JP5118607B2 - 真空処理装置 - Google Patents
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前記荷電粒子流形成手段から放出された前記荷電粒子流を輸送する輸送室と、
前記輸送室から放出された前記荷電粒子流を用いて真空処理が行われる接地状態の導電性の真空処理室と、
同磁極同士が向き合って配された磁界発生手段の対と、を備え、
前記輸送室が、導電性の第1筒壁部材および前記第1筒壁部材の内部に配された絶縁性の第2筒壁部材を有しており、
前記第2筒壁部材の内部が、前記荷電粒子流の輸送空間になっており、
前記輸送室は、前記磁界発生手段の対が作る磁界より、前記荷電粒子流形成手段から放出された荷電粒子流をシート状に変形できるように構成されており、
前記シート状の荷電粒子流が、前記輸送室から前記真空処理室に誘導される真空処理装置を提供する。
(変形例)
以上の実施形態のスパッタリング装置100では、シートプラズマ27を形成できるシートプラズマ変形室20の壁部を導電性部材および絶縁性部材の2重構造にする例を述べたが、本技術の適用範囲は、シートプラズマ変形室20の壁部に限らない。例えば、真空蒸着用の電子ビームを輸送する輸送室の壁部であっても、或いは、イオンビームスパッタリング(IBS)用のイオンビームを輸送する輸送室の壁部であっても、本技術を適用することができる。
20A 第1フランジ部
20B 第2フランジ部
20C 外側筒壁部材
20D 内側筒壁部材
20E 目視用フランジ部
21 シートプラズマ輸送空間
22 円柱プラズマ
23 第1電磁コイル
24A、24B 棒磁石
27 シートプラズマ
28、29 通路
30 真空成膜室
31 成膜空間
32 第2電磁コイル
33 第3電磁コイル
34A 基板ホルダ
34B 基板
35A ターゲットホルダ
35B ターゲット
36 真空ポンプ
37 バルブ
38 永久磁石
40 プラズマガン
41 カソードユニット
41A ガラス管
41B 蓋部材
50 プラズマガン電源
51、52 バイアス電源
70 電力発生部
100 スパッタリング装置
A アノード
G1、G2 中間電極
K カソード
R1、R2 抵抗素子
S 主面
V 覗き窓
Claims (3)
- アノードおよびカソード間の放電により、荷電粒子流を形成できる荷電粒子流形成手段と、
前記荷電粒子流形成手段から放出された前記荷電粒子流を輸送する輸送室と、
前記輸送室から放出された前記荷電粒子流を用いて真空処理が行われる接地状態の導電性の真空処理室と、
同磁極同士が向き合って配された磁界発生手段の対と、を備え、
前記輸送室が、導電性の第1筒壁部材および前記第1筒壁部材の内部に配された絶縁性の第2筒壁部材を有しており、
前記第2筒壁部材の内部が、前記荷電粒子流の輸送空間になっており、
前記輸送室は、前記磁界発生手段の対が作る磁界より、前記荷電粒子流形成手段から放出された荷電粒子流をシート状に変形できるように構成されており、
前記シート状の荷電粒子流が、前記輸送室から前記真空処理室に誘導される真空処理装置。 - 前記真空処理室および前記第1筒壁部材が電気的に接続されている請求項1に記載の真空処理装置。
- 前記第1筒壁部材および前記真空処理室が一点接地されている請求項2に記載の真空処理装置。
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