JP5465829B2 - 熱電モジュール - Google Patents
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Description
互いに対向する2つの基板と、各基板の対向面に形成される複数の電極と、一端が電極を介して一方の基板の対向面に接合し他端が電極を介して他方の基板の対向面に接合する態様で各基板の対向面に配置される複数の熱電素子と、を備え、前記複数の電極と前記複数の熱電素子とで直列回路が形成され、当該直列回路に電流が流れることで一方の基板から他方の基板に熱を伝導する熱電モジュールにおいて、
前記複数の熱電素子が前記基板の対向面のうち中央領域を除く領域に密状態で配置されること
を特徴とする。
前記中央領域の面積は前記基板の対向面に対する1つの熱電素子の設置面積の4倍以上であること
を特徴とする。
前記中央領域に補強部材が形成されること
を特徴とする。
前記中央領域に前記複数の熱電素子のいずれかに接続される電極が延伸すること
を特徴とする。
各基板の背面側に予備半田層を形成する前後での前記直列回路の抵抗値の変化量が、前記予備半田層を形成する前の前記直列回路の抵抗値の1%以下となるように前記複数の熱電素子が配置されること
を特徴とする。
互いに対向する2つの基板と、各基板の対向面に形成される複数の電極と、一端が電極を介して一方の基板の対向面に接合し他端が電極を介して他方の基板の対向面に接合する態様で各基板の対向面に配置される複数の熱電素子と、各基板の背面に形成される予備半田層と、を備え、前記複数の電極と前記複数の熱電素子とで直列回路が形成され、当該直列回路に電流が流れることで一方の基板から他方の基板に熱を伝導する熱電モジュールにおいて、
各基板の背面と予備半田層との間にメタライズ層が形成され、
各基板の背面側に予備半田層を形成する前後での前記直列回路の抵抗値の変化量が、前記予備半田層を形成する前の前記直列回路の抵抗値の1%以下となる程度に、前記電極が前記メタライズ層よりも厚いこと
を特徴とする。
図3(a)は比較1における実施例1の配置を示し、図3(b)〜(d)は比較1における比較例1〜3の配置を示す。図3の各図は放熱側の基板21に対する熱電素子31、32と電極22の位置を吸熱側の基板11側から見た状態を示している。
図5(a)は比較2における実施例2、3の配置を示し、図5(b)は比較2における比較例4、5の配置を示す。図6は比較2における各例の条件を示す。ここに示すように比較2ではW4.42mm×L5.66mmの基板に0.45mm角、長さ0.38mmの熱電素子を29対配置した4つの熱電素子を比較した。
図7(a)、(b)は比較3における実施例4、5の配置を示し、図7(c)、(d)は比較3における比較例6、7の配置を示す。図8は比較3における各例の条件を示す。ここに示すように比較3ではW3.1mm×L2.5mmの基板に0.27mm角、長さ0.38mmの熱電素子を10対配置した4つの熱電素子を比較した。
図12は比較4における配置を示す。図12は放熱側の基板21に対する熱電素子31、32と電極22の位置を吸熱側の基板11側から見た状態を示している。図13は比較4における各例の条件を示す。ここに示すように比較4ではW4.76mm×L3.72mmの基板に0.32mm角、長さ0.38mmの熱電素子を20対配置した4つの熱電素子を比較した。
図14は比較5における配置を示す。図15は比較5における各例の条件を示す。ここに示すように比較6ではW2.8mm×L2.6mmの基板に0.32mm角、長さ0.38mmの熱電素子を10対配置した4つの熱電素子を比較した。
図16は比較6における配置を示す。図17は比較6における各例の条件を示す。ここに示すように比較6ではW3.2mm×L2.5mmの基板に0.27mm角、長さ0.38mmの熱電素子を12対配置した4つの熱電素子を比較した。
13、23…メタライズ層、14、24…予備半田層、
31…P型熱電素子31、32…N型熱電素子
Claims (3)
- 互いに対向する2つの基板と、各基板の対向面に形成される複数の電極と、一端が電極を介して一方の基板の対向面に接合し他端が電極を介して他方の基板の対向面に接合する態様で各基板の対向面に配置される複数の熱電素子と、を備え、前記複数の電極と前記複数の熱電素子とで直列回路が形成され、当該直列回路に電流が流れることで一方の基板から他方の基板に熱を伝導する熱電モジュールにおいて、
前記複数の熱電素子が前記基板の対向面のうち中央領域を除く領域であって、当該中央領域を囲繞する外周領域のみに、同一サイズの熱電モジュールの基板の対向面の全領域に前記複数の熱電素子を均等に配置した場合よりも、密状態で配置され、
前記中央領域は、熱電素子を配置することが可能な領域であり、前記基板の対向面に対する1つの熱電素子の設置面積の4倍以上の面積を有する領域であって、当該中央領域には、前記熱電素子は存在せず、当該中央領域の基板の両対向面には、前記電極と同じ材料または他の材料で形成され、前記熱電素子を搭載しない補強部材が形成されること
ことを特徴とする熱電モジュール。 - 前記中央領域に形成される前記熱電素子を搭載しない補強部材は、前記外周領域に配置される熱電素子に搭載した電極に接続されるように延伸していること
を特徴とする請求項1記載の熱電モジュール。 - 各基板の背面側に予備半田層を形成する前後での前記直列回路の抵抗値の変化量が、前記予備半田層を形成する前の前記直列回路の抵抗値の1%以下となるように前記複数の熱電素子が配置されること
を特徴とする請求項1記載の熱電モジュール。
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