JP4238877B2 - Ｆｆｓモードの液晶表示パネル - Google Patents

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Description

本発明は、フリンジ・フィールド・スィッチング（Fringe Field Switching：以下、「
ＦＦＳ」という。）モードの液晶表示パネルに関し、特に画素の配列をデルタ配置とした
デュアルドメイン構造のＦＦＳモードの液晶表示パネルに関する。
近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示パネルが多く利用さ
れている。従来から多く用いられている液晶表示パネルは、表面に電極等が形成された一
対のガラス等からなる基板と、この一対の基板間に形成された液晶層と、からなり、両基
板上の電極に電圧が印加されることにより、液晶分子を再配列させて光の透過率を変える
ことにより種々の映像を表示する、言わば縦方向電界モードともいうべきものである。こ
のような縦方向電界モードの液晶表示パネルは、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ
（Vertical Alignment）モードのもの存在するが、視野角が狭いという問題点が存在する
ため、ＭＶＡ（Multidomain Vertical Alignment）モード等種々の改良された縦方向電界
モードの液晶表示パネルが開発されている。
一方、上述の縦方向電界モードの液晶表示パネルとは異なり、一方の基板にのみ電極を
備えた横方向電界モードと言うべき液晶表示パネルも、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モ
ードの液晶表示パネルとして知られている（下記特許文献１参照）。ここでこのＩＰＳモ
ードの液晶表示パネルの動作原理を図１１及び図１２を用いて説明する。なお、図１１は
ＩＰＳモードの液晶表示パネルの１画素分の概略平面図であり、図１２は図１１のXII−X
II線に沿った概略断面図である。
このＩＰＳモードの液晶表示パネル５０は、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦ
とを備えている。アレイ基板ＡＲは、第１の透明基板５１の表面にそれぞれ平行に複数の
走査線５２及びコモン配線５３が設けられ、これら走査線５２及びコモン配線５３に直交
する方向に複数の信号線５４が設けられている。そして、各画素の中央部にコモン配線５
３から帯状に、図１１においては逆Ｔ字状に、対向電極５５が設けられ、この対向電極５
５の周囲を囲むように画素電極５６が設けられている。
そして、走査線５２と信号線５４との間にはスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin F
ilm Transistor）が形成されている。このＴＦＴは、走査線５２と信号線５４との間に半
導体層５７が配置され、半導体層５７上の信号線部分がＴＦＴのソース電極Ｓを構成し、
半導体層５７の下部の走査線部分がゲート電極Ｇを構成し、また、半導体層５７の一部分
と重なる画素電極５６の部分がドレイン電極Ｄを構成している。
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、第二の透明基板５８の表面にカラーフィルタ層５９
が設けられた構成を有している。そして、アレイ基板ＡＲの画素電極５６及び対向電極５
５とカラーフィルタ基板ＣＦのカラーフィルタ層５９とが互いに対向するようにアレイ基
板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを対向させ、その間に液晶ＬＣを封入するとともに、
両基板のそれぞれ外側に偏光板６０及び６１を偏光方向が互いに直交する方向となるよう
に配置することにより、ＩＰＳモードの液晶表示パネル５０が形成される。
このＩＰＳモードの液晶表示パネル５０は、図１２に示したように、画素電極５６と対
向電極５５との間に電界を形成すると、水平方向に配向していた液晶分子が水平方向に旋
回することによりバックライトからの入射光の透過量を制御することができるようになる
。このＩＰＳモードの液晶表示パネル５０は、広視野角で、高コントラストであり、また
、画素電極５６と対向電極５５とが比較的狭い間隔で配置されているために保持容量が副
次的に生じるという長所があるが、対向電極５５がコモン配線５３と同じ金属材料で形成
されるために開口率及び透過率が低く、又、視角による色変化があるという問題点が存在
する。
このようなＩＰＳモードの液晶表示パネルの低開口率及び低透過率という問題点を解決
するために、いわゆる斜め電界方式とも言うべきＦＦＳモードの液晶表示装置が開発され
ている（下記特許文献２〜４参照）。このＦＦＳモードの液晶表示パネル動作原理を図１
３及び図１４を用いて説明する。なお、図１３はＦＦＳモードの液晶表示パネルの１画素
分の概略平面図であり、図１４は図１３のXIV−XIV線に沿った概略断面図である。
このＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ａは、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板Ｃ
Ｆとを備えている。アレイ基板ＡＲは、第１の透明基板７１の表面にそれぞれ平行に複数
の走査線７２及びコモン配線７３が設けられ、これら走査線７２及びコモン配線７３に直
交する方向に複数の信号線７４が設けられている。そして、各画素の表面全体を覆うよう
にコモン配線７３に接続されたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる透明材料で形成さ
れた対向電極７５が設けられ、この対向電極７５の表面に絶縁膜７６を介してストライプ
状に複数のスリット７７Ａが形成されたＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極７８Ａが設
けられている。
そして、走査線７２と信号線７４との交点近傍にはスイッチング素子としてのＴＦＴが
形成されている。このＴＦＴは、走査線７２の表面に半導体層７９が配置され、半導体層
７９の表面の一部を覆うように信号線７４の一部が延在されてＴＦＴのソース電極Ｓを構
成し、半導体層７９の下部の走査線部分がゲート電極Ｇを構成し、また、半導体層７９の
一部分と重なる画素電極７８Ａの部分がドレイン電極Ｄを構成している。
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、第二の透明基板８０の表面にカラーフィルタ層８１
が設けられた構成を有している。そして、アレイ基板ＡＲの画素電極７８Ａ及び対向電極
７５とカラーフィルタ基板ＣＦのカラーフィルタ層８１とが互いに対向するようにアレイ
基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを対向させ、その間に液晶ＬＣを封入するとともに
、両基板のそれぞれ外側に偏光板８２及び８３を偏光方向が互いに直交する方向となるよ
うに配置することにより、ＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ａが形成される。
このＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ａは、画素電極７８Ａと対向電極７５の間に電
界を形成すると、図１４に示したように、この電界は画素電極７８Ａの両側で対向電極７
５に向かうため、画素電極７８Ａ間に存在する液晶分子だけでなく画素電極７８Ａ上に存
在する液晶分子も動くことができる。そのため、ＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ａは
、ＩＰＳモードの液晶表示パネル５０よりも広視野角かつ高コントラストであり、更に高
透過率であるため明るい表示が可能となるという特徴を備えている。加えて、ＦＦＳモー
ドの液晶表示パネル７０Ａは、ＩＰＳモードの液晶表示パネル５０よりも平面視で画素電
極７８Ａと対向電極７５との重複面積が大きいためにより大きな保持容量が副次的に生じ
、別途補助容量線を設ける必要がなくなるという長所が存在する。
なお、ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいては、下記特許文献１に開示されているＩ
ＰＳモードの液晶表示パネルの場合と同様に、表示特性上、ラビング方向は信号線と直交
するのがよく、また画素電極とラビング方向とは微小角度の傾きを設けた方がよいことか
ら、図１５に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ｂのように画素電極７８Ｂに設け
るストライプ状のスリット７７Ｂを走査線７２ないしコモン配線７３に対して傾いた構造
とすることが行われており、同じく、視角によって色変化が認められなくなるようにする
ため、図１６に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ｃのように、画素電極７８Ｃに
設けるストライプ状のスリット７７Ｃを「く」字状となるように配置してデュアルドメイ
ン化することも行われている。なお、図１５及び図１６に示したＦＦＳモードの液晶表示
パネル７０Ｂ及び７０Ｃは、図１３に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ａとは画
素電極７８Ｂないし７８Ｃに設けるスリット７７Ｂないし７７Ｃの傾きが相違するのみで
あるので、図１３に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ａと同一の構成部分につい
ては同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
特開２００５−３３８２５６号公報（段落［００２６］〜［００６０］、図１、図１２〜図１７） 特開２０００−１３１７２０号公報（段落［０００２］〜［０００６］、図１〜図３） 特開２００２− １４３６３号公報（特許請求の範囲、段落［０００２］〜［００１０］、［００１９］〜［００２６］、図１、図２） 特開２００２−２４４１５８号公報（特許請求の範囲、段落［０００２］〜［００１３］、［００２３］〜［００３２］、図１〜図４）
上述のように、ＦＦＳモードの液晶表示パネルは、ＩＰＳモードの液晶表示パネルより
も広視野角かつ高コントラストであるとともに、高透過率であるであるため明るい表示が
可能となり、更に低電圧駆動ができるとともにより大きな保持容量が副次的に生じるため
に別途補助容量線を設けなくても表示画質が良好となるという特徴を備えている。ところ
で、上記特許文献２〜４に開示されているＦＦＳモードの液晶表示パネルは、各画素が行
方向及び列方向に整列されており、通常はストライプ配置のカラーフィルタないしはダイ
アゴナル配置のカラーフィルタと組み合わされて使用されるものであるが、特にデジタル
スチルカメラなどの画像を主に表示する用途においては各画素を互い違いに配置するデル
タ配置（トライアングル配置ともいう）が採用されることがある。
この場合、ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいては、各画素をデルタ配置とする場合
、表示ムラを少なくするためにスリットの形状は全ての画素電極において同一形状とする
ことが好ましい。しかしながら、信号線をクランク状ではあるが実質的に走査線と直交す
る方向に配線長を短くして配置する必要があるため、奇数行と偶数行とでＴＦＴの位置が
異なってしまう。このような状態を図１７を用いて説明する。なお、図１７は、各画素を
デルタ配置としたＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ｄの数画素分の概略平面図であって
、画素電極７８Ｄとこの画素電極７８Ｄに設けられたスリット７７Ｄのみを示し、その他
の具体的構成は省略してある。また、図１７における各画素間の破線は各画素の境界を示
し、実線は信号線の経路を示し、また、破線丸印で囲んだ部分はそれぞれの画素のＴＦＴ
が設けられている位置を示す。
図１７に示したＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ｄは、奇数行の画素のＴＦＴは図面上右下に位置するが、偶数行の画素のＴＦＴは図面上左下に位置しているため、信号線をクランク状にではあるが縦方向に直線状にかつ配線長を短く配置することができる。しかしながら、このＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ｄは、奇数行の画素の画素電極に設けられたスリットの形状を表示開口を有効利用できるように最適な形状としたものであるが、偶数行の画素電極に設けられたスリットの形状は矢印Ｘで示す位置のスリットの形状が奇数行のものと異なってしまい、同じ形状にすることができないので、視角対称性が失われてしまう。そのため、このＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ｄを表示させた際には横方向に斑が生じてしまう。逆に各画素の画素電極のスリットの形状を奇数行と偶数行とで同一になるようにすると、表示開口を有効に利用することができなくなる。このような状況は、画素電極に設けるスリットをデュアルドメイン構造とした各画素をデルタ配置したＦＦＳモードの液晶表示パネルについても同様に生じる現象である。
本発明は、上述のような画素電極に設けるスリットをデュアルドメイン構造とした各画
素をデルタ配置したＦＦＳモードの液晶表示パネルにおける問題点を解決すべくなされた
ものであって、視角対称性を有し、横方向の斑の発生がなく、しかも広視野角で、透過率
が高く明るい表示が可能で、表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルを提供する
ことを目的とする。
上記目的を達成するため、本願のＦＦＳモードの液晶表示パネルの発明は、平行に設けられた複数の走査線と、前記走査線と直交する方向にクランク状に設けられた複数の信号線と、複数の前記走査線及び信号線の間にそれぞれ形成された画素電極とを有し、前記画素電極が、デルタ状に配置され、且つ前記信号線に対して互い違いの接続となるように形成されるフリンジ・フィールド・スィッチングモードの液晶表示パネルにおいて、前記複数の画素電極のそれぞれは隣り合う前記走査線の間に位置する前記走査線に平行な軸に対して互いに異なる方向に傾いた複数のスリットを有し、前記画素電極に形成されたスリットのパターンは奇数行の画素電極と偶数行の画素電極とで互いに左右反転した構造を備えていることを特徴とする。
また、本願のＦＦＳモードの液晶表示パネルの発明は、上記ＦＦＳモードの液晶表示パ
ネルにおいて、前記走査線に平行な軸の両側に設けられたスリットの数はそれぞれの側で
同一数であることを特徴とする。
また、本願のＦＦＳモードの液晶表示パネルの発明は、上記ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいて、前記走査線に平行な軸と平面視で重なる領域の前記画素電極の下部には、コモン配線が設けられていることを特徴とする。
また、本願のＦＦＳモードの液晶表示パネルの発明は、上記ＦＦＳモードの液晶表示パ
ネルにおいて、前記走査線に平行な軸に最も近接する両側のスリットの端部は前記走査線
に平行な軸上で結合されていることを特徴とする。
本発明は上記構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、上記のＦＦＳモードの液晶表示パネルの発明によれば、奇数行の画素と偶数行の画素とで画素電極を駆動するためのスイッチング素子、例えばＴＦＴが異なる位置に存在することとなるが、信号線の配線長を短くできるとともに、しかも各画素の画素電極に設けられたスリットの形状は、デッドスペースを最小限にしながらも走査線に平行な軸に対して対称な実質的に同じ形状となっているとともに、行毎に走査線に垂直な軸に対して対称性を備えているから、表示開口を有効に利用しながら走査線に平行な方向及び垂直な方向ともに視角対称性が維持され、従来例のような横方向に斑が生じることがなくなるとともに明るい表示のＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。
また、上記発明によれば、走査線に平行な軸の両側に設けられた画素電極のスリットの
数はそれぞれの側で同一数とされているから、画素電極の形状は一画素内で走査線と平行
な軸に対して完全に近い対称性を有するようになり、走査線に垂直な方向の視角の対称性
が高まり、より広視野角で表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。
また、上記発明によれば、コモン配線は、通常は走査線と同材質の導電性材料から作製さ
れるために不透明であるが、このコモン配線によって互いに異なる方向に傾いたスリット
同士が隣り合う位置で発生するディスクリネーション部分を遮光することができ、表示画
質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。
上記発明によれば、走査線に平行な軸に最も近接する両側のスリットの端部を走査線に
平行な軸上で結合することによって、画素電極の面積を有効に利用することができ、しか
も両スリットの結合点近傍のディスクリネーションの発生が抑制されるため、表示画質が
より良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するためのＦＦＳモードの液晶表示パネルの構成を製造工
程順に例示するものであって、本発明をこのＦＦＳモードの液晶表示パネルに特定するこ
とを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく
適応し得るものである。
なお、図１は走査線及びコモン配線形成工程で形成された走査線及びコモン配線のパタ
ーンを示す図であり、図２は対向電極形成工程で形成された対向電極のパターンを示す図
であり、図３は半導体層形成工程で形成された半導体層のパターンを示す図であり、図４
は信号線及びドレイン電極形成工程で形成された信号線及びドレイン電極のパターンを示
す図であり、図５はコンタクトホール形成工程で形成されたコンタクトホールのパターン
を示す図であり、図６は図１〜図５の全てパターンを上下関係を無視して重ねて表した平
面図である。
更に、図７は画素電極形成工程で形成された画素電極のパターンを示す図であり、図８
は図６及び図７のパターンを上下関係を無視して重ねて表した平面図であり、図９はカラ
ーフィルタ基板に設けるブラックマトリクスのパターンを示す図であり、図１０は図７の
パターンの上に図９のパターンを重ねて表した図である。
この実施例のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０の製造工程を、アレイ基板の製造工程
とカラーフィルタ基板の製造工程に分けて説明する。
［アレイ基板製造工程］
（１）走査線・コモン配線形成工程
まず、ガラス基板等の透明基板１１の表面全体に亘って下部がＡｌ金属からなり表面が
Ｍｏ金属からなる２層膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によっ
て、図１に示したようなパターンのそれぞれＭｏ／Ａｌの２層配線からなる複数の走査線
１２及び複数のコモン配線１３を互いに平行に形成する。その際、走査線１２の一部にＴ
ＦＴのゲート電極Ｇ部分を突出させておく。なお、コモン配線１３は隣り合う走査線１２
の中間に設けられる。なお、図１において破線部分は各画素の境界部分を示す（以下、他
の図面においても同じ。）
（２）対向電極形成工程
次いで、ＩＴＯからなる透明導電性層を（１）の走査線・コモン配線形成工程を経た透
明基板１１の表面全体に亘って被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法
によって、図２に示したようなパターンの対向電極１５を形成する。この対向電極１５は
コモン配線１３とは電気的に接続されているが、走査線１２ないしゲート電極Ｇとは接続
されていない。
（３）絶縁膜形成工程
次いで、窒化硅素層ないしは酸化硅素層からなる絶縁膜を（２）の対向電極形成工程を
経た透明基板１１の表面全体に亘って被覆する。
（４）半導体層形成工程
次いで、ＣＶＤ法によりアモルファス・シリコン（以下「ａ−Ｓｉ」という。）層を（
３）の絶縁膜形成工程を経た透明基板１１の表面全体に亘って被覆し、同じくフォトリソ
グラフィー法及びエッチング法によって、図３に示したようなパターンのａ−Ｓｉ層から
なる半導体層１９をゲート電極Ｇ上に位置するように形成する。
（５）信号線・ドレイン電極形成工程
次いで、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の導電性層を（４）の半導体層形成工程を経た透
明基板１１の表面全体に亘って被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法
によって、図４に示したようなパターンの信号線１４及びドレイン電極Ｄを形成する。こ
の信号線１４のソース電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄ部分は、いずれも半導体層１９の表
面に部分的に重なっている。
（６）パッシベーション膜形成工程
次いで、窒化硅素層からなるパッシベーション膜を（５）の信号線・ドレイン電極形成
工程を経た透明基板１１の表面全体に被覆する。
（７）コンタクトホール形成工程
次いで、（６）のパッシベーション膜形成工程を経た透明基板１１に対し、同じくフォ
トリソグラフィー法及びエッチング法によって、パッシベーション膜の所定位置にコンタ
クトホール２０を形成し、ドレイン電極Ｄの一部を露出させる。このコンタクトホール形
成工程を経た透明基板１１の平面図を、各層の上下関係を無視して透視して表すと図６に
示したとおりとなる。
（８）画素電極形成工程
更に、ＩＴＯからなる透明導電性層を（７）のコンタクトホール形成工程を経た透明基
板１１の表面全体に亘って被覆し、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によ
って、図７に示したパターンとなるようにスリット１７１を有する奇数行の画素電極１８
１及びスリット１７２を有する偶数行の画素電極１８２を形成する。この画素電極１８１
及び１８２はともにコンタクトホール２０を介してドレイン電極Ｄと電気的に接続されて
いる。この画素電極形成工程を経た透明基板１１の平面図を、各層の上下関係を無視して
透視して表すと図８に示したとおりとなる。この後、表面全体に所定の配向膜（図示せず
）を形成することによりアレイ基板ＡＲが完成される。なお、画素電極１８１及び１８２
に設けるそれぞれのスリット１７１及び１７２の形状等については後述する。
［カラーフィルタ基板製造工程］
カラーフィルタ基板は、図示しないガラス基板等からなる透明基板の表面全体に例えば
感光性樹脂からなるブラックマトリクス形成材料の層を設け、フォトリソグラフィー法に
より図９に示すようなパターンのブラックマトリクス２１を形成し、次いで、各画素に対
応する位置にそれぞれ例えばＲＧＢの３原色のカラーフィルタ層を形成し、次いで、カラ
ーフィルタ層の表面に表面が平らになるようにオーバーコート層を形成する。更に、オー
バーコート層の表面に所定の配向膜を形成するとともに所定位置にスペーサを形成するこ
とによりカラーフィルタ基板が完成される。
その後、アレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板を対向させ、周囲をシール材でシール
して両基板間に液晶を注入することにより実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示パネル１
０が得られる。なお、この実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示パネル１０の画素電極１
８１及び１８２とブラックマトリクス２１との配置関係は、ブラックマトリクス２１側か
ら見ると図１０に示したとおりとなる、
以下では、この実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示パネル１０の画素電極１８１及び
１８２に設けるそれぞれのスリット１７１及び１７２の形状について図７、図８及び図１
０を参照しながら説明する。奇数行の画素電極１８１に設けられた複数のスリット１７１
は、隣り合う走査線１２の間に位置するコモン配線１３が設けられている箇所に該当する
走査線１２に平行な軸ｘ（図７及び図８参照）に対して左上側及び左下側に傾いた状態に
、実質的に軸ｘに対して線対称となるように、同一の本数ずつ設けられている。同様に、
偶数行の画素電極１８２に設けられた複数のスリット１７２は、軸ｘに対して右上側及び
右下側に傾いた状態に、実質的に軸ｘに対して線対称となるように、同一の本数ずつ設け
られている。従って、この実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示パネル１０における全て
の画素の画素電極は、画素電極単位で走査線１２に平行な軸ｘに対して対称性を備えてい
るため、走査線１２に直交する方向には表示画質に視角依存性が少なくなる。なお、軸ｘ
の両側に設けられるスリットの本数は、互いに異なっていてもよいが、あえて異なるよう
にすることの利点はないので、視角対称性を確保するために同一の本数ずつ設けることが
好ましい。
加えて、この実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示パネル１０においては、奇数行の画素電極１８１に設けられた複数のスリット１７１と偶数行の画素電極１８２に設けられた複数のスリット１７２とは走査線１２に垂直な軸に対して互いに反転した構成となっている。このことは、奇数行の画素電極１８１の製造用マスクを反転（裏返す）させて使用することにより偶数行の画素電極１８２を製造できることを意味する。従って、この実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示パネル１０においては行毎に走査線に垂直な軸に対して対称性を備えているから、走査線１２に沿った方向においても表示画質に視角依存性が少なくなる。このように、実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示パネル１０においては、表示開口を有効に利用しながら走査線に垂直な方向及び走査線に沿った方向ともに視角対称性が維持され、従来例のような横方向に斑が生じることがなくなるとともに明るい表示のＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。
また、実施例に係るＦＦＳモードの液晶表示パネル１０においては、コモン配線１３は
走査線１２と同材質のＭｏ／Ａｌの２層配線からなるため、遮光性である。そして走査線
１２に平行な軸ｘに最も近接する両側のスリットの端部は、軸ｘ上で、すなわちコモン配
線１３の上部で結合されて「く」字状とされている。この走査線１２に平行な軸ｘに最も
近接する両側のスリットは、それぞれ傾斜方向が異なるために軸ｘを起点として液晶分子
の配向方向が異なる状態となるので、軸ｘに沿ってディスクリネーションが発生するが、
このディクリネーション発生部分はコモン配線１３によって遮光されている。そのため、
発生したディスクリネーションは外部から視認し難くなるため、表示画質が向上する。
走査線及びコモン配線形成工程で形成された走査線及びコモン配線のパターンを示す図である。 対向電極形成工程で形成された対向電極のパターンを示す図である。 半導体層形成工程で形成された半導体層のパターンを示す図である。 信号線及びドレイン電極形成工程で形成された信号線及びドレイン電極のパターンを示す図である。 コンタクトホール形成工程で形成されたコンタクトホールのパターンを示す図である。 図１〜図５の全てパターンを上下関係を無視して重ねて表した平面図である。 画素電極形成工程で形成された画素電極のパターンを示す図である。 図６及び図７のパターンを上下関係を無視して重ねて表した平面図である。 カラーフィルタ基板に設けるブラックマトリクスのパターンを示す図である。 図７のパターンの上に図９のパターンを重ねて表した図である。 ＩＰＳモードの液晶表示パネルの１画素分の概略平面図である。 図１０のXII−XII線に沿った概略断面図である。 ＦＦＳモードの液晶表示パネルの１画素分の概略平面図である。 図１３のXIII−XIII線に沿った概略断面図である。 スリットを傾けて設けたＦＦＳモードの液晶表示パネルの１画素分の平面図である。 デュアルドメイン化したＦＦＳモードの液晶表示パネルの１画素分の平面図である。 画素をデルタ配置としたＦＦＳモードの液晶表示パネル７０Ｄの数画素分の概略平面図である。
符号の説明
１０ ＦＦＳモードの液晶表示パネル
１１ 透明基板
１２ 走査線
１３ コモン配線
１４ 信号線
１５ 対向電極
１７１、１７２ スリット
１８１、１８２ 画素電極
１９ 半導体層
２０ コンタクトホール
２１ ブラックマトリクス
ｘ 走査線に平行な軸

Claims (4)

  1. 平行に設けられた複数の走査線と、前記走査線と直交する方向にクランク状に設けられた複数の信号線と、複数の前記走査線及び信号線の間にそれぞれ形成された画素電極とを有し、前記画素電極が、デルタ状に配置され、且つ前記信号線に対して互い違いの接続となるように形成されるフリンジ・フィールド・スィッチングモードの液晶表示パネルにおいて、前記複数の画素電極のそれぞれは隣り合う前記走査線の間に位置する前記走査線に平行な軸に対して互いに異なる方向に傾いた複数のスリットを有し、前記画素電極に形成されたスリットのパターンは奇数行の画素電極と偶数行の画素電極とで互いに左右反転した構造を備えていることを特徴とするフリンジ・フィールド・スィッチングモードの液晶表示パネル。
  2. 前記走査線に平行な軸の両側に設けられたスリットの数はそれぞれの側で同一数であることを特徴とする請求項１に記載のフリンジ・フィールド・スィッチングモードの液晶表示パネル。
  3. 前記走査線に平行な軸と平面視で重なる領域の前記画素電極の下部には、コモン配線が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のフリンジ・フィールド・スィッチングモードの液晶表示パネル。
  4. 前記走査線に平行な軸に最も近接する両側のスリットの端部は前記走査線に平行な軸上で結合されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のフリンジ・フィールド・スィッチングモードモードの液晶表示パネル。
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