JP5471269B2 - Manufacturing method of carbon nanotube device - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 85
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims description 85
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 53
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 52
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 12
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 5
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 229910004523 TaCo Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N azanylidynevanadium Chemical compound [V]#N SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
本発明は、カーボンナノチューブデバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a carbon nanotube device.
従来、カーボンナノチューブを成長させるに当たり、触媒金属の薄膜を基板上に形成した後、触媒金属の薄膜から微粒子を形成している。その後、アセチレンガス等の原料ガスをチャンバ内に供給し、基板を加熱しながらカーボンナノチューブを成長させている。また、薄膜を用いずに、触媒金属の微粒子を基板上に分散させてカーボンナノチューブを成長させることもある。 Conventionally, when carbon nanotubes are grown, after a catalytic metal thin film is formed on a substrate, fine particles are formed from the catalytic metal thin film. Thereafter, a source gas such as acetylene gas is supplied into the chamber, and the carbon nanotubes are grown while heating the substrate. Further, the carbon nanotubes may be grown by dispersing fine particles of the catalytic metal on the substrate without using a thin film.
しかしながら、これらの従来の方法では、カーボンナノチューブを高い個数密度（本数密度）で成長させることができない。このため、カーボンナノチューブを備えたカーボンナノチューブデバイスの電気的特性を向上させることが困難である。 However, these conventional methods cannot grow carbon nanotubes with a high number density (number density). For this reason, it is difficult to improve the electrical characteristics of the carbon nanotube device provided with the carbon nanotube.
本発明の目的は、カーボンナノチューブを高密度で成長させることができるカーボンナノチューブデバイスの製造方法を提供することにある。 The objective of this invention is providing the manufacturing method of the carbon nanotube device which can grow a carbon nanotube at high density.
カーボンナノチューブデバイスの製造方法では、タンタルの窒化物を含む下地膜を形成する。前記下地膜上に、第１の金属としてコバルトを含み、第２の金属としてタンタル又はバナジウムを含む触媒粒子を分散させる。前記下地膜の温度を４５０℃以下として前記触媒粒子からカーボンナノチューブを成長させる。 In the method of manufacturing a carbon nanotube device, a base film containing tantalum nitride is formed. Catalyst particles containing cobalt as the first metal and tantalum or vanadium as the second metal are dispersed on the base film. Carbon nanotubes are grown from the catalyst particles at a temperature of the base film of 450 ° C. or lower.
上記のカーボンナノチューブデバイスの製造方法によれば、下地膜及び触媒粒子の相互作用により触媒粒子の凝集等を抑制しながら高い密度でカーボンナノチューブを成長させることができる。 According to the above carbon nanotube device manufacturing method, carbon nanotubes can be grown at a high density while suppressing aggregation of the catalyst particles due to the interaction between the base film and the catalyst particles.
本願発明者は、従来の方法ではカーボンナノチューブを高密度で成長させることができない原因について検討を重ねた結果、触媒金属の薄膜から微粒子を形成する方法では触媒金属の微粒子の直径にばらつきが生じやすいことを見出した。また、基板の加熱及び触媒反応によって生じる熱により、微粒子同士が凝集及び融合していることも見出した。更に、薄膜を用いずに微粒子を分散させる方法でも、基板の加熱及び触媒反応によって生じる熱により、微粒子同士が凝集及び融合していることを見出した。これらの結果、カーボンナノチューブの成長核となる微粒子の直径が比較的大きくなると共に、微粒子の数が減ってしまい、カーボンナノチューブの個数密度（本数密度）を向上させることができないのである。 The inventor of the present application, as a result of repeated investigations on the cause of the inability to grow carbon nanotubes at high density by the conventional method, results in variations in the diameter of the catalyst metal fine particles in the method of forming the fine particles from the catalyst metal thin film. I found out. In addition, the inventors have also found that the fine particles are aggregated and fused by heat generated by heating the substrate and catalytic reaction. Furthermore, it has been found that even in the method of dispersing fine particles without using a thin film, the fine particles are aggregated and fused by heat generated by heating the substrate and catalytic reaction. As a result, the diameters of the fine particles serving as the growth nuclei of the carbon nanotubes become relatively large, the number of fine particles decreases, and the number density (number density) of the carbon nanotubes cannot be improved.
そして、本願発明者は、このような知見に基づいて鋭意検討を重ねた結果、以下に示すカーボンナノチューブの成長方法及びカーボンナノチューブデバイスの製造方法に想到した。 As a result of intensive studies based on such knowledge, the inventors of the present application have come up with the following carbon nanotube growth method and carbon nanotube device manufacturing method.
ここで、実施形態に係るカーボンナノチューブデバイスの製造方法について説明する。図１は、実施形態に係るカーボンナノチューブデバイスの製造方法を工程順に示す断面図である。
Here, a method for manufacturing the carbon nanotube device according to the embodiment will be described.
先ず、図１（ａ）に示すように、基板の上方に酸化シリコン膜等の絶縁膜１を形成し、その上に下地膜２を、例えばスパッタリング法により形成する。下地膜２としては、例えば窒化チタン膜、窒化タンタル膜、窒化バナジウム膜、窒化ニオブ膜、酸窒化チタン膜、酸窒化タンタル膜、酸窒化バナジウム膜、酸窒化ニオブ膜、酸化チタン膜、酸化タンタル膜、酸化バナジウム膜、酸化ニオブ膜が挙げられる。つまり、種々の金属窒化物膜、金属酸窒化物膜及び金属酸化物膜を下地膜２として用いることができる。下地膜２としては、導電性があるものを用いることが好ましい。後にそのまま配線として用いることができるからである。例えば、下地膜２が窒素を３０原子％〜７０原子％含有している場合、好ましい導電性が得られる。また、下地膜２の厚さは、例えば０．１ｎｍ〜１５ｎｍ程度とする。
First, as shown in FIG. 1A, an
下地膜２の形成後、図１（ｂ）に示すように、下地膜２上に、例えばレーザアブレーション法により、触媒粒子３を分散させる。触媒粒子３は、例えば、Ｃｏ、Ｆｅ及び／Ｎｉの触媒金属（第１の金属）、並びにＶ、Ｎｂ、Ｔａ及び／又はＴｉの金属（第２の金属）を含有する。これらは合金化されていてもよい。つまり、触媒粒子３がＶＣｏ合金又はＮｂＣｏ合金等を含有していてもよい。触媒粒子３中の触媒金属（第１の金属）及び第２の金属の総量に対する触媒金属の割合は、６０原子％〜９０原子％程度であることが好ましく、特に８０原子％程度であることが好ましい。触媒粒子３の直径は、例えば１ｎｍ〜４ｎｍであり、５ｎｍ以下であること好ましい。また、触媒粒子３の直径のばらつきは、５０％程度であることが好ましい。触媒粒子３を分散させる量に関しては、堆積した触媒粒子３の層の厚さを触媒粒子３の平均粒径の１倍〜３倍程度とすることが好ましい。
After the formation of the
触媒粒子３の分散後、図１（ｃ）に示すように、触媒粒子３からカーボンナノチューブ４を成長させる。このとき、基板の温度は４５０℃とし、アセチレンガスをアルゴンガスにより、例えば５ｐｍ〜１０００ｐｐｍまで希釈した原料ガスをチャンバ内に供給する。下地膜２の温度は基板の温度と一致するため、下地膜２の温度も４５０℃となる。基板及び下地膜２の温度が４５０℃であれば、基板の加熱に伴う触媒粒子３の凝集及び融合が生じにくい。また、下地膜２の作用及び触媒粒子３の作用により、早期にほとんどの触媒粒子３からカーボンナノチューブ４が成長し始める。カーボンナノチューブ４の成長核となった触媒粒子３はカーボンナノチューブ４によりほとんど覆われるため、触媒反応に伴う熱が生じても他の触媒粒子３との間で凝集及び融合が生じることはない。従って、触媒粒子３を微細に保持したままカーボンナノチューブ４を成長させることができ、カーボンナノチューブ４の平均直径は１０ｎｍ以下となり、カーボンナノチューブ４の個数密度（本数密度）は、１×１０12本／ｃｍ2以上となる。
After the dispersion of the catalyst particles 3, carbon nanotubes 4 are grown from the catalyst particles 3 as shown in FIG. At this time, the temperature of the substrate is set to 450 ° C., and a source gas diluted with acetylene gas to, for example, 5 pm to 1000 ppm with argon gas is supplied into the chamber. Since the temperature of the
その後、層間絶縁膜及び配線等を形成してカーボンナノチューブデバイスを完成させる。なお、トランジスタ等の素子をカーボンナノチューブ４の成長後に基板上に形成してもよく、また、下地膜２の形成前に基板上に形成してもよい。
Thereafter, an interlayer insulating film, wiring, and the like are formed to complete the carbon nanotube device. An element such as a transistor may be formed on the substrate after the carbon nanotubes 4 are grown, or may be formed on the substrate before the
カーボンナノチューブ４を成長させる際の下地膜２の温度は４５０℃以下とし、４００℃未満とすることが好ましい。これは、４５０℃を超えると、カーボンナノチューブ４が成長し始める前に触媒粒子３の凝集及び融合が生じることがあるからである。また、下地膜２の温度は３４０℃以上であることが好ましい。これは、３４０℃未満であると、カーボンナノチューブ４の成長速度が著しく遅くなるからである。
The temperature of the
また、カーボンナノチューブ４の原料として、アセチレンに代えてエチレン又はメタンを用いることも可能である。アセチレンは熱分解させることが可能であるが、エチレン又はメタンを用いる場合は、プラズマを用いてエチレン又はメタンを分解させることが好ましい。 Moreover, it is also possible to use ethylene or methane as a raw material of the carbon nanotube 4 instead of acetylene. Although acetylene can be thermally decomposed, when ethylene or methane is used, it is preferable to decompose ethylene or methane using plasma.
次に、本願発明者が実際に行った実験について説明する。 Next, an experiment actually performed by the present inventor will be described.
（第１の実験）
第１の実験では、下地膜として窒化タンタル膜（厚さ：１５ｎｍ）をスパッタリング法により形成した。窒化タンタル膜を形成する際には、チャンバ内にＡｒガスを１６ｓｃｃｍの流量で供給し、Ｎ2ガスを６ｓｃｃｍの流量で供給した。下地膜の形成後に、触媒粒子としてＶＣｏ合金粒子を下地膜上に分散させた。ＶＣｏ合金中のＶの割合は２０原子％、Ｃｏの割合は８０原子％とした。その後、アセチレンガスをアルゴンガスにより、５ｐｐｍ、５０ｐｐｍ又は５００ｐｐｍまで希釈した原料ガスをチャンバ内に供給してカーボンナノチューブを成長させた。そして、カーボンナノチューブの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を撮影した。この結果を図２に示す。また、図３に、図２のＳＥＭ写真を模式的に示す。
(First experiment)
In the first experiment, a tantalum nitride film (thickness: 15 nm) was formed as a base film by a sputtering method. When forming the tantalum nitride film, Ar gas was supplied into the chamber at a flow rate of 16 sccm, and N 2 gas was supplied at a flow rate of 6 sccm. After the formation of the base film, VCo alloy particles as catalyst particles were dispersed on the base film. The ratio of V in the VCo alloy was 20 atomic%, and the ratio of Co was 80 atomic%. Thereafter, a raw material gas obtained by diluting acetylene gas with argon gas to 5 ppm, 50 ppm or 500 ppm was supplied into the chamber to grow carbon nanotubes. Then, a scanning electron microscope (SEM) photograph of the carbon nanotube was taken. The result is shown in FIG. FIG. 3 schematically shows the SEM photograph of FIG.
図２及び図３に示すように、アセチレンの濃度を５ｐｐｍ又は５０ｐｐｍにした場合には、５００ｐｐｍにした場合よりも直線性が高いカーボンナノチューブが得られた。このことから、アセチレンの濃度は５ｐｐｍ〜５０ｐｐｍにすることが好ましいといえる。 As shown in FIGS. 2 and 3, when the concentration of acetylene was 5 ppm or 50 ppm, carbon nanotubes having higher linearity than when 500 ppm was obtained were obtained. From this, it can be said that the concentration of acetylene is preferably 5 to 50 ppm.
（第２の実験）
第２の実験では、下地膜として窒化タンタル膜（厚さ：１５ｎｍ）をスパッタリング法により形成した。窒化タンタル膜を形成する際には、チャンバ内にＡｒガス及びＮ2ガスを種々の流量で供給した。これらの流量を表１に示す。下地膜の形成後に、触媒粒子としてＴａＣｏ合金粒子を下地膜上に分散させた。ＴａＣｏ合金中のＴａの割合は２０原子％、Ｃｏの割合は８０原子％とした。その後、アセチレンガスをアルゴンガスにより、５ｐｐｍまで希釈した原料ガスをチャンバ内に供給してカーボンナノチューブを成長させた。そして、カーボンナノチューブのＳＥＭ写真を撮影した。この結果を図４に示す。また、図５に、図４のＳＥＭ写真を模式的に示す。
(Second experiment)
In the second experiment, a tantalum nitride film (thickness: 15 nm) was formed as a base film by a sputtering method. When forming the tantalum nitride film, Ar gas and N 2 gas were supplied into the chamber at various flow rates. These flow rates are shown in Table 1. After the formation of the base film, TaCo alloy particles as catalyst particles were dispersed on the base film. The proportion of Ta in the TaCo alloy was 20 atomic%, and the proportion of Co was 80 atomic%. Thereafter, a raw material gas obtained by diluting acetylene gas to 5 ppm with argon gas was supplied into the chamber to grow carbon nanotubes. And the SEM photograph of the carbon nanotube was taken. The result is shown in FIG. FIG. 5 schematically shows the SEM photograph of FIG.
図４及び図５に示すように、Ｎｏ．２及びＮｏ．３の条件において、Ｎｏ．１の条件よりも高い密度でカーボンナノチューブを成長させることができた。つまり、Ｎｏ．１の条件で得られたカーボンナノチューブの個数密度（本数密度）は１．０×１０11本／ｃｍ2程度であったのに対し、Ｎｏ．２及びＮｏ．３の条件で得られたカーボンナノチューブの個数密度（本数密度）は１．０×１０12本／ｃｍ2程度であった。このことから、下地膜をスパッタリング法により形成し、触媒粒子としてＴａＣｏ合金粒子を用いる場合、Ａｒガス及びＮ2ガスの総流量に対するＮ2ガスの流量を１６／６〜１１／１１にすることが好ましいといえる。 As shown in FIGS. 2 and no. In the condition of No. 3, The carbon nanotubes could be grown at a density higher than that of the first condition. That is, no. The number density (number density) of the carbon nanotubes obtained under the condition No. 1 was about 1.0 × 10 11 / cm 2 , whereas 2 and no. The number density (number density) of the carbon nanotubes obtained under the condition 3 was about 1.0 × 10 12 / cm 2 . Therefore, when the base film is formed by the sputtering method and TaCo alloy particles are used as the catalyst particles, the flow rate of N 2 gas with respect to the total flow rate of Ar gas and N 2 gas can be set to 16/6 to 11/11. It can be said that it is preferable.
（第３の実験）
第３の実験では、下地膜として窒化タンタル膜（厚さ：１５ｎｍ）をスパッタリング法により形成した。窒化タンタル膜を形成する際には、チャンバ内にＡｒガス及びＮ2ガスを種々の流量で供給した。これらの流量を表２に示す。下地膜の形成後に、触媒粒子としてＶＣｏ合金粒子を下地膜上に分散させた。ＶＣｏ合金中のＶの割合は２０原子％、Ｃｏの割合は８０原子％とした。その後、アセチレンガスをアルゴンガスにより、５ｐｐｍまで希釈した原料ガスをチャンバ内に供給してカーボンナノチューブを成長させた。そして、カーボンナノチューブのＳＥＭ写真を撮影した。この結果を図６に示す。また、図７に、図６のＳＥＭ写真を模式的に示す。
(Third experiment)
In the third experiment, a tantalum nitride film (thickness: 15 nm) was formed as a base film by a sputtering method. When forming the tantalum nitride film, Ar gas and N 2 gas were supplied into the chamber at various flow rates. These flow rates are shown in Table 2. After the formation of the base film, VCo alloy particles as catalyst particles were dispersed on the base film. The ratio of V in the VCo alloy was 20 atomic%, and the ratio of Co was 80 atomic%. Thereafter, a raw material gas obtained by diluting acetylene gas to 5 ppm with argon gas was supplied into the chamber to grow carbon nanotubes. And the SEM photograph of the carbon nanotube was taken. The result is shown in FIG. FIG. 7 schematically shows the SEM photograph of FIG.
図６及び図７に示すように、Ｎｏ．４及びＮｏ．５の条件において、Ｎｏ．６の条件よりも高い密度でカーボンナノチューブを成長させることができた。つまり、Ｎｏ．６の条件で得られたカーボンナノチューブの個数密度（本数密度）は１．０×１０11本／ｃｍ2程度であったのに対し、Ｎｏ．４及びＮｏ．５の条件で得られたカーボンナノチューブの個数密度（本数密度）は、夫々３．０×１０11本／ｃｍ2程度、１．０×１０12本／ｃｍ2程度であった。このことから、下地膜をスパッタリング法により形成し、触媒粒子としてＶＣｏ合金粒子を用いる場合、Ａｒガス及びＮ2ガスの総流量に対するＮ2ガスの流量を９／１３〜１１／１１にすることが好ましいといえる。
As shown in FIGS. 4 and no. In the condition of No. 5, Carbon nanotubes could be grown at a density higher than the condition of 6. That is, no. The number density (number density) of the carbon nanotubes obtained under the conditions of No. 6 was about 1.0 × 10 11 pieces / cm 2 . 4 and no. The number density (number density) of the carbon nanotubes obtained under the
（第４の実験）
第４の実験では、下地膜としてＴｉＮ膜（厚さ：５ｎｍ）をスパッタリング法により形成した。ＴｉＮ膜を形成する際には、チャンバ内にＡｒガスを１００ｓｃｃｍの流量で供給し、Ｎ2ガスを８ｓｃｃｍの流量で供給した。下地膜の形成後に、触媒粒子を下地膜上に分散させた。触媒粒子の組成を表３に示す。その後、アセチレンガスをアルゴンガスにより、５ｐｐｍまで希釈した原料ガスをチャンバ内に供給してカーボンナノチューブを成長させた。そして、カーボンナノチューブのＳＥＭ写真を撮影した。この結果を図８に示す。また、図９に、図８のＳＥＭ写真を模式的に示す。
(Fourth experiment)
In the fourth experiment, a TiN film (thickness: 5 nm) was formed as a base film by a sputtering method. When forming the TiN film, Ar gas was supplied into the chamber at a flow rate of 100 sccm, and N 2 gas was supplied at a flow rate of 8 sccm. After the formation of the base film, the catalyst particles were dispersed on the base film. The composition of the catalyst particles is shown in Table 3. Thereafter, a raw material gas obtained by diluting acetylene gas to 5 ppm with argon gas was supplied into the chamber to grow carbon nanotubes. And the SEM photograph of the carbon nanotube was taken. The result is shown in FIG. FIG. 9 schematically shows the SEM photograph of FIG.
図８及び図９に示すように、Ｃｏのみからなる触媒粒子を用いたＮｏ．７の条件では、カーボンナノチューブが太くなり、カーボンナノチューブの個数密度（本数密度）が低かった。これは、触媒粒子の凝集及び融合が生じたためであると考えられる。一方、条件Ｎｏ．８及び条件Ｎｏ．９では、細いカーボンナノチューブが成長し、１．０×１０12本／ｃｍ2程度の高い個数密度（本数密度）が得られた。但し、Ｎｏ．９の条件では、カーボンナノチューブの直線性がやや低くなった。このことから、触媒粒子中の触媒金属（第１の金属）及び第２の金属の総量に対する触媒金属の割合は、６０原子％〜９０原子％程度であることが好ましいといえる。 As shown in FIGS. 8 and 9, No. 1 using catalyst particles made of only Co. Under the condition No. 7, the carbon nanotubes became thick and the number density (number density) of the carbon nanotubes was low. This is considered to be due to aggregation and fusion of the catalyst particles. On the other hand, Condition No. 8 and condition no. In No. 9, thin carbon nanotubes were grown, and a high number density (number density) of about 1.0 × 10 12 / cm 2 was obtained. However, no. Under the condition of 9, the linearity of the carbon nanotube was slightly lowered. From this, it can be said that the ratio of the catalyst metal to the total amount of the catalyst metal (first metal) and the second metal in the catalyst particles is preferably about 60 atom% to 90 atom%.
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。 Hereinafter, various aspects of the present invention will be collectively described as supplementary notes.
（付記１）
チタン、タンタル、バナジウム及びニオブからなる群から選択された少なくとも一種の金属の酸化物、窒化物又は酸窒化物を含む下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に、コバルト、ニッケル及び鉄からなる群から選択された一種の第１の金属、並びにチタン、タンタル、バナジウム及びニオブからなる群から選択された少なくとも一種の第２の金属を含む触媒粒子を分散させる工程と、
前記下地膜の温度を４５０℃以下として前記触媒粒子からカーボンナノチューブを成長させる工程と、
を有することを特徴とするカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
(Appendix 1)
Forming a base film containing an oxide, nitride or oxynitride of at least one metal selected from the group consisting of titanium, tantalum, vanadium and niobium;
A catalyst comprising a kind of first metal selected from the group consisting of cobalt, nickel and iron and at least one kind of second metal selected from the group consisting of titanium, tantalum, vanadium and niobium on the base film. Dispersing the particles;
Growing the carbon nanotubes from the catalyst particles at a temperature of the base film of 450 ° C. or less;
A method for producing a carbon nanotube device, comprising:
（付記２）
前記カーボンナノチューブを成長させる工程において、不活性ガスによりアセチレンを１０００ｐｐｍ以下の濃度に希釈した原料ガスを用いることを特徴とする付記１に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
(Appendix 2)
The method for producing a carbon nanotube device according to
（付記３）
前記触媒粒子として、直径が５ｎｍ以下のものを用いることを特徴とする付記１又は２に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
(Appendix 3)
The method for producing a carbon nanotube device according to
（付記４）
前記触媒粒子中の前記第１の金属及び前記第２の金属の総量に対する前記第１の金属の割合は、６０原子％乃至９０原子％であることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
(Appendix 4)
Any one of
（付記５）
前記触媒粒子をレーザアブレーション法により分散させることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
(Appendix 5)
5. The method of manufacturing a carbon nanotube device according to any one of
（付記６）
前記下地膜をスパッタリング法により形成することを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
(Appendix 6)
6. The method of manufacturing a carbon nanotube device according to any one of
（付記７）
前記触媒粒子からカーボンナノチューブを成長させる際の前記下地膜の温度を４００℃未満とすることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
(Appendix 7)
The method of manufacturing a carbon nanotube device according to any one of
（付記８）
前記触媒粒子からカーボンナノチューブを成長させる際の前記下地膜の温度を３４０℃以上とすることを特徴とする付記１乃至７のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
(Appendix 8)
8. The method of manufacturing a carbon nanotube device according to any one of
（付記９）
前記下地膜は、３０質量％乃至７０質量％の窒素を含有していることを特徴とする付記１乃至８のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
(Appendix 9)
9. The method of manufacturing a carbon nanotube device according to any one of
（付記１０）
前記下地膜の厚さを、０．５ｎｍ乃至１５ｎｍとすることを特徴とする付記１乃至９のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブデバイスの製造方法。
(Appendix 10)
10. The method of manufacturing a carbon nanotube device according to any one of
１：絶縁膜
２：下地膜
３：触媒粒子
４：カーボンナノチューブ
1: Insulating film 2: Underlayer film 3: Catalyst particles 4: Carbon nanotube
Claims (6)
前記下地膜上に、第１の金属としてコバルトを含み、第２の金属としてタンタル又はバナジウムを含む触媒粒子を分散させる工程と、
前記下地膜の温度を４５０℃以下として前記触媒粒子からカーボンナノチューブを成長させる工程と、
を有することを特徴とするカーボンナノチューブデバイスの製造方法。 Forming a base film containing tantalum nitride ;
Dispersing catalyst particles containing cobalt as the first metal and tantalum or vanadium as the second metal on the base film;
Growing the carbon nanotubes from the catalyst particles at a temperature of the base film of 450 ° C. or less;
A method for producing a carbon nanotube device, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2009233641A JP5471269B2 (en) | 2009-10-07 | 2009-10-07 | Manufacturing method of carbon nanotube device |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011079706A JP2011079706A (en) | 2011-04-21 |
| JP5471269B2 true JP5471269B2 (en) | 2014-04-16 |
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ID=44074167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2009233641A Expired - Fee Related JP5471269B2 (en) | 2009-10-07 | 2009-10-07 | Manufacturing method of carbon nanotube device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5471269B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107933911B (en) * | 2016-10-12 | 2019-07-12 | 清华大学 | A kind of bionic insect |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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| JP2011079706A (en) | 2011-04-21 |
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