JP2008147857A - 高効率増幅器 - Google Patents
高効率増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008147857A JP2008147857A JP2006330722A JP2006330722A JP2008147857A JP 2008147857 A JP2008147857 A JP 2008147857A JP 2006330722 A JP2006330722 A JP 2006330722A JP 2006330722 A JP2006330722 A JP 2006330722A JP 2008147857 A JP2008147857 A JP 2008147857A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- signal
- voltage
- waveform shaping
- envelope
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
【課題】あらかじめ期待したバイアス制御が可能となり、効率の低下および歪みの発生を抑えた高効率増幅器を得る。
【解決手段】RF入力信号に対応する包絡線信号を抽出する包絡線信号抽出手段200と、抽出された包絡線信号に基づいてRF入力信号を増幅し、電圧制御信号を生成するための電圧制御器400と、電圧制御信号に応じてRF入力信号を増幅する増幅器102とを備えた高効率増幅器において、抽出された包絡線信号を入力とし、包絡線信号の波形がRF入力信号の真の包絡線と同等の波形となるように、あらかじめ定められた入出力特性に基づいて波形整形を行い、波形整形後の出力信号を生成する波形整形手段300をさらに備え、電圧制御器400は、波形整形後の出力信号に基づいて、バイアスを動的に制御するための電圧制御信号を生成して増幅器102を制御する。
【選択図】図1
【解決手段】RF入力信号に対応する包絡線信号を抽出する包絡線信号抽出手段200と、抽出された包絡線信号に基づいてRF入力信号を増幅し、電圧制御信号を生成するための電圧制御器400と、電圧制御信号に応じてRF入力信号を増幅する増幅器102とを備えた高効率増幅器において、抽出された包絡線信号を入力とし、包絡線信号の波形がRF入力信号の真の包絡線と同等の波形となるように、あらかじめ定められた入出力特性に基づいて波形整形を行い、波形整形後の出力信号を生成する波形整形手段300をさらに備え、電圧制御器400は、波形整形後の出力信号に基づいて、バイアスを動的に制御するための電圧制御信号を生成して増幅器102を制御する。
【選択図】図1
Description
本発明は、通信用増幅器に関し、特に、歪みの発生を抑え、高効率化を図った高効率増幅器に関する。
近年、通信用増幅器の高効率化のために、ドハティ増幅器が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この特許文献1における従来技術は、キャリア増幅器のドレイン電圧給電回路に設けられた抵抗の両端電圧を検出して包絡線電圧を抽出し、この包絡線電圧レベルに応じてキャリア増幅器およびピーク増幅器のゲート電圧を制御することにより、高効率を実現するものである。
しかしながら、この従来技術には次のような問題がある。
ドハティ増幅器は、高効率動作を目的としており、必然的にキャリア増幅器は、AB級またはB級バイアスで使用される。このとき、キャリア増幅器のドレイン電圧給電回路から抽出される包絡線は、増幅器に入力されるRF信号の包絡線を忠実に再現せず、キャリア増幅器のドレイン電圧給電回路から抽出される包絡線は、歪むという問題がある。
ドハティ増幅器は、高効率動作を目的としており、必然的にキャリア増幅器は、AB級またはB級バイアスで使用される。このとき、キャリア増幅器のドレイン電圧給電回路から抽出される包絡線は、増幅器に入力されるRF信号の包絡線を忠実に再現せず、キャリア増幅器のドレイン電圧給電回路から抽出される包絡線は、歪むという問題がある。
図14は、従来の増幅器において抽出される包絡線が歪む様子を示した説明図である。より具体的には、キャリア増幅器の入力電力対ドレイン電流特性を模式化した特性を示しており、基軸は、縦軸および横軸ともに、リニアスケールである。入力電力対ドレイン電流特性が、特性曲線801の関係を有する場合に、キャリア増幅器に入力電力波形802が入力されると、電流特性803が得られる。
この電流特性803をキャリア増幅器のドレイン電圧給電回路に設けられた抵抗端から抽出することにより包絡線を得ることができる。しかしながら、電流特性803の中の一部分である特性803aおよび特性803bに示すように、抽出される包絡線には歪みが生じる。
同様に、特許文献1の図1において、検出器が、例えばダイオードなどの非線形特性を持つデバイスを用いて構成された場合、ダイオードの自乗特性により波形が歪むことで、入力信号のダイナミックレンジが得られない問題がある。
これらの問題により、特許文献1の図5A、図5Bに示される制御をキャリア増幅器およびピーク増幅器に適用しても、期待する動作をしない問題があり、効率の低下ないしは歪みを発生させる。このことは、制御信号を生成するための包絡線には歪みが無いことが必要であることを意味し、変調波信号に忠実な包絡線をドレイン電圧給電回路から抽出することが必要とされる。
本発明は上述のような課題を解決するためになされたもので、あらかじめ期待したバイアス制御が可能となり、効率の低下および歪みの発生を抑えた高効率増幅器を得ることを目的とする。
本発明に係る高効率増幅器は、RF入力信号に対応する包絡線信号を抽出する包絡線信号抽出手段と、抽出された包絡線信号に基づいてRF入力信号を増幅し、電圧制御信号を生成するための電圧制御器と、電圧制御信号に応じてRF入力信号を増幅する増幅器とを備えた高効率増幅器において、抽出された包絡線信号を入力とし、包絡線信号の波形がRF入力信号の真の包絡線と同等の波形となるように、あらかじめ定められた入出力特性に基づいて波形整形を行い、波形整形後の出力信号を生成する波形整形手段をさらに備え、電圧制御器は、波形整形手段による波形整形後の出力信号に基づいて、バイアスを動的に制御するための電圧制御信号を生成して増幅器を制御するものである。
本発明によれば、RF入力信号に対応して抽出された歪んだ包絡線信号に対して、波形整形を適用することによって入力信号包絡線を再現することができ、この再現された入力信号包絡線を用いて増幅器のバイアスを制御することにより、あらかじめ期待したバイアス制御が可能となり、効率の低下および歪みの発生を抑えた高効率増幅器を得ることができる。
以下、本発明の高効率増幅器の好適な実施の形態につき図面を用いて説明する。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1における高効率増幅器の構成図である。この高効率増幅器は、キャリア増幅器101、ピーク増幅器102、電力分配器103、電力合成器104を備えたドハティ増幅器とともに、電圧抽出手段200、波形整形手段300、および電圧制御器400で構成される。ここで、電圧抽出手段200は、包絡線信号抽出手段に相当する。
図1は、本発明の実施の形態1における高効率増幅器の構成図である。この高効率増幅器は、キャリア増幅器101、ピーク増幅器102、電力分配器103、電力合成器104を備えたドハティ増幅器とともに、電圧抽出手段200、波形整形手段300、および電圧制御器400で構成される。ここで、電圧抽出手段200は、包絡線信号抽出手段に相当する。
まず始めに、接続構成について説明する。
電力分配器103は、キャリア増幅器101およびピーク増幅器102の入力に接続される。キャリア増幅器101は、ドレイン給電線路を介してドレイン電圧Vdが供給されるとともに、このドレイン給電線路には電圧抽出手段200が挿入されている。そして、電圧抽出手段200の出力は、波形整形手段300に入力される。
電力分配器103は、キャリア増幅器101およびピーク増幅器102の入力に接続される。キャリア増幅器101は、ドレイン給電線路を介してドレイン電圧Vdが供給されるとともに、このドレイン給電線路には電圧抽出手段200が挿入されている。そして、電圧抽出手段200の出力は、波形整形手段300に入力される。
波形整形手段300の出力は、電圧制御器400に入力される。そして、電圧制御器400の出力は、ピーク増幅器102のゲート電圧給電回路に接続される。キャリア増幅器101の出力、およびピーク増幅器102の出力は、電力合成器104に接続される。
次に、図1に示したドハティ増幅器を含む高効率増幅器の動作について説明する。
信号入力であるRF信号は、電力分配器103によってキャリア増幅器101およびピーク増幅器102に電力分配される。
信号入力であるRF信号は、電力分配器103によってキャリア増幅器101およびピーク増幅器102に電力分配される。
キャリア増幅器101にRF信号が入力されると、ドレイン電圧給電回路には信号増幅に伴う電流が発生する。これに対して、電圧抽出手段200は、このドレイン電圧給電回路に発生する電流を、微小抵抗値を有する抵抗の両端に発生する電位を差動増幅することにより、包絡線信号に変換する。
電圧抽出手段200により抽出された包絡線信号は、波形整形手段300に入力される。波形整形手段300は、入力される包絡線の波形整形を行う。つまり、この波形整形手段300は、RF入力信号と同等の包絡線を再生し、出力することとなる。
より具体的には、波形整形手段300は、電圧抽出手段200により抽出された包絡線信号を入力とし、包絡線信号の波形がRF入力信号の真の包絡線と同等の波形となるような出力が得られるように、あらかじめ定められた入出力特性を図示しない記憶部に有しており、この入出力特性に基づいて波形整形後の出力信号を生成する。なお、波形整形手段300の詳細構成は、実施の形態3〜5で後述する。
波形整形手段300による波形整形後の出力信号は、電圧制御器400に入力される。そして、電圧制御器400は、例えばピーク増幅器のゲート電圧を動的に制御するための制御信号を生成し、出力する。このとき、電圧制御器400の出力信号は、ピーク増幅器102のゲート電圧給電回路に入力される。
以上のように、実施の形態1によれば、キャリア増幅器のドレイン電圧給電回路から得られるRF出力信号の包絡線を波形整形することにより、RF入力信号の包絡線を再生することができる。この結果、忠実な変調波包絡線を基準信号としてバイアスを制御することにより、あらかじめ期待したバイアス制御が可能となり、効率の低下および歪みの発生を抑えた高効率増幅器を得ることができる。
実施の形態2.
図2は、本発明の実施の形態2における高効率増幅器の構成図である。この高効率増幅器は、前置増幅器111、後置増幅器112を備えた電力増幅器とともに、電圧抽出手段200、波形整形手段300、および電圧制御器400で構成される。ここで、電圧抽出手段200は、包絡線信号抽出手段に相当する。
図2は、本発明の実施の形態2における高効率増幅器の構成図である。この高効率増幅器は、前置増幅器111、後置増幅器112を備えた電力増幅器とともに、電圧抽出手段200、波形整形手段300、および電圧制御器400で構成される。ここで、電圧抽出手段200は、包絡線信号抽出手段に相当する。
まず始めに、接続構成について説明する。
前置増幅器111は、ドレイン給電線路を介してドレイン電圧Vdが供給されるとともに、このドレイン給電線路には電圧抽出手段200が挿入されている。そして、電圧抽出手段200の出力は、波形整形手段300に入力される。この電圧抽出手段200および波形整形手段300の構成については、先の実施の形態1と同様である。
前置増幅器111は、ドレイン給電線路を介してドレイン電圧Vdが供給されるとともに、このドレイン給電線路には電圧抽出手段200が挿入されている。そして、電圧抽出手段200の出力は、波形整形手段300に入力される。この電圧抽出手段200および波形整形手段300の構成については、先の実施の形態1と同様である。
さらに、波形整形手段300の出力は、電圧制御器400に入力される。そして、電圧制御器400の出力は、後置増幅器112のゲート電圧給電回路あるいはドレイン電圧給電回路に接続される。
次に、図2に示した電力増幅器を含む高効率増幅器の動作について説明する。
RF信号が入力されると、前置増幅器111のドレイン電圧給電回路内で信号増幅に伴う電流が発生する。ここで、電圧抽出手段200および波形整形手段300の動作については、先の実施の形態1と同様である。
RF信号が入力されると、前置増幅器111のドレイン電圧給電回路内で信号増幅に伴う電流が発生する。ここで、電圧抽出手段200および波形整形手段300の動作については、先の実施の形態1と同様である。
さらに、電圧制御器400の出力信号は、後置増幅器112の電圧給電回路に入力され、後置増幅器112のバイアスを動的に制御する。
以上のように、実施の形態2によれば、前置増幅器のドレイン電圧給電回路から得られるRF出力信号の包絡線を波形整形することにより、RF入力信号の包絡線を再生することができる。この結果、忠実な変調波包絡線を基準信号として後置増幅器のバイアスを制御することにより、あらかじめ期待したバイアス制御が可能となり、効率の低下および歪みの発生を抑えた高効率増幅器を得ることができる。
さらに、前置増幅器のドレイン電圧給電回路に電圧抽出手段を持つことで、先の実施の形態1と比較して、電圧抽出手段で発生する電力損失を小さく、すなわち、系全体での電力損失を小さくすることができる。
実施の形態3.
本実施の形態3では、波形整形手段300の具体例として、関数発生器を適用した場合について説明する。図3は、本発明の実施の形態3における関数発生器の処理を説明するための図である。この図3において、入力される包絡線波形は、整形を行うための関数・特性を保持する関数発生器310により、RF入力信号包絡線を再生するように包絡線波形を出力する。
本実施の形態3では、波形整形手段300の具体例として、関数発生器を適用した場合について説明する。図3は、本発明の実施の形態3における関数発生器の処理を説明するための図である。この図3において、入力される包絡線波形は、整形を行うための関数・特性を保持する関数発生器310により、RF入力信号包絡線を再生するように包絡線波形を出力する。
すなわち、関数発生器310は、電圧抽出手段200により抽出された包絡線信号を入力とし、包絡線信号の波形がRF入力信号の真の包絡線と同等の波形となるような出力が得られるように、あらかじめ定められた入出力特性あるいは関数を図示しない記憶部に保持しておくことにより、この入出力特性に基づいて波形整形後の出力信号を生成できる。
以上のように、実施の形態3によれば、所定の入出力特性あるいは関数を備えた関数発生器による波形整形により、出力電流波形の電流特性から得られる包絡線歪みを伴う包絡線は補正され、RF入力信号波形の包絡線と同等とすることが可能となる。この結果、忠実な変調波包絡線を基準信号としてバイアスを制御することにより、あらかじめ期待したバイアス制御が可能となり、効率の低下および歪みの発生を抑えた高効率増幅器を得ることができる。
実施の形態4.
図4は、本発明の実施の形態4における関数発生器の構成図、および波形整形の説明図である。この関数発生器310は、非線形素子であるダイオード、抵抗器およびオペアンプから構成される。図4の構成において、回路定数R1〜R6、Vb、適切なダイオードD1およびD2を定めることにより、所望関数の近似を行う(例えば、「OPアンプの回路設計」、岡村廸夫、CQ出版、1973参照)。
図4は、本発明の実施の形態4における関数発生器の構成図、および波形整形の説明図である。この関数発生器310は、非線形素子であるダイオード、抵抗器およびオペアンプから構成される。図4の構成において、回路定数R1〜R6、Vb、適切なダイオードD1およびD2を定めることにより、所望関数の近似を行う(例えば、「OPアンプの回路設計」、岡村廸夫、CQ出版、1973参照)。
次に、図4に示した関数発生器310による波形整形の動作について説明する。
例えば、図4の波形整形の説明図に示すように、回路定数R1〜R6、Vb、適切なダイオードD1およびD2を定めることにより、歪み波形L1の入力に対して、逆特性波形L3を発生させることができ、その結果、無歪み波形特性L2を出力信号として得ることができる。
例えば、図4の波形整形の説明図に示すように、回路定数R1〜R6、Vb、適切なダイオードD1およびD2を定めることにより、歪み波形L1の入力に対して、逆特性波形L3を発生させることができ、その結果、無歪み波形特性L2を出力信号として得ることができる。
以上のように、実施の形態4によれば、大信号時における歪み波形特性は、関数発生器が有する逆特性により波形整形され、無歪み波形特性に補正することが可能となる。この結果、忠実な変調波包絡線を基準信号としてバイアスを制御することにより、あらかじめ期待したバイアス制御が可能となり、効率の低下および歪みの発生を抑えた高効率増幅器を得ることができる。
実施の形態5.
図5は、本発明の実施の形態5におけるデジタル信号処理技術を用いた波形整形手段および電圧制御器の構成図である。図5に示す回路は、波形整形手段300および電圧制御器400の機能を兼ね備えており、A/Dコンバータ321、デジタル信号処理手段322、およびD/Aコンバータ323で構成される。
図5は、本発明の実施の形態5におけるデジタル信号処理技術を用いた波形整形手段および電圧制御器の構成図である。図5に示す回路は、波形整形手段300および電圧制御器400の機能を兼ね備えており、A/Dコンバータ321、デジタル信号処理手段322、およびD/Aコンバータ323で構成される。
次に、図5に示した回路の動作について説明する。
A/Dコンバータ321は、先の図1の電圧抽出手段200の出力である包絡線信号を取り込み、量子化する。量子化された信号は、デジタル信号処理手段322に入力され、波形整形が行われる。この波形整形によりRF信号包絡線が再生される。この包絡線を基準信号としてゲート電圧制御信号がさらに生成され、D/Aコンバータ323に出力される。
A/Dコンバータ321は、先の図1の電圧抽出手段200の出力である包絡線信号を取り込み、量子化する。量子化された信号は、デジタル信号処理手段322に入力され、波形整形が行われる。この波形整形によりRF信号包絡線が再生される。この包絡線を基準信号としてゲート電圧制御信号がさらに生成され、D/Aコンバータ323に出力される。
このデジタル信号処理手段322は、所定の入出力特性あるいは関数を、例えば、補正テーブルデータとしてあらかじめ保持しておくことにより、歪みを伴う包絡線をデジタル的に補正することができる。さらに、デジタル信号処理手段322は、補正後の包絡線信号からゲート電圧制御信号を生成することができ、電圧制御器400の機能を併せ持つことができる。
以上のように、実施の形態5によれば、デジタル信号処理手段を用いることにより、波形整形手段の機能と電圧制御器の機能の両方を実現できる。この結果、波形整形回路と電圧制御回路を一つのデジタル回路に集約することができ、効率・歪に対し、改善効果を与えることが可能となる。
実施の形態6.
本実施の形態6では、図1における電圧抽出手段200または図2における電圧抽出手段200の具体的な構成について説明する。図6は、本発明の実施の形態6における電圧抽出手段の構成図である。この電圧抽出手段200は、低周波デカップリング部201、電圧検出抵抗器202、高調波反射ネットワーク部203、電圧検出端204、および差動増幅器205で構成される。ここで、低周波デカップリング部201は、低周波デカップリング回路に相当し、高調波反射ネットワーク部203は、高調波反射回路に相当する。
本実施の形態6では、図1における電圧抽出手段200または図2における電圧抽出手段200の具体的な構成について説明する。図6は、本発明の実施の形態6における電圧抽出手段の構成図である。この電圧抽出手段200は、低周波デカップリング部201、電圧検出抵抗器202、高調波反射ネットワーク部203、電圧検出端204、および差動増幅器205で構成される。ここで、低周波デカップリング部201は、低周波デカップリング回路に相当し、高調波反射ネットワーク部203は、高調波反射回路に相当する。
次に、図6に示した電圧抽出手段200の動作について説明する。
電圧検出抵抗器202は、図1におけるキャリア増幅器101のドレイン電圧給電回路に発生する電流を電圧変換する。電圧検出端204は、電圧検出抵抗器202の両端に接続され、包絡線電圧を電位”Vdet+”および“Vdet−”で出力する。さらに、差動増幅器205は、この電位を電位差”Vdet+”−“Vdet−”に変換して出力する。
電圧検出抵抗器202は、図1におけるキャリア増幅器101のドレイン電圧給電回路に発生する電流を電圧変換する。電圧検出端204は、電圧検出抵抗器202の両端に接続され、包絡線電圧を電位”Vdet+”および“Vdet−”で出力する。さらに、差動増幅器205は、この電位を電位差”Vdet+”−“Vdet−”に変換して出力する。
ここで、低周波デカップリング部201は、電源およびFET端からの低周波信号をブロックするために配置される。また、高調波反射ネットワーク部203は、増幅器であるFET端からのRF信号および高調波をブロックするために配置される。
以上のように、実施の形態6によれば、電圧抽出手段が低周波デカップリング回路および高調波反射回路を備えることにより、包絡線波形から不要周波数成分を除去することができ、不要周波数成分除去のための濾波器を削減することができる。
実施の形態7.
本実施の形態7では、電圧抽出手段に対して、さらに電圧オフセット手段を導入する場合について説明する。図7は、本発明の実施の形態7における電圧オフセット手段の具体的な構成図である。図7における電圧抽出手段200aは、トランスを用いて絶対電圧値を降下させた場合を例示している。また、図7における電圧抽出手段200bは、抵抗分圧を利用して絶対電圧を降下させた場合を例示している。さらに、図7における電圧抽出手段200cは、オペアンプの電源電圧にオフセット電圧を印加した場合を例示している。
本実施の形態7では、電圧抽出手段に対して、さらに電圧オフセット手段を導入する場合について説明する。図7は、本発明の実施の形態7における電圧オフセット手段の具体的な構成図である。図7における電圧抽出手段200aは、トランスを用いて絶対電圧値を降下させた場合を例示している。また、図7における電圧抽出手段200bは、抵抗分圧を利用して絶対電圧を降下させた場合を例示している。さらに、図7における電圧抽出手段200cは、オペアンプの電源電圧にオフセット電圧を印加した場合を例示している。
次に、このような電圧オフセット手段を有する電圧抽出手段の動作について説明する。
図7に示すいずれの回路においても、電圧オフセット手段の働きにより、電圧検出端204にて得られた絶対電位”Vdet+”および“−Vdet”を下げて、包絡線信号を得ることができる。
図7に示すいずれの回路においても、電圧オフセット手段の働きにより、電圧検出端204にて得られた絶対電位”Vdet+”および“−Vdet”を下げて、包絡線信号を得ることができる。
以上のように、実施の形態7によれば、例えば、キャリア増幅器のトランジスタがLDMOSトランジスタやGaNトランジスタである場合、ドレイン給電部に印加する電源電圧は、約数十Vであり、電圧抽出手段から得られる電圧値は、電圧検出端204の絶対電圧”Vdet+”および“Vdet−”から約数十Vで取り出さなければならない。したがって、このような場合にも、図7に示す電圧オフセット回路を用いることにより、絶対電位をさげることができ、電圧検出端204に接続されるデバイスの選定が容易になる。
実施の形態8.
本実施の形態8では、図1における電圧制御器400の具体的な構成について説明する。図8は、本発明の実施の形態8における電圧制御器400の具体例な構成図である。本回路は、スイッチング動作を行うコンパレータ401を備えている。
本実施の形態8では、図1における電圧制御器400の具体的な構成について説明する。図8は、本発明の実施の形態8における電圧制御器400の具体例な構成図である。本回路は、スイッチング動作を行うコンパレータ401を備えている。
このようなコンパレータ401を有する電圧制御器400は、スイッチング手段以外にも、目的に合わせて他の手段、例えば、3値以上の多値切り替えや、シームレスかつ線形にゲート電圧を印加、シームレスかつ包絡線電圧値に対して重み付けするような非線形特性を持たせたゲート電圧として印加する制御方法を選択することができる。
次に、このような電圧制御器400がゲート電圧を制御する場合の具体的な動作について説明する。
理想的な2−WAYドハティ増幅器は、飽和出力からのバックオフ量が6dB以上において、ピーク増幅器の電流を消費しない。
理想的な2−WAYドハティ増幅器は、飽和出力からのバックオフ量が6dB以上において、ピーク増幅器の電流を消費しない。
しかしながら、実際にはピーク増幅器に適用されるトランジスタの特性、ピーク増幅器のゲート電圧値およびピーク増幅器の入出力整合条件等により、バックオフ量6dB以上の地点においてもピーク増幅器の電流は消費する。バックオフ量6dB以上でのピーク増幅器の出力電力は、キャリア増幅器の出力電力と比較して非常に小さく有効に利用されない。このため、ピーク増幅器の消費電流は、ドハティ増幅器の効率低下に直結する。
このことから、小・中信号領域におけるピーク増幅器の消費電流を削減し、効率を向上させる必要がある。例えば、特許文献1の図5Aおよび図5Bに示された従来の制御のように、入力電力に比例したあるゲート電圧を印加したときには、立ち上がりが急峻である理想的なC級動作を実現することができない。すなわち、切替え点付近でピーク増幅器が電流を消費することとなる。
このような場合に対して、スイッチング制御を適用することで、ピーク増幅器のゲート電圧をON/OFF切替えして理想的なC級動作に近づけることができ、その結果として、切替え点まで電流を削減することができる。
図9は、本発明の実施の形態8におけるコンパレータの動作の説明図である。コンパレータ401は、波形整形手段300の出力信号が入力されると、閾値電圧Vthを基準として、包絡線電圧404が閾値電圧Vthより小さい場合は、ローレベル判定し、大きい場合にはハイレベル判定する。
ここでいうローレベル判定とは、ピーク増幅器102のゲート電圧を切り下げる制御信号を出力することを意味する。一方、ハイレベル判定とは、ピーク増幅器102のゲート電圧を切り上げる制御信号を出力することを意味する。
この閾値電圧Vthの決定方法の一例を、図9に基づいて説明する。包絡線電圧404の最大瞬時電力点に対応する最大電圧値405を把握し、あらかじめ定めた切替えバックオフ量406から切替え電圧値403を求める。この切替え電圧値403がコンパレータ401の閾値電圧Vthとなる。
コンパレータ401がピーク増幅器102のゲート電圧給電回路を駆動する能力がない場合、コンパレータ401の出力は、ゲート電圧給電回路を駆動する能力を有するゲート電圧ドライバに接続してもよい。
そこで、ゲート電圧ドライバを接続した場合の動作について、次に説明する。ゲート電圧ドライバは、ゲート電圧制御器としてコンパレータ401が採用された場合、コンパレータ401が出力するローレベル判定およびハイレベル判定によりスイッチング動作をする。
ローレベル判定の場合、ピーク増幅器の消費電流を削減する観点から、ピンチオフ電圧より充分小さいこと、かつドハティ増幅器バックオフ量が6dB以上において電流を消費しないことを満たすゲート電圧値(Vg=Vlo)が出力される。
ハイレベル判定の場合、ドハティ増幅器の飽和電力、動作点での効率・歪みの三者を比較することにより、最適化されたゲート電圧値(Vg=Vhi)が出力される。このときのゲート電圧Vgの関係は、Vlo<Vhiであり、ドハティ増幅器の瞬時飽和電力は、ピーク増幅器のゲート電圧Vg=Vhiに固定設定した場合のドハティ増幅器の瞬時飽和電力に一致する。
図1の電圧制御器400は、スイッチング手段以外にも、目的に合わせて他の手段を選択することができる。図8に示した本実施の形態8は、効率を優先した例である。ドハティ増幅器の線形性を優先する場合、この変調波包絡線電圧値を基に、ピーク増幅器102のゲート電圧を3値以上に多値切替えすることや、シームレスかつ線形にゲート電圧を印加、または、シームレスかつ包絡線電圧値に対して重み付けしてするような非線形特性をゲート電圧として印加する制御方法を採用してもよい。
以上のように、実施の形態8によれば、波形整形手段から得られる波形によりバイアスを制御することで、効率・歪に対し、改善効果を与えることが可能となる。さらに、バイアス制御にスイッチング手段を用いれば、ピーク増幅器は、理想的なC級動作に近づくことによって、ピーク増幅器のON、OFF動作を実現し、切替え点まで電流を削減でき、従来の制御より高効率とすることができる。
実施の形態9.
本実施の形態9では、先の実施の形態2における図2の高効率増幅器において、後置増幅器112としてドハティ増幅器を配置した場合について説明する。この構成において、電圧制御器400は、キャリア増幅器またはピーク増幅器のゲート電圧給電回路に接続される。
本実施の形態9では、先の実施の形態2における図2の高効率増幅器において、後置増幅器112としてドハティ増幅器を配置した場合について説明する。この構成において、電圧制御器400は、キャリア増幅器またはピーク増幅器のゲート電圧給電回路に接続される。
次に、ドハティ増幅器を用いた高効率増幅器の動作について説明する。
例えば、ピーク増幅器側のゲート電圧給電回路にドハティ増幅器を接続した場合には、先の実施の形態1と同等の動作をする
例えば、ピーク増幅器側のゲート電圧給電回路にドハティ増幅器を接続した場合には、先の実施の形態1と同等の動作をする
以上のように、実施の形態9によれば、後置増幅器としてドハティ増幅器を用いることにより、前置増幅器のドレイン電圧給電回路から得られるRF出力信号の包絡線を波形整形して、RF入力信号の包絡線を再生することができる。この結果、忠実な変調波包絡線を基準信号としてバイアスを制御することが可能となる。
実施の形態10.
本実施の形態10では、上述した実施の形態9と同様に、先の実施の形態2における図2の高効率増幅器において、後置増幅器112としてドハティ増幅器を配置した場合について説明する。本実施の形態10の構成において、電圧制御器400は、キャリア増幅器またはピーク増幅器のドレイン電圧給電回路に接続される。
本実施の形態10では、上述した実施の形態9と同様に、先の実施の形態2における図2の高効率増幅器において、後置増幅器112としてドハティ増幅器を配置した場合について説明する。本実施の形態10の構成において、電圧制御器400は、キャリア増幅器またはピーク増幅器のドレイン電圧給電回路に接続される。
次に、ドハティ増幅器を用いた高効率増幅器の動作について説明する。
本実施の形態10において、後置増幅器112のドレイン電圧は、先の実施の形態1と同様に制御される。
本実施の形態10において、後置増幅器112のドレイン電圧は、先の実施の形態1と同様に制御される。
以上のように、実施の形態10によれば、後置増幅器としてドハティ増幅器を用いることにより、前置増幅器のドレイン電圧給電回路から得られるRF出力信号の包絡線を波形整形して、RF入力信号の包絡線を再生することができる。この結果、忠実な変調波包絡線を基準信号としてバイアスを制御することが可能となる効果が得られる。
実施の形態11.
本実施の形態11では、先の実施の形態2における図2の高効率増幅器において、後置増幅器112としてトランジスタ1個で構成された単体増幅器を配置した場合について説明する。この構成において、電圧制御器400は、単体増幅器のドレイン電圧給電回路に接続される。
本実施の形態11では、先の実施の形態2における図2の高効率増幅器において、後置増幅器112としてトランジスタ1個で構成された単体増幅器を配置した場合について説明する。この構成において、電圧制御器400は、単体増幅器のドレイン電圧給電回路に接続される。
次に、単体増幅器を用いた高効率増幅器の動作について説明する。
本実施の形態11において、後置増幅器112のドレイン電圧は、先の実施の形態1と同様に制御される。
本実施の形態11において、後置増幅器112のドレイン電圧は、先の実施の形態1と同様に制御される。
以上のように、実施の形態11によれば、後置増幅器として単体増幅器を用いることにより、前置増幅器111のドレイン電圧給電回路から得られるRF出力信号の包絡線を波形整形して、RF入力信号の包絡線を再生することができる。この結果、忠実な変調波包絡線を基準信号としてバイアスを制御することが可能となる効果が得られる。
実施の形態12.
本実施の形態12では、先の実施の形態1における図1、あるいは先の実施の形態2における図2の高効率増幅器において、波形整形手段300が、入力信号包絡線を利用するサブシステム500にさらに接続される場合について説明する。図10は、本発明の実施の形態12におけるサブシステムに接続された高効率増幅器の構成図であり、波形整形手段300は、サブシステム500に接続されている。
本実施の形態12では、先の実施の形態1における図1、あるいは先の実施の形態2における図2の高効率増幅器において、波形整形手段300が、入力信号包絡線を利用するサブシステム500にさらに接続される場合について説明する。図10は、本発明の実施の形態12におけるサブシステムに接続された高効率増幅器の構成図であり、波形整形手段300は、サブシステム500に接続されている。
次に、サブシステム500に接続された高効率増幅器の動作について説明する。
波形整形手段300に相当する波形整形手段300の出力信号は、サブシステム500に供給される。このような接続構成により、高効率増幅器内のサブシステム500が、波形整形後の出力信号を必要としている場合には、波形整形手段300から供給することができる。
波形整形手段300に相当する波形整形手段300の出力信号は、サブシステム500に供給される。このような接続構成により、高効率増幅器内のサブシステム500が、波形整形後の出力信号を必要としている場合には、波形整形手段300から供給することができる。
以上のように、実施の形態12によれば、波形整形後の出力信号を必要とするサブシステムが高効率増幅器内にある場合にも、波形整形手段から波形整形後の出力信号を供給することにより入力信号の包絡線が再生される。この結果、サブシステムとして、例えば、電力モニタに接続する際にも、精度の高い電力の計測を可能にする。
実施の形態13.
図11は、本発明の実施の形態13における高効率増幅器の構成図である。この高効率増幅器は、キャリア増幅器101、ピーク増幅器102、電力分配器103、電力合成器104を備えたドハティ増幅器とともに、電圧制御器400a、400b、波形整形手段300、入力分配手段600、および検波回路210で構成される。ここで、検波回路210は、包絡線信号抽出手段に相当する。
図11は、本発明の実施の形態13における高効率増幅器の構成図である。この高効率増幅器は、キャリア増幅器101、ピーク増幅器102、電力分配器103、電力合成器104を備えたドハティ増幅器とともに、電圧制御器400a、400b、波形整形手段300、入力分配手段600、および検波回路210で構成される。ここで、検波回路210は、包絡線信号抽出手段に相当する。
まず始めに、接続構成について説明する。
入力分配手段600は、電力分配器103および検波回路210に接続される。検波回路210は、例えば、ダイオード、時定数回路、フィルタ等で構成される。検波回路210の出力は、キャリア増幅器101の電圧制御器400aあるいはピーク増幅器102の電圧制御器400bに接続される。
入力分配手段600は、電力分配器103および検波回路210に接続される。検波回路210は、例えば、ダイオード、時定数回路、フィルタ等で構成される。検波回路210の出力は、キャリア増幅器101の電圧制御器400aあるいはピーク増幅器102の電圧制御器400bに接続される。
電圧制御器400aの出力は、キャリア増幅器101の電圧給電回路に接続される。電圧制御器400bの出力は、キャリア増幅器101の電圧給電回路に接続される。電力分配器103は、キャリア増幅器101とピーク増幅器102の入力に接続される。そして、キャリア増幅器101の出力とピーク増幅器102の出力は電力合成器104に接続される。
次に、図11に示したドハティ増幅器を含む高効率増幅器の動作について説明する。
入力信号であるRF信号は、入力分配手段600によって電力分配器103および検波回路210に分配される。
入力信号であるRF信号は、入力分配手段600によって電力分配器103および検波回路210に分配される。
検波回路210は、入力されたRF信号から包絡線信号を抽出し、抽出された包絡線信号は、波形整形手段300に入力される。波形整形手段300は、入力される包絡線信号の波形整形を行う。つまり、この波形整形手段300は、RF入力信号と同等の包絡線を再生し、出力することとなる。なお、波形整形手段300としては、例えば、先の実施の形態4に示す図4の回路が適用できる。
波形整形手段300の出力信号は、キャリア増幅器101の電圧制御器400aおよびピーク増幅器102の電圧制御器400bに入力される。電圧制御器400aおよび400bは、バイアスを動的に制御するための制御信号を生成し、出力する。また、波形整形手段300と電圧制御器400aと電圧制御器400bは、先の実施の形態5に示す図5の回路のように、デジタル信号処理技術を適用することも可能である。
電圧制御器400aの出力信号は、キャリア増幅器101の電圧給電回路に入力される。電圧制御器400bの出力信号は、ピーク増幅器102の電圧給電回路に入力される。なお、図11においては、2つの電圧制御器400a、400bを用いているが、これらをまとめた1台の電圧制御器で構成することも可能である。
以上のように、実施の形態13によれば、検波回路から得られる包絡線を波形整形することにより、RF入力信号の包絡線を再生することができる。この結果、忠実な変調波包絡線を基準信号としてドハティ増幅器のバイアスを制御することが可能となる。
実施の形態14.
本実施の形態14では、先の実施の形態2における図2の高効率増幅器において、前置増幅器と後置増幅器との間に遅延調整手段を備えた場合について説明する。図12は、本発明の実施の形態14における高効率増幅器の構成図である。この高効率増幅器は、前置増幅器111、後置増幅器112を備えた電力増幅器とともに、遅延調整手段700で構成される。
本実施の形態14では、先の実施の形態2における図2の高効率増幅器において、前置増幅器と後置増幅器との間に遅延調整手段を備えた場合について説明する。図12は、本発明の実施の形態14における高効率増幅器の構成図である。この高効率増幅器は、前置増幅器111、後置増幅器112を備えた電力増幅器とともに、遅延調整手段700で構成される。
まず始めに、接続構成について説明する。
本構成は、先の実施の形態2に対して施されたものであり、先の実施の形態2との相違は、前置増幅器111と後置増幅器112との間に遅延調整手段700が挿入された点である。
本構成は、先の実施の形態2に対して施されたものであり、先の実施の形態2との相違は、前置増幅器111と後置増幅器112との間に遅延調整手段700が挿入された点である。
次に、図12に示した高効率増幅器の動作について説明する。
図12に示す前置増幅器111と後置増幅器112との間に遅延調整手段700を挿入することにより、図2の電圧抽出手段200、波形整形手段300および電圧制御器400で生じる遅延時間を補償することができる。
図12に示す前置増幅器111と後置増幅器112との間に遅延調整手段700を挿入することにより、図2の電圧抽出手段200、波形整形手段300および電圧制御器400で生じる遅延時間を補償することができる。
以上のように、実施の形態14によれば、遅延調整回路を挿入することにより、先の実施の形態2と比較して、RF信号波形と後置増幅器に印加される電圧制御信号との間に精度の高い同期が確保できる。
実施の形態15.
本実施の形態15では、先の実施の形態13における図11の高効率増幅器において、さらに遅延調整手段を備えた場合について説明する。図13は、本発明の実施の形態15における高効率増幅器の構成図である。この高効率増幅器は、図11と比較すると、入力分配手段600と電力分配器103との間に遅延調整手段700aをさらに備えている点が異なる。
本実施の形態15では、先の実施の形態13における図11の高効率増幅器において、さらに遅延調整手段を備えた場合について説明する。図13は、本発明の実施の形態15における高効率増幅器の構成図である。この高効率増幅器は、図11と比較すると、入力分配手段600と電力分配器103との間に遅延調整手段700aをさらに備えている点が異なる。
なお、この遅延調整手段700aの代わりに、電力分配器103とキャリア増幅器101との間、および電力分配器103とピーク増幅器102との間に遅延調整手段700bを挿入する構成とすることも可能である。
次に、図13に示した高効率増幅器の動作について説明する。
図13が示す遅延調整手段700aまたは700bを挿入するにより、図11の波形整形手段300、および電圧制御器400a、400bで生じる遅延時間を、補償することができる。
図13が示す遅延調整手段700aまたは700bを挿入するにより、図11の波形整形手段300、および電圧制御器400a、400bで生じる遅延時間を、補償することができる。
以上のように、実施の形態15によれば、遅延調整回路を挿入することにより、先の実施の形態13と比較して、RF信号波形と、キャリア増幅器およびピーク増幅器に印加される電圧制御信号との間に精度の高い同期が確保できる。
101 キャリア増幅器、102 ピーク増幅器、103 電力分配器、104 電力合成器、111 前置増幅器、112 後置増幅器、200、200a、200b、200c 電圧抽出手段(包絡線信号抽出手段)、201 低周波デカップリング部(低周波デカップリング回路)、202 電圧検出抵抗器、203 高調波反射ネットワーク部(高調波反射回路)、204 電圧検出端、205 差動増幅器、210 検波回路(包絡線信号抽出手段)、300 波形整形手段、310 関数発生器、321 コンバータ、322 デジタル信号処理手段、323 コンバータ、400、400a、400b 電圧制御器、401 コンパレータ、500 サブシステム、600 入力分配手段、700、700a、700b 遅延調整手段。
Claims (14)
- RF入力信号に対応する包絡線信号を抽出する包絡線信号抽出手段と、
抽出された前記包絡線信号に基づいて前記RF入力信号を増幅し、電圧制御信号を生成するための電圧制御器と、
前記電圧制御信号に応じて前記RF入力信号を増幅する増幅器と
を備えた高効率増幅器において、
抽出された前記包絡線信号を入力とし、前記包絡線信号の波形が前記RF入力信号の真の包絡線と同等の波形となるように、あらかじめ定められた入出力特性に基づいて波形整形を行い、波形整形後の出力信号を生成する波形整形手段をさらに備え、
前記電圧制御器は、前記波形整形手段による前記波形整形後の出力信号に基づいて、バイアスを動的に制御するための電圧制御信号を生成して前記増幅器を制御する
ことを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項1に記載の高効率増幅器において、
前記増幅器は、キャリア増幅器およびピーク増幅器を有するドハティ増幅器で構成され、
前記包絡線信号抽出手段は、前記キャリア増幅器にドレイン電圧を印加するドレイン電圧給電回路に挿入された電圧検出抵抗器を有し、前記電圧検出抵抗器の両端の電圧から前記RF入力信号に対応する包絡線信号を抽出し、
前記電圧制御器は、前記波形整形手段による前記波形整形後の出力信号に基づいて、バイアスを動的に制御するための電圧制御信号を生成して前記ピーク増幅器を制御する
ことを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項2に記載の高効率増幅器において、
前記電圧制御器は、前記波形整形手段による前記波形整形後の出力信号と、所定の閾値との比較結果に応じて、バイアスを動的に制御するための電圧制御信号を生成して前記ピーク増幅器を制御することを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項1に記載の高効率増幅器において、
前記増幅器は、前置増幅器および後置増幅器を有する電力増幅器で構成され、
前記包絡線信号抽出手段は、前記前置増幅器にドレイン電圧を印加するドレイン電圧給電回路に挿入された電圧検出抵抗器を有し、前記電圧検出抵抗器の両端の電圧から前記RF入力信号に対応する包絡線信号を抽出し、
前記電圧制御器は、前記波形整形手段による前記波形整形後の出力信号に基づいて、バイアスを動的に制御するための電圧制御信号を生成して前記後置増幅器を制御する
ことを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項4に記載の高効率増幅器において、
前記前置増幅器と前記後置増幅器との間に遅延時間の補償を行う遅延調整手段をさらに備えることを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項4または5に記載の高効率増幅器において、
前記後置増幅器は、キャリア増幅器およびピーク増幅器を有するドハティ増幅器で構成され、
前記電圧制御器は、前記ドハティ増幅器内の前記キャリア増幅器または前記ピーク増幅器の、ゲート電圧給電回路またはドレイン電圧給電回路に接続され、前記後置増幅器を制御する
ことを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項4または5に記載の高効率増幅器において、
前記後置増幅器は、トランジスタ1個で構成された増幅器であり、
前記電圧制御器は、後置増幅器のゲート電圧給電回路またはドレイン電圧給電回路に接続され、前記後置増幅器を制御する
ことを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項1に記載の高効率増幅器において、
前記RF入力信号を前記増幅器と前記包絡線信号抽出手段とに分配する入力分配手段をさらに備え、
前記増幅器は、キャリア増幅器およびピーク増幅器を有するドハティ増幅器で構成され、
前記包絡線信号抽出手段は、前記入力分配手段により分配された前記RF入力信号に対応する包絡線信号を検波する検波回路で構成され、
前記電圧制御器は、前記波形整形手段による前記波形整形後の出力信号に基づいて、バイアスを動的に制御するための電圧制御信号を個別に生成して前記キャリア増幅器および前記ピーク増幅器のそれぞれを制御する
ことを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項8に記載の高効率増幅器において、
前記電力分配器と前記キャリア増幅器との間および前記電力分配器と前記ピーク増幅器との間、あるいは前記入力分配手段と電力分配器との間の何れかに遅延時間の補償を行う遅延調整手段をさらに備えることを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項1ないし9のいずれか1項に記載の高効率増幅器において、
前記波形整形手段は、オペアンプおよび非線形素子であるダイオードを用いた関数発生器で構成されることを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項1ないし9のいずれか1項に記載の高効率増幅器において、
前記波形整形手段および前記電圧制御器を合わせた構成として、
前記包絡線信号抽出手段により抽出された前記包絡線信号をデジタル信号に変換するA/Dコンバータと、
前記デジタル信号に基づいて波形整形後のデジタル信号を生成するとともに、前記波形整形後のデジタル信号に基づいて、バイアスを動的に制御するための電圧制御デジタル信号を生成するデジタル信号処理手段と、
前記電圧制御デジタル信号をアナログ信号に変換して電圧制御信号を生成するD/Aコンバータと
を備えることを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項1ないし11のいずれか1項に記載の高効率増幅器において、
前記包絡線信号抽出手段は、前記ドレイン電圧給電回路に挿入された前記電圧検出抵抗器の両端に対して、電源供給側には低周波信号をブロックするための低周波デカップリング回路を有し、増幅器側には前記RF入力信号および高調波をブロックするための高調波反射回路を有することを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項1ないし12のいずれか1項に記載の高効率増幅器において、
前記包絡線信号抽出手段は、抽出した前記包絡線信号の電位にオフセット電圧を印加する電圧オフセット手段をさらに備えることを特徴とする高効率増幅器。 - 請求項1ないし13のいずれか1項に記載の高効率増幅器において、
前記波形整形手段は、高効率増幅器システム内のサブシステムが前記波形整形後の出力信号を必要とする場合には、前記サブシステムに対して前記波形整形後の出力信号を供給することを特徴とする高効率増幅器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006330722A JP2008147857A (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 高効率増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006330722A JP2008147857A (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 高効率増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008147857A true JP2008147857A (ja) | 2008-06-26 |
Family
ID=39607564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006330722A Pending JP2008147857A (ja) | 2006-12-07 | 2006-12-07 | 高効率増幅器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008147857A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010114539A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Nec Corp | 電力増幅器およびその増幅方法 |
EP2418767A1 (en) | 2010-06-29 | 2012-02-15 | Fujitsu Limited | Amplifying device |
US8364101B2 (en) | 2009-03-19 | 2013-01-29 | Fujitsu Limited | Amplifying device and transmitter apparatus |
JP2013055491A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Fujitsu Ltd | 電子機器及び増幅器制御プログラム |
JP2013240176A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | デジタル制御電源装置 |
JP2015104062A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 三菱電機株式会社 | 高効率増幅器 |
JPWO2014069451A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2016-09-08 | 日本電気株式会社 | 電力増幅器及び電力増幅方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0334709A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 線形送信装置 |
JPH06252662A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-09-09 | Toshiba Corp | 電力増幅装置 |
JP2000513535A (ja) * | 1996-06-28 | 2000-10-10 | モトローラ・インコーポレイテッド | 電力増幅器用バイアス回路 |
JP2001148615A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Mos−fet増幅回路 |
JP2004247918A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路 |
JP2006165856A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 増幅装置 |
-
2006
- 2006-12-07 JP JP2006330722A patent/JP2008147857A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0334709A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 線形送信装置 |
JPH06252662A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-09-09 | Toshiba Corp | 電力増幅装置 |
JP2000513535A (ja) * | 1996-06-28 | 2000-10-10 | モトローラ・インコーポレイテッド | 電力増幅器用バイアス回路 |
JP2001148615A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Mos−fet増幅回路 |
JP2004247918A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路 |
JP2006165856A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 増幅装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010114539A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Nec Corp | 電力増幅器およびその増幅方法 |
US8344799B2 (en) | 2008-11-05 | 2013-01-01 | Nec Corporation | Power amplifier and amplification method thereof |
US8364101B2 (en) | 2009-03-19 | 2013-01-29 | Fujitsu Limited | Amplifying device and transmitter apparatus |
EP2418767A1 (en) | 2010-06-29 | 2012-02-15 | Fujitsu Limited | Amplifying device |
US8269559B2 (en) | 2010-06-29 | 2012-09-18 | Fujitsu Limited | Amplifying device |
JP2013055491A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Fujitsu Ltd | 電子機器及び増幅器制御プログラム |
JP2013240176A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | デジタル制御電源装置 |
JPWO2014069451A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2016-09-08 | 日本電気株式会社 | 電力増幅器及び電力増幅方法 |
JP2015104062A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 三菱電機株式会社 | 高効率増幅器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8934854B2 (en) | Transmitter with peak-tracking PAPR reduction and method therefor | |
US7091777B2 (en) | Controller for an RF power amplifier | |
JP2008147857A (ja) | 高効率増幅器 | |
JP5131200B2 (ja) | 電力増幅器 | |
WO2000041296A1 (en) | Method and apparatus for operating a radio-frequency power amplifier as a variable-class linear amplifier | |
AU2002344035A1 (en) | A method and system for broadband predistortion linearizaion | |
JPWO2010089971A1 (ja) | 電力増幅器及び電力増幅方法 | |
JP3325348B2 (ja) | 電力増幅装置 | |
KR20060123505A (ko) | 펄스 폭 변조 증폭기 및 자동 이득 제어용 전원신호 제거장치와 방법 | |
CN102340283B (zh) | 一种包络跟踪的方法及装置 | |
EP3607653B1 (en) | Polar modulation using product mode | |
EP2709272A1 (en) | Power supply device, transmission device using same, and method for operating power supply device | |
JP2016530820A5 (ja) | ||
JP5621780B2 (ja) | 電力増幅器、無線通信機および電力増幅方法 | |
US8145148B2 (en) | Transmitter and communication apparatus | |
US8243854B2 (en) | Amplitude control circuit, polar modulation transmission circuit and polar modulation method | |
JP4536468B2 (ja) | E級増幅器、及びeer変調増幅装置 | |
KR100978221B1 (ko) | 무선 통신 시스템의 전력 송신 장치 | |
KR101859228B1 (ko) | Et 전력 송신기에서 바이어스 모듈레이터의 출력 전류 제어 장치 및 방법 | |
JP5795218B2 (ja) | Et電力増幅装置 | |
KR101977783B1 (ko) | 전력 증폭기 성능 보정 방법 및 그를 위한 장치 | |
KR101671284B1 (ko) | 도허티 전력증폭 장치 | |
JP2016100622A (ja) | 増幅装置 | |
JP2005184273A (ja) | 高出力増幅器 | |
KR20160016324A (ko) | 포락선 추적 전원 변조부 및 이를 적용한 전력증폭 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090917 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110301 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110628 |