JP5495925B2 - 半導体の製造方法および光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Description
た原料溶液を作製し、該原料溶液と非極性溶媒とを混合して前記ルイス塩基性有機化合物
、前記カルコゲン元素含有有機化合物、前記I−B族金属および前記III−B族金属を含
む半導体原料化合物を析出させる第1の工程と、前記半導体原料化合物を前記第1の有機溶媒よりも沸点の低い第2の有機溶媒に溶解して半導体形成用溶液を作製する第2の工程と、前記半導体形成用溶液を用いてI−III−VI族化合物半導体を含む半導体を作製する
第3の工程とを具備することを特徴とする。
した原料溶液を作製し、該原料溶液と非極性溶媒とを混合して前記ルイス塩基性有機化合物、前記カルコゲン元素含有有機化合物、前記I−B族金属および前記III−B族金属を
含む半導体原料化合物を析出させる第1の工程と、前記半導体原料化合物を前記ルイス塩基性有機化合物よりもルイス塩基性の弱い第2の有機溶媒に溶解して半導体形成用溶液を作製する第2の工程と、前記半導体形成用溶液を用いてI−III−VI族化合物半導体を含
む半導体を作製する第3の工程とを具備することを特徴とする。
本発明の他の実施形態に係る半導体の製造方法は、第1のルイス塩基性有機化合物を含む第1の有機溶媒に第1のカルコゲン元素含有有機化合物およびI−B族金属を溶解した第1の原料溶液を作製し、該第1の原料溶液と第1の非極性溶媒とを混合して前記第1のルイス塩基性有機化合物、前記第1のカルコゲン元素含有有機化合物および前記I−B族金属を含むI−B族金属含有半導体原料化合物を析出させる第1の工程と、第2のルイス塩基性有機化合物を含む第2の有機溶媒に第2のカルコゲン元素含有有機化合物およびIII−B族金属を溶解した第2の原料溶液を作製し、該第2の原料溶液と第2の非極性溶媒とを混合して前記第2のルイス塩基性有機化合物、前記第2のカルコゲン元素含有有機化合物および前記III−B族金属を含むIII−B族金属含有半導体原料化合物を析出させる第2の工程と、前記I−B族金属含有半導体原料化合物および前記III−B族金属含有半導体原料化合物を前記第1の有機溶媒および前記第2の有機溶媒よりも沸点の低い第3の有機溶媒に溶解して半導体形成用溶液を作製する第3の工程と、前記半導体形成用溶液を用いてI−III−VI族化合物半導体を含む半導体を作製する第4の工程とを具備することを特徴とする。
本発明の他の実施形態に係る半導体の製造方法は、第1のルイス塩基性有機化合物を含む第1の有機溶媒に第1のカルコゲン元素含有有機化合物およびI−B族金属を溶解した第1の原料溶液を作製し、該第1の原料溶液と第1の非極性溶媒とを混合して前記第1のルイス塩基性有機化合物、前記第1のカルコゲン元素含有有機化合物および前記I−B族金属を含むI−B族金属含有半導体原料化合物を析出させる第1の工程と、第2のルイス塩基性有機化合物を含む第2の有機溶媒に第2のカルコゲン元素含有有機化合物およびIII−B族金属を溶解した第2の原料溶液を作製し、該第2の原料溶液と第2の非極性溶媒とを混合して前記第2のルイス塩基性有機化合物、前記第2のカルコゲン元素含有有機化合物および前記III−B族金属を含むIII−B族金属含有半導体原料化合物を析出させる第2の工程と、前記I−B族金属含有半導体原料化合物および前記III−B族金属含有半導体原料化合物を前記第1の有機溶媒および前記第2の有機溶媒よりもルイス塩基性の弱い第3の有機溶媒に溶解して半導体形成用溶液を作製する第3の工程と、前記半導体形成用溶液を用いてI−III−VI族化合物半導体を含む半導体を作製する第4の工程とを具備することを特徴とする。
素ともいう)のうちのS、Se、Teをいう。
造を有し、カルコパイライト系化合物半導体と呼ばれる(CIS系化合物半導体ともいう)。I−III−VI族化合物半導体としては、例えば、Cu(In,Ga)Se2(CIGSともいう)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSSともいう)、およびCuInS2(CISともいう)が挙げられる。なお、Cu(In,Ga)Se2とは、CuとInとGaとSeとから主に構成された化合物をいう。また、Cu(In,Ga)(Se,S)2とは、CuとInとGaとSeとSとから主に構成された化合物をいう。10μm以下の薄層でも光電変換効率を高めることができるという観点からは、第1の半導体層3はこのようなI−III−VI族化合物半導体であることが好ましい。
液を塗布することにより前駆体層を形成する。これらの前駆体層にはVI−B族元素を含ませておいても良い。また、これらの前駆体層は、異なる組成の複数の積層体であってもよい。そしてこの前駆体層を加熱処理することにより化学反応させ、第1の半導体層3とする。
素を具備した官能基が好ましく、例えば、アミノ基(1級アミン〜3級アミンのいずれでもよい)、カルボニル基、シアノ基等が挙げられる。ルイス塩基性有機化合物の具体例としては、ピリジン、アニリン、トリフェニルフォスフィン、2,4−ペンタンジオン、3−メチル−2,4−ペンタンジオン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、アセトニトリル、ベンジル、ベンゾイン等およびこれらの誘導体が挙げられる。特に塗布性を高めるという観点からは、沸点が100℃以上であるものが好ましい。
。
れ作製し、これらの原料溶液のそれぞれに対して非極性溶媒を用いて原料金属ごとの半導体原料化合物をそれぞれ析出させてもよい。この場合、原料金属ごとの半導体原料化合物を先に作製させてからこれらを混合して半導体形成用溶液を作製することができるので、複数種の原料金属の組成比を精度良く調整することができる。つまり、3種類の原料金属を溶解させた原料溶液に対して非極性溶媒を用いて3種類の原料金属を含む半導体原料化合物を析出させた場合は、3種類の原料金属の溶解度等の物性差により、析出する半導体原料化合物中の原料金属の組成比が所望のものとなり難いのに対し、原料金属ごとの半導体原料化合物をそれぞれ析出させた場合は、より所望の組成比とすることができる。
層3上にバッファ層としての第2の半導体層4が10〜200nmの厚みで形成され、この第2の半導体層4上に第2の電極層5が形成される。なお、第2の半導体層4を形成せず、第1の半導体層3上に第2の電極層5を形成してもよい。
、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。
レード法による塗布を10回も行う必要があり、工程が複雑となった。また、この作製された比較例としての半導体層を観察したところ、クラックが発生していることがわかった。
形成用溶液の原料濃度を高めることができるため、ブレード法による塗布が2回だけで、所望の2μmの厚みの半導体層を作製することができた。さらに、この作製された半導体層を観察したところ、クラックの発生もなく、良好な第1の半導体層が形成されていることがわかった。
2:第1の電極層
3:第1の半導体層
4:第2の半導体層
5:第2の電極層
6:第3の電極層
7:接続導体
8:集電電極
10:光電変換装置
Claims (9)
- ルイス塩基性有機化合物を含む第1の有機溶媒にカルコゲン元素含有有機化合物、I−B族金属およびIII−B族金属を溶解した原料溶液を作製し、該原料溶液と非極性溶媒と
を混合して前記ルイス塩基性有機化合物、前記カルコゲン元素含有有機化合物、前記I−B族金属および前記III−B族金属を含む半導体原料化合物を析出させる第1の工程と、
前記半導体原料化合物を前記第1の有機溶媒よりも沸点の低い第2の有機溶媒に溶解して半導体形成用溶液を作製する第2の工程と、
前記半導体形成用溶液を用いてI−III−VI族化合物半導体を含む半導体を作製する第3
の工程と
を具備することを特徴とする半導体の製造方法。 - ルイス塩基性有機化合物を含む第1の有機溶媒にカルコゲン元素含有有機化合物、I−B族金属およびIII−B族金属を溶解した原料溶液を作製し、該原料溶液と非極性溶媒と
を混合して前記ルイス塩基性有機化合物、前記カルコゲン元素含有有機化合物、前記I−B族金属および前記III−B族金属を含む半導体原料化合物を析出させる第1の工程と、
前記半導体原料化合物を前記ルイス塩基性有機化合物よりもルイス塩基性の弱い第2の有機溶媒に溶解して半導体形成用溶液を作製する第2の工程と、
前記半導体形成用溶液を用いてI−III−VI族化合物半導体を含む半導体を作製する第3
の工程と
を具備することを特徴とする半導体の製造方法。 - 第1のルイス塩基性有機化合物を含む第1の有機溶媒に第1のカルコゲン元素含有有機化合物およびI−B族金属を溶解した第1の原料溶液を作製し、該第1の原料溶液と第1の非極性溶媒とを混合して前記第1のルイス塩基性有機化合物、前記第1のカルコゲン元素含有有機化合物および前記I−B族金属を含むI−B族金属含有半導体原料化合物を析出させる第1の工程と、
第2のルイス塩基性有機化合物を含む第2の有機溶媒に第2のカルコゲン元素含有有機化合物およびIII−B族金属を溶解した第2の原料溶液を作製し、該第2の原料溶液と第2
の非極性溶媒とを混合して前記第2のルイス塩基性有機化合物、前記第2のカルコゲン元素含有有機化合物および前記III−B族金属を含むIII−B族金属含有半導体原料化合物を析出させる第2の工程と、
前記I−B族金属含有半導体原料化合物および前記III−B族金属含有半導体原料化合物
を前記第1の有機溶媒および前記第2の有機溶媒よりも沸点の低い第3の有機溶媒に溶解
して半導体形成用溶液を作製する第3の工程と、
前記半導体形成用溶液を用いてI−III−VI族化合物半導体を含む半導体を作製する第4
の工程と
を具備することを特徴とする半導体の製造方法。 - 第1のルイス塩基性有機化合物を含む第1の有機溶媒に第1のカルコゲン元素含有有機化合物およびI−B族金属を溶解した第1の原料溶液を作製し、該第1の原料溶液と第1の非極性溶媒とを混合して前記第1のルイス塩基性有機化合物、前記第1のカルコゲン元素含有有機化合物および前記I−B族金属を含むI−B族金属含有半導体原料化合物を析出させる第1の工程と、
第2のルイス塩基性有機化合物を含む第2の有機溶媒に第2のカルコゲン元素含有有機化合物およびIII−B族金属を溶解した第2の原料溶液を作製し、該第2の原料溶液と第2
の非極性溶媒とを混合して前記第2のルイス塩基性有機化合物、前記第2のカルコゲン元素含有有機化合物および前記III−B族金属を含むIII−B族金属含有半導体原料化合物を析出させる第2の工程と、
前記I−B族金属含有半導体原料化合物および前記III−B族金属含有半導体原料化合物
を前記第1の有機溶媒および前記第2の有機溶媒よりもルイス塩基性の弱い第3の有機溶媒に溶解して半導体形成用溶液を作製する第3の工程と、
前記半導体形成用溶液を用いてI−III−VI族化合物半導体を含む半導体を作製する第4
の工程と
を具備することを特徴とする半導体の製造方法。 - 前記I−B族金属および前記III−B族金属は、金属単体または合金の状態で前記第1
の有機溶媒に溶解される、請求項1または2に記載の半導体の製造方法。 - 前記I−B族金属は、金属単体または合金の状態で前記第1の有機溶媒に溶解され、前記III−B族金属は、金属単体または合金の状態で前記第2の有機溶媒に溶解される、請
求項3または4に記載の半導体の製造方法。 - 前記ルイス塩基性有機化合物および前記非極性溶媒は芳香族環を有する化合物を含む、請求項1または2に記載の半導体の製造方法。
- 前記第1のルイス塩基性有機化合物、前記第2のルイス塩基性有機化合物、前記第1の非極性溶媒および前記第2の非極性溶媒は芳香族環を有する化合物を含む、請求項3または4に記載の半導体の製造方法。
- 第1の電極層上に請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体の製造方法により半導体層を作製する工程と、
前記半導体層上に第2の電極層を作製する工程と
を具備する、光電変換装置の製造方法。
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