置は、ドハティ回路１６に入力される信号の周波数変化を検出すると、ＡＣＬＲを算出し、算出したＡＣＬＲとＡＣＬＲ閾値とを比較する。そして、増幅装置は、算出したＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さければ、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値を満たす範囲でゲートバイアスを下げていき、ゲートバイアスをドハティ回路１６の最適動作点に制御する。また、増幅装置は、算出したＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上であれば、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値を満たすようにゲートバイアスを上げていき、ドハティ回路１６の最適動作点に制御する。これにより、増幅装置は、ゲートバイアスを周波数変化によって変動した最適動作点に制御することができ、電力効率を高効率化することができる。
このように、送信機の増幅装置は、ドハティ回路１６に入力される信号の周波数変化を検出すると、ＡＣＬＲを算出し、算出したＡＣＬＲとＡＣＬＲ閾値とを比較する。そして、増幅装置は、算出したＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さければ、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値を満たす範囲でゲートバイアスを下げていき、ゲートバイアスをドハティ回路１６の最適動作点に制御する。また、増幅装置は、算出したＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上であれば、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値を満たすようにゲートバイアスを上げていき、ドハティ回路１６の最適動作点に制御する。これにより、増幅装置は、ゲートバイアスを周波数変化によって変動した最適動作点に制御することができ、電力効率を高効率化することができる。
次に、第４の実施の形態について説明する。第２の実施の形態では、増幅装置は温度変化に基づいてドハティ回路のゲートバイアスを変化させた。第３の実施の形態では、増幅装置は周波数変化に基づいてドハティ回路のゲートバイアスを変化させた。第４の実施の形態では、増幅装置は温度変化と周波数変化の両方または一方に基づいてドハティ回路のゲートバイアスを変化させる。
図１５は、第４の実施の形態に係る増幅装置を適用した送信機のブロック図である。図１５において図２、図１１と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。
図１５に示す送信機は、ゲートバイアス制御部８１を有している。ゲートバイアス制御部８１は、図２で説明したゲートバイアス制御部２３と図１１で説明したゲートバイアス制御部６４の機能を有している。すなわち、ゲートバイアス制御部８１は、温度センサ２２によって測定された温度により温度変化を検出し、ドハティ回路１６へ出力するゲートバイアスが最適動作点となるように制御する。また、ゲートバイアス制御部８１は、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報により無線周波数の変化を検出し、ドハティ回路１６へ出力するゲートバイアスが最適動作点となるように制御する。
図１５に示す送信機は、ゲートバイアス制御部８１を有している。ゲートバイアス制御部８１は、図２で説明したゲートバイアス制御部２３と図１１で説明したゲートバイアス制御部６４の機能を有している。すなわち、ゲートバイアス制御部８１は、温度センサ２２によって測定された温度により温度変化を検出し、ドハティ回路１６へ出力するゲートバイアスが最適動作点となるように制御する。また、ゲートバイアス制御部８１は、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報により無線周波数の変化を検出し、ドハティ回路１６へ出力するゲートバイアスが最適動作点となるように制御する。
図１６は、ゲートバイアス制御部のブロック図である。図１６において図６、図１２と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。
図１６に示すゲートバイアス制御部８１は、温度変化検出部９１および周波数変化検出部９２を有している。温度変化検出部９１は、図６で説明した温度変化検出部４１と同様の機能を有している。周波数変化検出部９２は、図１２で説明した周波数変化検出部７１と同様の機能を有している。図１６に示すＦＢ電力算出部４２、ＦＢ電力記憶部４３、ＦＦＴ部４４、ＡＣＬＲ算出部４５、ＡＣＬＲ比較部４６、ＧＢセレクト部４７、ＧＢ算出部４８，５１、ＧＢ記憶部４９，５２、およびＧＢ回路５０，５３は、温度変化検出部９１によって温度変化が検出されると、ゲートバイアスの最適動作点を算出して変更する。また、周波数変化検出部９２によって無線周波数の変化が検出されると、ゲートバイアスの最適動作点を算出して変更する。
図１６に示すゲートバイアス制御部８１は、温度変化検出部９１および周波数変化検出部９２を有している。温度変化検出部９１は、図６で説明した温度変化検出部４１と同様の機能を有している。周波数変化検出部９２は、図１２で説明した周波数変化検出部７１と同様の機能を有している。図１６に示すＦＢ電力算出部４２、ＦＢ電力記憶部４３、ＦＦＴ部４４、ＡＣＬＲ算出部４５、ＡＣＬＲ比較部４６、ＧＢセレクト部４７、ＧＢ算出部４８，５１、ＧＢ記憶部４９，５２、およびＧＢ回路５０，５３は、温度変化検出部９１によって温度変化が検出されると、ゲートバイアスの最適動作点を算出して変更する。また、周波数変化検出部９２によって無線周波数の変化が検出されると、ゲートバイアスの最適動作点を算出して変更する。
図１７、図１８は、ゲートバイアス制御部の動作を示したフローチャートである。
［ステップＳ４１］温度変化検出部９１は、温度センサ２２によって測定された温度に基づき、温度変化があったか否か判断する。周波数変化検出部９２は、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報に基づいて、発振器６２，６３の周波数変更があったか否か判断する。例えば、周波数変化検出部９２は、記憶している周波数制御情報と、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報に基づいて無線周波数の変化を判断する。ゲートバイアス制御部８１は、温度変化および無線周波数の両方または一方に変化があった場合、以下のステップの処理を行って、ドハティ回路１６のゲートバイアスが最適動作点となるように制御する。
［ステップＳ４１］温度変化検出部９１は、温度センサ２２によって測定された温度に基づき、温度変化があったか否か判断する。周波数変化検出部９２は、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報に基づいて、発振器６２，６３の周波数変更があったか否か判断する。例えば、周波数変化検出部９２は、記憶している周波数制御情報と、ＤＰＤ６１から出力される周波数制御情報に基づいて無線周波数の変化を判断する。ゲートバイアス制御部８１は、温度変化および無線周波数の両方または一方に変化があった場合、以下のステップの処理を行って、ドハティ回路１６のゲートバイアスが最適動作点となるように制御する。
［ステップＳ４２〜Ｓ５４］ステップＳ４２〜Ｓ５４の処理は、図８、図９で説明したフローチャートのステップＳ２〜Ｓ１４と同様の処理を行い、その説明を省略する。
このように、送信機の増幅装置は、温度変化またはドハティ回路１６に入力される信号の周波数変化を検出すると、ＡＣＬＲを算出し、算出したＡＣＬＲとＡＣＬＲ閾値とを比較する。そして、増幅装置は、算出したＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さければ、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値を満たす範囲でゲートバイアスを下げていき、ゲートバイアスをドハティ回路１６の最適動作点に制御する。また、増幅装置は、算出したＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上であれば、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値を満たすようにゲートバイアスを上げていき、ドハティ回路１６の最適動作点に制御する。これにより、増幅装置は、ゲートバイアスを温度変化または周波数変化によって変動した最適動作点に制御することができ、電力効率を高効率化することができる。
このように、送信機の増幅装置は、温度変化またはドハティ回路１６に入力される信号の周波数変化を検出すると、ＡＣＬＲを算出し、算出したＡＣＬＲとＡＣＬＲ閾値とを比較する。そして、増幅装置は、算出したＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値より小さければ、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値を満たす範囲でゲートバイアスを下げていき、ゲートバイアスをドハティ回路１６の最適動作点に制御する。また、増幅装置は、算出したＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値以上であれば、ＡＣＬＲがＡＣＬＲ閾値を満たすようにゲートバイアスを上げていき、ドハティ回路１６の最適動作点に制御する。これにより、増幅装置は、ゲートバイアスを温度変化または周波数変化によって変動した最適動作点に制御することができ、電力効率を高効率化することができる。
以上の実施の形態に開示された技術には、以下の付記に示す技術が含まれる。
（付記１） 信号を増幅する増幅装置において、
前記信号を増幅する第１の増幅器と前記信号が所定レベル以上になると前記信号を増幅する第２の増幅器とを備えた増幅部と、
温度変化を検出する検出部と、
前記検出部の温度変化の検出により前記増幅部から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する算出部と、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、前記第１の増幅器および前記第２の増幅器のゲートバイアスを制御する制御部と、
を有することを特徴とする増幅装置。
（付記１） 信号を増幅する増幅装置において、
前記信号を増幅する第１の増幅器と前記信号が所定レベル以上になると前記信号を増幅する第２の増幅器とを備えた増幅部と、
温度変化を検出する検出部と、
前記検出部の温度変化の検出により前記増幅部から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する算出部と、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、前記第１の増幅器および前記第２の増幅器のゲートバイアスを制御する制御部と、
を有することを特徴とする増幅装置。
（付記２） 前記制御部は、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記第１の増幅器のゲートバイアスを算出する第１のゲートバイアス算出部と、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比と前記所定の閾値との比較結果に基づいて、前記第２の増幅器のゲートバイアスを算出する第２のゲートバイアス算出部と、
を有することを特徴とする付記１記載の増幅装置。
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記第１の増幅器のゲートバイアスを算出する第１のゲートバイアス算出部と、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比と前記所定の閾値との比較結果に基づいて、前記第２の増幅器のゲートバイアスを算出する第２のゲートバイアス算出部と、
を有することを特徴とする付記１記載の増幅装置。
（付記３） 前記第１のゲートバイアス算出部および前記第２のゲートバイアス算出部は、前回算出したゲートバイアスに所定の値を加減算してゲートバイアスを算出することを特徴とする付記２記載の増幅装置。
（付記４） 前記第１のゲートバイアス算出部の加減算する所定の値は、前記第２のゲートバイアス算出部の加減算する所定の値より小さいことを特徴とする付記３記載の増幅装置。
（付記５） 前記増幅部から出力される前記出力信号の電力を算出する電力算出部と、
前記電力算出部の電力算出結果に基づいて、前記第１のゲートバイアス算出部および前記第２のゲートバイアス算出部の一方がゲートバイアスの算出を行うように選択する選択部と、
を有することを特徴とする付記２乃至４のいずれかに記載の増幅装置。
前記電力算出部の電力算出結果に基づいて、前記第１のゲートバイアス算出部および前記第２のゲートバイアス算出部の一方がゲートバイアスの算出を行うように選択する選択部と、
を有することを特徴とする付記２乃至４のいずれかに記載の増幅装置。
（付記６） 前記選択部は、前記電力算出部の算出した電力が所定の閾値より大きい場合、前記第２のゲートバイアス算出部を選択することを特徴とする付記５記載の増幅装置。
（付記７） 信号を増幅する増幅装置において、
前記信号を増幅する第１の増幅器と前記信号が所定レベル以上になると前記信号を増幅する第２の増幅器とを備えた増幅部と、
前記信号の周波数変化を検出する検出部と、
前記検出部の周波数変化の検出により前記増幅部から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する算出部と、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、前記第１の増幅器および前記第２の増幅器のゲートバイアスを制御する制御部と、
を有することを特徴とする増幅装置。
前記信号を増幅する第１の増幅器と前記信号が所定レベル以上になると前記信号を増幅する第２の増幅器とを備えた増幅部と、
前記信号の周波数変化を検出する検出部と、
前記検出部の周波数変化の検出により前記増幅部から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する算出部と、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、前記第１の増幅器および前記第２の増幅器のゲートバイアスを制御する制御部と、
を有することを特徴とする増幅装置。
（付記８） 信号を増幅する増幅装置において、
前記信号を増幅する第１の増幅器と前記信号が所定レベル以上になると前記信号を増幅する第２の増幅器とを備えた増幅部と、
温度変化を検出する温度変化検出部と、
前記信号の周波数変化を検出する周波数変化検出部と、
前記温度変化検出部の温度変化および前記周波数変化検出部の周波数変化の両方または一方の検出により前記増幅部から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する算出部と、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、前記第１の増幅器および前記第２の増幅器のゲートバイアスを制御する制御部と、
を有することを特徴とする増幅装置。
前記信号を増幅する第１の増幅器と前記信号が所定レベル以上になると前記信号を増幅する第２の増幅器とを備えた増幅部と、
温度変化を検出する温度変化検出部と、
前記信号の周波数変化を検出する周波数変化検出部と、
前記温度変化検出部の温度変化および前記周波数変化検出部の周波数変化の両方または一方の検出により前記増幅部から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する算出部と、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、前記第１の増幅器および前記第２の増幅器のゲートバイアスを制御する制御部と、
を有することを特徴とする増幅装置。
１ 増幅部
１ａ 第１の増幅器
１ｂ 第２の増幅器
２ 検出部
３ 算出部
４ 制御部
１ａ 第１の増幅器
１ｂ 第２の増幅器
２ 検出部
３ 算出部
４ 制御部
Claims (7)
- 信号を増幅する増幅装置において、
前記信号を増幅する第１の増幅器と前記信号が所定レベル以上になると前記信号を増幅する第２の増幅器とを備えた増幅部と、
温度変化を検出する検出部と、
前記検出部の温度変化の検出により前記増幅部から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する算出部と、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、前記第１の増幅器および前記第２の増幅器のゲートバイアスを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて前記ゲートバイアスを増加させるか、減少させるかを判断する
ことを特徴とする増幅装置。 - 前記制御部は、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比と所定の閾値との比較結果に基づいて、前記第１の増幅器のゲートバイアスを算出する第１のゲートバイアス算出部と、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比と前記所定の閾値との比較結果に基づいて、前記第２の増幅器のゲートバイアスを算出する第２のゲートバイアス算出部と、
を有する
ことを特徴とする請求項１記載の増幅装置。 - 前記第１のゲートバイアス算出部および前記第２のゲートバイアス算出部は、前回算出したゲートバイアスに所定の値を加減算してゲートバイアスを算出する
ことを特徴とする請求項２記載の増幅装置。 - 前記第１のゲートバイアス算出部の加減算する所定の値は、前記第２のゲートバイアス算出部の加減算する所定の値より小さい
ことを特徴とする請求項３記載の増幅装置。 - 前記増幅部から出力される前記出力信号の電力を算出する電力算出部と、
前記電力算出部の電力算出結果に基づいて、前記第１のゲートバイアス算出部および前記第２のゲートバイアス算出部の一方がゲートバイアスの算出を行うように選択する選択部と、
を有する
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の増幅装置。 - 信号を増幅する増幅装置において、
前記信号を増幅する第１の増幅器と前記信号が所定レベル以上になると前記信号を増幅する第２の増幅器とを備えた増幅部と、
前記信号の周波数変化を検出する検出部と、
前記検出部の周波数変化の検出により前記増幅部から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する算出部と、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、前記第１の増幅器および前記第２の増幅器のゲートバイアスを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて前記ゲートバイアスを増加させるか、減少させるかを判断する
ことを特徴とする増幅装置。 - 信号を増幅する増幅装置において、
前記信号を増幅する第１の増幅器と前記信号が所定レベル以上になると前記信号を増幅する第２の増幅器とを備えた増幅部と、
温度変化を検出する温度変化検出部と、
前記信号の周波数変化を検出する周波数変化検出部と、
前記温度変化検出部の温度変化および前記周波数変化検出部の周波数変化の両方または一方の検出により前記増幅部から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する算出部と、
前記算出部によって算出された前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、前記第１の増幅器および前記第２の増幅器のゲートバイアスを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記隣接チャネル漏洩電力比に基づいて前記ゲートバイアスを増加させるか、減少させるかを判断する
ことを特徴とする増幅装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010147631A JP5527047B2 (ja) | 2010-06-29 | 2010-06-29 | 増幅装置 |
| US13/039,766 US8269559B2 (en) | 2010-06-29 | 2011-03-03 | Amplifying device |
| EP11158359.7A EP2418767B1 (en) | 2010-06-29 | 2011-03-15 | Amplifying device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010147631A JP5527047B2 (ja) | 2010-06-29 | 2010-06-29 | 増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012015602A JP2012015602A (ja) | 2012-01-19 |
| JP5527047B2 true JP5527047B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=45048327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010147631A Expired - Fee Related JP5527047B2 (ja) | 2010-06-29 | 2010-06-29 | 増幅装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8269559B2 (ja) |
| EP (1) | EP2418767B1 (ja) |
| JP (1) | JP5527047B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5521904B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2014-06-18 | 富士通株式会社 | 信号増幅装置及び方法 |
| US9287835B2 (en) * | 2012-09-07 | 2016-03-15 | Broadcom Corporation | Low-quiescent current headset driver |
| WO2014155512A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 日本電気株式会社 | 電力増幅器 |
| US9673760B2 (en) | 2013-09-09 | 2017-06-06 | Nec Corporation | Power amplification device and control method of power amplification device |
| CN104980233B (zh) * | 2014-04-01 | 2017-09-12 | 国基电子（上海）有限公司 | 调制解调器及其校准功率的方法 |
| US9419561B2 (en) | 2014-04-09 | 2016-08-16 | Qualcomm, Incorporated | Circuits and methods for biasing a power amplifier |
| US9698734B2 (en) * | 2015-02-15 | 2017-07-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplification system with adjustable common base bias |
| US11223376B2 (en) * | 2017-02-27 | 2022-01-11 | Apple Inc. | Frequency dependent envelope tracking |
| JP2018142798A (ja) * | 2017-02-27 | 2018-09-13 | 住友電気工業株式会社 | 増幅装置及び通信機 |
| US11444579B2 (en) | 2017-12-29 | 2022-09-13 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Super-linear power amplifiers with adaptive biasing |
| US10833634B2 (en) * | 2018-04-04 | 2020-11-10 | City University Of Hong Kong | Doherty power amplifier circuit |
| US20240056029A1 (en) * | 2021-02-18 | 2024-02-15 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Voltage setting circuit, semiconductor integrated circuit and voltage setting method |
| CN114553246B (zh) * | 2022-02-25 | 2024-03-08 | 潍坊歌尔电子有限公司 | 控制射频电路的方法、电路、装置、可穿戴设备及介质 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4602218A (en) * | 1985-04-30 | 1986-07-22 | Motorola, Inc. | Automatic output control circuitry for RF power amplifiers with wide dynamic range |
| DE4313152A1 (de) * | 1993-04-22 | 1994-10-27 | Sel Alcatel Ag | HF-Verstärker mit Signalpegelregelung und damit ausgestatteter Funksender |
| JPH08125469A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-05-17 | Nec Corp | 電力増幅器の出力制御装置 |
| US5757229A (en) | 1996-06-28 | 1998-05-26 | Motorola, Inc. | Bias circuit for a power amplifier |
| KR100553252B1 (ko) | 2002-02-01 | 2006-02-20 | 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 | 휴대용 단말기의 전력 증폭 장치 |
| US6906500B2 (en) * | 2002-11-14 | 2005-06-14 | Fyre Storm, Inc. | Method of operating a switching power converter |
| US20060001485A1 (en) | 2004-07-02 | 2006-01-05 | Icefyre Semiconductor Corporation | Power amplifier |
| JP4387936B2 (ja) | 2004-12-13 | 2009-12-24 | 株式会社東芝 | 高周波用のドハティ型の高効率増幅器、およびその信号処理方法 |
| US20070075780A1 (en) | 2005-10-05 | 2007-04-05 | Enver Krvavac | Apparatus and method for adaptive biasing of a Doherty amplifier |
| JP4825495B2 (ja) | 2005-11-10 | 2011-11-30 | 株式会社日立国際電気 | 歪制御機能付き増幅装置 |
| JP2008022513A (ja) | 2006-06-15 | 2008-01-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 歪制御機能付き増幅装置 |
| JP2008147857A (ja) | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | 高効率増幅器 |
| JP5052366B2 (ja) | 2008-02-20 | 2012-10-17 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ | 高効率フィードフォワード増幅器の制御方法 |
-
2010
- 2010-06-29 JP JP2010147631A patent/JP5527047B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-03 US US13/039,766 patent/US8269559B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-15 EP EP11158359.7A patent/EP2418767B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110316633A1 (en) | 2011-12-29 |
| JP2012015602A (ja) | 2012-01-19 |
| US8269559B2 (en) | 2012-09-18 |
| EP2418767B1 (en) | 2014-02-26 |
| EP2418767A1 (en) | 2012-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5527047B2 (ja) | 増幅装置 | |
| KR101482471B1 (ko) | 부정합에 대한 내성을 가진 ｒｆ 파워 증폭기 회로 | |
| EP2766989B1 (en) | Apparatus and method for calibration of supply modulation in transmitter | |
| EP3036836B1 (en) | Envelope tracking apparatus and method | |
| EP2974006B1 (en) | Envelope tracking system with internal power amplifier characterization | |
| US8093945B2 (en) | Joint optimisation of supply and bias modulation | |
| US8981846B2 (en) | Joint optimisation of supply and bias modulation | |
| US8018277B2 (en) | RF power amplifier system with impedance modulation | |
| US8014735B2 (en) | RF power amplifier controlled by estimated distortion level of output signal of power amplifier | |
| US9024690B2 (en) | Amplifier linearization using non-standard feedback | |
| WO2011049695A1 (en) | Multimode power amplifier with predistortion | |
| JP2012129893A (ja) | 増幅回路、増幅回路への電力供給制御方法及び送信装置 | |
| JP2008283678A (ja) | 送信回路、及び通信機器 | |
| JP2008177899A (ja) | 増幅回路及び無線通信装置 | |
| JP2009194575A (ja) | 送信装置 | |
| JP5441817B2 (ja) | 送信回路及び送信方法 | |
| US8659358B2 (en) | Amplifier, transmission apparatus, and gate voltage determination method | |
| JP2011250164A (ja) | 増幅回路、及びこれを用いた無線通信装置 | |
| JP2009194576A (ja) | 送信装置及び歪み補償方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130507 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131210 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140207 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140318 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140331 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5527047 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |