JP5498739B2 - スパッタリング装置およびスパッタリング方法 - Google Patents
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Description
前記シート状のプラズマ(シートプラズマという)は、前記スパッタリングチャンバ内の前記基板と前記ターゲットとの間を通過するように誘導され、
前記シートプラズマ中の荷電粒子によって前記ターゲットからスパッタリングされたアルミニウム材料が前記基板の開口部に堆積する際に、前記アルミニウム材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、プラズマ放電電流および基板バイアス電圧に基づいて調整されている、スパッタリング装置を提供する。
プラズマ放電電流IDの多少により、シートプラズマ27の放熱量が変化する。このため、プラズマ放電電流IDを用いて、シートプラズマ27から半導体基板34Bに伝わる熱量を制御でき、これにより、Al堆積膜のリフロー性を直接的に制御できると考えられる。
基板バイアス電圧VAの大小により、シートプラズマ27中のアルミニウムイオン(Al+)を半導体基板34Bに引き込む場合のAl+のエネルギ(加速度)が変化する。このため、基板バイアス電圧VAをマイナス電圧側に大きくすると、半導体基板34Bの底部にAl+を優先的に引き込み、これにより、Al堆積膜のリフロー性を補助的に制御できると考えられる。
ターゲットバイアス電圧VBの大小により、Alターゲット35Bに入射するAr+の加速度が変化するので、Al材料のスパッタリング収率に影響を与える。よって、ターゲットバイアス電圧VBは、Al材料の成膜速度に直接的な影響を及ぼすので、最適なAl材料の成膜速度を確保できる値に固定する方が好ましい。
T−S距離Lを短くすると、シートプラズマ27が半導体基板34Bに近づくので、半導体基板34Bの温度を上げる方向に作用する。この場合、半導体基板34Bの温度制御の観点では、Al材料のコンタクト埋め込み特性の改善において有利に作用すると考えられるが、特許文献3に記載のロングスパッタ技術の観点では、むしろ不利に作用する。
21 輸送空間
22 円柱プラズマ
23 第1の電磁コイル
24A、24B 棒磁石
27 シートプラズマ
28 ボトルネック部
29 通路
30 スパッタリングチャンバ
31 成膜空間
32 第2の電磁コイル
33 第3の電磁コイル
34A 基板ホルダ
34B 基板(半導体基板)
35A ターゲットホルダ
35B ターゲット(Alターゲット)
36 真空ポンプ
37 バルブ
38 永久磁石
40 プラズマガン
41 カソードユニット
41A ガラス管
41B 蓋部材
50 プラズマガン電源
51、52 バイアス電源
70 電力発生部
100 スパッタリング装置
200、300 昇温プロファイル
A アノード
G1、G2 中間電極
C カソード
ID プラズマ放電電流
L T−S距離
P1、P2、P3、P4 サンプリングポイント
R1、R2 抵抗素子
S 主面
VA 基板バイアス電圧
VB ターゲットバイアス電圧
Claims (2)
- アルミニウムからなるターゲットおよび開口部が形成された基板を格納可能な非磁性のスパッタリングチャンバと、
カソードユニットおよびアノード間の放電により、プラズマを形成可能なプラズマガンと、
前記プラズマガンから放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段と、
プラズマ放電電流の調整に用いるプラズマガン電源と、
基板バイアス電圧の調整に用いるバイアス電源と、
を備え、
前記シート状のプラズマ(シートプラズマという)は、前記スパッタリングチャンバ内の前記基板と前記ターゲットとの間を通過するように、前記スパッタリングチャンバの側壁と前記アノードとの間に設けられた通路に誘導され、
前記シートプラズマ中の荷電粒子によって前記ターゲットからスパッタリングされたアルミニウム材料が前記基板の開口部に堆積する際に、前記アルミニウム材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、前記プラズマ放電電流および前記基板バイアス電圧に基づいて調整され、
前記基板の温度または前記基板の昇温速度が、前記プラズマガン電源を用いた前記プラズマ放電電流の調整によって前記シートプラズマから前記基板に伝わる熱量に基づいて制御されている、スパッタリング装置。 - アルミニウムからなるターゲットおよび開口部が形成された基板を、非磁性のスパッタリングチャンバ内に格納した後、前記スパッタリングチャンバ内を減圧し、
プラズマガンから放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状のプラズマ(シートプラズマという)に変形させて、前記シートプラズマを、前記スパッタリングチャンバ内の前記基板と前記ターゲットとの間を通過するよう、前記スパッタリングチャンバの側壁とアノードとの間に設けられた通路に誘導し、
前記シートプラズマ中の荷電粒子によって前記ターゲットからスパッタリングされたアルミニウム材料が前記基板の開口部に堆積する際に、前記アルミニウム材料からなる堆積膜のカバレッジ性を、プラズマ放電電流および基板バイアス電圧に基づいて調整し、前記基板の温度または前記基板の昇温速度を、前記プラズマ放電電流の調整によって前記シートプラズマから前記基板に伝わる熱量に基づいて制御する、スパッタリング方法。
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