JP5480297B2 - 光ディスク装置、光ディスク制御方法及び集積回路 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1における光ディスク装置の構成を示すブロック図である。図1において、光ディスク装置100は、入出力部101、CPU(中央演算処理装置)102、タイミング生成部106、レーザパワー切替部107、ディスク回転速度切替部108、光ピックアップ109、ディスクモータ110、RF信号処理部111、フォーカス及びトラッキング制御部112、復調回路113、誤り訂正部114及びマーク検出部115を備える。図1の破線内のブロックは、半導体集積回路124として、まとめてひとつのチップに実装される。
次に、実施の形態2における光ディスク装置について説明する。なお、実施の形態2における光ディスク装置の構成は、実施の形態1における光ディスク装置100の構成と同じであるので説明を省略し、光ディスク装置100と異なる点についてのみ説明する。
次に、実施の形態3における光ディスク装置について説明する。なお、実施の形態3における光ディスク装置の構成は、実施の形態1における光ディスク装置100の構成と同じであるので説明を省略し、光ディスク装置100と異なる点についてのみ説明する。
次に、実施の形態4における光ディスク装置について説明する。なお、実施の形態4における光ディスク装置の構成は、実施の形態1における光ディスク装置100の構成と同じであるので説明を省略し、光ディスク装置100と異なる点についてのみ説明する。
次に、実施の形態5における光ディスク装置について説明する。なお、実施の形態5における光ディスク装置の構成は、実施の形態1における光ディスク装置100の構成と同じであるので説明を省略し、光ディスク装置100と異なる点についてのみ説明する。
次に、実施の形態6における光ディスク装置について説明する。なお、実施の形態6における光ディスク装置の構成は、実施の形態1における光ディスク装置100の構成と同じであるので説明を省略し、光ディスク装置100と異なる点についてのみ説明する。
次に、実施の形態7における光ディスク装置について説明する。なお、実施の形態7における光ディスク装置の構成は、実施の形態1における光ディスク装置100の構成と同じであるので説明を省略し、光ディスク装置100と異なる点についてのみ説明する。
次に、実施の形態8における光ディスク装置について説明する。なお、実施の形態8における光ディスク装置の構成は、実施の形態1における光ディスク装置100の構成と同じであるので説明を省略し、光ディスク装置100と異なる点についてのみ説明する。
次に、実施の形態9における光ディスク装置について説明する。図20は、本発明の実施の形態9における光ディスク装置の構成を示すブロック図である。なお、実施の形態9における光ディスク装置100’において、図1に示す実施の形態1における光ディスク装置100と同じ構成については同じ符号を付し、説明を省略する。光ディスク装置100’は、シフト制御部125をさらに備える。
次に、実施の形態10における光ディスク装置について説明する。なお、実施の形態10における光ディスク装置の構成は、実施の形態1における光ディスク装置100の構成と同じであるので説明を省略し、光ディスク装置100と異なる点についてのみ説明する。
次に、実施の形態11における光ディスク装置について説明する。なお、実施の形態11における光ディスク装置の構成は、実施の形態1における光ディスク装置100の構成と同じであるので説明を省略し、光ディスク装置100と異なる点についてのみ説明する。
Claims (32)
- 凹凸ピットによってコンテンツデータを含む主情報が記録された光ディスクに対して、前記凹凸ピット上に形成された反射膜の反射率を変化させることにより追記マークを追記する光ディスク装置であって、
光ピックアップと、
前記光ピックアップからの出力に基づいてRF信号を取得するRF信号処理部と、
前記RF信号を復調して基準位置信号を検出する基準位置検出部と、
前記光ディスクの回転速度を少なくとも2種類の回転速度に切り替える回転速度制御部と、
前記基準位置信号にしたがって、あらかじめ決められた位置で前記光ピックアップから照射されるレーザ光の発光タイミングを生成する発光タイミング生成部と、
前記発光タイミングにおいて前記光ピックアップから照射されるレーザ光のレーザパワーを増加させるレーザパワー制御部と、
前記RF信号から前記光ディスクによる反射光の反射率の変化量を検出する反射率変化量検出部と、
前記光ディスクに形成された前記凹凸ピットを再生する際に、前記回転速度制御部に対して第1の回転速度を設定し、かつ前記レーザパワー制御部に対して第1のレーザパワーを設定する凹凸ピット再生制御部と、
前記光ディスクに前記追記マークを追記する際に、前記第1の回転速度よりも遅くかつ前記光ディスク装置が持っている前記コンテンツデータの再生に必要な最低回転速度よりも遅くかつ前記基準位置信号を検出することが可能な第2の回転速度を前記回転速度制御部に設定し、かつ前記発光タイミングに応じて前記第1のレーザパワーよりも大きい第2のレーザパワーを前記レーザパワー制御部に設定する追記マーク記録制御部とを備えることを特徴とする光ディスク装置。 - 前記光ディスクに形成された前記追記マークを検出する際に、前記反射率変化量検出部によって検出された前記反射率の変化量に基づいて前記追記マークを検出するよう制御する追記マーク検出制御部をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の光ディスク装置。
- 前記第2の回転速度は、前記最低回転速度の2分の1以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の光ディスク装置。
- 前記第2の回転速度は、前記第1の回転速度の10分の1以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光ディスク装置。
- 前記第2のレーザパワーは、前記第1のレーザパワーの5倍以上、10倍以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光ディスク装置。
- 前記光ピックアップに対するトラッキングを制御するトラッキング制御部をさらに備え、
前記トラッキング制御部は、位相差検出方式によりトラッキング制御を行うことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光ディスク装置。 - 前記第2のレーザパワーで前記レーザ光が照射される発光区間は、前記凹凸ピットの最短ピット長の10倍以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の光ディスク装置。
- 前記基準位置検出部は、少なくともPLL回路を用いて前記RF信号を復調し、前記第2のレーザパワーでレーザ光を照射する際には、前記PLL回路の周波数比較機能又は位相比較機能をホールドすることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の光ディスク装置。
- 前記光ピックアップに対するトラッキングを制御するトラッキング制御部をさらに備え、
前記トラッキング制御部は、前記第2のレーザパワーでレーザ光を照射する際には、トラッキング制御をホールドすることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の光ディスク装置。 - 前記凹凸ピットは同期符号を含み、
前記同期符号間の距離を1フレーム長としたとき、第2のレーザパワーでレーザ光が照射される発光区間の長さは、1フレーム長以下であり、かつ次の発光区間までの間隔は3フレーム長以上であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の光ディスク装置。 - 前記凹凸ピットは同期符号を含み、
前記同期符号間の距離を1フレーム長としたとき、前記第2のレーザパワーでレーザ光が照射される発光区間の長さは、前記凹凸ピットのフレーム間隔の整数倍であることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の光ディスク装置。 - 前記光ディスクに前記凹凸ピットで記録されている前記主情報は、前記光ディスク内の物理的位置を示すアドレス情報を含み、
前記発光タイミング生成部は、前記アドレス情報が記録されている領域を避けて前記第2のレーザパワーで前記レーザ光を照射するように前記発光タイミングを生成することを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の光ディスク装置。 - 前記光ディスクに前記凹凸ピットで記録されている前記主情報は、一定単位のユーザデータに対してエラー訂正情報が付加されたエラー訂正ブロック単位で構成されており、
前記追記マーク記録制御部は、前記エラー訂正ブロック単位で、前記発光タイミング生成部によって生成される前記第2のレーザパワーで発光される発光区間を制御することを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の光ディスク装置。 - 前記発光タイミング生成部によって生成される前記第2のレーザパワーでレーザ光が発光される発光区間は、前記エラー訂正ブロックの単位長さの整数倍であることを特徴とする請求項13記載の光ディスク装置。
- 前記光ピックアップに対するトラッキングを制御するトラッキング制御部をさらに備え、
前記トラッキング制御部は、前記第2のレーザパワーで発光される発光区間内において、トラッキング制御を行うことを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の光ディスク装置。 - 前記発光タイミング生成部は、前記エラー訂正ブロック内において、等間隔で複数の第2のレーザパワーで発光される発光タイミングを生成することを特徴とする請求項13又は14記載の光ディスク装置。
- 前記発光タイミング生成部は、乱数を発生させ、発生させた乱数に基づいて、第2のレーザパワーで発光される発光タイミングの周期をランダムに変更することを特徴とする請求項1〜16のいずれかに記載の光ディスク装置。
- 前記発光タイミング生成部は、光ディスク上で互いに重なることがないように事前に決められた第1の発光タイミングと第2の発光タイミングとのいずれかを生成し、
前記追記マーク記録制御部は、前記発光タイミング生成部に対し、前記第1の発光タイミングと前記第2の発光タイミングとのうちのいずれの発光タイミングを選択するかを指示することを特徴とする請求項1〜17のいずれかに記載の光ディスク装置。 - 前記反射率変化量検出部は、事前に決められた前記第1の発光タイミングにおける反射率変化量と、前記第2の発光タイミングにおける反射率変化量とを検出し、前記第1の発光タイミングにおいて反射率変化量が検出された場合には値“0”を対応付けるとともに、前記第2の発光タイミングにおいて反射率変化量が検出された場合には値“1”を対応付けた2値データを検出することを特徴とする請求項18記載の光ディスク装置。
- 前記反射率変化量検出部は、前記RF信号の振幅平均値を計測し、計測した前記振幅平均値の変動量をモニタすることにより前記反射率変化量を検出することを特徴とする請求項1〜19のいずれかに記載の光ディスク装置。
- 前記基準位置検出部は、前記凹凸ピットのピット長を検出し、
前記反射率変化量検出部は、検出された前記ピット長が一定長以上である前記凹凸ピットの中央部での前記反射率変化量のみを検出することを特徴とする請求項20記載の光ディスク装置。 - 前記反射率変化量検出部は、前記第2のレーザパワーでレーザ光が照射される発光区間内におけるRF信号の積分値と、前記第2のレーザパワーでレーザ光が照射される発光区間以外で前記発光区間と同じ長さの区間内におけるRF信号の積分値とをそれぞれ検出し、検出した2つの積分値の差を求めることにより前記反射率変化量を検出することを特徴とする請求項1〜19のいずれかに記載の光ディスク装置。
- 前記発光タイミング生成部は、チャネルクロックに同期して、前記第2のレーザパワーでレーザ光を発光する発光タイミングを生成し、
前記第2のレーザパワーでレーザ光が発光される発光区間は、前記凹凸ピットの最短ピット長の10倍以上であることを特徴とする請求項1〜22のいずれかに記載の光ディスク装置。 - 前記発光タイミング生成部によって生成される前記第2のレーザパワーでレーザ光を発光する発光タイミングにおいて、前記光ピックアップによって出射されるレーザ光を、前記光ディスクの半径方向の前記凹凸ピットの中心から所定の距離だけ内周方向又は外周方向にシフトさせるシフト制御部をさらに備えることを特徴とする請求項1〜23のいずれかに記載の光ディスク装置。
- 前記反射率変化量検出部は、前記追記マークからの反射光の分布が前記光ディスクの半径方向の前記凹凸ピットの中心に対して非対称であることを検出し、非対称である前記反射光の前記RF信号の振幅平均値を計測し、計測した前記振幅平均値の変動量をモニタすることにより前記反射率変化量を検出することを特徴とする請求項24記載の光ディスク装置。
- 前記レーザパワー制御部は、前記発光タイミング生成部によって生成される前記第2のレーザパワーでレーザ光を発光する発光タイミングにおいて、事前に決められたパターン又は乱数系列によって決まるランダムなパターンにしたがって前記第2のレーザパワーが複数の値に変化するように制御することを特徴とする請求項1〜25のいずれかに記載の光ディスク装置。
- 前記反射率変化量検出部は、前記発光タイミング生成部によって生成される前記第2のレーザパワーでレーザ光を発光する発光タイミングにおいて、レーザ光が照射される前のRF信号の波形とレーザ光が照射された後のRF信号の波形との差分値と、事前に決められたパターン又は乱数系列によって決まるランダムなパターンとを比較して、前記差分値と前記パターンとが一致する場合、正常に前記追記マークが記録されたと判断し、前記差分値と前記パターンとが一致しない場合、正常に前記追記マークが記録されていないと判断することを特徴とする請求項26記載の光ディスク装置。
- 前記第2のレーザパワーで前記レーザ光が照射される発光区間の長さは、乱数系列によって決まることを特徴とする請求項1〜27のいずれかに記載の光ディスク装置。
- 凹凸ピットによってコンテンツデータを含む主情報が記録された光ディスクに対して、前記凹凸ピット上に形成された反射膜の反射率を変化させることにより追記マークを追記する光ディスク装置が備える集積回路であって、
光ピックアップからの出力に基づいてRF信号を取得するRF信号処理回路と、
RF信号を復調して基準位置信号を検出する基準位置検出回路と、
前記光ディスクの回転速度を少なくとも2種類の回転速度に切り替える回転速度制御回路と、
前記基準位置信号にしたがって、あらかじめ決められた位置で前記光ピックアップから照射されるレーザ光の発光タイミングを生成する発光タイミング生成回路と、
前記発光タイミングにおいて前記光ピックアップから照射されるレーザ光のレーザパワーを増加させるレーザパワー制御回路と、
前記RF信号から前記光ディスクによる反射光の反射率の変化量を検出する反射率変化量検出回路と、
前記光ディスクに形成された前記凹凸ピットを再生する際に、前記回転速度制御回路に対して第1の回転速度を設定し、かつ前記レーザパワー制御回路に対して第1のレーザパワーを設定する凹凸ピット再生制御回路と、
前記光ディスクに前記追記マークを追記する際に、前記第1の回転速度よりも遅くかつ前記光ディスク装置が持っている前記コンテンツデータの再生に必要な最低回転速度よりも遅くかつ前記基準位置信号を検出することが可能な第2の回転速度を前記回転速度制御回路に設定し、かつ前記発光タイミングに応じて前記第1のレーザパワーよりも大きい第2のレーザパワーを前記レーザパワー制御回路に設定する追記マーク記録制御回路とを備えることを特徴とする集積回路。 - 前記光ディスクに形成された前記追記マークを検出する際に、前記反射率変化量検出回路によって検出された前記反射率変化量に基づいて前記追記マークを検出するよう制御する追記マーク検出制御回路をさらに備えることを特徴とする請求項29記載の集積回路。
- 凹凸ピットによってコンテンツデータを含む主情報が記録された光ディスクに対して、前記凹凸ピット上に形成された反射膜の反射率を変化させることにより追記マークを追記する光ディスク制御方法であって、
光ピックアップからの出力に基づいてRF信号を取得するRF信号処理ステップと、
前記RF信号を復調して基準位置信号を検出する基準位置検出ステップと、
前記光ディスクの回転速度を少なくとも2種類の回転速度に切り替える回転速度制御ステップと、
前記基準位置信号にしたがって、あらかじめ決められた位置で前記光ピックアップから照射されるレーザ光の発光タイミングを生成する発光タイミング生成ステップと、
前記発光タイミングにおいて前記光ピックアップから照射されるレーザ光のレーザパワーを増加させるレーザパワー制御ステップと、
前記RF信号から前記光ディスクによる反射光の反射率の変化量を検出する反射率変化量検出ステップと、
前記光ディスクに形成された前記凹凸ピットを再生する際に、前記回転速度制御ステップにおいて第1の回転速度を設定し、かつ前記レーザパワー制御ステップにおいて第1のレーザパワーを設定する凹凸ピット再生制御ステップと、
前記光ディスクに前記追記マークを追記する際に、前記第1の回転速度よりも遅くかつ光ディスク装置が持っている前記コンテンツデータの再生に必要な最低回転速度よりも遅くかつ前記基準位置信号を検出することが可能な第2の回転速度を前記回転速度制御ステップにおいて設定し、かつ前記発光タイミングに応じて前記第1のレーザパワーよりも大きい第2のレーザパワーを前記レーザパワー制御ステップにおいて設定する追記マーク記録制御ステップとを含むことを特徴とする光ディスク制御方法。 - 前記光ディスクに形成された前記追記マークを検出する際に、前記反射率変化量検出ステップにおいて検出された前記反射率の変化量に基づいて前記追記マークを検出するよう制御する追記マーク検出制御ステップをさらに含むことを特徴とする請求項31記載の光ディスク制御方法。
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