CN113140483A - 一种晶圆的传片方法和传片平台 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种晶圆的传片方法和传片平台，该晶圆的传片方法包括如下步骤：S1、第一机械手将前开式晶圆传送盒内的晶圆送至过渡腔室的过渡承载机构内；S2、第二机械手将过渡腔室内的晶圆送至工艺腔室内的工艺承载机构进行处理；S3、第二机械手将经由工艺腔室处理后的晶圆送至真空腔室的真空承载机构内；S4、重复上述S1~S3的步骤，直到开式晶圆传送盒内的晶圆都由工艺腔室处理后放置在真空腔室；S5、第一机械手将真空腔室内处理后的晶圆依次送至前开式晶圆传送盒内，本发明将处理和未处理的晶圆分离开来，避免了两者的交叉影响，确保处理后的晶圆不受污染，提供晶圆的良品率，具有较高的实用性和推广价值，改进成本低，符合实际的工艺需求。

Description

一种晶圆的传片方法和传片平台
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域，特别是涉及一种用于晶圆的传片***。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅，高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
晶圆在生产加工出来时，需要经过多步的工艺加工，在工艺加工中晶圆需要经过多道传输；目前，现有的晶圆在工艺腔室做完工艺处理后，就直接回到前开式晶圆传送盒内，这样处理后的晶圆就和开式晶圆传送盒内还没有进行工艺处理的晶圆混合在一起，这样可能导致两者合交叉影响，使得处理后的晶圆受到污染，从而对晶圆的良率产生很大的影响。
发明内容
本发明目的是为了克服现有技术的不足而提供一种能将未处理和处理好的晶圆分离开来，避免两者混合后对处理后的晶圆产生污染，提升了晶圆良品率的晶圆的传片方法和传片平台。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种晶圆的传片方法，包括如下步骤：
S1、第一机械手将前开式晶圆传送盒内的晶圆送至过渡腔室的过渡承载机构内；
S2、第二机械手将过渡腔室内的晶圆送至工艺腔室内的工艺承载机构进行处理；
S3、第二机械手将经由工艺腔室处理后的晶圆送至真空腔室的真空承载机构内；
S4、重复上述S1~S3的步骤，直到开式晶圆传送盒内的晶圆都由工艺腔室处理后放置在真空腔室；
S5、第一机械手将真空腔室内处理后的晶圆依次送至前开式晶圆传送盒内。
进一步的，在所述步骤S1中，第一机械手将前开式晶圆传送盒内的晶圆送至过渡腔室时为单片传输。
进一步的，在所述步骤S5中，第一机械手将真空腔室内的晶圆送至前开式晶圆传送盒时为双片传输。
一种晶圆的传片平台，包括：
前开式晶圆传送盒，所述前开式晶圆传送盒用于装载晶圆；
过渡腔室和真空腔室，所述过渡腔室和所述真空腔室位于前开式晶圆传送盒的一侧；其中，所述过渡腔室内设有用于承载晶圆的过渡承载机构，所述真空腔室内设有用于承载晶圆的真空承载机构；
工艺腔室，所述工艺腔室位于所述过渡腔室和所述真空腔室的一侧，所述工艺腔室内设有用于承载晶片的工艺承载机构；
第一机械手，所述第一机械手位于前开式晶圆传送盒和过渡腔室以及真空腔室之间，所述第一机械手用于将前开式晶圆传送盒内的晶圆传输至过渡腔室，以及，将真空承载机构内的晶圆传输至前开式晶圆传送盒内；
第二机械手，所述第二机械手位于所述工艺腔室和过渡腔室以及真空腔室之间；所述第二机械手用于将过渡承载机构内的晶圆送至工艺承载机构处，以及，将工艺承载机构内的晶圆传输至真空承载机构。
进一步的，所述过渡承载机构内设有上下设置的两个承载晶圆的承载卡槽。
进一步的，所述真空承载机构内设有用于装载晶圆的二十五个卡槽。
进一步的，所述工艺腔室的数量为两个。
由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
本发明方案的本发明的一种晶圆的传片方法和传片平台，其增加了一个真空腔室，然后将经由工艺腔室处理后的晶圆送至真空腔室内进行存储，再将处理完的所有晶圆送至前开式晶圆传送盒内，从而将处理和未处理的晶圆分离开来，避免了两者的交叉影响，确保处理后的晶圆不受污染，提供了晶圆的良品率，具有较高的实用性和推广价值，改进成本低，符合实际的工艺需求。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：
附图1为本发明的晶圆传片方法的流程图；
附图2为本发明中晶圆传片平台的结构示意图；
其中：前开式晶圆传送盒1、过渡腔室2、真空腔室3、工艺腔室4、第一机械手5、第二机械手6。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
请参阅附图2，本发明一实施例所述的一种晶圆的传片平台，包括前开式晶圆传送盒1、过渡腔室2、真空腔室3、工艺腔室4、第一机械手5和第二机械手6；所述前开式晶圆传送盒1用于装载晶圆，在本实施例中晶圆的数量为二十五片作为一个整体放置在前开式晶圆传送盒1内。
所述前开式晶圆传输盒1的一侧设有过渡腔室2和真空腔室3；其中，所述过渡腔室2内设有用于承载晶圆的过渡承载机构(图中未示出)；所述真空腔室3内设有用于承载晶圆的真空承载机构(图中未示出)，所述真空承载机构内设有用于装载晶圆的二十五个卡槽，用于对应前开式晶圆传送盒1内的二十五片晶圆。
其中，所述过渡承载机构内设有上下设置的两个承载晶圆的承载卡槽，上面的承载卡槽是用于正常流程的晶圆传输；而位于下方的承载卡槽是当真空腔室3出现故障无法使用时，可以先将工艺处理后的晶圆放置在下方的承载卡槽内作为应急情况的使用。
所述工艺腔室4设于所述过渡腔室2和真空腔室3的一侧，所述工艺腔室4内设有用于承载晶片的工艺承载机构，利用工艺承载机构将晶圆承载后，对晶圆进行相应的工艺加工；在本实施例中包括两个工艺腔室4，这样加快了晶圆的清洗效率，从而提高晶圆的产率。
同时，本晶圆传片平台还包括第一机械手5和第二机械手6；具体的，所述第一机械手5位于前开式晶圆传送盒和过渡腔室以及真空腔室之间，第一机械手用于将前开式晶圆传送盒1内的晶圆传输至过渡腔室2，以及，将真空承载机构内的晶圆传输至前开式晶圆传送盒1内。
所述第二机械手6位于工艺腔室与过渡腔室以及真空腔室一侧，所述第二机械手用于将过渡承载机构内的晶圆送至工艺承载机构处，以及，将工艺承载机构内的晶圆传输至真空承载机构。
另外，第二机械手6和工艺腔室4也是一直处于真空状态中。
本晶圆的传片方法基于以下思路设计：前开式晶圆传送盒内的晶圆进行正常的工艺处理，然后将处理后的晶圆送至真空腔室内，最后将真空腔室内的所有晶圆送至前开式晶圆传送盒；这样能使清洗后的晶圆处于真空状态下，并且晶圆表面的反应生成物被抽走；同时，还能将未处理的晶圆和处理后的晶圆分离出来，避免两者之间的交叉影响，确保处理后的晶圆不被污染。
请参阅附图1，本发明一实施例提供的一种晶圆的传片方法，其包括如下步骤：
S1、前开式晶圆传送盒内装载有二十五片晶圆，然后第一机械手以单片传输的方式将前开式晶圆传送盒内的晶圆一片片的送至过渡腔室内的上层。
S2、第二机械手将过渡腔室内的晶圆依次送至两个工艺腔室内的工艺承载机构上，然后对晶圆进行相应的工艺处理。
S3、第二机械手以单片传输的方式将经由工艺腔室处理后的晶圆送至真空腔室内的真空承载机构。
S4、重复上述S1~S3的步骤，直到开式晶圆传送盒内的二十五拍片晶圆都由工艺腔室处理后位于真空腔室内的二十五个卡槽内。
S5、第一机械手将真空腔室内的所有晶圆以双片传输的方式依次送至前开式晶圆传送盒内，从而完成了对晶圆的传片流程。
本发明的一种晶圆的传片方法和传片平台，其增加了一个真空腔室，将经由工艺腔室处理后的晶圆送至真空腔室内进行存储，再将处理完的晶圆送至前开式晶圆传送盒内，从而将处理和未处理的晶圆分离开来，避免了两者的交叉影响，确保处理后的晶圆不受污染，提供了晶圆的良品率，具有较高的实用性和推广价值，改进成本低，符合企业的实际生产加工需求。
以上仅是本发明的具体应用范例，对本发明的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本发明权利保护范围之内。

Claims (7)

1.一种晶圆的传片方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、第一机械手将前开式晶圆传送盒内的晶圆送至过渡腔室的过渡承载机构内；
S2、第二机械手将过渡腔室内的晶圆送至工艺腔室内的工艺承载机构进行处理；
S3、第二机械手将经由工艺腔室处理后的晶圆送至真空腔室的真空承载机构内；
S4、重复上述S1~S3的步骤，直到开式晶圆传送盒内的晶圆都由工艺腔室处理后放置在真空腔室；
S5、第一机械手将真空腔室内处理后的晶圆依次送至前开式晶圆传送盒内。
2.如权利要求1所述的晶圆的传片方法，其特征在于：在所述步骤S1中，第一机械手将前开式晶圆传送盒内的晶圆送至过渡腔室时为单片传输。
3.如权利要求1所述的晶圆的传片方法，其特征在于：在所述步骤S5中，第一机械手将真空腔室内的晶圆送至前开式晶圆传送盒时为双片传输。
4.一种晶圆的传片平台，其特征在于，包括：
前开式晶圆传送盒，所述前开式晶圆传送盒用于装载晶圆；
过渡腔室和真空腔室，所述过渡腔室和所述真空腔室位于前开式晶圆传送盒的一侧；其中，所述过渡腔室内设有用于承载晶圆的过渡承载机构，所述真空腔室内设有用于承载晶圆的真空承载机构；
工艺腔室，所述工艺腔室位于所述过渡腔室和所述真空腔室的一侧，所述工艺腔室内设有用于承载晶片的工艺承载机构；
第一机械手，所述第一机械手位于前开式晶圆传送盒和过渡腔室以及真空腔室之间，所述第一机械手用于将前开式晶圆传送盒内的晶圆传输至过渡腔室，以及，将真空承载机构内的晶圆传输至前开式晶圆传送盒内；
第二机械手，所述第二机械手位于所述工艺腔室和过渡腔室以及真空腔室之间；所述第二机械手用于将过渡承载机构内的晶圆送至工艺承载机构处，以及，将工艺承载机构内的晶圆传输至真空承载机构。
5.如权利要求4所述的晶圆的传片平台，其特征在于：所述过渡承载机构内设有上下设置的两个承载晶圆的承载卡槽。
6.如权利要求4所述的晶圆的传片平台,其特征在于：所述真空承载机构内设有用于装载晶圆的二十五个卡槽。
7.如权利要求4所述的晶圆的传片平台,其特征在于：所述工艺腔室的数量为两个。
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