JP5494804B2

JP5494804B2 - 力学センサ

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Publication number: JP5494804B2
Application number: JP2012520384A
Authority: JP
Inventors: 和広吉田; 宏浜村
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2010-06-15
Filing date: 2011-06-08
Publication date: 2014-05-21
Anticipated expiration: 2031-06-08
Also published as: US9146254B2; CN102918401B; CN102918401A; US20140000368A1; DE112011102030T5; JPWO2011158707A1; WO2011158707A1

Description

この発明は、ピエゾ抵抗素子を用いた力学センサ、特に、一軸検出の力学センサに関する。

従来、ピエゾ抵抗素子を用いた力学センサが各種考案されている。例えば、特許文献１では、直方体形状の重りと、該重りを囲む形状の支持体と、重りを支持体に対して回動可能に支持する梁とを備える。梁は、重りの対向する両端にそれぞれ配設され、重りが外力を受けて可動するような形状で形成されている。

図７は、特許文献１に示した力学センサと同じ構造の従来の力学センサ１０Ｐの斜視図である。図７では、支持体１２Ｐは、梁１３Ｐとの接続部のみを記載しており、他の部分の記載は省略している。また、当該力学センサ１０Ｐは従来の一般的構造であるので、概略的な構造説明のみを行う。

重り１１Ｐは、略立方体形状からなる。重り１１Ｐの上面側における対向する二辺の略中央には、それぞれに梁１３Ｐが接続されている。梁１３Ｐは、重り１１Ｐが外力により可動可能な形状に形成されている。梁１３Ｐにおける重り１１Ｐが接続されている側と反対側の端部は、支持体１２Ｐに接続されている。これら重り１１Ｐ、梁１３Ｐ、および支持体１２Ｐは、ピエゾ抵抗素子を形成したシリコン基板をエッチング加工する等により一体形成されている。

特開昭６３−３０５２５６号公報

しかしながら、図７に示すような従来構造の力学センサ１０Ｐでは、次のような問題が生じる。

従来の力学センサ１０Ｐにおいて、梁１３Ｐが設置された重り１１Ｐの上面側における対向する二辺に平行な軸（図７におけるｘ軸）に平行な方向へ力が加わった場合、重り１１Ｐは、二つの梁１３Ｐを結ぶ軸（図７におけるｙ軸）を基準に揺動する。この場合、図７に示すように、梁１３Ｐが重り１１Ｐおよび支持体１２Ｐに接続されている四箇所の角部近傍の極小領域が、応力発生領域３０Ｐとなる。

ここで、力学センサで、係る力による加速度等の物理量を計測する際には、応力発生領域３０Ｐにピエゾ抵抗素子を配設する必要がある。

しかしながら、従来の力学センサ１０Ｐでは、応力発生領域３０Ｐが極小面積であり、当該領域にピエゾ抵抗素子を正確に配設することは容易ではなく、逆に言えば、応力を正確に検出し、加速度等の物理量を、より確実に計測できる力学センサを実現することは容易ではなかった。

したがって、本発明の目的は、係る力による加速度等の物理量を、より確実に検出することができる力学センサを実現することにある。

この発明は、力学センサに関する。本願で取り扱う力学センサは、概略的には、梁を用いることで、支持体に対して重りが揺動可能に支持されている。そして、力学センサは、この揺動によって梁に発生する応力を、梁に設けた複数のピエゾ抵抗素子で検出して、係る力に基づく所定の物理量を検出する。このような前提的構成のもとで、重り、支持体、梁は、次に示す特徴を有する。

重りは、第１軸方向に沿って並び、それぞれが略直方体形状からなる第１部分重りおよび第２部分重りと、渡し部とからなる。渡し部は、第１軸方向に直交する第２軸方向において第１部分重りおよび第２部分重りの略中央に配設されており、第１部分重りと第２部分重りとを接続する構造を有する。すなわち、重りは、第１軸と第２軸とを含む平面で見れば、「Ｈ型」の形状からなる。

支持体は、第２軸方向に沿って、重りの渡し部を中間に介し、且つ重りから離間して配設されている。

梁は、第２軸方向に沿った渡し部の両側の位置で、第１軸方向に沿って第１部分重り部と支持体とを接続するとともに第２部分重り部と支持体とを接続する形状からなる。

このような構成とした場合、第１軸方向に沿った力が加わると、図４（詳細は後述する。）に示すように、梁における重りおよび支持体との接続端近傍の領域に亘って同じモードの応力が発生する。すなわち、梁における重りおよび支持体との接続辺に沿った広い領域で応力が発生する。これにより、当該接続辺に沿う形状でピエゾ抵抗素子を配置すればよく、従来ほど、ピエゾ抵抗素子の配置精度が要求されない。また、後述するように、この構成では、検出できる応力も従来構造より大きくなる。したがって、従来構造よりも、確実な応力の検出が可能になる。

また、この発明の力学センサでは、複数のピエゾ抵抗素子は、それぞれが梁における支持体側の接続端近傍に配設されている。

この構成では、梁にピエゾ抵抗素子を配設する具体的な構造を示している。上述のような第１軸に沿う力が加わると、梁の第１，第２部分重り側の端部よりも、梁の支持体側の端部に大きな応力が発生することが実験的に分かっている。したがって、梁の支持体側の端部にピエゾ抵抗素子を配設することで、より確実な応力検出が可能になる。

また、この発明の力学センサでは、第１部分重りと第２部分重りとは同じ重さである。もしくは、この発明の力学センサでは、第１部分重りと第２部分重りとが異なる重さである。

これらの構成のように、渡し部により接続される第１部分重りと第２部分重りとがの重さ関係を変化させることで、各梁の配置位置に対する中心位置と重心位置とを変化させることができる。これにより、同じように力学センサを配置しても、検出方向を変化することができる。

この発明によれば、比較的簡素な構造でありながら、係る力による加速度等の物理量を、より確実に検出することができる。

本発明の第１の実施形態に係る力学センサ１０の構造を説明するための斜視図である。本発明の第１の実施形態に係る力学センサ１０の平面図および各側面断面図である。本発明の第１の実施形態に係る力学センサ１０の各ピエゾ抵抗素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄの配置パターンおよび配線パターン２２を示す図である。本発明の第１の実施形態に係る力学センサ１０の検出概念を示す図である。本発明の第１の実施形態に係る力学センサ１０の製造方法を説明するための図である。本発明の実施形態における他の構成からなる力学センサ１０Ａの構造を示す斜視図である。特許文献１に示した力学センサと同じ構造の従来の力学センサ１０Ｐの斜視図である。

本発明の第１の実施形態に係る力学センサについて、図を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る力学センサ１０の構造を説明するための斜視図である。図２は、本実施形態に係る力学センサ１０の平面図および各側面断面図である。図２（Ａ）は、力学センサ１０の平面図である。図２（Ｂ）は力学センサ１０の図２（Ａ）におけるＡ１−Ａ２断面を見る側面断面図であり、図２（Ｃ）は力学センサ１０の図２（Ａ）におけるＢ１−Ｂ２断面を見る側面断面図であり、図２（Ｄ）は力学センサ１０の図２（Ａ）におけるＣ１−Ｃ２断面を見る側面断面図である。図２（Ｅ）は力学センサ１０の図２（Ａ）におけるＤ１−Ｄ２断面を見る側面断面図であり、図２（Ｆ）は力学センサ１０の図２（Ａ）におけるＥ１−Ｅ２断面を見る側面断面図であり、図２（Ｇ）は力学センサ１０の図２（Ａ）におけるＦ１−Ｆ２断面を見る側面断面図である。図３は、本実施形態に係る力学センサ１０の各ピエゾ抵抗素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄの配置パターンおよび配線パターン２２を示す図である。

力学センサ１０は、平面視した形状、図１であれば、ｚ軸方向に沿って見た形状が「Ｈ」型の重り１１を備える。重り１１は、ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）基板に対してパターンエッチング処理等の後述する各成形処理を行うことで形成される。重り１１は、当該処理により、略直方体形状の第１部分重り１１Ａおよび第２部分重り１１Ｂと、同じく略直方体形状からなる渡し部１１Ｃとが、一体形成されている。具体的には、重り１１は、次に示す構造からなる。

第１部分重り１１Ａと第２部分重り１１Ｂとは同じ形状であり、平面視した短辺がそれぞれ第１軸（図１であればｘ軸）方向に沿って、所定間隔を空けて配列している。この際、第１部分重り１１Ａと第２部分重り１１Ｂは、平面視した長辺がそれぞれ第１軸に直交する第２軸（図１であればｙ軸）に沿うように配置されている。

渡し部１１Ｃは、第１部分重り１１Ａと第２部分重り１１Ｂとにおける第２軸方向の略中央の位置に配設されており、第１部分重り１１Ａと第２部分重り１１Ｂの両方に接続されている。渡し部１１Ｃは、第１部分重り１１Ａおよび第２部分重り１１Ｂと同じ厚み（図１におけるｚ軸方向の長さ）からなる。なお、渡し部１１Ｃの幅は、重り１１全体の重さ、第１部分重り１１Ａ、第２部分重り１１Ｂのそれぞれの重さ、および後述する梁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄの幅とこれらに対する間隔とに基づいて適宜設定されている。

支持体１２Ａ，１２Ｂは、重り１１を囲む筐体壁１４と一体形成されており、筐体壁１４の内壁面側から内側へ突出する角柱形状からなる。支持体１２Ａ，１２Ｂは、重り１１のｘ軸方向における第１部分重り１１Ａと第２部分重り１１Ｂとの間に配置されている。また、支持体１２Ａ，１２Ｂは、ｙ軸方向において重り１１の渡し部１１Ｃを挟むように配置されている。この際、支持体１２Ａ，１２Ｂは、重り１１に接触しないように、所定の間隔をおいて配置されている。さらに、支持体１２Ａ，１２Ｂの高さ（ｚ軸方向の長さ）は、重り１１の厚みよりも大きく設定されている。これにより、図に示すような重り１１と支持体１２Ａ，１２Ｂおよび筐体壁１４との間の空間１５が形成される。支持体１２及び筐体壁１４には、重り１１には当接しないように、蓋材１６が接合されている。

梁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは、第１部分重り１１Ａおよび第２部分重り１１Ｂと支持体１２Ａ，１２Ｂと、を接続する形状で形成されている。より具体的には、梁１３Ａは、第１部分重り１１Ａのｙ軸方向の一方端付近と支持体１２Ａとを接続する。梁１３Ｃは、第１部分重り１１Ａのｙ軸方向の他方端付近と支持体１２Ｂとを接続する。梁１３Ｂは、第２部分重り１１Ｂのｙ軸方向の一方端付近と支持体１２Ａとを接続する。梁１３Ｄは、第２部分重り１１Ｂのｙ軸方向の他方端付近と支持体１２Ｂとを接続する。

梁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは、長さ（ｘ軸に沿う長さ）、幅（ｙ軸に沿う長さ）、および厚み（ｚ軸に沿う長さ）の全てがほぼ同じ形状からなる。また、梁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄの配置位置は、平面視（ｘｙ平面視）した状態での渡し部１１Ｃの中心点、すなわち重り１１の中心点を通るｘ軸およびｙ軸に対して、それぞれが対称の関係となるように配置されている。

このような形状により、重り１１は、支持体１２Ａ，１２Ｂに対して、梁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにより、揺動可能に支持される。この際、重り１１は、上述の中心点が重心となり、当該重心からｚ軸に平行な方向で重力が係るように配置される。

このような形状の構造体には、図３に示すように、複数のピエゾ抵抗素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄおよび配線電極パターン２２が形成されている。複数のピエゾ抵抗素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄは、配線電極パターン２２により、図３に示すようなホイートストンブリッジ回路を形成するように接続されている。当該ホイートストンブリッジ回路の外部接続端子は、支持体１２Ａ，１２Ｂを介して筐体壁１４の所定位置に形成されている（図示せず）。

より具体的には、ピエゾ抵抗素子２１Ａは、梁１３Ａの支持体１２Ａとの接続端近傍に配設されている。ピエゾ抵抗素子２１Ａは、ｙ軸に沿って延びるように、すなわち、梁１３Ａと支持体１２Ａとの接続辺に沿うように、ほぼ当該接続辺の長さで形成されている。

ピエゾ抵抗素子２１Ｂは、梁１３Ｂの支持体１２Ａとの接続端近傍に配設されている。ピエゾ抵抗素子２１Ｂも、ｙ軸に沿って延びるように、すなわち、梁１３Ｂと支持体１２Ａとの接続辺に沿うように、ほぼ当該接続辺の長さで形成されている。

また、ピエゾ抵抗素子２１Ｃは、梁１３Ｃの支持体１２Ｂとの接続端近傍に配設されている。ピエゾ抵抗素子２１Ｃも、ｙ軸に沿って延びるように、すなわち、梁１３Ｃと支持体１２Ｂとの接続辺に沿うように、ほぼ当該接続辺の長さで形成されている。

また、ピエゾ抵抗素子２１Ｄは、梁１３Ｄの支持体１２Ｂとの接続端近傍に配設されている。ピエゾ抵抗素子２１Ｄも、ｙ軸に沿って延びるように、すなわち、梁１３Ｄと支持体１２Ｂとの接続辺に沿うように、ほぼ当該接続辺の長さで形成されている。

以上のような構成とすることで、本実施形態の力学センサ１０は、次に示すように、外部からの力を検出することができる。図４は、本実施形態に係る力学センサ１０の検出概念を示す図であり、図４（Ａ）はｘ軸並進の力が加わった場合の応力発生の状態を示し、図４（Ｂ）は、力の加わる方向毎の固有振動数を示す図である。なお、図４（Ｂ）の結果は、重り１１の外形形状を、幅（ｙ軸方向長さ）を２９０μｍ、長さ（ｘ軸方向長さ）を４００μｍ、厚み（ｚ軸方向長さ）を３００μｍとし、梁の厚みを５μｍに設定し、共振周波数（最低の固有振動数）を３０ｋＨｚに設定した場合の結果である。

まず、外部から力が加わっていない場合、各梁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄには応力が殆ど加わっておらず、加わっていたとしても、それぞれのピエゾ抵抗素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄの配置位置での応力の大きさおよびモードが同じであるので、各ピエゾ抵抗素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄの抵抗値は略同じである。これにより、ホイートストンブリッジ回路の平衡状態が保たれて、検出電圧は現れない。

次に、ｘ軸に並進する力が加わると、重り１１は、ｙ軸を基準軸として揺動する。これは、極小さい揺動であればｘ軸方向の平行移動に近似できる。このように、重り１１がｘ軸の正方向へ揺動（微小移動）すると、図４（Ａ）に示すように、梁１３Ａの支持体１２Ａへの接続端領域３１Ａ、梁１３Ｂの第２部分重り１１Ｂへの接続端領域３２Ｂ、梁１３Ｃの支持体１２Ｂへの接続端領域３１Ｃ、梁１３Ｄの第２部分重り１１Ｂへの接続端領域３２Ｄに圧縮による応力が発生する。一方、梁１３Ａの第１部分重り１１Ａへの接続端領域３２Ａ、梁１３Ｂの支持体１２Ａへの接続端領域３１Ｂ、梁１３Ｃの第１部分重り１１Ａへの接続端領域３２Ｃ、梁１３Ｄの支持体１２Ｂへの接続端領域３１Ｄに伸張による応力が発生する。

ここで、ピエゾ抵抗素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄは、それぞれ接続端領域３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄに形成されており、これらの素子は、加わった応力に応じて抵抗値が変化する。そして、重り１１が揺動し応力が発生すると、これらの素子の抵抗値変化により、ホイートストンブリッジ回路の平衡状態が崩れ、応力に応じた検出電圧が出力される。なお、揺動により、重り１１がｘ軸の負方向へ揺動（微小移動）した場合には、当該検出電圧と符号反転した検出電圧が出力される。このような現象により、ｘ軸方向に加わった力を検出することができる。

この際、上述のような構造の場合、図４（Ｂ）に示すように、ｘ軸並進の力による固有振動数が、他の方向の力による固有振動数よりも大幅に小さくなる。具体的には、ｘ軸並進の力の固有振動数の次に低いｘ軸回転の固有振動数であっても、ｘ軸並進の力の固有振動数の２倍程度の振動数となっている。このような固有振動数の関係となることで、実質的には、ｘ軸並進の力のみを検出することができる。したがって、上述の構成により、一軸型の力学センサを実現することができる。

この際、図４（Ａ）にも示すように、応力の発生領域が、従来のように、梁が重りおよび支持体に接続されている四箇所の角部近傍の極小領域ではなく、梁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにおける重り１１および支持体１２Ａ，１２Ｂとの接続端近傍の領域、すなわち、梁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄにおける重り１１および支持体１２Ａ，１２Ｂとの接続辺に沿った広い領域となる。したがって、ピエゾ抵抗素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄの形成にバラツキが有っても、応力の影響を受けやすい。これにより、従来よりも確実に応力、ひいては重りに１１に加わる力を検出することができる。

また、図には示していないが、実験的に本実施形態の力学センサ１０と従来の力学センサ１０Ｐに対して、同じ条件でｘ軸方向に力を加えた場合、本実施形態の力学センサ１０の方が３倍程度の大きな応力が発生する。このような結果からも、本実施形態の力学センサ１０は、従来の力学センサ１０Ｐよりも確実に応力を検出できることが分かる。

以上のように、本実施形態の構成を用いることで、係る力を、より確実に検出できる力学センサを実現することができる。この際、次に示すように、製造工程は、従来の力学センサの製造工程と殆ど変える必要はなく、複雑な製造方法を用いずとも、より検出能力の高い力学センサを実現できる。

図５は、本実施形態に係る力学センサ１０の製造方法を説明するための図である。本図では、各製造工程による形状変化を、上述の図２（Ｃ）に示す側断面を用いて示している。なお、以下では、支持体１２Ａ，１２Ｂを代表して支持体１２とし、梁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄを代表して梁１３とし、ピエゾ抵抗素子２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄを代表してピエゾ抵抗素子２１と称して説明する。

まず、図５（Ａ）に示すように、ＳＯＩ基板１００を用意する。ＳＯＩ基板１００は、Ｎ型層のシリコン基板１０１と、支持シリコン基板１０２と、これらの間に介在する、例えばＳｉＯ_２やＳｉＮからなる絶縁層１０３とからなる。さらに、本実施形態では、シリコン基板１０１の表面に絶縁層１０４が形成されている。ここで、シリコン基板１０１および絶縁層１０３，１０４を重ねた厚みは、梁１３の厚みに略一致することが望ましい。

このようなＳＯＩ基板１００のシリコン基板１０１の表面（絶縁層１０４）側の、後に梁１３の支持体１２側端部となる位置に、Ｐ型ドーパントをイオン注入し、ピエゾ抵抗素子２１となるピエゾ抵抗（Ｐ＋層）を形成する。さらに、シリコン基板１０１の略同じ深さ位置に配線電極パターン２２となる低抵抗配線領域（Ｐ＋＋層）を、所定パターンで形成する。

次に、図５（Ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板１００の裏面側から、支持シリコン基板１０２における、後に空間１５となる領域に対して、フッ素系ガス（ＣＦ_４，Ｃ_４Ｆ_８，ＳＦ_６等）や塩素系ガス（Ｃｌ_２）等のエッチングガスを用いたドライエッチングを行う。このようなドライエッチングを行うことで、絶縁層１０３がストッパ層となり、当該絶縁体層１０３、シリコン基板１０１および絶縁層１０４は、エッチングされない。この工程により、支持シリコン基板１０２を部分的材料とする重り１１および支持体１２、筐体壁１４以外の箇所、すなわち梁１３と空間１５に対応する箇所が裏面側から凹んだ形状となる。

次に、図５（Ｃ）に示すように、凹部が形成されたＳＯＩ基板１００の裏面側に蓋材１６を接合する。この際、蓋材１６は、支持体１２や筐体壁１４には当接するが、凹部中央の重り１１には当接しない形状からなる。なお、蓋材１６は、支持シリコン基板１０２と同じ材質であることが望ましい。

次に、図５（Ｄ）に示すように、絶縁層１０４の表面、すなわちＳＯＩ基板１００の表面に、上述のホイートストンブリッジ回路を構成するための配線電極パターン２２を形成する。この配線電極パターン２２は、図示していないがシリコン基板１０１の低抵抗配線領域と接続するように形成されている。

次に、図５（Ｅ）に示すように、ＳＯＩ基板１００の表面側から、重り１１、支持体１２、梁１３、筐体壁１４を残すように、絶縁層１０４、シリコン基板１０１、絶縁層１０３をドライエッチングして除去する。この工程により、重り１１が、筐体壁１４内の空間１５中に梁１３および支持体１２によって揺動可能に支持された構造が実現される。なお、この後、表面側に上蓋を配設してもよい。

なお、上述の形状は、ｘ軸並進の力を検出ための構造を示すものであり、図６に示すように、第１部分重り１１Ｗと第２部分重り１１Ｌとの形状や重さを異ならせてもよい。図６は、本実施形態の他の構成からなる力学センサ１０Ａの構造を示す斜視図である。

図６に示すように、支持体１２Ａ，１２Ｂおよび梁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄで支持する第１部分重り１１Ｗと第２部分重り１１Ｌとの重さが異なる場合、重り１１’の重心が、梁１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄの配置位置の中心からずれる。このように、中心位置と重心がずれると、検出方向がシフトする。例えば、第１部分重り１１Ｗと第２部分重り１１Ｌとが図６のような関係であれば、ｘ軸方向からｚ軸方向へ所定角度回転シフトした方向が検出方向となる。したがって、これら第１部分重り１１Ｗと第２部分重り１１Ｌの形状を変化させることで、容易に検出方向を変化させることができる。すなわち、外形形状および実装状態が同じであっても、異なる検出方向の力学センサを実現することができる。

１０，１０Ａ−力学センサ、１１，１１’−重り、１１Ａ，１１Ｗ−第１部分重り、１１Ｂ，１１Ｌ−第２部分重り、１１Ｃ−渡し部、１２Ａ，１２Ｂ−支持体、１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ−梁、１４−筐体壁、１５−空間、
１６−蓋材、２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ−ピエゾ抵抗素子、２２−配線電極パターン、３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ，３２Ａ，３２Ｂ、３２Ｃ，３２Ｄ−接続端領域

Claims

梁を用いることで、支持体に対して重りが揺動可能に支持され、該揺動によって前記梁に発生する応力を、前記梁に設けた複数のピエゾ抵抗素子で検出して、係る力に基づく所定の物理量を検出する力学センサであって、
前記重りは、第１軸方向に沿って並び、それぞれが略直方体形状からなる第１部分重りおよび第２部分重りと、前記第１軸方向に直交する第２軸方向において前記第１部分重りおよび前記第２部分重りの略中央に配設されており、前記第１部分重りと前記第２部分重りとを接続する渡し部と、からなり、
前記支持体は、前記第２軸方向に沿って、前記重りの前記渡し部を中間に介し、且つ前記重りから離間して配設され、
前記梁は、前記第２軸方向に沿った前記渡し部の両側の位置で、前記第１軸方向に沿って前記第１部分重り部と前記支持体とを接続するとともに前記第２部分重り部と前記支持体とを接続する形状からなる、力学センサ。
請求項１に記載の力学センサであって、
前記複数のピエゾ抵抗素子は、それぞれが前記梁における前記支持体側の接続端近傍に配設されている、力学センサ。
請求項１または請求項２に記載の力学センサであって、
前記第１部分重りと前記第２部分重りとは同じ重さである、力学センサ。
請求項１または請求項２に記載の力学センサであって、
前記第１部分重りと前記第２部分重りとが異なる重さである、力学センサ。