JP5614127B2 - パワーモジュール用基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
また、ろう付け等の製造時に加わる熱だけでなく、使用環境においても、例えば50℃の比較的高温の状態で長期間使用され続けると、同様の反りが生じる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、加熱もしくは冷却時に発生する反りを解消し、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。
図1は、本発明の一実施形態のパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを示している。この図1のパワーモジュール1は、セラミックス等からなるセラミックス基板2を有するパワーモジュール用基板3と、パワーモジュール用基板3の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品4と、パワーモジュール用基板3の裏面に接合されたヒートシンク5とから構成される。
セラミックス基板2は、例えば、AlN(窒化アルミニウム)、Si3N4(窒化珪素)等の窒化物系セラミックス、もしくはAl2O3(アルミナ)等の酸化物系セラミックスにより形成され、その厚さは例えば0.635mmとされる。
金属層6,7は、いずれも純度99.9wt%以上のアルミニウムが用いられ、JIS規格では、1N90(純度99.9wt%以上:いわゆる3Nアルミニウム)又は1N99(純度99.99wt%以上:いわゆる4Nアルミニウム)を用いることができる。
このパワーモジュール用基板3は、放熱層となる金属層7に緩衝機能を持たせたるため、回路層となる金属層6よりも肉厚に形成されたものを用いている。
本実施形態のパワーモジュール用基板3においては、例えば、回路層となる金属層6の厚さは0.6mmとされ、放熱層となる金属層7の厚さが1.6mmとされており、その厚さの比率は0.375となる。また、例示した厚さの場合、例えば、金属層6の平均粒径が0.5mmとされ、金属層7の平均粒径が1.0mmとされていることが好ましい。
以下、特に指定しない限り、金属層7の厚さの方が金属層6の厚さよりも厚いものとして説明する。
なお、金属層6と電子部品4との接合には、Sn−Ag−Cu系,Zn−Al系もしくはPb−Sn系等のはんだ材が用いられる。図中符号8がそのはんだ接合層を示す。また、電子部品4と金属層6の端子部との間は、アルミニウムなどからなるボンディングワイヤ(図示略)により接続される。
一方、放熱層となる金属層7とヒートシンク5との間の接合法としては、ノコロックろう付け法、Sn−Ag−Cu系、Zn−AlもしくはPb−Sn系等のはんだ材によるはんだ付け法が用いられ、あるいは、シリコングリースによって密着させた状態でねじによって機械的に固定される。図1では、ろう付けした例を示している。
そこで、本実施形態のパワーモジュール用基板3においては、図2(c)に示すパワーモジュール用基板3cのように、厚肉の金属層7cよりも薄肉の金属層6aの方の結晶粒の粒径を小さくしたことにより、厚さの違いにより生じる反りと、結晶粒径の違いにより生じる反りとを相殺して、反りの問題を解消させている。
また、下記の表1に、図3のグラフ上の粒径比0.2(実施例1)及び粒径比0.67(実施例2)のデータを示す。
そして、下記の表2の実施例3〜5には、両金属層の平均粒径の比率(回路層の平均粒径/放熱層の平均粒径)を0.1とした場合の各金属層の厚さの比率(厚み比)に対するパワーモジュール用基板の反り量を示す。
また、使用した金属層は、焼却炉で200〜400℃の範囲で1〜24時間の任意の処理条件で熱処理を行い、結晶粒径比の異なるものを作製した。
また、表2から明らかなように、両金属層の粒径比が0.1とされるような各金属層の結晶粒径の差が大きい場合、対応する金属層の厚さも、差が大きい場合(表2の例では実施例3)に最も反り量を小さく抑えられている。このように、両金属層の粒径比と厚み比とを対応させてバランスをとることにより、温度変化に伴う反りを抑制することができる。
なお、上記の実施例1〜5の両金属層6,7の結晶粒径の比率は、ろう付け接合前の状態で説明したが、ろう付け接合後の状態においても、表1に示すように、それぞれの結晶粒径は大きくなるが、結晶粒径の比率はほとんど変化しない。
上記実施形態では、金属層をセラミックス基板にろう付けするものとしたが、セラミックス基板と金属層との接合面に真空中でイオンビームを照射して活性化させた状態として、これらを接合する、常温での直接接合としてもよい。
2 セラミックス基板
3,3a,3b,3c パワーモジュール用基板
4 電子部品
5 ヒートシンク
6,6a,7,7a,7b,7c 金属層
8 はんだ接合層
15 筒体
15a 天板部
16 流路
17 縦壁
Claims (4)
- セラミックス基板の両面に異なる厚さの純度99.99質量%以上のアルミニウムからなる金属層が接合されたパワーモジュール用基板であって、前記セラミックス基板に接合された状態の両金属層を構成する結晶粒の平均粒径が、厚みの厚い金属層よりも薄い金属層の方が小さく形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
- 前記厚い金属層に対する前記薄い金属層の厚さの比率が0.2以上0.8以下であり、対応する結晶粒の平均粒径の比率が0.1以上0.8以下であることを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール用基板。
- 請求項1又は2に記載のパワーモジュール用基板の前記金属層のうちの一方に電子部品がはんだ付けにより接合され、他方の金属層にヒートシンクが接合されることを特徴とするパワーモジュール。
- セラミックス基板の両面に異なる厚さの純度99.99質量%以上のアルミニウムからなる金属層が接合されたパワーモジュール用基板の製造方法であって、両金属層を構成する結晶粒の平均粒径を、厚みの厚い金属層よりも薄い金属層の方を小さく形成しておき、これら両金属層を前記セラミックス基板の両面にろう材を介して配置した状態で加熱して接合することにより、前記セラミックス基板に接合された状態の両金属層を構成する結晶粒の平均粒径が、厚みの厚い金属層よりも薄い金属層の方が小さく形成されたパワーモジュール用基板を製造することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
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